CN219876758U - 一种oled显示器件及包含其的显示面板和显示器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种OLED显示器件及包含其的显示面板和显示装置，所述OLED显示器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、CPL层和LIF层，通过设置LIF层，可以有效提升OLED显示器件的亮度和寿命，可以实现更高的红光效率、绿光发光效率和蓝光发光效率，使得所述OLED显示器件在实现高亮度的同时仍能保持较低的驱动电压。
Description
技术领域
本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种OLED显示器件及包含其的显示面板和显示器件。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diodes，OLED)器件的内量子效率已经接近100％，但外量子效率却仅有大约20％左右，这是因为大部分的光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在发光器件的内部，导致了大量的能量损失；直到现在，对于有机电致发光元件已有许多实用化的改良，一般在有机电致发光器件的结构是基板上按照功能依次设有阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、光取出层；且目前在有机电致发光器件中，高效率与耐久性已可借由从底部发光的底部发光结构的发光元件达成。
目前，带有高功函数的金属作为阳极已经成为研究热点，发光方式也从上部发光的顶部发光结构的发光元件成为研究重点。顶部发光结构的发光元件中，阴极系使用Ca/Mg、LiF/Al/Ag、LiF/MgAg等半透明电极。如此结构的发光元件中，当于发光层发出的光入射到其他膜时，若以某个角度入射，则会于发光层与其他膜的界面被全反射，所以只能利用发出的光的一部分，发光效率较低。
近年来，为了使光的取出效率提高，有人提出在折射率低的半透明电极的外侧设置高折射率的盖帽层(CPL层，亦称阴极覆盖层、覆盖层、封盖层、光取出层)，用来调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表面等离子体能移动引起的消光，从而提高光的取出效率，提升发光效率。作为调整折射率的覆盖层，大多使用参(8-羟基喹啉)铝(以下简称为Alq3)材料；但是，上述CPL材料的折射率一般在1.9以下，并不能满足高折射率的要求，使得采用其制备得到显示器件结构仍然存在发光效率较低和光取出效率低的问题。
因此，期待开发一种兼具较高发光效率和光取出效率的OLED显示器件，以解决上述技术问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种OLED显示器件及包含其的显示面板和显示装置，所述OLED显示器件通过在CPL层上方设置LIF层，有效提升了所述OLED显示器件的发光效率和寿命，使其在实现高亮度的同时仍能保持较低的驱动电压。
为达到此实用新型目的，本实用新型采用以下技术方案：
第一方面，本实用新型提供一种OLED显示器件，所述OLED显示器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、CPL层和LIF层。
本实用新型提供的OLED显示器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、CPL层和LIF层，通过在CPL层上方设置LIF层(覆盖层)，可以有效提升OLED显示器件的亮度和寿命；且进一步通过对LIF层厚度的限定，可以使得所述OLED显示器件能实现更高的红光效率、绿光发光效率以及蓝光发光效率，同时能够在实现高亮度的同时仍能保持较低的驱动电压。
需要说明的是，本实用新型对所提供的OLED显示器件的制备工艺不做特殊限制，例如可以直接在CPL层上蒸镀LIF材料，形成LIF层；且本实用新型提供的OLED显示器件中各层材料均为现有材料，均可通过市售产品购买得到。
作为本实用新型的优选技术方案，所述发光层中设置有蓝光发光区域、绿光发光区域和红光发光区域。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层在垂直衬底方向上的投影与衬底重合。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层在垂直衬底方向上的投影与红光发光区域重合。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层在垂直衬底方向上的投影与绿光发光区域的投影重合。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层在垂直衬底的方向上的投影与绿光发光区域和红光发光区域重合。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层在垂直衬底的方向上的投影与绿光发光区域和红光发光区域重合。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层在垂直衬底的方向上的投影与蓝光发光区域重合。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层在垂直衬底的方向上的投影与蓝光发光区域和绿光发光区域重合。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层的厚度为50～1300A，例如60A、70A、80A、90A、100A、110A或120A等。
作为本实用新型的优选技术方案，限定LIF层的厚度为50～1300A的优势在于能够明显的提高红光、绿光以及蓝光的发光效率，一方面，如果LIF层的厚度过高或者过低，则容易导致OLED器件的微共振腔效应影响较大，进而使得OLED器件的发光效率降低。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LIF层的厚度为100～1000A。
第二方面，本实用新型提供一种显示面板，所述显示面板包括如第一方面所述的OLED显示器件。
第三方面，本实用新型提供一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面所述的显示面板。
相对于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型提供的OLED显示器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、CPL层和LIF层，通过在CPL层上方设置LIF层(覆盖层)，可以有效提升OLED显示器件的亮度和寿命；且进一步通过对LIF层进行特定的图案化设计以及对其厚度做出限定，使得到的所述OLED器件可以实现更高的红光效率、绿光发光效率以及蓝光发光效率，在实现高亮度的同时仍能保持较低的驱动电压。
附图说明
图1为本实用新型第一个具体实施方式中提供的OLED显示器件的剖面结构示意图；
图2为本实用新型第二个具体实施方式中提供的OLED显示器件的剖面结构示意图；
图3为本实用新型第三个具体实施方式中提供的OLED显示器件的剖面结构示意图；
图4为本实用新型第四个具体实施方式中提供的OLED显示器件的剖面结构示意图；
图5为本实用新型第五个具体实施方式中提供的OLED显示器件的剖面结构示意图；
图6为本实用新型第六个具体实施方式中提供的OLED显示器件的剖面结构示意图；
图7为本实用新型第七个具体实施方式中提供的OLED显示器件的剖面结构示意图；
其中，1-衬底，2-阳极，3-空穴注入层，4-空穴传输层，5-电子阻挡层，6-发光层，6-1-蓝光发光区域，6-2-绿光发光区域，6-3-红光发光区域，7-空穴阻挡层、8-电子传输层，9-电子注入层，10-阴极，11-CPL层和12-LIF层。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中，所使用的材料均为现有材料，即可以通过市售购买得到。
在第一个具体实施方式中，本实用新型提供了一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图1所示，包括依次设置的衬底1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、空穴阻挡层7、电子传输层8、电子注入层9、阴极10、CPL层11和LIF层12；
其中，发光层6中设置有蓝光发光区域6-1、绿光发光区域6-2和红光发光区域6-3；
LIF层12的厚度为50～1300A，且LIF层12在垂直衬底1方向上的投影与衬底1重合，这样将LIF层12在投影上全面覆盖蓝光发光区域、绿光发光区域和红光发光区域，可以实现更高的红光效率、绿光发光效率和蓝光发光效率。
在第二个具体实施方式中，本实用新型同样提供了一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图2所示，从图2可以看出，第二个具体实施方式与第一个具体实施方式的区别仅在于LIF层12在垂直衬底1方向上的投影仅与红光发光区域6-3重合，这样设置可以实现更高的红光发光效率。
在第三个具体实施方式中，本实用新型同样提供了一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图3所示，从图3可以看出，其与第一个具体实施方式的区别仅在于，LIF层12在垂直衬底1方向上的投影与绿光发光区域6-2以及红光发光区域6-3重合，这样设置可以实现更高的绿光发光效率和红光发光效率。
在第四个具体实施方式中，本实用新型同样提供了一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图4所示，从图4可以看出，其与第一个具体实施方式的区别仅在于，LIF层12在垂直衬底1方向上的投影与绿光发光区域6-2重合，这样设置可以实现更高的绿光发光效率。
在第五个具体实施方式中，本实用新型同样提供了一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图5所示，从图5可以看出，其与第一个具体实施方式的区别仅在于，LIF层12在垂直衬底方向上的投影与蓝光发光区域6-1和红光发光区域6-3重合，这样设置可以实现更高的红光发光效率。
在第六个具体实施方式中，本实用新型同样提供了一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图6所示，从图6可以看出，其与第一个具体实施方式的区别仅在于，LIF层12在垂直衬底1方向上的投影与蓝光发光区域6-1和绿光发光区域6-2重合，这样设置可以实现更高的绿光发光效率。
在第七个具体实施方式中，本实用新型同样提供了一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图7所示，从图7可以看出，其与第一个具体实施方式的区别仅在于，LIF层12在垂直衬底1方向上的投影与蓝光发光区域6-1重合，这样设置可以实现更高的蓝绿光发光效率。
需要说明的是，本实用新型提供的OLED显示器件通常在衬底上形成，对于衬底材料的选择不做特殊限制，只要保证衬底在形成电极、形成有机物层时不发生变化即可，例如可以选择玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的衬底；当衬底不透明时，与其相对的电极优选为透明或者半透明的。
阳极的材料可选择金属，诸如铬、镍、锌、铂、钒、铜或金；或上述材料的合金，金属氧化物，诸如锌氧化物、铟氧化物、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)；金属和氧化物的组合，诸如ITO-Ag-ITO、SnO2:Sb和ZnO:Al；导电聚合物，诸如聚吡咯、聚苯胺、聚(3-甲基噻吩)或聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDOT)等，但不限于此。
空穴注入层优选具有良好接受空穴能力的材料，例如可包括诸如金属卟啉、低聚噻吩、蒽醌类化合物、芳基胺衍生物、苝衍生物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、以及基于聚苯胺或基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
空穴传输层优选酞菁类化合物、蒽醌类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯衍生物、喹吖啶酮类化合物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、聚噻吩、聚苯胺或聚乙烯咔唑等，但不限于此。
电子阻挡层可选自N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(简称:α-NPD)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(简称:TDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称:TPD)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](简称:TAPC)或2,2,7,7-四(二苯基氨基)-9,9-螺二芴(简称:Spiro-TAD)等，其可以是单一物质构成的单一结构，也可是不同物质形成的单层结构或多层结构；除了以上材料及其组合之外，电子阻挡层材料还可包括其他已知的适合做电子阻挡层的材料。
发光层的材料可使用红色、绿色或蓝色发光材料，通常包含主体材料(也称基质材料)和掺杂材料(也称客体材料)，发光层材料可包含多个主体材料和多个掺杂材料，客体材料可为单纯的荧光材料或者磷光材料，或者由荧光和磷光材料搭配组合而成；发光层的主体材料可以选择咔唑化合物、蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲衍生物、荧蒽衍生物等，以及含杂环的化合物包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、嘧啶衍生物、二苯乙烯基芳基衍生物、均二苯乙烯衍生物等，但不限于此；客体材料可包含金属配合物(例如铱配合物、铂配合物、锇配合物、铑配合物、铽络合物、铕络合物等)、蒽衍生物、芘衍生物、苝衍生物、吡咯衍生物、吲哚衍生物、咔唑衍生物等，但不限于此。
空穴阻挡层的材料可选自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯、三(8-羟基喹啉)合铝(III)、8-羟基喹啉-锂、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)及3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***等，其可以是单一物质构成的单一结构，也可是不同物质形成的单层结构或多层结构。
电子传输层的材料可包含噻唑衍生物、喹啉衍生物、苯并咪唑衍生物、氧杂噁唑衍生物、氮杂苯衍生物、二氮蒽衍生物、含硅杂环类化合物、含硼杂环类化合物、氰基类化合物、菲罗啉衍生物、金属螯合物等，但不限于此。
电子注入层的材料可以选择金属、碱金属、碱土金属、碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物、碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物、碱金属盐、碱土金属盐、金属配合物、金属氧化物及其他电子注入性高的物质。具体实例可包括：Li、Ca、Sr、LiF、CsF、CaF2、BaO、Li2CO3、CaCO3、Li2C2O4、Cs2C2O4、CsAlF4、Al2O3、MoO3、MgF2、LiOx、Yb、Tb、8-羟基喹啉铯、三(8-羟基喹啉)铝等，但不限于此。
阴极的材料具有低功函数的材料，可包含：金属，例如Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或其合金；金属氧化物，例如：ITO、IZO；多层结构材料，例如：Mg/Ag、LiF/Ca、LiF/Al或LiO2/Al等，但不限于与此。
CPL层优选具有高折射率的材料，除了可使用咔唑化合物之外，还可包括Alq3或TPBi等，但不限于此。
LIF层为LIF材料。
需要说明的是，上述各层的材料均为现有材料，均可通过市售购买产品购买得到。
实施例1
一种OLED显示器件，其剖面结构示意图如图1所示，由依次设置的衬底1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、空穴阻挡层7、电子传输层8、电子注入层9、阴极10、CPL层11和LIF层12组成；
其中，发光层6中设置有蓝光发光区域6-1、绿光发光区域6-2和红光发光区域6-3；
LIF层12的厚度为1000A，为LIF材料。
对比例1
一种OLED显示器件，其与实施例1的区别仅在于，未设置LIF层，其他参数和结构均与实施例1相同。
性能测试：
(1)发光效率：发光效率又称电流效率(单位：cd/A)是衡量有机发光器件性能的重要标准；电流效率越高，器件的载流子使用率越高，其定义为ηc＝L/J其中，L为发光亮度，J为该亮度下通过器件的电流密度；
(2)光取出率：量子效率定义为发出光子数目与注入电子数目的比率，可分为外部量子效率和内部量子效率，外部量子效率指观测方向上射出组件表面的光子数目与注入电子数目的比率，由于OLED组件是多层结构，放光层所发出的光会经过波导效应或再吸收损失，出光率为外部量子效率与内部量子效率的比值。
按照上述测试方法对实施例1和对比例1提供的OLED发光器件进行测试，测试结果如表1所示：
表1
根据表1数据可以看出：
实施例1通过设置LIF层，可以有效提升OLED显示器件出光率，可以实现更高的红光效率、绿光发光效率和蓝光发光效率，使得所述OLED显示器件在实现高亮度的同时仍能保持较低的驱动电压。
申请人声明，本实用新型通过上述实施例来说明一种OLED显示器件及包含其的显示面板和显示器件，但本实用新型并不局限于上述实施方式，即不意味着本实用新型必须依赖上述实施方式才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本实用新型的任何改进，对本实用新型所选用原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。
Claims (3)
1.一种OLED显示器件，其特征在于，所述OLED显示器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、CPL层和LIF层；
所述LIF层的厚度为50～1300A；
所述发光层中设置有蓝光发光区域、绿光发光区域和红光发光区域；
所述LIF层在垂直衬底方向上的投影与衬底重合，
或所述LIF层在垂直衬底方向上的投影与红光发光区域重合，
或所述LIF层在垂直衬底方向上的投影与绿光发光区域的投影重合，
或所述LIF层在垂直衬底的方向上的投影与绿光发光区域和红光发光区域重合，
或所述LIF层在垂直衬底的方向上的投影与蓝光发光区域和红光发光区域重合。
2.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1所述的OLED显示器件。
3.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求2所述的显示面板。
Priority Applications (1)
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| CN202320443882.3U CN219876758U (zh) | 2023-03-09 | 2023-03-09 | 一种oled显示器件及包含其的显示面板和显示器件 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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