CN218940252U - 用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护igbt的叠层母排 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于电气连接部件应用技术领域,具体公开了用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,包括风扇罩、接触器、第二电容、接地端子、断路器和散热器、散热器固定板、底板、横支撑架、端子安装板、接地端子、正极连接端子排、负极连接端子排、连接铜排、W连接铜排、电阻连接铜排、第一断路器连接铜排和第二断路器连接铜排等,所述正极连接端子排、负极连接端子排分别与正极母排、负极母排连接。本实用新型的有益效果在于:1、较低的总体成本;2、可靠性高,安全性高;3、简洁紧凑的设计可节省很大的空间;4、自身具有很低的电感(对于IGBT等开关器件,可避免其由于浪涌电压而引起的击穿);5、很低的阻抗、大大降低安装出错的概率。
Description
技术领域
本实用新型属于电气连接部件应用技术领域,具体涉及用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排。
背景技术
一般来说传统的电气柜和国产变频器中铜排连接,绝缘是靠空间距离来完成的,占用很大电气柜空间,电气柜中的铜排遭受不住巨大的冲击电流,导致电气柜中重要元件(IGBT元件、电容等)被击穿,烧毁电气柜,造成不可挽回的损失,同时电气性能差,较多的连接点,可靠性和抗污染能力差。
主要存在以下缺点表现在:1、传统的铜排绝缘等级差,耐高电压、高电流性能差,散热性能力不行;2、传统的铜排一旦遭受巨大冲击电压、电流,无法保证电气柜中的IGBT、电容、电源等设备形成保护;3、铜排的安装比,拆卸比较复杂,容易出错,需要花费巨大的时间去更换其零部件;4、铜基裸露,容易老化,发热,寿命很短(三年),无法达到电气设计要求。
基于上述问题,本实用新型提供用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的是针对现有技术的不足,提供用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,解决背景技术中当前叠层母排使用中所存在问题,适用于同步磁阻(助磁)控制器,保护重要元器件(IGBT)以及控制器其它原部件,不受冲击电流、电压影响。
技术方案:本实用新型的提供用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,包括风扇罩、第一电容、电阻、单臂桥、IGBT、变压器、接触器、第二电容、接地端子、断路器和散热器,所述散热器安装在散热器固定板内,所述散热器固定板安装在底板上,所述底板底面两侧设置有横支撑架,所述底板一端设置有端子安装板,所述端子安装板上设置有接地端子,所述接地端子上分别设置有正极连接端子排、负极连接端子排、连接铜排、W连接铜排、电阻连接铜排、第一断路器连接铜排、第二断路器连接铜排,所述正极连接端子排、负极连接端子排分别与正极母排、负极母排连接;其中,正极母排和负极母排叠加组成,正极母排、负极母排的表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层。
本技术方案的,所述正极母排、负极母排表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层厚度为3mm,其中,绝缘树脂涂层包括但不限于高性能环氧树脂。
本技术方案的,所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括与正极母排、负极母排连接的整流桥正极连接铜排、整流桥负极连接铜排,及与正极母排连接的整流桥连接铜排,及分别与单臂桥、接触器连接的T型铜排。
本技术方案的,所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括第一电容正负极连接铜排;其中,第一电容正负极连接铜排的分别接入正极母排、负极母排,连接铜排与第一电容正负极连接铜排连接,第一电容设置3组。
本技术方案的,所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括与负极母排连接的接地铜排;其中,接地铜排的与接地端子连接。
本技术方案的,所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括分别与第二电容连接的第一IGBT连接铜排、第二IGBT连接铜排;其中,连接铜排分别与第一IGBT连接铜排、第二IGBT连接铜排连接,第二电容设置三个。
本技术方案的,所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括分别设置在正极母排、负极母排同端,且不对位的正极母排支撑柱、负极母排支撑柱;其中,正极母排支撑柱、负极母排支撑柱将正极母排、负极母排垂直向支撑固定在IGBT上方。
本技术方案的,所述正极母排、负极母排的宽度尺寸相同,且正极母排的长度尺寸大于负极母排的长度尺寸;其中,正极母排、负极母排的厚度尺寸相同。
本技术方案的,所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括用于对接触器进行安装的接触器支架,及用于对断路器进行安装的第一断路器控制安装板支撑架、第二断路器控制安装板支撑架;其中,接触器支架、第一断路器控制安装板支撑架、第二断路器控制安装板支撑架分别设置在散热器固定板上。
与现有技术相比,本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的有益效果在于:1、较低的总体成本;2、可靠性高,安全性高;3、简洁紧凑的设计可节省很大的空间;4、自身具有很低的电感(对于IGBT等开关器件,可避免其由于浪涌电压而引起的击穿);5、很低的阻抗;6、大大降低安装出错的概率;7、便捷的现场安装及服务;8、增加了分部电容,在相同情况下,与电缆相比,载流能力大大提升;9、在相同的载流情况下,与电缆相比,其温升更低;10、其结构是将两层或多层铜排叠在一起,铜板层与层之间用绝缘材料进行电气隔离,通过相关工艺将导电层和绝缘层压制成一个整体,它的优势是将连接线做成了扁平的截面,在同样的电流截面下增大了导电层的表面积,同时导电层之间的间隔大幅降低,由于邻近效应使得相邻导电层流过相反的电流,它们产生的磁场相互抵消,从而使得线路中的分布电感大幅降低;11、具有更好的电流承受能力,更低的温升,散热冷却效果更好;12、降低线路分布电感,特别是对IGBT的应用.降低由于电压击穿而引起的电器元件损坏概率;13、一方面降低IGBT反峰电压,提高***的可靠性,另一方面降低***噪音和电磁干扰、射频干扰。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实
施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的***结构示意图;
图2是本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的装配后结构示意图;
图3是本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的负极母排等立视结构示意图;
图4是本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的正极母排等立视结构示意图;
图5是本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的负极母排、正极母排的叠加装配前结构示意图;
图6是本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的接地端子等的俯视结构示意图;
图7是本实用新型的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的俯视布局结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“顶部”、“底部”、“一侧”、“另一侧”、“前面”、“后面”、“中间部位”、“内部”、“顶端”、“底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制;术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性;此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例一
如图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7所示的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,包括风扇罩4、第一电容5、电阻6、单臂桥7、IGBT8、变压器9、接触器13、第二电容23、接地端子26、断路器34和散热器35,
散热器35安装在散热器固定板3内,散热器固定板3安装在底板2上,底板2底面两侧设置有横支撑架1,底板2一端设置有端子安装板12,端子安装板12上设置有接地端子26,
接地端子26上分别设置有正极连接端子排39、负极连接端子排40、连接铜排25、W连接铜排29、电阻连接铜排30、第一断路器连接铜排31、第二断路器连接铜排32,正极连接端子排39、负极连接端子排40分别与正极母排17、负极母排36连接;
其中,正极母排17和负极母排36叠加组成,正极母排17、负极母排36的表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层。
另外,优选的正极母排17、负极母排36表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层厚度为3mm,其中,绝缘树脂涂层包括但不限于高性能环氧树脂。
实施例二
在实施例一的基础上,用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括与正极母排17、负极母排36连接的整流桥正极连接铜排11、整流桥负极连接铜排14,及与正极母排17连接的整流桥连接铜排16,及分别与单臂桥7、接触器13连接的T型铜排15。
实施例三
在实施例一或实施例二的基础上,用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括第一电容正负极连接铜排20;
其中,第一电容正负极连接铜排20的分别接入正极母排17、负极母排36,连接铜排25与第一电容正负极连接铜排20连接,第一电容5设置3组。
实施例四
在实施例一或实施例二或实施例三的基础上,用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括与负极母排36连接的接地铜排18;
其中,接地铜排18的与接地端子26连接。
实施例五
在实施例一或实施例二或实施例三或实施例四的基础上,用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括分别与第二电容23连接的第一IGBT连接铜排21、第二IGBT连接铜排22;
其中,连接铜排25分别与第一IGBT连接铜排21、第二IGBT连接铜排22连接,第二电容23设置三个。
实施例六
在实施例一或实施例二或实施例三或实施例四或实施例五的基础上,用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括分别设置在正极母排17、负极母排36同端,且不对位的正极母排支撑柱37、负极母排支撑柱38;
其中,正极母排支撑柱37、负极母排支撑柱38将正极母排17、负极母排36垂直向支撑固定在IGBT8上方。
此外,优选的正极母排17、负极母排36的宽度尺寸相同,且正极母排17的长度尺寸大于负极母排36的长度尺寸;其中,正极母排17、负极母排36的厚度尺寸相同。
此外,优选的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括用于对接触器13进行安装的接触器支架10,及用于对断路器34进行安装的第一断路器控制安装板支撑架19、第二断路器控制安装板支撑架24;
其中,接触器支架10、第一断路器控制安装板支撑架19、第二断路器控制安装板支撑架24分别设置在散热器固定板3上。
此外,进一步如图6所示接地端子26上标示中:R,S,T-AC380V进线端子;P1、(+)为正极连接端子排39;负极连接端子排40,由二个端子由铜排短接片连接构成;U,V,W-控制器输出端子。
本结构的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排的工作原理或结构原理:
散热器35装在横支撑架1、底板2、散热器固定板3、风扇罩4,
第一电容5正负极通过第一电容正负极连接铜排20接入正极母排17、负极母排36,负极母排36连接有整流桥负极连接片14,正极母排17连接有整流桥正极连接片11,接地端子26设置有连接铜排25,连接铜排25分别与第一电容5正负极连接铜排20连接,正极母排17、负极母排36通过固定在IGBT8上端,母排36一端底面设置有第一圆形铜柱37支撑,母排17一端底面设置有第二圆形铜柱38支撑;
整流桥负极连接片14(右侧的孔)、整流桥正极连接片11(左侧的孔)分别与单臂桥7连接,单臂桥7右侧的孔通过铜排32连接断路器34的出口,单臂桥7中间孔通过铜排连接到母线正极P(+)26,单臂桥7左侧的孔通过整流桥连接铜排16连接正极母排17,单臂桥7中间孔通过T型铜排15连接接触器13;
变压器9安装在散热器固定板3上,且与接触器13接触;
第二电容23上分别设置第一IGBT连接铜排21、第一IGBT连接铜排22,接地端子26接入散热器固定板3上,并通过连接铜排25分别与第一IGBT连接铜排21、第一IGBT连接铜排22连接;
接地端子26上设置有W连接铜排29,W连接铜排29与连接的W连接铜排29;
驱动板固定支架28安装在底板2上,驱动板安装板27安装在驱动板固定支架28上,电阻6安装在驱动板固定支架28上,断路器34安装在断路器控制安装板33上,接地端子26设置有与电阻6连接的电阻连接铜排30,接地端子26设置有负极母排36连接的接地铜排18,接地端子26设置有与断路器34连接的第一断路器连接铜排31、第二断路器连接铜排32;
接地端子26设置有分别与正极母排17、负极母排36连接的正极连接端子39、负极连接端子40。
此外,进一步如图5所示,上层为负极母排36;下层为正极母排17,正极母排17、负极母排36的表面采用高性能环氧树脂分别对正极母排17、负极母排36进行涂装绝缘处理,最后通过压合技术将涂装好的母排压合成整体。
需要说明的是,在本文中,诸如术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (9)
1.用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,包括风扇罩(4)、第一电容(5)、电阻(6)、单臂桥(7)、IGBT(8)、变压器(9)、接触器(13)、第二电容(23)、接地端子(26)、断路器(34)和散热器(35),其特征在于:
所述散热器(35)安装在散热器固定板(3)内,所述散热器固定板(3)安装在底板(2)上,所述底板(2)底面两侧设置有横支撑架(1),所述底板(2)一端设置有端子安装板(12),所述端子安装板(12)上设置有接地端子(26),所述接地端子(26)上分别设置有正极连接端子排(39)、负极连接端子排(40)、连接铜排(25)、W连接铜排(29)、电阻连接铜排(30)、第一断路器连接铜排(31)、第二断路器连接铜排(32),所述正极连接端子排(39)、负极连接端子排(40)分别与正极母排(17)、负极母排(36)连接;
其中,正极母排(17)和负极母排(36)叠加组成,正极母排(17)、负极母排(36)的表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层。
2.根据权利要求1所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述正极母排(17)、负极母排(36)表面分别均匀喷涂有绝缘树脂涂层厚度为3mm,
其中,绝缘树脂涂层包括但不限于高性能环氧树脂。
3.根据权利要求2所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括与正极母排(17)、负极母排(36)连接的整流桥正极连接铜排(11)、整流桥负极连接铜排(14),及与正极母排(17)连接的整流桥连接铜排(16),及分别与单臂桥(7)、接触器(13)连接的T型铜排(15)。
4.根据权利要求3所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括第一电容正负极连接铜排(20);
其中,第一电容正负极连接铜排(20)的分别接入正极母排(17)、负极母排(36),连接铜排(25)与第一电容正负极连接铜排(20)连接,第一电容(5)设置3组。
5.根据权利要求4所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括与负极母排(36)连接的接地铜排(18);
其中,接地铜排(18)的与接地端子(26)连接。
6.根据权利要求5所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括分别与第二电容(23)连接的第一IGBT连接铜排(21)、第二IGBT连接铜排(22);
其中,连接铜排(25)分别与第一IGBT连接铜排(21)、第二IGBT连接铜排(22)连接,第二电容(23)设置三个。
7.根据权利要求6所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括分别设置在正极母排(17)、负极母排(36)同端,且不对位的正极母排支撑柱(37)、负极母排支撑柱(38);
其中,正极母排支撑柱(37)、负极母排支撑柱(38)将正极母排(17)、负极母排(36)垂直向支撑固定在IGBT(8)上方。
8.根据权利要求1-7任一项所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述正极母排(17)、负极母排(36)的宽度尺寸相同,且正极母排(17)的长度尺寸大于负极母排(36)的长度尺寸;
其中,正极母排(17)、负极母排(36)的厚度尺寸相同。
9.根据权利要求8所述的用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,其特征在于:所述用于同步磁阻控制器抗冲击电流保护IGBT的叠层母排,还包括用于对接触器(13)进行安装的接触器支架(10),及用于对断路器(34)进行安装的第一断路器控制安装板支撑架(19)、第二断路器控制安装板支撑架(24);
其中,接触器支架(10)、第一断路器控制安装板支撑架(19)、第二断路器控制安装板支撑架(24)分别设置在散热器固定板(3)上。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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GR01 | Patent grant | ||
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EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Shanghai Eterna Automation Engineering Co.,Ltd. Assignor: JIANGSU SUYI GROUP Co.,Ltd. Contract record no.: X2023980048789 Denomination of utility model: Stacked busbar for anti surge current protection of IGBT in synchronous reluctance controller Granted publication date: 20230428 License type: Common License Record date: 20231130 |