CN218733247U - 一种反向保护电路及负载开关 - Google Patents

一种反向保护电路及负载开关 Download PDF

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杜金城
罗杰
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Abstract

本实用新型提供了一种反向保护电路及负载开关，涉及反向保护电路技术领域，包括：反向电压检选电路、功率管P4和功率管关断电路；述功率管P4用于将功率从电压输入端VIN输出到电压输出端VOUT；反向电压检选电路用于比较电压输入端VIN的电压和电压输出端VOUT的电压，并在电压输出端VOUT电压与电压输入端VIN电压的差值大于反向电压检测阈值时，调节功率管关断电路的开关断开仅设置一个功率管即可完成反向保护，降低了反向保护电路的集成成本。

Description

一种反向保护电路及负载开关
技术领域
本实用新型涉及反向保护电路技术领域，特别是涉及一种反向保护电路及负载开关。
背景技术
反向保护电路是负载开关非常重要的模块，如反向保护电路能够阻止电流从电压输出端VOUT流向电压输入端VIN而防止功率管损坏。现有的反向保护电路包括如下几种类型：第一种是基于二极管的反向保护电路，二极管成本低，易于集成，适合小电流的应用场景。但在大电流的应用中要求负载开关输入端到输出端有较小压降，而二极管较大的正向电压降低了电源效率。第二种基于背靠背连接的两个功率管的反向保护电路，与二极管相比，这种反向保护电路虽然降低了电压输入端VIN到电压输出端VOUT的压降，但是两个功率管占用的面积大，集成成本增加。第三种是基于反向电压检测的反向保护电路，将PMOS管的开启电压VTH_P作为反向电压检测阈值，在电压输出端VOUT与电压输入端VIN的电压差大于|VTH_P|时，关断功率管。但这种反向保护电路中，反向电压检测阈值选用数值较大的开启电压VTH_P，而功率管导通电阻又很小，这样在功率管关断负载开关的反向电流就已经偏大，偏大的反向电流容易烧毁功率管。因此，亟需一种易于集成，能够及时关断功率管的反向保护电路。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种反向保护电路及负载开关，反向保护电路应用于负载开关，仅设置一个功率管即可完成反向保护，降低了反向保护电路的集成成本。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：
一种反向保护电路，包括：反向电压检选电路、功率管P4和功率管关断电路；
所述功率管P4的漏极和所述反向电压检选电路的第一端口均与电压输入端VIN连接；
所述功率管P4的源极和所述反向电压检选电路的第二端口均与电压输出端VOUT连接；
所述功率管P4的栅极与所述功率管关断电路的第一端口连接；
所述功率管P4的背栅分别与所述反向电压检选电路的第三端口和所述功率管关断电路的第二端口连接；
所述反向电压检选电路的第四端口与所述功率管关断电路的第三端口连接；
所述反向电压检选电路的第五端口用于控制所述功率管关断电路中开关S的开合状态；
所述功率管关断电路的第四端口与驱动电路输出端连接；
所述功率管P4用于将功率从电压输入端VIN输出到电压输出端VOUT；
所述反向电压检选电路用于比较电压输入端VIN的电压和电压输出端VOUT的电压，并在电压输出端VOUT电压与电压输入端VIN电压的差值大于反向电压检测阈值时，调节所述功率管关断电路的开关断开。
可选的，所述功率管关断电路还包括：PMOS管P3；
所述PMOS管P3的漏极和所述开关S的第一端连接后得到的连接点为所述功率管关断电路的第一端口；
所述PMOS管P3的源极为所述功率管关断电路的第二端口；
所述PMOS管P3的栅极为所述功率管关断电路的第三端口；
所述开关S的第二端为所述功率管关断电路的第四端口。
可选的，所述反向电压检选电路包括：反向电压检测电路和功率管的背栅电位选择电路；
所述反向电压检测电路的正向输入端与所述功率管的背栅电位选择电路的第一端口连接后得到的连接点为所述反向电压检选电路的第一端口；
所述反向电压检测电路的负向输入端与所述功率管的背栅电位选择电路的第二端口连接后得到的连接点为所述反向电压检选电路的第二端口；
所述反向电压检测电路的正向输出端与所述功率管的背栅电位选择电路的第三端口连接后得到的连接点为所述反向电压检选电路的第四端口；
所述反向电压检测电路的反向输出端与所述功率管的背栅电位选择电路的第四端口连接后得到的连接点为反向电压检选电路的第五端口；
所述功率管的背栅电位选择电路的第五端口为所述反向电压检选电路的第三端口；
反向电压检测电路用于比较电压输入端VIN电压和电压输出端VOUT电压；
所述功率管的背栅电位选择电路用于选择电压输入端VIN电压和电压输出端VOUT电压中最大的电压为所述功率管P4的背栅电压。
可选的，所述功率管的背栅电位选择电路包括：PMOS管P1和PMOS管P2；
所述PMOS管P1的漏极为所述功率管的背栅电位选择电路的第一端口；
所述PMOS管P1的源极和所述PMOS管P2的源极连接后得到的连接点为所述功率管的背栅电位选择电路的第五端口；
所述PMOS管P1的栅极为所述功率管的背栅电位选择电路的第四端口；
所述PMOS管P2的漏极为所述功率管的背栅电位选择电路的第二端口；
所述PMOS管P2的栅极为所述功率管的背栅电位选择电路的第三端口。
可选的，所述反向电压检测电路包括：PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、PMOS管P9、PMOS管P10、PMOS管P11、PMOS管P12、PMOS管P13、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7、NMOS管N8、NMOS管N9和偏置电流单元；
所述PMOS管P5的源极和所述PMOS管P6的源极连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的负向输入端；
所述PMOS管P5的背栅、所述PMOS管P6的背栅、所述PMOS管P7的背栅、所述PMOS管P8的背栅、所述PMOS管P11的背栅、所述PMOS管P11的源极、所述PMOS管P12的背栅、所述PMOS管P12的源极、所述PMOS管P13的背栅和所述PMOS管P13的源极均与所述功率管P4的背栅连接；
所述PMOS管P7的源极、所述PMOS管P8的源极、所述PMOS管P9的源极、所述PMOS管P9的背栅、所述PMOS管P10的源极和所述PMOS管P10的背栅连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的正向输入端；
所述PMOS管P5的栅极、所述PMOS管P6的栅极、所述PMOS管P6的漏极、所述PMOS管P7栅极、所述PMOS管P7的漏极和所述PMOS管P8的栅极与所述偏置电流单元的一端连接；
所述偏置电流单元的另一端、所述NMOS管N1的源极、所述NMOS管N2的源极、所述NMOS管N3的源极、所述NMOS管N4的源极、所述NMOS管N5的源极、所述NMOS管N6的源极、所述NMOS管N7的源极、所述NMOS管N8的源极、所述NMOS管N9的源极、所述NMOS管N1的背栅、所述NMOS管N2的背栅、所述NMOS管N3的背栅、所述NMOS管N4的背栅、所述NMOS管N5的背栅、所述NMOS管N6的背栅、所述NMOS管N7的背栅、所述NMOS管N8的背栅和所述NMOS管N9的背栅均接地；
所述PMOS管P5的漏极、所述NMOS管N1的漏极、所述NMOS管N1的栅极、所述NMOS管N2的栅极、所述NMOS管N3的漏极和所述NMOS管N6的栅极连接；
所述PMOS管P8的漏极、所述NMOS管N2的漏极、所述NMOS管N3的栅极、所述NMOS管N4的栅极、所述NMOS管N4的漏极和所述NMOS管N5的栅极连接；
所述PMOS管P9的漏极、所述PMOS管P9的栅极、所述PMOS管P10的栅极和所述NMOS管N5的漏极连接；
所述PMOS管P10的漏极、所述NMOS管N6的漏极、所述PMOS管P11的栅极和所述NMOS管N7的栅极连接；
所述PMOS管P11的漏极、所述NMOS管N7的漏极、所述PMOS管P12的栅极和所述NMOS管N8的栅极连接；
所述PMOS管P12的漏极、所述NMOS管N8的漏极、所述PMOS管P13的栅极和所述NMOS管N9的栅极连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的正向输出端；
所述PMOS管P13的漏极和所述NMOS管N9的漏极连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的反向输出端。
可选的，所述PMOS管P5的宽长比和所述PMOS管P6的宽长比的比例为1:1；
所述PMOS管P7的宽长比和所述PMOS管P8的宽长比的比例为1:1；
所述PMOS管P9的宽长比和所述PMOS管P10的宽长比的比例为1:6；
所述NMOS管N1的宽长比和所述NMOS管N2的宽长比的比例为1:1；
所述NMOS管N3的宽长比和所述NMOS管N4的宽长比的比例为1:1；
所述NMOS管N5的宽长比和所述NMOS管N6的宽长比的比例为1:6。
一种负载开关，所述负载开关应用所述的一种反向保护电路。
根据本实用新型提供的具体实施例，本实用新型公开了以下技术效果：
本实用新型提供了一种反向保护电路及负载开关，包括：反向电压检选电路、功率管P4和功率管关断电路；仅设置一个功率管即可完成反向保护，降低了反向保护电路的集成成本。
此外实用新型提供的一种反向保护电路中，调节反向电压检选电路内反向电压检测电路中PMOS管的宽长比，即可对反向电压检测阈值进行调节，避免现有技术中将PMOS管的开启电压VTH_P作为反向电压检测阈值，在功率管关断负载开关的反向电流就已经偏大，偏大的反向电流容易烧毁功率管的情况发生。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例1中一种反向保护电路图；
图2为本实用新型实施例1中反向电压检测电路图；
图3为本实用新型实施例1中VOUT和VIN随时间变化曲线图；
图4为本实用新型实施例1中REV_L信号随时间变化曲线图；
图5为本实用新型实施例1中REV_H信号随时间变化曲线图；
图6为本实用新型实施例1中SUB信号随时间变化曲线图；
图7为本实用新型实施例1中GATE信号随时间变化曲线图；
图8为本实用新型实施例1中反向电流IREVERSE随时间变化曲线图；
图9为本实用新型中实施例1中功率管的背栅电位选择电路PMOS管的电路版图布局图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型的目的是提供一种反向保护电路及负载开关，反向保护电路应用于负载开关，仅设置一个功率管即可完成反向保护，降低了反向保护电路的集成成本。
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种反向保护电路，包括：反向电压检选电路、功率管P4和功率管关断电路；功率管P4的漏极和反向电压检选电路的第一端口均与电压输入端VIN连接；功率管P4的源极和反向电压检选电路的第二端口均与电压输出端VOUT连接；功率管P4的栅极与功率管关断电路的第一端口连接；功率管P4的背栅分别与反向电压检选电路的第三端口和功率管关断电路的第二端口连接；反向电压检选电路的第四端口与功率管关断电路的第三端口连接；反向电压检选电路的第五端口用于控制功率管关断电路中开关S的开合状态；功率管关断电路的第四端口与驱动电路输出端连接；功率管P4用于将功率从电压输入端VIN输出到电压输出端VOUT；反向电压检选电路用于比较电压输入端VIN的电压和电压输出端VOUT的电压，并在电压输出端VOUT电压与电压输入端VIN电压的差值大于反向电压检测阈值时，调节功率管关断电路的开关S断开。
具体的，开关S由所述反向电压检测电路反向端REV_L来控制其断开和闭合，开关S是控制驱动电路I2的输出DRV与所述功率管P4的栅极GATE之间连接与否。反向电压检测电路(RCP)为比较器I1，将VIN信号与所述VOUT的信号进行比较，并输出逻辑控制信号REV_L和REV_H。功率管的背栅电位选择电路，在逻辑控制信号中REV_L为低、REV_H为高时，则将功率管P1导通、功率管P2关断，将功率管P4的背栅电位SUB等于VIN，即选择最高电位；反之，则将功率管P1关断、功率管P2导通，将功率管P4的背栅电位SUB等于电压输出端VOUT的电位，即选择最高电位。功率管P4是大功率PMOS，负责将功率从电压输入端VIN输出到电压输出端VOUT。功率管关断电路在电压输出端VOUT电压高于电压输入端VIN电压一个反向电压检测阈值时，PMOS管P3将功率管P4的栅极GATE电位拉高，同时开关S将所述驱动电路I2的输出DRV与所述功率管P4的栅极GATE的连接断开。
其中，功率管关断电路还包括：PMOS管P3；PMOS管P3的漏极和开关S的第一端连接后得到的连接点为功率管关断电路的第一端口；PMOS管P3的源极为功率管关断电路的第二端口；PMOS管P3的栅极为功率管关断电路的第三端口；开关S的第二端为功率管关断电路的第四端口。
具体的，反向电压检选电路包括：反向电压检测电路和功率管的背栅电位选择电路；反向电压检测电路的正向输入端与功率管的背栅电位选择电路的第一端口连接后得到的连接点为所述反向电压检选电路的第一端口；反向电压检测电路的负向输入端与功率管的背栅电位选择电路的第二端口连接后得到的连接点为反向电压检选电路的第二端口；反向电压检测电路的正向输出端与功率管的背栅电位选择电路的第三端口连接后的连接点为反向电压检选电路的第四端口；反向电压检测电路的反向输出端与功率管的背栅电位选择电路的第四端口连接后得到的连接点为反向电压检选电路的第五端口；功率管的背栅电位选择电路的第五端口为反向电压检选电路的第三端口；反向电压检测电路用于比较电压输入端VIN电压和电压输出端VOUT电压；功率管的背栅电位选择电路用于选择电压输入端VIN电压和电压输出端VOUT电压中最大的电压为功率管P4的背栅电压。
具体的，功率管的背栅电位选择电路包括：PMOS管P1和PMOS管P2；PMOS管P1的漏极作为功率管的背栅电位选择电路的第一端口；PMOS管P1的源极和PMOS管P2的源极连接后得到的连接点为功率管的背栅电位选择电路的第五端口；PMOS管P1的栅极为功率管的背栅电位选择电路的第四端口；PMOS管P2的漏极为功率管的背栅电位选择电路的第二端口；PMOS管P2的栅极为功率管的背栅电位选择电路的第三端口。
如图2，反向电压检测电路包括：PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、PMOS管P9、PMOS管P10、PMOS管P11、PMOS管P12、PMOS管P13、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7、NMOS管N8、NMOS管N9和偏置电流单元。
其中，PMOS管P5的源极和PMOS管P6的源极连接后得到的连接点为反向电压检测电路的负向输入端。
PMOS管P5的背栅、PMOS管P6的背栅、PMOS管P7的背栅、PMOS管P8的背栅、PMOS管P11的背栅、PMOS管P11的源极、PMOS管P12的背栅、PMOS管P12的源极、PMOS管P13的背栅和PMOS管P13的源极均与功率管P4的背栅连接。
PMOS管P7的源极、PMOS管P8的源极、PMOS管P9的源极、PMOS管P9的背栅、PMOS管P10的源极和PMOS管P10的背栅连接后得到的连接点为反向电压检测电路的正向输入端。
PMOS管P5的栅极、PMOS管P6的栅极、PMOS管P6的漏极、PMOS管P7栅极、PMOS管P7的漏极和PMOS管P8的栅极与偏置电流单元的一端连接。
偏置电流单元的另一端、NMOS管N1的源极、NMOS管N2的源极、NMOS管N3的源极、NMOS管N4的源极、NMOS管N5的源极、NMOS管N6的源极、NMOS管N7的源极、NMOS管N8的源极、NMOS管N9的源极、NMOS管N1的背栅、NMOS管N2的背栅、NMOS管N3的背栅、NMOS管N4的背栅、NMOS管N5的背栅、NMOS管N6的背栅、NMOS管N7的背栅、NMOS管N8的背栅和NMOS管N9的背栅均接地。
PMOS管P5的漏极、NMOS管N1的漏极、NMOS管N1的栅极、NMOS管N2的栅极、NMOS管N3的漏极和NMOS管N6的栅极连接。
PMOS管P8的漏极、NMOS管N2的漏极、NMOS管N3的栅极、NMOS管N4的栅极、NMOS管N4的漏极和NMOS管N5的栅极连接。
PMOS管P9的漏极、PMOS管P9的栅极、PMOS管P10的栅极和NMOS管N5的漏极连接。
PMOS管P10的漏极、NMOS管N6的漏极、PMOS管P11的栅极和NMOS管N7的栅极连接。
PMOS管P11的漏极、NMOS管N7的漏极、PMOS管P12的栅极和NMOS管N8的栅极连接。
PMOS管P12的漏极、NMOS管N8的漏极、PMOS管P13的栅极和NMOS管N9的栅极连接后得到的连接点为反向电压检测电路的正向输出端。
PMOS管P13的漏极和NMOS管N9的漏极连接后得到的连接点为反向电压检测电路的反向输出端。
具体的，所述PMOS管P5的宽长比和所述PMOS管P6的宽长比的比例为1:1；所述PMOS管P7的宽长比和所述PMOS管P8的宽长比的比例为1:1；所述PMOS管P9的宽长比和所述PMOS管P10的宽长比的比例为1:6；所述NMOS管N1的宽长比和所述NMOS管N2的宽长比的比例为1:1；所述NMOS管N3的宽长比和所述NMOS管N4的宽长比的比例为1:1；所述NMOS管N5的宽长比和所述NMOS管N6的宽长比的比例为1:6。
本实施例中，PMOS管P5和PMOS管P6组成电流镜单元，其M比例为1:1。PMOS管P7和PMOS管P7组成电流镜单元，其M比例为1:1。NMOS管N1、NMOS管N2和NMOS管N6组成电流镜单元，其M比例为1:1:6。NMOS管N4、NMOS管N3和NMOS管N5组成电流镜单元，其M(器件个数)比例为1:1:1。PMOS管P9和PMOS管P10组成电流镜单元，其M比例为1:6。PMOS管P11和NMOS管N7组成反相器单元。PMOS管P12和NMOS管N8组成反相器单元。PMOS管P13和NMOS管N9组成反相器单元。IBIAS为偏置电流单元。
本实施例中反向保护电路中各节点的工作曲线如图3-8所示，如图3-图8，电压输出端VOUT处信号的初始状态不高于电压输入端VIN的信号，电路处于非反向保护的正常工作状态。此时逻辑控制信号REV_L信号为L，逻辑控制信号REV_H信号为H，的背栅电位SUB信号选择电压输入端VIN信号，栅极GATE信号为L，无反向电流IREVERSE。随后电压输入VIN保持不变，电压输出端VOUT电压信号逐渐升高，随着电压输出端VOUT电压信号的升高，反向电流IREVERSE也逐渐增加。当电压输出端VOUT电压信号升高到VOUT-VIN>VRCP时，则逻辑控制信号REV_L信号为H，逻辑控制信号REV_H信号为L，的背栅电位SUB信号选择VOUT，栅极GATE信号为H，反向电流IREVERSE关闭，电路进入反向保护状态。
反向电压检测阈值定义为VRCP，根据图2可得：
VRCP＝VGS_P6-VGS_P7 (1)
其中，VGS_P6表示PMOS管P6的栅源电压；VGS_P7表示PMOS管P7的栅源电压。
若PMOS管P6和PMOS管P7工作在饱和区，忽略沟道长度调制效应，根据公式(1)，可得：
Figure BDA0003865341360000101
在公式(2)中，μP是P沟道器件的表面迁移率(cm2/V·s)，COX是单位面积栅氧化物电容(F/cm2)。IDS_P6表示PMOS管P6的源漏电流；IDS_P7表示PMOS管P7的源漏电流；VTH_P6表示PMOS管P6的开启阈值电压；VTH_P7表示PMOS管P7的开启阈值电压。
IBIAS＝IDS_P6+IDS_P7 (3)
反向电压检测电路(RCP)的输出REV_L或者REV_H电平发生反转的条件是IDS_P6＝IDS_P7，即
Figure BDA0003865341360000102
VTH_P6≈VTH_P7 (4)
那么，公式(2)可转换为：
Figure BDA0003865341360000111
根据公式(5)可知，通过调整偏置电流单元的电流、PMOS管P6的宽长比或者PMOS管P7的宽长比，即可得到想要的反向电压检测阈值VRCP。
本实用新型所述反向电压检测电路(RCP)不仅结构简单，器件尺寸也很小；在版图设计中也能很容易达到很好的器件匹配性；所得到的反向电压检测阈值(VRCP)也可以设计的很小。此外，功率管的背栅电位选择电路也非常简单，仅需要两个PMOS管即可。通过反向电压检测电路(RCP)的输出REV_L和REV_H，PMOS管P1和PMOS管P2能够控制功率管的背栅选择最高电位。如果VOUT-VIN>VRCP，则SUB选择VOUT；反之，则SUB选择VIN。在版图设计中，如图4，功率管的背栅电位选择电路中的P1和P2分别放置在所述功率管P4的两侧，形成对称结构。
实施例2
本实施例提供了一种负载开关，负载开关应用如实施例1所述的一种反向保护电路。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (7)

1.一种反向保护电路，其特征在于，包括：
反向电压检选电路、功率管P4和功率管关断电路；
所述功率管P4的漏极和所述反向电压检选电路的第一端口均与电压输入端VIN连接；
所述功率管P4的源极和所述反向电压检选电路的第二端口均与电压输出端VOUT连接；
所述功率管P4的栅极与所述功率管关断电路的第一端口连接；
所述功率管P4的背栅分别与所述反向电压检选电路的第三端口和所述功率管关断电路的第二端口连接；
所述反向电压检选电路的第四端口与所述功率管关断电路的第三端口连接；
所述反向电压检选电路的第五端口用于控制所述功率管关断电路中开关S的开合状态；
所述功率管关断电路的第四端口与驱动电路输出端连接；
所述功率管P4用于将功率从电压输入端VIN输出到电压输出端VOUT；
所述反向电压检选电路用于比较电压输入端VIN的电压和电压输出端VOUT的电压，并在电压输出端VOUT电压与电压输入端VIN电压的差值大于反向电压检测阈值时，调节所述功率管关断电路的开关断开。
2.根据权利要求1所述的一种反向保护电路，其特征在于，所述功率管关断电路还包括：
PMOS管P3；
所述PMOS管P3的漏极和所述开关S的第一端连接后得到的连接点为所述功率管关断电路的第一端口；
所述PMOS管P3的源极为所述功率管关断电路的第二端口；
所述PMOS管P3的栅极为所述功率管关断电路的第三端口；
所述开关S的第二端为所述功率管关断电路的第四端口。
3.根据权利要求1所述的一种反向保护电路，其特征在于，所述反向电压检选电路包括：
反向电压检测电路和功率管的背栅电位选择电路；
所述反向电压检测电路的正向输入端与所述功率管的背栅电位选择电路的第一端口连接后得到的连接点为所述反向电压检选电路的第一端口；
所述反向电压检测电路的负向输入端与所述功率管的背栅电位选择电路的第二端口连接后得到的连接点为所述反向电压检选电路的第二端口；
所述反向电压检测电路的正向输出端与所述功率管的背栅电位选择电路的第三端口连接后得到的连接点为所述反向电压检选电路的第四端口；
所述反向电压检测电路的反向输出端与所述功率管的背栅电位选择电路的第四端口连接后得到的连接点为反向电压检选电路的第五端口；
所述功率管的背栅电位选择电路的第五端口为所述反向电压检选电路的第三端口；
反向电压检测电路用于比较电压输入端VIN电压和电压输出端VOUT电压；
所述功率管的背栅电位选择电路用于选择电压输入端VIN电压和电压输出端VOUT电压中最大的电压为所述功率管P4的背栅电压。
4.根据权利要求3所述的一种反向保护电路，其特征在于，所述功率管的背栅电位选择电路包括：
PMOS管P1和PMOS管P2；
所述PMOS管P1的漏极为所述功率管的背栅电位选择电路的第一端口；
所述PMOS管P1的源极和所述PMOS管P2的源极连接后得到的连接点为所述功率管的背栅电位选择电路的第五端口；
所述PMOS管P1的栅极为所述功率管的背栅电位选择电路的第四端口；
所述PMOS管P2的漏极为所述功率管的背栅电位选择电路的第二端口；
所述PMOS管P2的栅极为所述功率管的背栅电位选择电路的第三端口。
5.根据权利要求1所述的一种反向保护电路，其特征在于，所述反向电压检测电路包括：
PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、PMOS管P9、PMOS管P10、PMOS管P11、PMOS管P12、PMOS管P13、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7、NMOS管N8、NMOS管N9和偏置电流单元；
所述PMOS管P5的源极和所述PMOS管P6的源极连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的负向输入端；
所述PMOS管P5的背栅、所述PMOS管P6的背栅、所述PMOS管P7的背栅、所述PMOS管P8的背栅、所述PMOS管P11的背栅、所述PMOS管P11的源极、所述PMOS管P12的背栅、所述PMOS管P12的源极、所述PMOS管P13的背栅和所述PMOS管P13的源极均与所述功率管P4的背栅连接；
所述PMOS管P7的源极、所述PMOS管P8的源极、所述PMOS管P9的源极、所述PMOS管P9的背栅、所述PMOS管P10的源极和所述PMOS管P10的背栅连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的正向输入端；
所述PMOS管P5的栅极、所述PMOS管P6的栅极、所述PMOS管P6的漏极、所述PMOS管P7栅极、所述PMOS管P7的漏极和所述PMOS管P8的栅极与所述偏置电流单元的一端连接；
所述偏置电流单元的另一端、所述NMOS管N1的源极、所述NMOS管N2的源极、所述NMOS管N3的源极、所述NMOS管N4的源极、所述NMOS管N5的源极、所述NMOS管N6的源极、所述NMOS管N7的源极、所述NMOS管N8的源极、所述NMOS管N9的源极、所述NMOS管N1的背栅、所述NMOS管N2的背栅、所述NMOS管N3的背栅、所述NMOS管N4的背栅、所述NMOS管N5的背栅、所述NMOS管N6的背栅、所述NMOS管N7的背栅、所述NMOS管N8的背栅和所述NMOS管N9的背栅均接地；
所述PMOS管P5的漏极、所述NMOS管N1的漏极、所述NMOS管N1的栅极、所述NMOS管N2的栅极、所述NMOS管N3的漏极和所述NMOS管N6的栅极连接；
所述PMOS管P8的漏极、所述NMOS管N2的漏极、所述NMOS管N3的栅极、所述NMOS管N4的栅极、所述NMOS管N4的漏极和所述NMOS管N5的栅极连接；
所述PMOS管P9的漏极、所述PMOS管P9的栅极、所述PMOS管P10的栅极和所述NMOS管N5的漏极连接；
所述PMOS管P10的漏极、所述NMOS管N6的漏极、所述PMOS管P11的栅极和所述NMOS管N7的栅极连接；
所述PMOS管P11的漏极、所述NMOS管N7的漏极、所述PMOS管P12的栅极和所述NMOS管N8的栅极连接；
所述PMOS管P12的漏极、所述NMOS管N8的漏极、所述PMOS管P13的栅极和所述NMOS管N9的栅极连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的正向输出端；
所述PMOS管P13的漏极和所述NMOS管N9的漏极连接后得到的连接点为所述反向电压检测电路的反向输出端。
6.根据权利要求5所述的一种反向保护电路，其特征在于，所述PMOS管P5的宽长比和所述PMOS管P6的宽长比的比例为1:1；
所述PMOS管P7的宽长比和所述PMOS管P8的宽长比的比例为1:1；
所述PMOS管P9的宽长比和所述PMOS管P10的宽长比的比例为1:6；
所述NMOS管N1的宽长比和所述NMOS管N2的宽长比的比例为1:1；
所述NMOS管N3的宽长比和所述NMOS管N4的宽长比的比例为1:1；
所述NMOS管N5的宽长比和所述NMOS管N6的宽长比的比例为1:6。
7.一种负载开关，其特征在于，所述负载开关应用如权利要求1-6任一项所述的一种反向保护电路。
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