CN218638849U - 一种激光开槽设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种激光开槽设备,包括入料机构、定位机构、直线式移载过渡机构、激光开槽机构及出料机构。定位机构设置在入料机构的输出端上方,对待开槽硅片进行拍照定位;入料机构、直线式移载过渡机构和出料机构沿同一直线设置,直线式移载过渡机构在入料机构和出料机构之间往复运动,激光开槽机构设置在入料机构与出料机构之间。直线式移载过渡机构用于将待开槽硅片从入料机构移载至激光开槽机构下方,将开槽后的硅片移载至出料机构。本实用新型的激光开槽设备,入料机构、直线式移载过渡机构及出料机构位于同一直线上,上料、开槽及下料过程中,无须对硅片实施抓取及搬运,从而大幅度地降低了碎片风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及电池生产领域,具体地说是一种激光开槽设备。
背景技术
为了提高电池片的转换效率,需要减小硅片和电极之间的接触电阻,增加硅片与电极之间的欧姆接触。现阶段的通行做法是对硅片与电极的接触位置进行高浓度掺杂。在进行高浓度掺杂前,需要对硅片进行激光开槽。
现有的激光开槽设备,其承载台设置在旋转平台上,承载台在旋转平台的带动下依次旋转至上料工位、激光开槽工位及下料工位处。承载台旋转至下料工位时,上料搬运机构将从输送机构输出的硅片抓取的硅片搬运至承载台上,承载台旋转至下料工位时,下料搬运机构将承载台上的开槽后的硅片搬运至下料输送机构上。
现有的激光开槽设备的结构较为复杂,且需要多次抓取、搬运硅片,增加了硅片的碎片风险。
实用新型内容
为了解决现有的激光开槽设备存在的上述技术问题,本实用新型提供了一种激光开槽设备,其采用如下技术方案:
一种激光开槽设备,用于对硅片开槽,激光开槽设备包括入料机构、定位机构、直线式移载过渡机构、激光开槽机构及出料机构,其中:
定位机构设置在入料机构的输出端的正上方,对待开槽的硅片进行拍照定位;
入料机构、直线式移载过渡机构和出料机构沿同一直线依次设置,直线式移载过渡机构在入料机构和出料机构之间往复运动,激光开槽机构设置在入料机构与出料机构之间,且位于直线式移载过渡机构的运动路径的上方;
直线式移载过渡机构用于将待开槽的硅片从入料机构移载至激光开槽机构下方,将开槽后的硅片移载至出料机构。
本实用新型提供的激光开槽设备,入料机构、直线式移载过渡机构及出料机构位于同一直线上,直线式移载过渡机构能够将待开槽的硅片从入料机构移载至激光开槽机构下方,并将开槽后的硅片移载至出料机构上,即,硅片在直线输送路径上即能连续完成上料、开槽及下料操作,在此处理过程中不需要实施对硅片的抓取及搬运,从而大幅度地降低了硅片的碎片风险。
在一些实施例中,直线式移载过渡机构包括第一移动组件、第二移动组件和过渡台,第二移动组件设置在第一移动组件的驱动端,过渡台设置在第二移动组件的驱动端;第一移动组件用于驱动过渡台在入料机构和出料机构之间往复运动;过渡台上设置有避让槽,用于避让入料机构和出料机构;第二移动组件用于驱动过渡台顶升,以将待开槽的硅片从入料机构上顶起,过渡至过渡台上;第二移动组件还用于驱动过渡台下降,以将开槽后的硅片向下搭放至出料机构上。
通过对直线式移载过渡机构及过渡台进行设置,使得过渡台能够顺利地从入料机构上获取待开槽的硅片,以及将开槽后的硅片移载至出料机构上。
在一些实施例中,直线式移载过渡机构还包括旋转组件,旋转组件设置在第二移动组件的驱动端,过渡台设置在旋转组件的驱动端,旋转组件用于驱动过渡台旋转以调整待开槽的硅片的摆放位置。
通过设置旋转组件,实现了对待开槽的硅片的摆放位置的提前调整,使得硅片的摆放位置满足预定的开槽要求,如此,当硅片被移载至激光开槽机构的下方后,激光开槽机构即可马上实施开槽操作,从而保证工作节拍,提高开槽效果。
在一些实施例中,激光开槽机构被配置为基于定位机构获取的待开槽的硅片的位置信息,规划开槽激光的移动路径。
通过将激光开槽机构配置为根据硅片的位置信息,规划开槽激光的移动路径,能够节省旋转过渡台以调整硅片位置的动作,以提高开槽效率,还可降低设备成本。
在一些实施例中,过渡台上设置有若干吸附孔,吸附孔避开避让槽设置。
通过在过渡台上设置吸附孔,实现了对硅片的吸附固定,防止在过渡台移动时硅片发生位置偏移或滑落,将吸附孔避开避让槽设置,可以防止吸附时损坏片体。
在一些实施例中,激光开槽设备还包括设置在入料机构输出端的硅片下压机构;硅片下压机构包括对称设置在入料机构的输出端两侧的第一吹气组件和第二吹气组件,第一吹气组件和第二吹气组件均包括安装支架和吹气杆,其中:安装支架安装在入料机构上,吹气杆安装在安装支架上且沿入料机构的输送方向延伸;吹气杆的第一端为与外部气路连接的进气端,吹气杆的第二端封闭,吹气杆上设置有若干开口向下的吹气孔,过渡台在将硅片顶离入料机构时,吹气孔向下吹气以将硅片按压在过渡台上。若干吹气孔等距设置在吹气杆上,或者,从吹气杆的第一端至吹气杆的第二端,吹气孔之间的间距逐渐缩小;吹气杆被配置为能够垂直于入料机构的输送方向平移,以及在竖直方向上升降。
通过在入料机构输出端设置硅片下压机构,并将硅片下压机构设置成位于出料机构的输出端的两侧的第一吹气组件和第二吹气组件,在过渡台在将硅片顶离入料机构时,第一吹气组件和第二吹气组件从两侧朝向硅片吹气,从而将硅片压紧固定在过渡台上,防止硅片在顶升过程中倾斜或从过渡台上偏移或滑落。
将吹气组件设置成吹气杆结构,并将其上的吹气孔之间的间距设置为自第一端至第二端逐渐缩小,则可提升硅片各处的受力均匀度。此外,通过将吹气杆设置为可垂直于入料机构的输送方向平移,则实现对两个吹气杆的间距调整,使得吹气杆能够实现对不同尺寸的硅片的兼容。通过将吹气杆设置为可升降,则可调整吹气孔与硅片之间的距离,灵活的控制对硅片的下压力度。
在一些实施例中,安装支架包括连接部及支撑部,其中:连接部上设置有沿垂直于入料机构的输送方向延伸的第一连接腰孔,连接部经第一连接腰孔可平移地连接在入料机构上;支撑部的下端设置有沿竖直方向延伸的第二连接腰孔,支撑部的下端经第二连接腰孔可升降地连接在连接部上;吹气杆可旋转地连接在支撑部上。
通过对安装支架进行设置,实现了对吹气杆平移及升降调节,将吹气杆设置成可旋转,能够根据不同工况对吹气角度进行调节,灵活的控制对硅片的下压力度。
在一些实施例中,激光开槽设备还包括输入规整机构和/或输出规整机构,其中:输入规整机构设置在入料机构的两侧,用于实施对入料机构输入的待开槽的硅片的规整;输出规整机构设置在出料机构的两侧,用于实施对出料机构输出的开槽后的硅片的规整。
通过设置输入规整机构,可实现对位于入料机构上的待开槽的硅片的规整,从而保证过渡台能够顺利地从入料机构上获取到待开槽的硅片。通过设置输出规整机构,则实现了对位于出料机构上的开槽后的硅片的规整。
在一些实施例中,激光开槽设备还包括剔除机构,剔除机构用于将开槽后的不合格硅片自出料机构上移除;剔除机构包括设置在出料机构内侧的顶升组件,顶升组件用于将不合格硅片向上顶出出料机构;或者,剔除机构包括设置在出料机构边侧的搬运组件,搬运组件用于从出料机构拾取不合格硅片;或者,剔除机构包括设置在出料机构的出料端的翻转输送组件,翻转输送组件用于将不合格硅片翻转输送到下方的废料盒。
通过设置剔除机构,可将开槽后的不合格硅片自出料机构上移除,防止不合格硅片进入至后道处理工位,提升产品合格率。
在一些实施例中,激光开槽机构包括机架及安装在机架上的激光器、振镜、振镜升降机构及除尘机构,其中:振镜位于激光器的下方,振镜升降机构的驱动端连接振镜,振镜升降机构驱动振镜升降,激光器和振镜配合实施对硅片的开槽处理;除尘机构用于清除开槽过程中产生的杂质。
通过激光器和振镜的配合,激光开槽机构实现了对硅片的激光开槽。而通过设置除尘机构,则实现了对开槽过程中产生的杂质的及时清除。
在一些实施例中,直线式移载过渡机构设置有两个过渡台,两个过渡台在对应的第一移动组件及第二移动组件的驱动下,交替地从入料机构获取待开槽的硅片,并将硅片移载至激光开槽机构的下方,以及将开槽后的硅片移载至出料机构。
两个过渡台交替地将待开槽的硅片移载至激光开槽机构的下方,并将开槽后的硅片移载至出料机构,大幅度提升了本实用新型的开槽效率。
附图说明
图1为本实用新型一个实施例的激光开槽设备的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中的硅片下压机构的结构示意图;
图3为本实用新型实施例中的入料机构、直线式移载过渡机构及出料机构的结构示意图;
图4为本实用新型实施例中的翻转输送组件的结构示意图;
图5为本实用新型另一个实施例中的激光开槽设备的结构示意图;
图1至图5中包括:
入料机构1:
输送带11;
定位机构2;
直线式移载过渡机构3:
第一移动组件31、第二移动组件32、过渡台33、避让槽331;
激光开槽机构4:
除尘机构41;
出料机构5;
硅片下压机构6:
第一吹气组件61、第二吹气组件62、安装支架63、吹气杆64、连接部631、支撑部632、第一连接腰孔633、第二连接腰孔634;
输入规整机构7;
输出规整机构8;
翻转输送组件9:
翻转驱动机构91、翻转支架92、输送带93。
具体实施方式
本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
现有的激光开槽设备的结构较为复杂,且需要多次抓取、搬运硅片,增加了硅片的碎片风险。
为了解决现有的激光开槽设备存在的上述技术问题,本实用新型提供了一种新型的激光开槽设备。
如图1所示,本实用新型的激光开槽设备包括入料机构1、定位机构2、直线式移载过渡机构3、激光开槽机构4及出料机构5,其中:
定位机构2设置在入料机构1的输出端的正上方,对待开槽的硅片进行拍照定位,以获取待开槽的硅片的位置信息。
入料机构1、直线式移载过渡机构3和出料机构5沿同一直线依次设置,直线式移载过渡机构3在入料机构1和出料机构5之间往复运动,激光开槽机构4 设置在入料机构1与出料机构5之间,且位于直线式移载过渡机构3的运动路径的上方。
直线式移载过渡机构3用于将待开槽的硅片从入料机构1移载至激光开槽机构4下方,以及将开槽后的硅片移载至出料机构5。
本实用新型的激光开槽设备的工作过程如下:
入料机构1将待开槽的硅片朝向直线式移载过渡机构3输送。
待开槽的硅片被输送至入料机构1的输出端处时,定位机构2对待开槽的硅片拍照以实施拍照定位,以获取待开槽的硅片的位置信息。
直线式移载过渡机构3从入料机构1的输出端处获取待开槽的硅片,并将待开槽的硅片移载至激光开槽机构4的下方。
激光开槽机构4实施对硅片的开槽处理。
直线式移载过渡机构3将开槽后的硅片移载至出料机构5,出料机构5输出开槽后的硅片。
可见,本实用新型的激光开槽设备实现了对硅片的自动上料、自动开槽及自动下料。特别的,本实用新型的激光开槽设备,其中的入料机构1、直线式移载过渡机构3及出料机构5位于同一直线上,且直线式移载过渡机构3能够将待开槽的硅片从入料机构1移载至激光开槽机构4的下方,并将开槽后的硅片移载至出料机构5上。
硅片在直线输送路径上连续完成上料、开槽及下料操作,整个处理过程中,不需要实施对硅片的抓取及搬运,从而大幅度地降低了硅片的碎片风险。
如图2所示,可选的,直线式移载过渡机构3包括第一移动组件31、第二移动组件32和过渡台33,其中:第二移动组件32设置在第一移动组件31的驱动端,过渡台33设置在第二移动组件32的驱动端,第一移动组件31用于驱动过渡台33在入料机构1和出料机构5之间往复运动。过渡台33上设置有避让槽331,用于避让入料机构1和出料机构5。
直线式移载过渡机构3的工作过程如下:
过渡台33需要从入料机构1上获取待开槽的硅片时,第二移动组件32首先驱动过渡台33下降至低位,接着第一移动组件31驱动过渡台33朝向入料机构1运动,直至过渡台33运动至入料机构1的输出端的下方。接着,第二移动组件32驱动过渡台33上升至第一预定高度,在此过程中,入料机构1的输出端进入至过渡台33上的避让槽内,入料机构1的输出端上的待开槽的硅片被过渡台33顶起,从而过渡至过渡台33上。
激光开槽机构4完成对硅片的开槽处理后,第二移动组件32驱动过渡台33 下降归位,使得过渡台33上的避让槽与出料机构5的输入端处于同一高度。接着,第一移动组件31驱动过渡台33朝向出料机构5运动,在此过程中,出料机构5的输入端***至过渡台33上的避让槽内。接着,第二移动组件32驱动过渡台33下降至第二高度,在此过程中,出料机构5的输入端向上浮出避让槽,过渡台33上的开槽后的硅片向下搭放至出料机构5的输入端上。
如图2所示,可选的,入料机构1的输出端及出料机构5的输入端均设置有两根并排设置的输送带11,对应的,过渡台33上设置有两个用于避让输送带的避让槽。如此,如上文所述,当第二移动组件32驱动过渡台33上升至第一预定高度过程中,入料机构1的输出端处的两根输送带11进入至过渡台33上的两个避让槽内,位于入料机构1的输出端处的两根输送带11上的待开槽的硅片过渡至过渡台33上。当过渡台33下降至第二高度过程中,出料机构5的输入端的两根输送带11向上浮出过渡台33上的两个避让槽,过渡台33上的开槽后的硅片落至出料机构5的输入端的两根输送带11上。
可选的,过渡台33上还设置有若干吸附孔,吸附孔避开避让槽331设置。吸附孔用于实施对硅片的吸附固定,防止在过渡台33移动时硅片发生位置偏移或滑落,将吸附孔避开避让槽331设置,可以防止吸附时损坏片体。
可选的,为了进一步提升开槽效率,直线式移载过渡机构3设置有两个过渡台33,两个过渡台33在各自对应的第一移动组件31及第二移动组件32的驱动下,交替地从入料机构1获取待开槽的硅片,并将硅片移载至激光开槽机构4 的下方,以及将开槽后的硅片移载至出料机构5上。
可选的,本实用新型中的直线式移载过渡机构3还包括旋转组件,旋转组件设置在第二移动组件32的驱动端,过渡台33设置在旋转组件的驱动端。旋转组件根据定位机构2提供的硅片的位置信息,驱动过渡台33旋转以完成对待开槽的硅片在的角度调整,使得硅片的摆放角度符合预定的开槽要求,如此,当硅片被移载至激光开槽机构4的下方后,激光开槽机构4即可实施开槽操作。
当然,也可不设置旋转组件,当待开槽的硅片被移载至激光开槽机构4的下方后,激光开槽机构4根据定位机构2获取到的待开槽的硅片的位置信息实施对硅片的开槽,即,激光开槽机构4根据待开槽的硅片的位置信息,生成控制激光移动的规划路径。
如图1所示,可选的,本实用新型的激光开槽设备还包括设置在入料机构1 的输出端的硅片下压机构6,过渡台33在将硅片顶离入料机构1时,硅片下压机构6用于将硅片压紧固定在过渡台33,防止硅片在顶升过程中滑落。
如图3所示,可选的,硅片下压机构6包括对称设置在入料机构1的输出端两侧的第一吹气组件61和第二吹气组件62,第一吹气组件61和第二吹气组件62均包括安装支架63和吹气杆64,其中,安装支架63安装在入料机构1上,吹气杆64 连接在安装支架63上且沿入料机构1的输送方向延伸。
过渡台33在将硅片顶离入料机构1时,两根吹气杆64从两侧朝向硅片吹气,从而将硅片压紧固定至过渡台33上。通过吹气的方式实施对硅片的压紧固定,能降低对硅片的压损风险。此外,采用吹气杆64作为压紧部件,可减少对定位机构2的遮挡,从而保证定位机构2对硅片的定位效果。
可选的,吹气杆64的第一端为与外部气路连接的进气端,吹气杆64的第二端封闭,吹气杆64上设置有若干开口向下的吹气孔。外部气路内的高压空气经吹气杆64的第一端进入至吹气杆64内,并经吹气孔吹出。
吹气杆64内部,距离吹气杆64的第一端的越远,气压越低。因此,为了保证硅片各处的受力均匀度,可选的,从吹气杆64的第一端至吹气杆64的第二端(如图3中的箭头方向所示),吹气孔之间的间距被设置为逐渐缩小。
当然,若干吹气孔也沿吹气杆64的延伸方向等距设置在吹气杆64上。
可选的,吹气杆64被配置能够垂直于入料机构1的输送方向平移,以及在竖直方向上升降。其中,通过控制吹气杆64垂直于入料机构1的输送方向平移,可调整两根吹气杆64之间的间距,从而实现对不同尺寸的硅片的兼容,而通过控制吹气杆64升降,则可调整吹气孔与硅片之间的距离,灵活的控制对硅片的下压力度。
继续参考图3所示,可选的,安装支架63包括连接部631及支撑部632,其中:连接部631上设置有沿垂直于入料机构1的输送方向延伸的第一连接腰孔633,连接部631经第一连接腰孔633可平移地连接在入料机构1上。支撑部 632的下端设置有沿竖直方向延伸的第二连接腰孔634,支撑部632的下端经第二连接腰孔634可升降地连接在连接部631上。
可选的,吹气杆64可旋转地连接在支撑部632上,通过旋转吹气杆64,可实现对其上的吹气孔的吹气方向的调节,保证吹气孔能够实施对硅片的吹气压紧。
如图1所示,可选的,本实用新型中的激光开槽设备还包括设置在入料机构1两侧的输入规整机构7,输入规整机构7用于实施对入料机构1输入的待开槽的硅片的规整,使得待开槽的硅片的两侧边缘与入料机构1的输送方向平行,最终保证过渡台33能够顺利地从入料机构1上获取到待开槽的硅片。
可选的,本实用新型中的激光开槽设备还包括设置在出料机构5两侧的输出规整机构8,输出规整机构8用于从两侧实施对出料机构5上的开槽后的硅片的规整,使得开槽后的硅片的两侧边缘与出料机构5的输送方向平行。
可选的,本实用新型中的激光开槽设备还包括剔除机构,剔除机构用于将开槽后的不合格硅片自出料机构5上移除。即,出料机构5仅将开槽后的合格硅片继续输送至后道处理工位,而开槽后的不合格硅片则提前被从出料机构5 上移除,不会流入至后道处理工位。
如图1和图4所示,可选的,剔除机构为设置在出料机构5的出料端的翻转输送组件9,翻转输送组件9用于将不合格硅片翻转输送到下方的废料盒内,从而实施对不合格硅片的回收储存。
如图4所示,翻转输送组件9包括翻转驱动机构91、翻转支架92及输送带 93,其中,翻转支架92与翻转驱动机构91的驱动端连接,输送带93安装在翻转支架92上。翻转驱动机构91驱动翻转支架92在水平状态和倾斜状态之间翻转切换,当翻转支架92翻转至水平状态时,输送带93与出料机构5对接,出料机构5上的硅片可顺利过渡至输送带93上并继续向后输送。而当翻转支架92 翻转至倾斜状态时,输送带93上的硅片则向下输送至下方的废料盒内。
剔除机构也可采用其他的可行的实现方式,如,剔除机构包括设置在出料机构5内侧的顶升组件,顶升组件用于将不合格硅片向上顶出出料机构5。又如,剔除机构包括设置在出料机构5边侧的搬运组件,搬运组件用于从出料机构5 上拾取不合格硅片,并将不合格硅片搬运至废料盒内。
可选的,本实用新型中的激光开槽机构4包括安装支架及安装在安装支架上的激光器、振镜、振镜升降机构及除尘机构,其中:振镜位于激光器的下方,振镜升降机构的驱动端连接振镜,振镜升降机构驱动振镜升降,激光器和振镜配合实施对硅片的开槽处理。
如图5所示,可选的,激光开槽机构4还包括设置在安装支架上的除尘机构41,除尘机构41用于清除开槽过程中产生的杂质。
上文对本实用新型进行了足够详细的具有一定特殊性的描述。所属领域内的普通技术人员应该理解,实施例中的描述仅仅是示例性的,在不偏离本实用新型的真实精神和范围的前提下做出所有改变都应该属于本实用新型的保护范围。本实用新型所要求保护的范围是由所述的权利要求书进行限定的,而不是由实施例中的上述描述来限定的。
Claims (11)
1.一种激光开槽设备,其特征在于,用于对硅片开槽,所述激光开槽设备包括入料机构、定位机构、直线式移载过渡机构、激光开槽机构及出料机构,其中:
所述定位机构设置在所述入料机构的输出端的正上方,对待开槽的硅片进行拍照定位;
所述入料机构、所述直线式移载过渡机构和所述出料机构沿同一直线依次设置,所述直线式移载过渡机构在所述入料机构和所述出料机构之间往复运动,所述激光开槽机构设置在所述入料机构与所述出料机构之间,且位于所述直线式移载过渡机构的运动路径的上方;
所述直线式移载过渡机构用于将待开槽的硅片从所述入料机构移载至所述激光开槽机构下方,将开槽后的硅片移载至出料机构。
2.如权利要求1所述的激光开槽设备,其特征在于,所述直线式移载过渡机构包括第一移动组件、第二移动组件和过渡台,所述第二移动组件设置在所述第一移动组件的驱动端,所述过渡台设置在所述第二移动组件的驱动端;
所述第一移动组件用于驱动所述过渡台在所述入料机构和所述出料机构之间往复运动;
所述过渡台上设置有避让槽,用于避让所述入料机构和所述出料机构;
所述第二移动组件用于驱动所述过渡台顶升,以将待开槽的硅片从所述入料机构上顶起,过渡至所述过渡台上;所述第二移动组件还用于驱动所述过渡台下降,以将开槽后的硅片向下搭放至所述出料机构上。
3.如权利要求2所述的激光开槽设备,其特征在于,所述直线式移载过渡机构还包括旋转组件,所述旋转组件设置在所述第二移动组件的驱动端,所述过渡台设置在所述旋转组件的驱动端,所述旋转组件用于驱动所述过渡台旋转以调整待开槽的硅片的摆放位置;或者
所述激光开槽机构被配置为基于所述定位机构获取的待开槽的硅片的位置信息规划开槽激光的移动路径。
4.如权利要求2所述的激光开槽设备,其特征在于,所述过渡台上设置有若干吸附孔,所述吸附孔避开所述避让槽设置。
5.如权利要求2所述的激光开槽设备,其特征在于,所述激光开槽设备还包括设置在所述入料机构输出端的硅片下压机构;
所述硅片下压机构包括对称设置在所述入料机构的输出端两侧的第一吹气组件和第二吹气组件,所述第一吹气组件和所述第二吹气组件均包括安装支架和吹气杆,其中:
所述安装支架安装在所述入料机构上,所述吹气杆安装在所述安装支架上且沿所述入料机构的输送方向延伸,所述吹气杆被配置为能够垂直于所述入料机构的输送方向平移以及在竖直方向上升降;
所述吹气杆的第一端为与外部气路连接的进气端,所述吹气杆的第二端封闭,所述吹气杆上设置有若干开口向下的吹气孔,若干所述吹气孔等距设置在所述吹气杆上,或者,从所述吹气杆的第一端至所述吹气杆的第二端,所述吹气孔之间的间距逐渐缩小;
所述过渡台在将所述硅片顶离所述入料机构时,所述吹气孔向下吹气以将所述硅片按压在所述过渡台上。
6.如权利要求5所述的激光开槽设备,其特征在于,所述安装支架包括连接部及支撑部,其中:
所述连接部上设置有沿垂直于所述入料机构的输送方向延伸的第一连接腰孔,所述连接部经所述第一连接腰孔可平移地连接在所述入料机构上;
所述支撑部的下端设置有沿竖直方向延伸的第二连接腰孔,所述支撑部的下端经所述第二连接腰孔可升降地连接在所述连接部上;
所述吹气杆可旋转地安装在所述支撑部上。
7.如权利要求1所述的激光开槽设备,其特征在于,所述激光开槽设备还包括检测机构,其中:
所述检测机构设置在所述出料机构的上方,所述检测机构用于对开槽后的硅片的开槽质量进行检测。
8.如权利要求1所述的激光开槽设备,其特征在于,所述激光开槽设备还包括输入规整机构和/或输出规整机构,其中:
所述输入规整机构设置在所述入料机构的两侧,用于实施对所述入料机构输入的待开槽的所述硅片的规整;
所述输出规整机构设置在所述出料机构的两侧,用于实施对所述出料机构输出的开槽后的所述硅片的规整。
9.如权利要求1所述的激光开槽设备,其特征在于,所述激光开槽设备还包括剔除机构,所述剔除机构用于将开槽后的不合格硅片自所述出料机构上移除;
所述剔除机构包括设置在所述出料机构内侧的顶升组件,所述顶升组件用于将所述不合格硅片向上顶出所述出料机构;或者
所述剔除机构包括设置在所述出料机构边侧的搬运组件,所述搬运组件用于从所述出料机构拾取所述不合格硅片;或者
所述剔除机构包括设置在所述出料机构的出料端的翻转输送组件,所述翻转输送组件用于将所述不合格硅片翻转输送到下方的废料盒。
10.如权利要求1所述的激光开槽设备,其特征在于,所述激光开槽机构包括机架及安装在所述机架上的激光器、振镜、振镜升降机构及除尘机构,其中:
所述振镜位于所述激光器的下方,所述振镜升降机构的驱动端连接所述振镜,所述振镜升降机构驱动所述振镜升降,所述激光器和所述振镜配合实施对硅片的开槽处理;
所述除尘机构用于清除开槽过程中产生的杂质。
11.如权利要求2所述的激光开槽设备,其特征在于,所述直线式移载过渡机构设置有两个所述过渡台,两个所述过渡台在对应的所述第一移动组件及所述第二移动组件的驱动下,交替地从所述入料机构获取待开槽的硅片,并将硅片移载至激光开槽机构的下方,以及将开槽后的硅片移载至所述出料机构。
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