CN218451113U - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了显示装置。显示装置可以包括：晶体管基板，包括驱动元件并且具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；堤层，在晶体管基板的非显示区域上并且暴露晶体管基板的非显示区域的与显示区域相反的外区域；无机绝缘层，覆盖堤层的上表面、堤层的侧表面和晶体管基板的外区域；低折射层，在无机绝缘层上；以及第一滤色器层，在非显示区域上以覆盖无机绝缘层的上表面的一部分和无机绝缘层的侧表面。
Description
技术领域
实施例涉及能够显示图像的显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置以各种方式制造和使用。显示装置可以显示光以将视觉信息提供给用户。这样的显示装置可以包括使用液晶层发光的液晶显示装置、使用无机发光材料发光的无机发光显示装置和使用有机发光材料发光的有机发光显示装置。
发光材料可能对湿气或热敏感。因此，密封构件可以位于显示装置的外部以保护发光材料。密封构件可以减少或防止湿气或热渗透到显示装置中，并且同时可以用于保护显示装置免受外部冲击。
实用新型内容
实施例可以提供具有改进的耐用性的显示装置。
实施例可以提供制造具有改进的耐用性的显示装置的方法。
显示装置的一些实施例可以包括：晶体管基板，包括驱动元件，并且具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；堤层，在晶体管基板的非显示区域上，并且暴露晶体管基板的非显示区域的与显示区域相反的外区域；无机绝缘层，覆盖堤层的上表面、堤层的侧表面和晶体管基板的外区域；低折射层，在无机绝缘层上；以及第一滤色器层，在非显示区域上以覆盖无机绝缘层的上表面的一部分和无机绝缘层的侧表面。
第一滤色器层可以密封堤层，其中，第一滤色器层的侧表面暴露于外部。
显示装置可以进一步包括：第二滤色器层，在非显示区域上、第一滤色器层上。
显示装置可以进一步包括：第三滤色器层，在非显示区域上、第二滤色器层上。
第一滤色器层可以密封堤层，并且第一滤色器层至第三滤色器层的侧表面暴露于外部。
无机绝缘层可以覆盖晶体管基板的外区域。
低折射层可以在无机绝缘层的上表面上与堤层重叠。
显示装置可以进一步包括：发光元件，在驱动元件上并且连接到驱动元件。
显示装置可以进一步包括：颜色转换层，在发光元件上以与发光元件重叠；第二滤色器层，在颜色转换层上；以及第三滤色器层，在第一滤色器层上，其中，第二滤色器层与第一滤色器层和第三滤色器层中的一个在同一层。
显示装置的一些实施例可以包括：晶体管基板，包括驱动元件，并且具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；堤层，在晶体管基板的非显示区域上，并且暴露晶体管基板的非显示区域的与显示区域相反的外区域；以及第一滤色器层，在晶体管基板的外区域上，密封堤层，并且具有暴露于外部的侧表面。
显示装置可以进一步包括：第二滤色器层，在第一滤色器层上；以及第三滤色器层，在第二滤色器层上。
显示装置可以进一步包括：发光元件，在驱动元件上并且连接到驱动元件。
显示装置可以进一步包括：颜色转换层，与发光元件重叠；以及第四滤色器层，在颜色转换层上，其中，第四滤色器层与第一滤色器层、第二滤色器层和第三滤色器层中的一个在同一层。
第一滤色器层可以与堤层的上表面重叠。
显示装置可以进一步包括：无机绝缘层，在第一滤色器层与堤层之间。
制造显示装置的方法的一些实施例可以包括：在晶体管基板的非显示区域上形成第一堤层，晶体管基板包括驱动元件并且具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；去除第一堤层的一部分以形成与显示区域间隔开的第二堤层并且以限定沟槽；在第一堤层上、在第二堤层上以及在第一堤层和第二堤层的限定沟槽的部分上形成第一无机绝缘层；在第一无机绝缘层上形成低折射层以与第一堤层的至少一部分重叠；在第一无机绝缘层上形成第一滤色器层以填充沟槽；以及在第一堤层与第二堤层之间进行切割。
方法可以进一步包括：在第一滤色器层上形成第二滤色器层；以及在第二滤色器层上形成第三滤色器层。
方法可以进一步包括：在驱动元件上设置连接到驱动元件的发光元件。
方法可以进一步包括：在发光元件上设置颜色转换层以与发光元件重叠；在颜色转换层上设置第二滤色器层；以及在第一滤色器层上设置第三滤色器层，其中，第二滤色器层与第一滤色器层和第三滤色器层中的一个同时沉积。
第一滤色器层可以暴露于外部。
因此，在显示装置中，滤色器层可以减少或防止外部湿气或热渗透到显示装置中，并且可以保护显示装置的外区域免受外部冲击。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
图1是图示根据一些实施例的显示装置的平面图。
图2A和图2B是图示沿着图1的线I-I’截取的一些实施例的截面图。
图3是图示其中被包括在图1的显示装置中的像素沿着图1的线II-II’切割的一些实施例的截面图。
图4至图13是图示制造图1的显示装置的方法的视图。
图14是图示根据一些实施例的电子装置的框图。
图15是图示其中图14的电子装置被实现为计算机监控器的一些实施例的视图。
图16是图示其中图14的电子装置被实现为智能电话的一些实施例的视图。
具体实施方式
通过参考实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施例及实现其的方法的方面。在下文中，将参考附图更详细地描述实施例。然而，描述的实施例可以具有各种修改并且可以以各种不同的形式体现，并且不应被解释为仅限于本文中图示的实施例。相反，这些实施例被提供为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本公开的方面，并且应理解，本公开涵盖在本公开的思想和技术范围内的所有修改、等同物和替换。因此，可能没有描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面来说不必要的工艺、元件和技术。
除非另外说明，否则遍及附图和书面描述，相同的附图标记、字符或其组合表示相同的元件，并且因此将不重复其描述。此外，可能未示出与实施例的描述无关或不相关的部分，以使描述清楚。
在附图中，为了清楚起见，可能夸大了元件、层和区的相对尺寸。另外，附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻的元件之间的边界。因此，除非指明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在均不传达或指示针对特定的材料、材料性质、尺寸、比例、图示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
本文中参考是实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示描述各种实施例。因此，例如，由于制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化是可以预期的。此外，本文中公开的特定结构或功能描述仅是说明性的，用于描述根据本公开的构思的实施例的目的。因此，本文中公开的实施例不应被解释为限于区的特定图示的形状，而将包括例如由制造导致的形状的偏差。
例如，图示为矩形的注入区通常将在其边缘处具有圆形的或弯曲的特征和/或注入物浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，通过注入形成的埋入区可以导致在埋入区与注入通过其发生的表面之间的区中的某些注入。
因此，附图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示装置的区的实际形状，并且不旨在进行限制。另外，如本领域普通技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例而完全不脱离本公开的精神或范围。
在详细描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，显而易见，各种实施例可以在没有这些具体细节的情况下或者在具有一个或多个等同布置的情况下来实践。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以便避免不必要地模糊各种实施例。
为了便于说明，本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”和“上”等的空间相对术语来描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。将理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方位之外装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或以其它方位)，并且本文中使用的空间相对描述符应被相应地解释。类似地，当第一部件被描述为布置在第二部件“上”时，这指示第一部件布置在第二部件的上侧或下侧，而不限于基于重力方向在第二部件的上侧。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”是指从顶部观看目标部分，并且短语“在截面上”是指从侧面观看通过垂直切割目标部分而形成的截面。
将理解，当元件、层、区或部件被称为“形成在”另一元件、层、区或部件“上”、在另一元件、层、区或部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层、区或部件时，它可以直接形成在另一元件、层、区或部件上，直接在另一元件、层、区或部件上，直接连接到或耦接到另一元件、层、区或部件，或者间接形成在另一元件、层、区或部件上，间接在另一元件、层、区或部件上，间接连接到或耦接到另一元件、层、区或部件，使得可以存在一个或多个居间的元件、层、区或部件。另外，这可以统称为直接的或间接的耦接或连接以及一体的或非一体的耦接或连接。例如，当层、区或部件被称为“电连接”或“电耦接”到另一层、区或部件时，它可以直接电连接或电耦接到另一层、区和/或部件，或者可以存在居间的层、区或部件。然而，“直接连接/直接耦接”或“直接在......上”是指一个部件直接连接或耦接另一部件或者在另一部件上而没有中间部件。同时，可以类似地解释描述诸如“在......之间”、“直接在......之间”或者“与......相邻”和“与......直接相邻”的部件之间的关系的其它表达。另外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间的元件或层。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，下面描述的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分而不脱离本公开的精神和范围。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示第二元件或其它元件的存在。术语“第一”、“第二”等在本文中还可以用于区分元件的不同的类别或组。为了简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本公开。如本文中所使用的，除非上下文另外明确地指示，否则单数形式“一”旨在也包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和“具有”指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
当可以不同地实现一个或多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”、“近似地”以及类似的术语被用作近似的术语而不是程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量***的限制)，本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值并且是指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以是指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中限定的术语的术语应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景中的含义一致的含义，并且，除非本文中明确地如此限定，否则不应以理想化的或过于正式的意义来解释。
图1是图示根据一些实施例的显示装置的平面图。
参考图1，显示装置DD可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以设置为围绕显示区域DA。然而，在一些实施例中，非显示区域NDA可以仅设置在显示区域DA的至少一侧。
多个像素PX可以设置在显示区域DA中。多个像素PX可以包括驱动元件和连接到驱动元件的发光元件。显示装置DD可以通过从多个像素PX发射光来显示图像。为此，多个像素PX通常可以设置在显示区域DA中。例如，多个像素PX可以以矩阵形式布置在显示区域DA中。
用于驱动多个像素PX的驱动器可以设置在非显示区域NDA中。驱动器可以包括数据驱动器、栅驱动器、发光驱动器、电源电压发生器和时序控制器等。多个像素PX可以基于从驱动器接收的信号发光。
图2A和图2B是图示沿着图1的线I-I’截取的一些实施例的截面图。
参考图1和图2A，显示装置DD可以包括晶体管基板SUB、通孔绝缘层VIA、第一发光元件ED1、像素限定层PDL、封装层TFE、第一颜色转换层CVL1、第一堤层BK1、第一无机绝缘层IIL1、低折射层LR、第二无机绝缘层IIL2、第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2、第三滤色器层CF3和外涂层OC。
第一发光元件ED1可以包括第一阳极电极ANO1、第一中间层ML1和第一阴极电极CATH1。封装层TFE可以包括第一无机封装层IL1、有机封装层OL和第二无机封装层IL2。
晶体管基板SUB可以包括基底基板和设置在基底基板上的驱动元件。基底基板可以包括柔性材料或刚性材料。
通孔绝缘层VIA可以设置在晶体管基板SUB上。通孔绝缘层VIA可以具有平坦的顶表面，以与第一发光元件ED1平坦地设置(例如，在第一发光元件ED1的底表面下方或者与第一发光元件ED1的底表面共面)。通孔绝缘层VIA可以包括有机绝缘材料。通孔绝缘层VIA通常可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。通孔绝缘层VIA可以在非显示区域NDA中部分地暴露晶体管基板SUB。
晶体管基板SUB可以连接到第一发光元件ED1。第一发光元件ED1的第一阳极电极ANO1可以通过穿透通孔绝缘层VIA的接触孔连接到晶体管基板SUB。第一发光元件ED1可以使用施加到第一阳极电极ANO1的电压和使用施加到第一阴极电极CATH1的电压从第一中间层ML1发光。
像素限定层PDL可以设置在通孔绝缘层VIA上。像素限定层PDL可以用于划分像素PX。像素限定层PDL可以通过划分发光元件来划分像素PX。此外，像素限定层PDL可以在非显示区域NDA中与通孔绝缘层VIA一起充当坝。坝可以减少或防止构成有机封装层OL的有机材料在形成有机封装层OL的工艺中过度铺展。
第一无机封装层IL1可以形成为覆盖第一发光元件ED1、像素限定层PDL和通孔绝缘层VIA。有机封装层OL可以形成在第一无机封装层IL1上，并且可以相对厚地形成以在显示区域DA中实现平坦的顶表面。第二无机封装层IL2可以形成在有机封装层OL上。第二无机封装层IL2可以设置为在非显示区域NDA中覆盖第一无机封装层IL1。
第一颜色转换层CVL1可以设置在第二无机封装层IL2上以与第一发光元件ED1重叠。第一颜色转换层CVL1可以用于转换从第一发光元件ED1发射的光的波长。为此，第一颜色转换层CVL1可以包括一种或多种波长转换材料和树脂。
第一堤层BK1可以设置为在非显示区域NDA中具有平坦的顶表面。第一堤层BK1可以设置在非显示区域NDA中，并且在这种情况下，第一堤层BK1可以设置为暴露设置在非显示区域NDA中并且可以与显示区域DA相反的外区域EXA。
第一无机绝缘层IIL1可以设置为覆盖第一颜色转换层CVL1和第一堤层BK1。第一无机绝缘层IIL1可以设置为覆盖第一堤层BK1的顶表面和侧表面以及晶体管基板SUB的顶表面。第一无机绝缘层IIL1可以包括无机绝缘材料。
低折射层LR可以设置在第一无机绝缘层IIL1上。低折射层LR可以具有比第一颜色转换层CVL1的折射率相对低的折射率。因此，低折射层LR可以回收从第一发光元件ED1发射的光的至少一部分以提高光利用效率。结果，可以提高显示装置DD的光效率。
低折射层LR可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。低折射层LR可以在非显示区域NDA中设置在第一无机绝缘层IIL1上，并且可以与第一堤层BK1重叠。在这种情况下，低折射层LR可以设置为不与外区域EXA重叠。第二无机绝缘层IIL2可以设置为覆盖低折射层LR。第二无机绝缘层IIL2可以包括无机绝缘材料。
第一滤色器层CF1可以设置在非显示区域NDA中以覆盖第一无机绝缘层IIL1和第二无机绝缘层IIL2。第一滤色器层CF1可以用于与第一无机绝缘层IIL1一起密封第一堤层BK1。第一滤色器层CF1可以设置在显示装置DD的最外面的部分，并且因此第一滤色器层CF1可以暴露于外部。
第二滤色器层CF2可以设置在非显示区域NDA中以覆盖第一滤色器层CF1。第二滤色器层CF2也可以设置为在显示区域DA中与第一发光元件ED1重叠。
第三滤色器层CF3可以在非显示区域NDA中设置在第二滤色器层CF2上。
在一些实施例中，第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3可以各自对应于不同颜色的滤色器层。例如，第一滤色器层CF1可以是绿色滤色器层，第二滤色器层CF2可以是红色滤色器层，并且第三滤色器层CF3可以是蓝色滤色器层。
在第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3重叠的区域中，第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3可以替代地充当或用作黑矩阵，这将在稍后描述。因此，不需要在第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3重叠的区域中设置单独的黑矩阵。
外涂层OC可以遍及显示区域DA和非显示区域NDA设置。外涂层OC可以设置在滤色器层上以具有平坦的顶表面。
在实施例中，保护膜可以贴附在外涂层OC上。在这种情况下，为了适当地贴附保护膜，外涂层OC必须形成为具有平坦的顶表面。在根据一些实施例的显示装置DD中，由于第一堤层BK1设置为在非显示区域NDA中具有平坦的顶表面，因此外涂层OC可以设置为具有平坦的顶表面。
另外，在根据一些实施例的显示装置DD中，第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3设置为与非显示区域NDA重叠，使得第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3可以充当遮光构件。
此外，在根据一些实施例的显示装置DD中，由于在显示装置DD的外区域EXA中密封第一堤层BK1的同时设置第一滤色器层CF1，因此可以阻挡外部湿气或热渗透到显示装置DD的外区域EXA中。
传统地，低折射层LR设置直到外区域EXA，并且在显示装置DD的外区域EXA中密封第一堤层BK1的同时设置低折射层LR。因此，在这种情况下，由于通常可能对于外部冲击来说较弱的低折射层LR的特性，可能已经在显示装置DD的外区域EXA中出现诸如裂缝的缺陷。然而，在根据一些实施例的显示装置DD中，由于在显示装置DD的外区域EXA中密封第一堤层BK1的同时设置第一滤色器层CF1，因此显示装置DD可以具有抗外部冲击或耐外部冲击的特性。
除了堤图案DM附加地形成之外，图2B可以与图2A基本上相同。因此，将省略重叠配置的描述。
参考图2B，堤图案DM可以形成在第一堤层BK1上或第一堤层BK1处。在图6中图示的沟槽TC形成时，堤图案DM可以通过与形成沟槽TC的工艺相同的工艺形成，这将在稍后描述。堤图案DM可以被限定为用于在第一颜色转换层CVL1形成时容纳被错误沉积或被错误放置的墨水的空间。因此，可以减小或防止由于错误的墨水或错误沉积的墨水而在形成在第一堤层BK1上的第一无机绝缘层IIL1中出现裂缝、间隙缺陷等的可能性。
图3是图示其中被包括在图1的显示装置中的像素沿着图1的线II-II’切割的一些实施例的截面图。
参考图1和图3，显示装置DD可以包括基底基板BS、缓冲层BUF、第一至第三晶体管TFT1、TFT2和TFT3、栅绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通孔绝缘层VIA、像素限定层PDL、第二至第四发光元件ED2、ED3和ED4、封装层TFE、第一堤层BK1、第二颜色转换层CVL2和第三颜色转换层CVL3、透光层ETL、第一无机绝缘层IIL1、低折射层LR、第二无机绝缘层IIL2、黑矩阵BM、第四至第六滤色器层CF4、CF5和CF6以及外涂层OC。
第一晶体管TFT1可以包括第一有源层ACT1、第一栅电极GAT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第二晶体管TFT2可以包括第二有源层ACT2、第二栅电极GAT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第三晶体管TFT3可以包括第三有源层ACT3、第三栅电极GAT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3。
第二发光元件ED2可以包括第二阳极电极ANO2、第二中间层ML2和第二阴极电极CATH2。第三发光元件ED3可以包括第三阳极电极ANO3、第三中间层ML3和第三阴极电极CATH3。第四发光元件ED4可以包括第四阳极电极ANO4、第四中间层ML4和第四阴极电极CATH4。
基底基板BS可以包括柔性材料或刚性材料。例如，基底基板BS可以通过包括诸如聚酰亚胺的聚合物材料而具有柔性特性。可替代地，例如，基底基板BS可以通过包括诸如玻璃的材料而具有刚性特性。
缓冲层BUF可以设置在基底基板BS上。缓冲层BUF可以包括无机绝缘材料。可以用作缓冲层BUF的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。缓冲层BUF可以减少或防止金属原子或杂质扩散到第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3中。另外，缓冲层BUF可以控制在用于形成第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3的结晶工艺期间提供给第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3的热的速率。
第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3可以设置在缓冲层BUF上。在一些实施例中，第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3可以包括硅半导体。例如，第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3可以包括非晶硅或多晶硅等。可替代地，在一些实施例中，第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3可以包括氧化物半导体。例如，第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟锌(IZO)等。
栅绝缘层GI可以设置在缓冲层BUF上。栅绝缘层GI可以设置为覆盖第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3。栅绝缘层GI可以包括绝缘材料。可以用作栅绝缘层GI的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
第一至第三栅电极GAT1、GAT2和GAT3可以设置在栅绝缘层GI上。第一至第三栅电极GAT1、GAT2和GAT3可以分别与第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3重叠。响应于提供给第一至第三栅电极GAT1、GAT2和GAT3的栅信号，信号和/或电压可以流过第一至第三有源层ACT1、ACT2和ACT3。在一些实施例中，第一至第三栅电极GAT1、GAT2和GAT3可以包括金属、合金、金属氧化物或透明导电材料等。例如，第一至第三栅电极GAT1、GAT2和GAT3可以包括银(“Ag”)、含银合金、钼(“Mo”)、含钼合金、铝(“Al”)、含铝合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。
层间绝缘层ILD可以设置在栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD可以设置为覆盖第一至第三栅电极GAT1、GAT2和GAT3。在一些实施例中，层间绝缘层ILD可以包括绝缘材料。可以用作层间绝缘层ILD的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
第一至第三源电极SE1、SE2和SE3以及第一至第三漏电极DE1、DE2和DE3可以设置在层间绝缘层ILD上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以接触第一有源层ACT1。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以接触第二有源层ACT2。第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以接触第三有源层ACT3。在一些实施例中，第一至第三源电极SE1、SE2和SE3以及第一至第三漏电极DE1、DE2和DE3可以包括金属、合金、金属氧化物或透明导电材料等。例如，第一至第三源电极SE1、SE2和SE3以及第一至第三漏电极DE1、DE2和DE3中的每一个可以包括银(“Ag”)、含银合金、钼(“Mo”)、含钼合金、铝(“Al”)、含铝合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。
通孔绝缘层VIA可以设置在层间绝缘层ILD上。通孔绝缘层VIA可以设置为覆盖第一至第三源电极SE1、SE2和SE3以及第一至第三漏电极DE1、DE2和DE3。在一些实施例中，通孔绝缘层VIA可以包括有机绝缘材料。例如，通孔绝缘层VIA可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等。通孔绝缘层VIA可以具有基本上平坦的顶表面。
第二至第四阳极电极ANO2、ANO3和ANO4可以设置在通孔绝缘层VIA上。第二至第四阳极电极ANO2、ANO3和ANO4可以分别接触第一至第三漏电极DE1、DE2和DE3。在一些实施例中，第二至第四阳极电极ANO2、ANO3和ANO4中的每一个可以包括金属、合金、金属氧化物或透明导电材料等。例如，第二至第四阳极电极ANO2、ANO3和ANO4中的每一个可以包括银(“Ag”)、含银合金、钼(“Mo”)、含钼合金、铝(“Al”)、含铝合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。
像素限定层PDL可以设置在通孔绝缘层VIA上。暴露第二至第四阳极电极ANO2、ANO3和ANO4的开口可以形成在像素限定层PDL中。在一些实施例中，像素限定层PDL可以包括有机材料。例如，像素限定层PDL可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等。
第二至第四中间层ML2、ML3和ML4可以分别设置在第二至第四阳极电极ANO2、ANO3和ANO4上。第二至第四中间层ML2、ML3和ML4可以包括发射对应的颜色(例如，预定颜色)的光的有机材料。第二至第四中间层ML2、ML3和ML4可以分别基于第二至第四阳极电极ANO2、ANO3和ANO4与第二至第四阴极电极CATH2、CATH3和CATH4之间的电位差发光。
第二至第四发光元件ED2、ED3和ED4可以发射具有彼此相同的颜色的光。例如，第二至第四发光元件ED2、ED3和ED4中的全部可以发射蓝光。可替代地，第二至第四发光元件ED2、ED3和ED4可以发射不同的各个颜色的光。例如，第二至第四发光元件ED2、ED3和ED4可以分别发射红光、绿光和蓝光。
第二至第四阴极电极CATH2、CATH3和CATH4可以分别设置在第二至第四中间层ML2、ML3和ML4上。第二至第四阴极电极CATH2、CATH3和CATH4可以包括金属、合金、金属氧化物或透明导电材料等。例如，第二至第四阴极电极CATH2、CATH3和CATH4可以包括银(“Ag”)、含银合金、钼(“Mo”)、含钼合金、铝(“Al”)、含铝合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。为了便于描述，阴极电极已经被描述为被划分为或被标识为第二至第四阴极电极CATH2、CATH3和CATH4，但是第二至第四阴极电极CATH2、CATH3和CATH4可以一体地形成。
封装层TFE可以设置在第二至第四阴极电极CATH2、CATH3和CATH4上。封装层TFE可以具有其中无机封装层和有机封装层被堆叠的结构。
第一堤层BK1、第二颜色转换层CVL2和第三颜色转换层CVL3以及透光层ETL可以设置在封装层TFE上。第一堤层BK1可以包括有机材料。第一堤层BK1可以阻挡从下方发射的光。第一堤层BK1可以包括封装层TFE通过其暴露的开口。第二颜色转换层CVL2和第三颜色转换层CVL3以及透光层ETL可以设置在开口中。在一些实施例中，图2B中示出的堤图案DM可以形成在第一堤层BK1上。因此，在第二颜色转换层CVL2和第三颜色转换层CVL3以及透光层ETL形成时，堤图案DM可以容纳被错误沉积的墨水。
第二颜色转换层CVL2可以设置为与第二发光元件ED2重叠。第二颜色转换层CVL2可以转换从第二发光元件ED2发射的光的波长。为此，第二颜色转换层CVL2可以包括磷光体、散射体和量子点。例如，从第二发光元件ED2发射的蓝光可以通过穿过第二颜色转换层CVL2而被转换为红光。
第三颜色转换层CVL3可以设置为与第三发光元件ED3重叠。第三颜色转换层CVL3可以转换从第三发光元件ED3发射的光的波长。为此，第三颜色转换层CVL3可以包括磷光体、散射体和量子点。例如，从第三发光元件ED3发射的蓝光可以通过穿过第三颜色转换层CVL3而被转换为绿光。
透光层ETL可以设置为与第四发光元件ED4重叠。透光层ETL可以透射从第四发光元件ED4发射的光。为此，透光层ETL可以包括透明聚合物材料和散射体。例如，从第四发光元件ED4发射的蓝光可以照原样穿过透光层ETL。
第一无机绝缘层IIL1可以设置在第一堤层BK1、第二颜色转换层CVL2和第三颜色转换层CVL3以及透光层ETL上。第一无机绝缘层IIL1可以减少或防止诸如湿气和空气的杂质从外部渗透。可以用作第一无机绝缘层IIL1的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
低折射层LR可以设置在第一无机绝缘层IIL1上。低折射层LR可以具有比第二颜色转换层CVL2、第三颜色转换层CVL3和透光层ETL的折射率相对低的折射率。因此，低折射层LR可以回收从第二至第四发光元件ED2、ED3和ED4发射的光的至少一部分，从而提高光使用效率。结果，可以提高显示装置DD的光效率。
第二无机绝缘层IIL2可以设置在低折射层LR上。第二无机绝缘层IIL2可以减少或防止诸如湿气和空气的杂质从外部渗透。可以用作第二无机绝缘层IIL2的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
黑矩阵BM以及第四至第六滤色器层CF4、CF5和CF6可以设置在第二无机绝缘层IIL2上。黑矩阵BM可以包括能够遮光的材料。例如，黑矩阵BM可以由包括合适颜色(例如，黑色)的有机颜料的材料形成。因此，黑矩阵BM可以遮挡从黑矩阵BM下方发射的光中的一些。
第四滤色器层CF4可以设置为与第二颜色转换层CVL2重叠。第四滤色器层CF4可以仅透射从第二颜色转换层CVL2透射的光当中的部分波长的光。例如，第四滤色器层CF4可以仅透射具有对应于红光的波长的光。
第五滤色器层CF5可以设置为与第三颜色转换层CVL3重叠。第五滤色器层CF5可以仅透射从第三颜色转换层CVL3透射的光当中的部分波长的光。例如，第五滤色器层CF5可以仅透射具有对应于绿光的波长的光。
第六滤色器层CF6可以设置为与透光层ETL重叠。第六滤色器层CF6可以仅透射从透光层ETL透射的光当中的部分波长的光。例如，第六滤色器层CF6可以仅透射具有对应于蓝光的波长的光。
在实施例中，第四至第六滤色器层CF4、CF5和CF6可以各自对应于图2A的第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3中的一个，例如，可以各自与第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3中的一个在同一层。例如，第五滤色器层CF5可以对应于图2A的第一滤色器层CF1，第四滤色器层CF4可以对应于图2A的第二滤色器层CF2，并且第六滤色器层CF6可以对应于图2A的第三滤色器层CF3。
外涂层OC可以设置在黑矩阵BM以及第四至第六滤色器层CF4、CF5和CF6上。外涂层OC可以设置在黑矩阵BM以及第四至第六滤色器层CF4、CF5和CF6上以具有基本上平坦的顶表面。外涂层OC可以包括绝缘材料，并且可以通过喷墨印刷方法形成。
图4至图13是图示制造图1的显示装置的方法的视图。图4至图13可以对应于图示制造图2A的截面图中的区域A的一些实施例的视图。
参考图4、图5和图6，沟槽TC可以形成在设置在晶体管基板SUB上并且具有平坦的顶表面的第一堤层BK1中。由此，第一堤层BK1和第二堤层BK2可以形成。沟槽TC可以形成在非显示区域NDA的一部分中。
参考图7，第一无机绝缘层IIL1可以形成为覆盖第一堤层BK1、第二堤层BK2和沟槽TC(例如，沟槽TC的侧面，或者第一堤层BK1和第二堤层BK2的限定沟槽TC的侧面)。第一无机绝缘层IIL1可以通过化学气相沉积形成。
参考图8，低折射层LR可以形成在第一无机绝缘层IIL1上。低折射层LR可以通过喷墨印刷方法形成，并且可以仅形成在第一堤层BK1的上部以不填充沟槽TC。
参考图9，第二无机绝缘层IIL2可以形成为覆盖低折射层LR。第二无机绝缘层IIL2可以通过化学气相沉积形成。
参考图10，第一滤色器层CF1可以设置为填充沟槽TC，并且第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3可以形成在第一滤色器层CF1上。它们可以顺序形成。第一至第三滤色器层CF1、CF2和CF3重叠的区域可以与前述的黑矩阵BM起到相同的作用。
参考图11至图13，在制造显示装置DD的方法中，在外涂层OC形成在分类单元上之后，分类单元可以通过划线工艺分离。由此，外区域EXA中的第二堤层BK2可以暴露于外部。即，划线工艺可以对分类单元进行划线以暴露第二堤层BK2。之后，可以进行研磨直到线III-III’。通过研磨，可以去除线III-III’左侧的部分。由此，第一滤色器层CF1可以暴露于显示装置DD的外部。由于第一滤色器层CF1密封第一堤层BK1，因此第一滤色器层CF1可以阻挡外部湿气或热渗透到显示装置DD的内部中。第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3也可以暴露于显示装置DD的外部，并且可以阻挡外部湿气或热渗透到显示装置DD的内部中。
图14是图示根据一些实施例的电子装置的框图，图15是图示其中图14的电子装置被实现为计算机监控器的一些实施例的视图，并且图16是图示其中图14的电子装置被实现为智能电话的一些实施例的视图。
参考图14、图15和图16，电子装置EA的一些实施例可以包括处理器510、存储器装置520、储存装置530、输入/输出装置540、电源550和显示装置560。在这样的一些实施例中，显示装置560可以对应于上面参考以上附图描述的显示装置DD。电子装置EA可以进一步包括能够与视频卡、声卡、存储卡和USB装置等通信的若干端口。在一些实施例中，如图15中图示的，电子装置EA可以被实现为计算机监控器。在其它实施例中，如图16中图示的，电子装置EA可以被实现为智能电话。然而，电子装置EA不限于此，并且例如，电子装置EA包括移动电话、可视电话、智能平板、智能手表、平板PC、车载导航***，它可以被实现为电视机、笔记本计算机或头戴式显示器(“HMD”)等。
处理器510可以执行特定的计算或任务。在一些实施例中，处理器510可以是微处理器、中央处理单元(“CPU”)或应用处理器(“AP”)等。处理器510可以通过地址总线、控制总线或数据总线等连接到其它部件。在一些实施例中，处理器510还可以连接到诸如***部件互连(“PCI”)总线的扩展总线。
存储器装置520可以存储用于电子装置EA的操作的数据。在一些实施例中，例如，存储器装置520可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(“EPROM”)装置、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(“PRAM”)装置、电阻随机存取存储器(“RRAM”)装置、纳米浮栅存储器(“NFGM”)装置、聚合物随机存取存储器(“PoRAM”)装置、磁性随机存取存储器(“MRAM”)装置、铁电随机存取存储器(“FRAM”)装置的非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(“DRAM”)装置、静态随机存取存储器(“SRAM”)装置、移动DRAM装置的易失性存储器装置。
储存装置530可以包括固态驱动器(“SSD”)、硬盘驱动器(“HDD”)或CD-ROM等。输入/输出装置540可以包括诸如键盘、小键盘、触摸板、触摸屏和鼠标的输入装置以及诸如扬声器和打印机的输出装置。
电源550可以提供电子装置EA的操作所需的电力。显示装置560可以经由总线或其它通信链路耦接到其它部件。根据一些实施例，显示装置560可以被包括在输入/输出装置540中。
显示装置的实施例可以应用于被包括在计算机、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能平板、个人媒体播放器(“PMP”)、个人数字助理(“PDA”)或MP3播放器等中的显示装置。
本公开不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，这些实施例被提供使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本公开的构思。
尽管已经参考本公开的实施例具体示出并描述了本公开的实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以对其进行形式和细节上的各种改变而不脱离由所附权利要求书限定的本公开的精神或范围，其功能等同物被包括在所附权利要求书中。
Claims (10)
1.一种显示装置，包括：
晶体管基板，包括驱动元件，并且具有显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
堤层，在所述晶体管基板的所述非显示区域上，并且暴露所述晶体管基板的所述非显示区域的与所述显示区域相反的外区域；
无机绝缘层，覆盖所述堤层的上表面、所述堤层的侧表面和所述晶体管基板的所述外区域；以及
第一滤色器层，在所述非显示区域上以覆盖所述无机绝缘层的上表面的一部分和所述无机绝缘层的侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一滤色器层密封所述堤层，并且
其中，所述第一滤色器层的侧表面暴露于外部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第二滤色器层，在所述非显示区域上、所述第一滤色器层上；以及
第三滤色器层，在所述非显示区域上、所述第二滤色器层上，
其中，所述第一滤色器层密封所述堤层，并且所述第一滤色器层至所述第三滤色器层的侧表面暴露于外部。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
低折射层，在所述无机绝缘层上，
其中，所述低折射层在所述无机绝缘层的所述上表面上与所述堤层重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
发光元件，在所述驱动元件上并且连接到所述驱动元件；
颜色转换层，在所述发光元件上以与所述发光元件重叠；
第二滤色器层，在所述颜色转换层上；以及
第三滤色器层，在所述第一滤色器层上，
其中，所述第二滤色器层与所述第一滤色器层和所述第三滤色器层中的一个在同一层。
6.一种显示装置，包括：
晶体管基板，包括驱动元件，并且具有显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
堤层，在所述晶体管基板的所述非显示区域上，并且暴露所述晶体管基板的所述非显示区域的与所述显示区域相反的外区域；以及
第一滤色器层，在所述晶体管基板的所述外区域上，密封所述堤层，并且具有暴露于外部的侧表面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括：
第二滤色器层，在所述第一滤色器层上；以及
第三滤色器层，在所述第二滤色器层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
发光元件，在所述驱动元件上并且连接到所述驱动元件；
颜色转换层，与所述发光元件重叠；以及
第四滤色器层，在所述颜色转换层上，
其中，所述第四滤色器层与所述第一滤色器层、所述第二滤色器层和所述第三滤色器层中的一个在同一层。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一滤色器层设置在所述堤层的上表面上，
其中，所述第一滤色器层与所述堤层的所述上表面重叠。
10.根据权利要求6至9中的任一项所述的显示装置，进一步包括：
无机绝缘层，在所述第一滤色器层与所述堤层之间。
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