CN218240727U - 一种型筒加工用自控装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种型筒加工用自控装置,包括上位机和执行控制器,所述上位机根据用户编辑的控制指令向执行控制器下发控制指令信号,所述上位机和执行控制器之间设置有模拟指令调理单元,所述模拟指令调理单元包括指令放大补偿调理电路、回转陷波电路和隔离稳定电路,本实用新型通过设置模拟指令调理单元对上位机下发的控制指令信号进行调理,有效消除网络环境波动和外部杂波侵扰对控制指令传输过程产生的不良影响,保证控制指令的有效下发,并极大地提升了控制指令的可识别能力,使型筒加工自动控制***精准稳定。
Description
技术领域
本实用新型涉及型筒加工设备技术领域,特别是涉及一种型筒加工用自控装置。
背景技术
液压缸型筒加工流程包括开料、拉延、挤压拉延、切边、端面整平等,目前型筒加工已经实现自动化生产,操作人员通过上位机编辑控制指令,并通过上位机服务器将控制指令下发至对应终端设备执行控制器中,执行控制器根据控制指令内容对加工参数进行修改,从而实现对型筒加工设备的自动化控制。受到网络环境波动且易遭受侵扰等实际问题,控制指令在下发过程中受到诸如电源噪声、外界电磁杂波和指令信号处理存在误差等原因,都会造成控制指令信号中夹杂大量有害噪声,导致控制指令无法被识别造成自控失效的情形,严重影响型筒加工的稳定进行。
所以本实用新型提供一种新的方案来解决此问题。
实用新型内容
针对上述情况,为克服现有技术之缺陷,本实用新型之目的在于提供一种型筒加工用自控装置。
其解决的技术方案是:一种型筒加工用自控装置,包括上位机和执行控制器,所述上位机根据用户编辑的控制指令向执行控制器下发控制指令信号,所述上位机和执行控制器之间设置有模拟指令调理单元,所述模拟指令调理单元包括指令放大补偿调理电路、回转陷波电路和隔离稳定电路,所述指令放大补偿调理电路的输入端连接所述上位机的模拟指令输出端,所述指令放大补偿调理电路的输出端通过所述隔离稳定电路连接所述执行控制器的指令信号接收端,所述回转陷波电路用于对所述指令放大补偿调理电路的输出信号进行陷波降噪处理。
优选的,所述指令放大补偿调理电路包括运放器AR1,运放器AR1的同相输入端通过电感L1连接所述所述上位机的模拟指令输出端,并通过电容C1接地,运放器AR1的反相输入端通过电阻R1连接电容C3、C4和电阻R2的一端,电容C3和C4的另一端接地,电阻R2的另一端连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接MOS管Q1的栅极,MOS管Q1的漏极通过并联的电阻R5与电容C2连接可调电阻RP1的一端,可调电阻RP1的另一端连接运放器AR1的同相输入端,MOS管Q1的源极连接所述回转陷波电路和所述隔离稳定电路的输入端。
优选的,所述回转陷波电路包括三极管VT1,三极管VT1的集电极通过并联的电阻R4与电容C5连接MOS管Q1的源极,三极管VT1的基极连接电容C6的一端和运放器AR2的输出端,三极管VT1的发射极连接电容C6的另一端和运放器AR2的反相输入端,并通过电阻R6接地,运放器AR2的同相输入端通过电阻R7接地。
优选的,所述隔离稳定电路包括运放器AR3,运放器AR3的同相输入端连接MOS管Q1的源极,运放器AR3的反相输入端通过电容C7连接运放器AR3的输出端、电阻R8的一端、稳压二极管DZ1的阴极和所述执行控制器的指令信号接收端,电阻R8的另一端和稳压二极管DZ1阳极接地。
优选的,所述执行控制器为PLC控制模块。
通过以上技术方案,本实用新型的有益效果为:本实用新型通过设置模拟指令调理单元对上位机下发的控制指令信号进行调理,有效消除网络环境波动和外部杂波侵扰对控制指令传输过程产生的不良影响,保证控制指令的有效下发,并极大地提升了控制指令的可识别能力,使型筒加工自动控制***精准稳定。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
有关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效,在以下配合参考附图1对实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容,均是以说明书附图为参考。
下面将参照附图描述本实用新型的各示例性的实施例。
一种型筒加工用自控装置,包括上位机和执行控制器,上位机根据用户编辑的控制指令向执行控制器下发控制指令信号,所述上位机和执行控制器之间设置有模拟指令调理单元,所述模拟指令调理单元包括指令放大补偿调理电路、回转陷波电路和隔离稳定电路,所述指令放大补偿调理电路的输入端连接所述上位机的模拟指令输出端,所述指令放大补偿调理电路的输出端通过所述隔离稳定电路连接所述执行控制器的指令信号接收端,所述回转陷波电路用于对所述指令放大补偿调理电路的输出信号进行陷波降噪处理。
如图1所示,指令放大补偿调理电路包括运放器AR1,运放器AR1的同相输入端通过电感L1连接所述所述上位机的模拟指令输出端,并通过电容C1接地,运放器AR1的反相输入端通过电阻R1连接电容C3、C4和电阻R2的一端,电容C3和C4的另一端接地,电阻R2的另一端连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接MOS管Q1的栅极,MOS管Q1的漏极通过并联的电阻R5与电容C2连接可调电阻RP1的一端,可调电阻RP1的另一端连接运放器AR1的同相输入端,MOS管Q1的源极连接所述回转陷波电路和所述隔离稳定电路的输入端。
回转陷波电路包括三极管VT1,三极管VT1的集电极通过并联的电阻R4与电容C5连接MOS管Q1的源极,三极管VT1的基极连接电容C6的一端和运放器AR2的输出端,三极管VT1的发射极连接电容C6的另一端和运放器AR2的反相输入端,并通过电阻R6接地,运放器AR2的同相输入端通过电阻R7接地。
隔离稳定电路包括运放器AR3,运放器AR3的同相输入端连接MOS管Q1的源极,运放器AR3的反相输入端通过电容C7连接运放器AR3的输出端、电阻R8的一端、稳压二极管DZ1的阴极和所述执行控制器的指令信号接收端,电阻R8的另一端和稳压二极管DZ1阳极接地。
本实用新型的具体工作流程如下:上位机根据用户编辑的控制指令向执行控制器下发控制指令信号,此控制指令下发过程为成熟的模拟控制技术,在此不再详述;为了保证控制指令下发过程的有效性,首先采用指令放大补偿调理电路对控制指令信号进行放大调理,其中,电感L1与电容C1形成LC滤波对上位机下发的控制指令信号进行初步降噪,消除因网络尖峰干扰造成控制指令信号中存在的异常噪声,然后再送入运放器AR1中进行同相放大,利用同相放大原理快速提升控制指令信号强度,电容C3、C4在运放过程中起到消除放大电阻回路上热噪声的作用,保证放大处理的精准度;同时采用MOS管Q1对运放器AR1的放大信号进行波形改善处理,并通过运放器AR1与MOS管Q1之间建立的阻容反馈网络形成正反馈调节,有效避免因网络波动使控制指令产生***误差。
同时,为了进一步改善指令放大补偿调理电路输出控制指令信号的精度,采用回转陷波电路对MOS管Q1的输出信号进行陷波处理,其中,运放器AR2作为陷波驱动器驱动三极管VT1进行深度陷波反馈,利用电阻R4、R6与电容C5、C6形成的RC陷波网络对控制指令信号中的有害杂频信号进行滤除,极大地降低有害噪声的侵扰,提升***对控制指令的可识别能力。
进一步的,隔离稳定电路中运放器AR3利用电压跟随器原理的隔离作用对放大陷波后的指令信号进行电气隔离处理,有效消除电源噪声等干扰因素,同时采用稳压二极管DZ1对运放器AR3的输出信号进行基准,然后再送入执行控制器中进行识别处理。
具体使用时,执行控制器为PLC控制模块,利用PLC控制模块的数据信号处理技术对控制指令信号的内容进行识别,并根据指令内容对型筒加工设备的工作参数进行调节,从而实现对型筒加工设备自动化控制;本实用新型通过设置模拟指令调理单元对上位机下发的控制指令信号进行调理,有效消除网络环境波动和外部杂波侵扰对控制指令传输过程产生的不良影响,保证控制指令的有效下发,并极大地提升了控制指令的可识别能力,使型筒加工自动控制***精准稳定。
以上所述是结合具体实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型具体实施仅局限于此;对于本实用新型所属及相关技术领域的技术人员来说,在基于本实用新型技术方案思路前提下,所作的拓展以及操作方法、数据的替换,都应当落在本实用新型保护范围之内。
Claims (5)
1.一种型筒加工用自控装置,包括上位机和执行控制器,其特征在于:所述上位机根据用户编辑的控制指令向执行控制器下发控制指令信号,所述上位机和执行控制器之间设置有模拟指令调理单元,所述模拟指令调理单元包括指令放大补偿调理电路、回转陷波电路和隔离稳定电路,所述指令放大补偿调理电路的输入端连接所述上位机的模拟指令输出端,所述指令放大补偿调理电路的输出端通过所述隔离稳定电路连接所述执行控制器的指令信号接收端,所述回转陷波电路用于对所述指令放大补偿调理电路的输出信号进行陷波降噪处理。
2.根据权利要求1所述的型筒加工用自控装置,其特征在于:所述指令放大补偿调理电路包括运放器AR1,运放器AR1的同相输入端通过电感L1连接所述上位机的模拟指令输出端,并通过电容C1接地,运放器AR1的反相输入端通过电阻R1连接电容C3、C4和电阻R2的一端,电容C3和C4的另一端接地,电阻R2的另一端连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接MOS管Q1的栅极,MOS管Q1的漏极通过并联的电阻R5与电容C2连接可调电阻RP1的一端,可调电阻RP1的另一端连接运放器AR1的同相输入端,MOS管Q1的源极连接所述回转陷波电路和所述隔离稳定电路的输入端。
3.根据权利要求2所述的型筒加工用自控装置,其特征在于:所述回转陷波电路包括三极管VT1,三极管VT1的集电极通过并联的电阻R4与电容C5连接MOS管Q1的源极,三极管VT1的基极连接电容C6的一端和运放器AR2的输出端,三极管VT1的发射极连接电容C6的另一端和运放器AR2的反相输入端,并通过电阻R6接地,运放器AR2的同相输入端通过电阻R7接地。
4.根据权利要求3所述的型筒加工用自控装置,其特征在于:所述隔离稳定电路包括运放器AR3,运放器AR3的同相输入端连接MOS管Q1的源极,运放器AR3的反相输入端通过电容C7连接运放器AR3的输出端、电阻R8的一端、稳压二极管DZ1的阴极和所述执行控制器的指令信号接收端,电阻R8的另一端和稳压二极管DZ1阳极接地。
5.根据权利要求1-4任一所述的型筒加工用自控装置,其特征在于:所述执行控制器为PLC控制模块。
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