CN218215315U - Perc太阳能电池片、电池组件和光伏*** - Google Patents

Abstract

本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC太阳能电池片、电池组件和光伏***，PERC太阳能电池片包括基片、第一氢化本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一导电层和第一金属栅线。基片的衬底层与扩散层的极性相反。第一氢化本征非晶硅层设置在扩散层上，第一掺杂非晶硅层设置在第一氢化本征非晶硅层上，第一掺杂非晶硅层的极性与扩散层的极性相同。第一导电层设置在第一掺杂非晶硅层上。第一金属栅线设置在第一导电层上且与第一导电层电性连接。如此，第一氢化本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层的设置可以对基片的扩散层实现全表面钝化，避免第一金属栅线与基片接触处钝化缺失而导致的高表面负荷状况，提高载流子的收集几率。

Description

PERC太阳能电池片、电池组件和光伏***

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PERC太阳能电池片、电池组件和光伏***。

背景技术

目前，当前主流的P型PERC(发射极和背面钝化)太阳电池技术采用P型硅片，通过磷扩散在正面得到N型层，然后通过PECVD方法在电池背面制备AlO_x/SixN_y钝化减反射膜层，正面制备SiO_x/Si_xN_y钝化减反射膜层，然后在正面和背面均制备金属栅线与硅片连接。然而，由于金属与硅片接触处的钝化缺失，导致该区域有着较高的载流子表面复合速率，从而导致太阳电池光电转换过程中的损耗较高，限制了PERC太阳能电池片的转换效率。

实用新型内容

本实用新型提供一种背接触PERC太阳能电池片、电池组件和光伏***，旨在解决现有技术中的PERC太阳能电池片由于金属与硅片接触处的钝化缺失，导致该区域有着较高的载流子表面复合速率，从而导致太阳电池光电转换过程中的损耗较高的技术问题。

本实用新型是这样实现的，本实用新型实施例的PERC太阳能电池片包括：

基片，所述基片包括衬底层和设置在所述衬底层正面上的扩散层，所述衬底层与所述扩散层的极性相反；

设置在所述扩散层上的第一氢化本征非晶硅层；

设置在所述第一氢化本征非晶硅层上的第一掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层的极性与所述扩散层的极性相同；

设置在所述第一掺杂非晶硅层上的第一导电层；和

设置在所述第一导电层上且与所述第一导电层电性连接的第一金属栅线。

更进一步地，所述衬底层为P型衬底层，所述扩散层为N型扩散层，所述第一掺杂非晶硅层为N型掺杂非晶硅层。

更进一步地，所述第一掺杂非晶硅层的掺杂浓度高于所述扩散层的掺杂浓度。

更进一步地，所述第一氢化本征非晶硅层的厚度为3nm-20nm。

更进一步地，所述第一掺杂非晶硅层的厚度为5nm-50nm。

更进一步地，所述PERC太阳能电池片还包括依次设置在所述衬底层背面的第二氢化本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二导电层和第二金属栅线，所述第二掺杂非晶硅层的极性与所述衬底层的极性相同，所述第二金属栅线与所述第二导电层电性连接。

更进一步地，所述衬底层为P型衬底层，所述扩散层为N型扩散层，所述第二掺杂非晶硅层为P型掺杂非晶硅层，所述第二掺杂非晶硅层的掺杂浓度高于所述衬底层的掺杂浓度。

更进一步地，所述第二氢化本征非晶硅层的厚度为3nm-20nm；和/或

所述第二掺杂非晶硅层的厚度为5nm-50nm。

本实用新型还提供了一种电池组件，所述电池组件包括多个上述任一项所述的PERC太阳能电池片。

本实用新型还提供了一种光伏***，所述光伏***包括上述的电池组件。

本实用新型所达到的有益效果是：在PERC太阳能电池片的基片的扩散层上依次设置第一氢化本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第一导电层，第一金属栅线只需要与第一导电层接触即可实现电流的汇集，这样，第一氢化本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层的设置可以对基片的扩散层实现全表面钝化，避免第一金属栅线与基片接触处钝化缺失而导致的高表面负荷状况，提高载流子的收集几率，从而提高PERC太阳能电池片的转换效率。

附图说明

图1是本实用新型提供的光伏***的结构示意图；

图2是本实用新型提供的电池组件的结构示意图；

图3是本实用新型提供的PERC太阳能电池片的结构示意图；

图4是本实用新型提供的PERC太阳能电池片的另一结构示意图。

主要元件符号说明：

光伏***1000、电池组件200、PERC太阳能电池片100、基片10、衬底层11、扩散层12、第一氢化本征非晶硅层20、第一掺杂非晶硅层30、第一导电层40、第一金属栅线50、第二氢化本征非晶硅层60、第二掺杂非晶硅层70、第二导电层80、第二金属栅线90。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识本识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用。

现有的P型PERC(发射极和背面钝化)太阳电池技术通常采用P型硅片，通过磷扩散在正面得到N型层，然后通过PECVD方法在电池背面制备AlOx/SixNy钝化减反射膜层，正面制备SiOx/SixNy钝化减反射膜层，然后在正面和背面均制备金属栅线与硅片连接。然而，由于金属与硅片接触处的钝化缺失，导致该区域有着较高的载流子表面复合速率，从而导致太阳电池光电转换过程中的损耗较高，限制了PERC太阳能电池片的转换效率。

本实用新型中，第一氢化本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层的设置可以对基片的扩散层实现全表面钝化，避免第一金属栅线与基片接触处钝化缺失而导致的高表面负荷状况，提高载流子的收集几率，从而提高PERC太阳能电池片的转换效率以解决由于金属与硅片接触处的钝化缺失，导致该区域有着较高的载流子表面复合速率，从而导致太阳电池光电转换过程中的损耗较高的技术问题。

实施例一

请参阅图1和图2，本实用新型的光伏***1000包括本实用新型实施例中的电池组件200，本实用新型实施例中的电池组件200包括多个本实用新型实施例中的PERC太阳能电池片100。

请参阅图3，本实用新型的PERC太阳能电池片100(发射极和背面钝化太阳能电池)包括基片10、第一氢化本征非晶硅层20、第一掺杂非晶硅层30、第一导电层40和第一金属栅线50。

基片10包括衬底层11和设置在衬底层11正面上的扩散层12，衬底层11与扩散层12的极性相反。第一氢化本征非晶硅层20设置在扩散层12上，第一掺杂非晶硅层30设置在第一氢化本征非晶硅层20上，第一掺杂非晶硅层30的极性与扩散层12的极性相同。第一导电层40设置在第一掺杂非晶硅层30上。第一金属栅线50设置在第一导电层40上且与第一导电层40电性连接。

在本实用新型的PERC太阳能电池片100、电池组件200和光伏***1000中，在PERC太阳能电池片100的基片10的扩散层12上依次设置第一氢化本征非晶硅层20、第一掺杂非晶硅层30和第一导电层40，第一金属栅线50只需要与第一导电层40接触即可实现电流的汇集，这样，第一氢化本征非晶硅层20和第一掺杂非晶硅层30的设置可以对基片10的扩散层12实现全表面钝化，避免第一金属栅线50与基片10接触处钝化缺失而导致的高表面负荷状况，提高载流子的收集几率，从而提高PERC太阳能电池片100的转换效率。

具体地，在本实施例中，电池组件200中的多个PERC太阳能电池片100可依次串接在一起从而实现形成电池串，从而实现电流的串联汇流输出，例如，可通过设置焊带(汇流条、互联条)、导电背板等方式来实现电池片的串接。

可以理解的是，在这样的实施例中，电池组件200还可包括金属框架、背板、光伏玻璃和胶膜。胶膜可填充在太阳能电池片正面和背面及光伏玻璃、相邻电池片等之间，作为填充物，其可为良好的透光性能和耐老化性能的透明胶体，例如胶膜可采用EVA胶膜或者POE胶膜，具体可根据实际情况进行选择，在此不作限制。

光伏玻璃可覆盖在太阳能电池片的正面的胶膜上，光伏玻璃可为超白玻璃，其具有高透光率、高透明性，并且具有优越的物理、机械以及光学性能，例如，超白玻璃的透光率可达92％以上，其可在尽可能不影响太阳能电池片的效率的情况下对太阳能电池片进行保护。同时，胶膜可将光伏玻璃和太阳能电池片黏合在一起，胶膜的存在可以对太阳能电池片进行密封绝缘以及防水防潮。

背板可贴附在太阳能电池片背面的胶膜上，背板可以对太阳能电池片起保护和支撑作用，具有可靠的绝缘性、阻水性和耐老化性，背板可以有多重选择，通常可为钢化玻璃、有机玻璃、铝合金TPT复合胶膜等，其具体可根据具体情况进行设置，在此不作限制。背板、太阳能电池片、胶膜以及光伏玻璃组成的整体可设置在金属框架上，金属框架作为整个电池组件200的主要外部支撑结构，且可为电池组件200进行稳定的支撑和安装，例如，可通过金属框架将电池组件200安装在所需要安装的位置。

进一步地，在本实施例中，光伏***1000可应用在光伏电站中，例如地面电站、屋顶电站、水面电站等，也可应用在利用太阳能进行发电的设备或者装置上，例如用户太阳能电源、太阳能路灯、太阳能汽车、太阳能建筑等等。当然，可以理解的是，光伏***1000的应用场景不限于此，也即是说，光伏***1000可应用在需要采用太阳能进行发电的所有领域中。以光伏发电***网为例，光伏***1000可包括光伏阵列、汇流箱和逆变器，光伏阵列可为多个电池组件200的阵列组合，例如，多个电池组件200可组成多个光伏阵列，光伏阵列连接汇流箱，汇流箱可对光伏阵列所产生的电流进行汇流，汇流后的电流流经逆变器转换成市电电网要求的交流电之后接入市电网络以实现太阳能供电。

再进一步地，本实施例的PERC太阳能电池片100的基片10可为硅片，例如单晶硅片或者多晶硅片，基片10可为P型硅片或者N型硅片，在一个例子中，基片10可为P型硅片，在这样的情况下，衬底层11为P型衬底层，扩散层12为N型扩散层，扩散层12可以通过对基片10进行磷扩散形成，而第一掺杂非晶硅层30则可为N型掺杂非晶硅层。在另一个例子中，基片10也可为N型硅片，在这样的情况下，衬底层11为N型衬底层，扩散层12为P型扩散层，扩散层12可以通过对基片10进行硼扩散形成，而第一掺杂非晶硅层30则可为P型掺杂非晶硅层。由此，可以得知，衬底层11与扩散层12的极性相反，第一掺杂非晶硅层30的极性与扩散层12的极性相同。也即是说，在本实用新型中，“极性相反”可以理解为两者一个为P型，另一个为N型，例如，衬底层11为P型衬底层，则扩散层12为N型扩散层，“极性相同”则可以理解为两者为同一极性，例如，扩散层12为N型扩散层时，则第一掺杂非晶硅层30也为N型掺杂非晶硅层，扩散层12为P型扩散层时，则第一掺杂非晶硅层30也为P型掺杂非晶硅层，在下文若出现相同的描述，也可参照此处理解。

更具体地，以基片10为P型单晶硅片为例，PERC太阳能电池片100的制备流程为：提供一P型单晶硅片，先经过表面预处理，制绒工艺实现织构化绒面；随后进入高温低压扩散炉，以POCl₃为磷源进行扩散，通磷源的同时通入氧气，POCl₃流量300-1000sccm，氧气流量400-1200sccm，扩散温度600℃-900℃，工艺时间1-3小时，通过调控扩散温度和时间调控掺杂浓度和结深，控制掺杂浓度小于10¹⁸/cm³数量级，结深3-8μm。扩散后通过刻蚀工艺去除背面和侧面掺杂层，去除正表面扩散形成的磷硅玻璃，同时对背面进行抛光，背面反射率32％-45％。随后采用退火设备对所得基片10进行高温退火，消除硅片体内缺陷，同时通入N₂保护气体，温度600℃-900℃，工艺时间1-3小时，这样，即可形成具有衬底层11和扩散层12的基片10。随后，退火后的基片10进入多腔室镀膜设备，在基片10的正表面(扩散层12的上表面)镀第一氢化本征非晶硅层20(即i-a-Si:H层)、第一掺杂非晶硅层30(即N-Si:H层)和第一导电层40(例如TCO层、ITO层等)。随后，对镀膜后基片10采用丝网印刷工艺在第一掺杂非晶硅层30的表面印刷形成第一金属栅线50，最后经测试机测试分选后包装入仓库。

当然，可以理解的是，上述制备方法以及制备流程的中的扩散方式以及工艺参数均只是示例性，其具体的扩散方式以及具体的工艺参数和工艺方式可根据具体情况进行设定，具体在此不做限制。例如，在扩散时，也可以是通过喷涂磷酸水溶液后链式扩散或者是通过丝网印刷磷浆料后链式扩散。又如，在形成第一金属栅线50时，也可以是通过采用电镀铜栅线、激光转印、转移印刷、二次印刷和喷墨打印等方式形成，具体在此不做限制。

此外，在一些实施例中，第一金属栅线50可采用银浆进行形成。当然，其它的实施例中，为了减少银浆的使用量以减少成本，第一金属栅线50也可采用银包铜等结构，也即是说，在这样的实施例中，第一金属栅线50可包括中间采用铜制成的第一导电部(图未示出)和包覆在第一导电部上的采用银制成的第二导电部(图未示出)，第二导电部与第一导电层40电性连接。

进一步地，在一些实施例中，第一氢化本征非晶硅层20的厚度为3nm-20nm。

如此，可以避免第一氢化本征非晶硅层20的厚度过小而导致镀膜不均匀从而导致扩散层12正面的钝化效果不佳，同时可以避免第一氢化本征非晶硅层20的厚度过大而导致制作成本较高。

具体地，在本实用新型中，第一氢化本征非晶硅层20的厚度可以为3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、20nm或者为3nm-20nm以内的其它任意数值，具体可根据实际情况进行设定，在此不作限制。

再进一步地，在一些实施例中，第一掺杂非晶硅层30的厚度为5nm-50nm。

如此，可以避免第一掺杂非晶硅层30的厚度过小而导致镀膜不均匀从而导致扩散层12正面某些部位的掺杂分子过少，同时可以避免第一掺杂非晶硅层30的厚度过大而导致制作成本较高。

具体地，在本实用新型中，第一掺杂非晶硅层30的厚度可以为5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm或者为5nm-50nm以内的其它任意数值，具体可根据实际情况进行设定，在此不作限制。

实施例二

在本实施例中，衬底层11为P型衬底层，扩散层12为N型扩散层，第一掺杂非晶硅层30为N型掺杂非晶硅层。第一掺杂非晶硅层30的掺杂浓度高于扩散层12的掺杂浓度。

如此，第一掺杂非晶硅层30的掺杂浓度高于扩散层12的掺杂浓度会使得第一掺杂非晶硅层30与扩散层12之间能够形成高低结，高低结会形成内建电场，从而在基片10的正面形成场效应钝化，从而减少表面复合，提高载流子的收集几率。

具体地，在这样的实施例中，在基片10中，P型衬底层和N型扩散层形成PN结，基片10内的电子在两者形成的电场的作用下向N型扩散层移动，空穴则在电场的作用下向P型衬底层移动从而实现载流子的收集以形成电流。可以理解的是，在一般情况下，并不是所有的电子都会在电场的作用下向N型扩散层移动，也并不是所有的空穴都会在电场的作用下向P型衬底层移动，这样会导致电子和空穴会存在一部分的复合从而导致电池效率较低。在本实施例中，由于第一掺杂非晶硅层30和扩散层12之间会形成一个额外的内建电场从而使得电子能够尽可能的都向N型扩散层移动，使得空穴尽可能向P型衬底层移动，这样可以减少电子和空穴的复合以尽可能提高载流子的收集几率，提高PERC太阳能电池片100的效率。

需要说明的是，在本文中，“掺杂浓度”可以理解为在单位体积内掺杂分子的分子数，在下文中若出现相同的描述，也可参照此处理解。例如，在N型扩散层的掺杂分子为磷，第一掺杂非晶硅层30的掺杂分子也为磷时，则第一掺杂非晶硅层30的磷掺杂浓度则要高于N型扩散层的磷掺杂浓度，这样，在扩散层12为N型扩散层且第一掺杂非晶硅层30为N型掺杂非晶硅层时，两者之间形成的电场方向是从掺杂有高浓度的第一掺杂非晶硅层30指向掺杂有低浓度的N型扩散层，这样，空穴会在两者的内建电场的作用下尽可能的向P型衬底层移动，电子则会在两者的内建电场的作用下尽可能的向N型扩散层移动以提高载流子的收集几率。

当然，可以理解的是，在一些实施例中，衬底层11也可为N型衬底层，扩散层12为P型扩散层，第一掺杂非晶硅层30为P型掺杂非晶硅层。第一掺杂非晶硅层30的掺杂浓度高于扩散层12的掺杂浓度。这样也会形成内建电场以提高载流子的收集几率。

具体地，在这样的实施例中，在P型扩散层的掺杂分子可为硼，也即，可通过硼扩散形成P型扩散层，第一掺杂非晶硅层30的掺杂分子也为可硼，第一掺杂非晶硅层30的硼掺杂浓度则要高于P型扩散层的硼掺杂浓度。这样，在扩散层12为P型扩散层且第一掺杂非晶硅层30为P型掺杂非晶硅层时，两者之间形成的电场方向是从掺杂浓度低的P型扩散层指向掺杂有高浓度的P型扩散层，这样，空穴会在两者的内建电场的作用下尽可能的向P型扩散层移动，电子则会在两者的内建电场的作用下尽可能的向N型衬底层移动以提高载流子的收集几率。

实施例三

请参阅图4，在本实施例中，PERC太阳能电池片100还可包括依次设置在衬底层11背面的第二氢化本征非晶硅层60、第二掺杂非晶硅层70、第二导电层80和第二金属栅线90，第二掺杂非晶硅层70的极性与衬底层11的极性相同，第二金属栅线90与第二导电层80电性连接。

如此，第二氢化本征非晶硅层60和第二掺杂非晶硅层70的设置可以对基片10的衬底层11的背面实现全表面钝化，避免第二金属栅线90与基片10接触处钝化缺失而导致的高表面负荷状况，提高载流子的收集几率，从而提高PERC太阳能电池片100的转换效率。

具体地，在这样的实施例中，在衬底层11为P型衬底层时，扩散层12为N型扩散层，第一掺杂非晶硅层30为N型掺杂非晶硅层，第二掺杂非晶硅层70为P型掺杂非晶硅层。在衬底层11为N型衬底层时，扩散层12为P型扩散层，第一掺杂非晶硅层30为P型掺杂非晶硅层，第二掺杂非晶硅层70为N型掺杂非晶硅层。

可以理解的是，在这样的实施例中，在制作PERC太阳能电池片100时，在对基片10进行扩散以得到具有衬底层11和扩散层12并进行退火后，可通过镀膜机分别在扩散层12上依次镀第一氢化本征非晶硅层20、第一掺杂非晶硅层30以及第一导电层40，并且在衬底层11的背面依次镀第二氢化本征非晶硅层60、第二掺杂非晶硅层70以及第二导电层80，然后在第一导电层40和第二导电层80上分别印刷第一金属栅线50和第二金属栅线90。

此外，在这样的实施例中，同第一金属栅线50一样，第二金属栅线90也可采用银浆进行形成或者采用银包铜等结构以减少银浆的使用，降低成本。

进一步地，在一些实施例中，第二氢化本征非晶硅层60的厚度可为3nm-20nm。

如此，可以避免第二氢化本征非晶硅层60的厚度过小而导致镀膜不均匀从而衬底层11背面的钝化效果不佳，同时可以避免第二氢化本征非晶硅层60的厚度过大而导致制作成本较高。

具体地，在本实用新型中，第二氢化本征非晶硅层60的厚度可以为3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、20nm或者为3nm-20nm以内的其它任意数值，具体可根据实际情况进行设定，在此不作限制。

再进一步地，在一些实施例中，第二掺杂非晶硅层70的厚度可为5nm-50nm。

如此，可以避免第二掺杂非晶硅层70的厚度过小而导致镀膜不均匀从而导衬底层11背面的某些部位的掺杂分子过少，同时可以避免第二掺杂非晶硅层70的厚度过大而导致制作成本较高。

具体地，在本实用新型中，第二掺杂非晶硅层70的厚度可以为5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm或者为5nm-50nm以内的其它任意数值，具体可根据实际情况进行设定，在此不作限制。

当然，还可以理解的是，在其它实施方式中，在衬底层11的背面也可以采用AlO_x/SixN_y钝化减反射膜层来实现钝化效果，具体在此不作限制。

再进一步地，在一些实施例中，衬底层11可为P型衬底层，扩散层12可为N型扩散层，第二掺杂非晶硅层70为P型掺杂非晶硅层，第二掺杂非晶硅层70的掺杂浓度高于衬底层11的掺杂浓度。

如此，第二掺杂非晶硅层70的掺杂浓度高于扩散层12的掺杂浓度会使得第二掺杂非晶硅层70与衬底层11之间能够形成高低结，高低结会形成内建电场，从而在正面形成场效应钝化，从而减少表面复合，提高载流子的收集几率。

具体地，P型衬底层可以理解为在硅片中惨杂有硼或者镓等三族元素，其可称为受主杂质，在P型衬底层的掺杂分子为硼或者镓等三族元素，第二掺杂非晶硅层70的掺杂分子硼或者镓等三族元素时，第二掺杂非晶硅层70的掺杂浓度要高于P型衬底层的受主杂质的掺杂浓度。这样，在衬底层11为P型衬底层且第二掺杂非晶硅层70为P型掺杂非晶硅层时，两者之间形成的内建电场方向是从掺杂有低浓度的P型衬底层指向掺杂有高浓度的第二掺杂非晶硅层70，这样，空穴会在两者的内建电场的作用下尽可能的向P型衬底层移动，电子则会在两者的内建电场的作用下尽可能的向N型扩散层移动以提高载流子的收集几率。

当然，可以理解的是，在一些实施例中，衬底层11也可为N型衬底层，扩散层12为P型扩散层，第二掺杂非晶硅层70为N型掺杂非晶硅层。第二掺杂非晶硅层70的掺杂浓度高于衬底层11的掺杂浓度。这样也会形成内建电场以提高载流子的收集几率。

综合上文可知，在本实用新型中，在衬底层11为P型衬底层，扩散层12为N型扩散层时，第一掺杂非晶硅层30则为N型掺杂非晶硅层且其掺杂浓度大于扩散层12的掺杂浓度，第二掺杂非晶硅层70则为P型掺杂非晶硅层且其掺杂浓度大于衬底层11的受主杂质的浓度。在衬底层11为N型衬底层，扩散层12为P型扩散层时，第一掺杂非晶硅层30则为P型掺杂非晶硅层且其掺杂浓度大于扩散层12的掺杂浓度，第二掺杂非晶硅层70则为N型掺杂非晶硅层且其掺杂浓度大于衬底层11的受主杂质的浓度。这样，第一掺杂非晶硅层30与扩散层12之间形成有内建电场，并且第二掺杂非晶硅层70与衬底层11之间也会形成有内建电场，空穴会在两个内建电场的作用下尽可能的向P型衬底层移动，电子则会在两个内建电场的作用下尽可能的向N型扩散层移动以提高载流子的收集几率。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

此外，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种PERC太阳能电池片，其特征在于，包括：

基片，所述基片包括衬底层和设置在所述衬底层正面上的扩散层，所述衬底层与所述扩散层的极性相反；

设置在所述扩散层上的第一氢化本征非晶硅层；

设置在所述第一氢化本征非晶硅层上的第一掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层的极性与所述扩散层的极性相同；

设置在所述第一掺杂非晶硅层上的第一导电层；和

设置在所述第一导电层上且与所述第一导电层电性连接的第一金属栅线。

2.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池片，其特征在于，所述衬底层为P型衬底层，所述扩散层为N型扩散层，所述第一掺杂非晶硅层为N型掺杂非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池片，其特征在于，所述第一氢化本征非晶硅层的厚度为3nm-20nm。

4.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池片，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅层的厚度为5nm-50nm。

5.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池片，其特征在于，所述PERC太阳能电池片还包括依次设置在所述衬底层背面的第二氢化本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二导电层和第二金属栅线，所述第二掺杂非晶硅层的极性与所述衬底层的极性相同，所述第二金属栅线与所述第二导电层电性连接。

6.根据权利要求5所述的PERC太阳能电池片，其特征在于，所述衬底层为P型衬底层，所述扩散层为N型扩散层，所述第二掺杂非晶硅层为P型掺杂非晶硅层。

7.根据权利要求5所述的PERC太阳能电池片，其特征在于，所述第二氢化本征非晶硅层的厚度为3nm-20nm；和/或

所述第二掺杂非晶硅层的厚度为5nm-50nm。

8.一种电池组件，其特征在于，包括多个权利要求1-7任一项所述的PERC太阳能电池片。

9.一种光伏***，其特征在于，包括权利要求8所述的电池组件。

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