CN217933796U - 一种Micro LED显示面板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种Micro LED显示面板以及显示装置，其中，MicroLED显示面板包括驱动基板、若干个Micro LED显示芯片和彩色滤光结构，若干个Micro LED显示芯片阵列设于驱动基板上；Micro LED显示芯片包括依次堆叠在驱动基板上的若干个P型电极层、若干个P型材料层、若干个多量子阱层和覆盖全部多量子阱层的共用N型材料层，并且，N型材料层朝向驱动基板的一侧设有N型电极层，N型电极层与驱动基板接触；彩色滤光结构设于Micro LED显示芯片背离驱动基板的一侧；彩色滤光结构上正对多量子阱层的位置间隔排列有红光透光区、绿光透光区和蓝光透光区。本申请通过设置多个共用N极的显示芯片提高Micro LED显示面板的像素密度。

Description

一种Micro LED显示面板以及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种Micro LED显示面板以及显示装置。

背景技术

目前，Micro LED显示芯片在显示设备中的使用越来越广泛，因其继承了无机发光二极管(light-emitting diode，简称LED)的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势；除此之外，Micro LED还有一大特性就是解析度超高。因为Micro LED的体积非常小，在显示面板上可以集成的数量巨大，所以制成的显示屏往往表现的解析度特别高。

但是，目前受制于Micro LED自身结构的影响，每个Micro LED芯片都包括N型电极层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和P型电极层等结构，所以Micro LED显示屏的像素密度(Pixels Per Inch，简称PPI)无法进一步提高，显示效果受到限制，无法满足市场上的使用需求。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种Micro LED显示面板以及显示装置，旨在解决现有的Micro LED自身结构影响Micro LED显示屏的像素密度不足，导致无法满足市场上的使用需求的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种Micro LED显示面板，其中，包括驱动基板、若干个Micro LED显示芯片和彩色滤光结构，若干个所述Micro LED显示芯片阵列设于所述驱动基板上；所述Micro LED显示芯片包括依次堆叠在所述驱动基板上的若干个P型电极层、若干个P型材料层、若干个多量子阱层和覆盖全部所述多量子阱层的共用N型材料层，并且，所述N型材料层朝向所述驱动基板的一侧设有N型电极层，所述N型电极层与所述驱动基板接触；所述彩色滤光结构设于所述Micro LED显示芯片背离所述驱动基板的一侧；所述彩色滤光结构上正对所述多量子阱层的位置间隔排列有红光透光区、绿光透光区和蓝光透光区。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述彩色滤光结构还包括多个遮光区，所述遮光区位于所述红光透光区和所述绿光透光区之间，和/或所述遮光区位于所述绿光透光区和所述蓝光透光区之间，和/或所述遮光区位于所述蓝光透光区与所述红光透光区之间。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述遮光区为黑胶遮光区。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述显示面板还包括若干个挡墙，所述挡墙设于所述驱动基板上，位于相邻的所述Micro LED显示芯片之间，用于遮挡所述Micro LED显示芯片的侧向出光。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述N型材料层的两侧分别形成有朝向所述驱动基板凸出的第一凸台和第二凸台，所述N型电极层设于所述第一凸台或第二凸台上。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述第一凸台为长条形凸台或者环形凸台，所述第一凸台沿所述N型材料层的边缘延伸；并且所述第二凸台为长条形凸台或者环形凸台，所述第二凸台沿所述N型材料层的边缘延伸；所述挡墙位于所述N极材料层未设置所述第一凸台和所述第二凸台的侧边。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述驱动基板上朝向所述Micro LED显示芯片的表面上设有若干个N电极焊盘和若干个P电极焊盘；所述N型电极层与所述N电极焊盘对接；所述P型电极层与所述P电极焊盘对接。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述多量子阱层包括蓝光氮化镓层、绿光氮化镓层和红光氮化镓铟层，用于发射白光。

所述的Micro LED显示面板，其中，所述多量子阱层包括蓝光氮化镓层、绿光氮化镓铟层和红光磷化铟镓铝层，用于发射白光。

本申请还公开了一种显示装置，其中，包括如上任一所述的Micro LED显示面板。

与现有技术相比，本实用新型实施例具有以下优点：

本实用新型公开的Micro LED显示面板使用时通过驱动基板上设置导线输电，导通Micro LED显示芯片的N型电极层和P型电极层，进而使多量子阱层发光，并且光线朝向彩色滤光结构传播，通过彩色滤光结构选择性出光形成显示屏上的像素点，最终所有的像素点组合形成显示图像；特别的，Micro LED显示芯片上设置多个多量子阱层，即可以产生多个发光点，但是单个芯片上的所有多量子阱层共用N型材料层，从而节省Micro LED显示芯片的体积，可以将相邻的多量子阱层之间的间隙减小，设计制成尺寸更小的Micro LED显示芯片，这样在Micro LED显示面板上就可以排布更多的Micro LED显示芯片，从而提高MicroLED显示面板的像素密度，以提高显示效果，增加显示亮度，满足更多使用场合的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型中Micro LED显示面板的部分结构示意图；

图2为本实用新型中Micro LED显示面板的另一部分结构示意图。

其中，100、驱动基板；110、N电极焊盘；120、P电极焊盘；200、MicroLED显示芯片；210、P型电极层；220、P型材料层；230、多量子阱层；240、N型材料层；241、第一凸台；242、第二凸台；250、N型电极层；300、彩色滤光结构；310、红光透光区；320、绿光透光区；330、蓝光透光区；340、遮光区。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参阅图1，本实用新型申请的一实施例中，公开了一种Micro LED显示面板，其中，包括驱动基板100、若干个Micro LED显示芯片200和彩色滤光结构300，若干个所述MicroLED显示芯片200阵列设于所述驱动基板100上；所述Micro LED显示芯片200包括依次堆叠在所述驱动基板100上的若干个P型电极层210、若干个P型材料层220、若干个多量子阱层230和覆盖全部所述多量子阱层230的共用N型材料层240，并且，所述N型材料层240朝向所述驱动基板100的一侧设有N型电极层250，所述N型电极层250与所述驱动基板100接触；所述彩色滤光结构300设于所述Micro LED显示芯片200背离所述驱动基板100的一侧；所述彩色滤光结构300上正对所述多量子阱层230的位置间隔排列有红光透光区310、绿光透光区320和蓝光透光区330。

本实用新型公开的Micro LED显示面板使用时通过驱动基板100上设置导线输电，导通Micro LED显示芯片200的N型电极层250和P型电极层210，进而使多量子阱层230发光，并且光线朝向彩色滤光结构300传播，通过彩色滤光结构300选择性出光形成显示屏上的像素点，最终所有的像素点组合形成显示图像；特别的，Micro LED显示芯片200上设置多个多量子阱层230，即可以产生多个发光点，但是单个芯片上的所有多量子阱层230共用N型材料层240，从而节省Micro LED显示芯片200的体积，可以将相邻的多量子阱层230之间的间隙减小，设计制成尺寸更小的Micro LED显示芯片200，这样在Micro LED显示面板上就可以排布更多的Micro LED显示芯片200，从而提高Micro LED显示面板的像素密度，以提高显示效果，增加显示亮度，满足更多使用场合的需求。

如图1所示，作为本实施例的一种实施方式，公开了所述彩色滤光结构300还包括多个遮光区340，所述遮光区340位于所述红光透光区310和所述绿光透光区320之间，和/或所述遮光区340位于所述绿光透光区320和所述蓝光透光区330之间，和/或所述遮光区340位于所述蓝光透光区330与所述红光透光区310之间。通过设置遮光区340可以避免多量子阱层230发光时侧向的出光影响到相邻的透光区，以防出现串色的问题，使得每个多量子阱层230发射的光线只从正对该多量子阱层230的透光区射出，即如果只需要发红光，激发红光透光区310所对的多量子阱层230发光，此时侧向射出的光线被遮光区340遮挡，不会射到邻近的绿光透光区320或者蓝光透光区330，从而提高显示面板发光的色彩准确度，提高显示面板的控制性能。

具体的，作为本实施例的另一种实施方式，公开了所述遮光区340为黑胶遮光区340。黑胶的遮光效果好，稳定性好，而且容易制成膜层，有利于长期维持彩色滤光结构300的使用效果。

具体的，作为本实施例的另一种实施方式，公开了所述显示面板还包括若干个挡墙，所述挡墙设于所述驱动基板100上，位于相邻的所述Micro LED显示芯片200之间，用于遮挡所述Micro LED显示芯片200的侧向出光。本实施例中在驱动基板100上阵列设置多个Micro LED显示芯片200，以实现Micro LED显示技术的高PPI显示效果，获得亮度高、功耗低的Micro LED显示面板，而设置挡墙是为了防止相邻的Micro LED显示芯片200之间产生串光的问题，通过挡墙遮挡，使得每个Micro LED显示芯片200独立发光，从而避免Micro LED显示面板上出现色差，亮度不均等问题，提高Micro LED显示面板的显示效果，提高其使用性。当然了，本实施例中公开的挡墙可以设置为黑胶挡墙，利用黑胶的优秀遮挡效果，对Micro LED显示芯片200的侧向出光尽可能遮挡，而且黑胶方便通过点胶机实现在驱动基板100上的制成。

具体的，在实际生产中，根据Micro LED显示芯片200的排布可以灵活设置挡墙为栅格状、长条状或者块状，将相邻的Micro LED显示芯片200之间的间隙填充；第一，可以遮挡Micro LED显示芯片200的侧向出光；第二，Micro LED显示芯片200与挡墙可以形成平整的顶面，方便后续在Micro LED显示芯片200背离驱动基板100的一侧设置彩色滤光结构300。

再如图1所示，作为本实施例的另一种实施方式，公开了，所述N型材料层240的两侧分别形成有朝向所述驱动基板100凸出的第一凸台241和第二凸台242，所述N型电极层250设于所述第一凸台241或第二凸台242上。第一，本实施例中设置的第一凸台241和第二凸台242向驱动基板100凸出，所以将N型电极层250设置在第一凸台241或者第二凸台242上都可以使之接近驱动基板100，方便实现驱动基板100与N型电极层250的接触，以便形成稳定的电性连接；第二，第一凸台241和第二凸台242分别设置在N型材料层240上的众多多量子阱层230的两侧，可以对多量子阱层230的侧向出光产生阻挡，避免Micro LED显示芯片200侧向漏光，导致相邻的Micro LED显示芯片200之间产生光线串扰的问题。

具体的，作为本实施例的另一种实施方式，公开了所述第一凸台241为长条形凸台或者环形凸台，所述第一凸台241沿所述N型材料层240的边缘延伸；并且所述第二凸台242为长条形凸台或者环形凸台，所述第二凸台242沿所述N型材料层240的边缘延伸；所述挡墙位于所述N极材料层未设置所述第一凸台241和所述第二凸台242的侧边。本实施例中公开的第一凸台241和第二凸台242可以起到一定的遮挡Micro LED显示芯片200的侧向光线的作用，所以在实际生产过程中，可以将Micro LED显示芯片200排列更加紧密一些，在MicroLED显示芯片200设置了第一凸台241和第二凸台242的两侧不需要设置挡墙，而是将挡墙设置在Micro LED显示芯片200没有设置第一凸台241和第二凸台242的侧边，或者直接设置凸台为环形，则不需要另外设置挡墙，从而可在保持Micro LED显示芯片200出光不互相干扰的基础上简化挡墙的形状，节省加工时间，节省材料成本。

再如图1所示，作为本实施例的另一种实施方式，公开了所述驱动基板100上朝向所述Micro LED显示芯片200的表面上设有若干个N电极焊盘110和若干个P电极焊盘120；所述N型电极层250与所述N电极焊盘110对接；所述P型电极层210与所述P电极焊盘120对接。本实施例中N电极焊盘110和P电极焊盘120都通过导线导通电源，从而将电流输送至MicroLED显示芯片200上。

具体的，作为本实施例的另一种实施方式，公开了所述多量子阱层230包括蓝光氮化镓层、绿光氮化镓层和红光氮化镓铟层，用于发射白光。氮化镓和氮化镓铟的晶格匹配效果较好，减少红光氮化镓铟层与绿光氮化镓层之间的结构缺陷，从而使得Micro LED显示芯片200结构内部完整性好，有利于获得良好的发光效果，进一步提高Micro LED显示面板的使用性能。

具体的，作为本实施例的另一种实施方式，公开了所述多量子阱层230包括蓝光氮化镓层、绿光氮化镓铟层和红光磷化铟镓铝层，用于发射白光。氮化镓为二元材料，氮化镓铟为三元材料，磷化铟镓铝为四元材料，依次堆叠形成的多量子阱层230结构完整性好，蓝光氮化镓层、绿光氮化镓铟层和红光磷化铟镓铝层之间不容易出现结构缺陷，从而可以保持良好的出光效果，进一步提高Micro LED显示面板的使用性能。

具体的，作为本实施例的另一种实施方式，公开了Micro LED显示面板的制造工艺如下：

1、在衬底上生长N型材料层240、多量子阱层230、P型材料层220；

2、通过光刻工艺，在外延片上制作若干个MicroLED显示屏幕大小的N型材料层外形；

3、通过光刻工艺，在外延片上制作阵列的MicroLED像素芯片P型材料外形；

4、通过蒸镀或溅镀工艺制作N电极、P电极、以及芯片保护层；

5、将芯片对组熔接在驱动基板上；

6、将芯片的衬底剥离；

7、将彩色滤光膜对组结合在MicroLED芯片表面；

8、将对组贴好的MicroLED芯片和驱动基板，按照MicroLED显示屏幕大小形状进行切割，制作出一块块MicroLED显示芯片器件。

本实施例中制造的Micro LED显示面板可达到5000以上的高PPI。满足高PPI、高色域、高亮度、高对比度需求，通过驱动基板电路分别调节Micro LED显示芯片的电流即可以进行彩色图像显示。此类Micro LED显示器适用于穿戴、头戴产品。

本申请还公开了一种显示装置，其中，包括如上任一所述的Micro LED显示面板。

综上所述，本申请公开了一种Micro LED显示面板，其中，包括驱动基板100、若干个Micro LED显示芯片200和彩色滤光结构300，若干个所述Micro LED显示芯片200阵列设于所述驱动基板100上；所述Micro LED显示芯片200包括依次堆叠在所述驱动基板100上的若干个P型电极层210、若干个P型材料层220、若干个多量子阱层230和覆盖全部所述多量子阱层230的共用N型材料层240，并且，所述N型材料层240朝向所述驱动基板100的一侧设有N型电极层250，所述N型电极层250与所述驱动基板100接触；所述彩色滤光结构300设于所述Micro LED显示芯片200背离所述驱动基板100的一侧；所述彩色滤光结构300上正对所述多量子阱层230的位置间隔排列有红光透光区310、绿光透光区320和蓝光透光区330。本实用新型公开的Micro LED显示面板使用时通过驱动基板100上设置导线输电，导通Micro LED显示芯片200的N型电极层250和P型电极层210，进而使多量子阱层230发光，并且光线朝向彩色滤光结构300传播，通过彩色滤光结构300选择性出光形成显示屏上的像素点，最终所有的像素点组合形成显示图像；特别的，Micro LED显示芯片200上设置多个多量子阱层230，即可以产生多个发光点，但是单个芯片上的所有多量子阱层230共用N型材料层240，从而节省Micro LED显示芯片200的体积，可以将相邻的多量子阱层230之间的间隙减小，设计制成尺寸更小的Micro LED显示芯片200，这样在Micro LED显示面板上就可以排布更多的Micro LED显示芯片200，从而提高Micro LED显示面板的像素密度，以提高显示效果，增加显示亮度，满足更多使用场合的需求。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。

需要说明的是，本实用新型以Micro LED显示面板为例对本实用新型的具体结构及工作原理进行介绍，但本实用新型的应用并不以Micro LED显示面板为限，也可以应用到其它类似工件的生产和使用中。

应当理解的是，本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种Micro LED显示面板，其特征在于，包括：

驱动基板；

若干个Micro LED显示芯片，阵列设于所述驱动基板上；所述Micro LED显示芯片包括依次堆叠在所述驱动基板上的若干个P型电极层、若干个P型材料层、若干个多量子阱层和覆盖全部所述多量子阱层的共用N型材料层，并且，所述N型材料层朝向所述驱动基板的一侧设有N型电极层，所述N型电极层与所述驱动基板接触；以及

彩色滤光结构，设于所述Micro LED显示芯片背离所述驱动基板的一侧；所述彩色滤光结构上正对所述多量子阱层的位置间隔排列有红光透光区、绿光透光区和蓝光透光区。

2.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述彩色滤光结构还包括多个遮光区，所述遮光区位于所述红光透光区和所述绿光透光区之间，和/或所述遮光区位于所述绿光透光区和所述蓝光透光区之间，和/或所述遮光区位于所述蓝光透光区与所述红光透光区之间。

3.根据权利要求2所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述遮光区为黑胶遮光区。

4.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括若干个挡墙，所述挡墙设于所述驱动基板上，位于相邻的所述Micro LED显示芯片之间，用于遮挡所述Micro LED显示芯片的侧向出光。

5.根据权利要求4所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述N型材料层的两侧分别形成有朝向所述驱动基板凸出的第一凸台和第二凸台，所述N型电极层设于所述第一凸台或第二凸台上。

6.根据权利要求5所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述第一凸台为长条形凸台或者环形凸台，所述第一凸台沿所述N型材料层的边缘延伸；并且所述第二凸台为长条形凸台或者环形凸台，所述第二凸台沿所述N型材料层的边缘延伸；

所述挡墙位于所述N极材料层未设置所述第一凸台和所述第二凸台的侧边。

7.根据权利要求5所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述驱动基板上朝向所述Micro LED显示芯片的表面上设有若干个N电极焊盘和若干个P电极焊盘；

所述N型电极层与所述N电极焊盘对接；所述P型电极层与所述P电极焊盘对接。

8.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述多量子阱层包括蓝光氮化镓层、绿光氮化镓层和红光氮化镓铟层，用于发射白光。

9.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述多量子阱层包括蓝光氮化镓层、绿光氮化镓铟层和红光磷化铟镓铝层，用于发射白光。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的Micro LED显示面板。

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