CN217588869U - 一种半接触贴膜平台装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半接触贴膜平台装置，包括平台适配基座和位于平台适配基座上方的定位平台；定位平台包括***的环形凸台和中部的支撑凸台，环形凸台和支撑凸台之间形成凹槽；环形凸台上的外侧部设置有若干定位凸台，支撑凸台上设置有硅胶垫，具有硅胶垫的支撑凸台的高度与环形凸台的高度相同；平台适配基座和环形凸台设置有由下至上贯穿的真空孔。本实用新型通过真空吸附晶圆的边缘无效区以固定晶圆，中心的支撑凸台作为支撑，仅有有限位置与晶圆接触，其它有效区非接触，尤其针对Ⅲ‑Ⅴ族化合物晶圆，减少了表面划伤等废品，提高了产品的贴膜良率；同时改善了贴膜过程中，出现大面积空气桥塌陷废品而导致的整晶圆报废，降低了晶圆报废率。

Description

一种半接触贴膜平台装置

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工领域，尤其涉及一种半接触贴膜平台装置。

背景技术

产品贴膜，是将晶圆正面向下，放在贴膜平台上(晶圆正面与整个贴膜平台贴合)，打开真空，吸附固定晶圆，同时设备贴好空膜，抽真空，滚轮压过膜和晶圆背面，达到膜与晶圆贴合的目的；Ⅲ-Ⅴ族化合物晶圆，正面有复杂而脆弱的表面工艺，普通平台进行贴膜工艺时，晶圆表面会出现划伤的情况；

如申请号为CN202111521443.1的发明专利公开了一种晶圆通用贴膜平台及其使用方法，其包括台盘，台盘的下端面阵列开设有多个螺栓安装孔，所述台盘的一侧面设有平口槽，所述平口槽内固定连接有定位凸块，所述台盘的下端面阵列开设有气孔，所述台盘的正面阵列开设有真空花纹槽，所述台盘的中心处阵列贯穿开设有预留插孔。此装置具有方便对缺口晶圆与平口晶圆进行灵活切换使用贴膜，且贴膜时吸附稳固，贴膜质量高的特点。

但是针对Ⅲ-Ⅴ族化合物晶圆，薄片产品正面有裸露的空气桥等特殊工艺，上述操作过程中，滚轮贴膜的同时会压伤正面空气桥，出现空气桥塌陷的废品，从而会导致整晶圆报废。

而如申请号CN201010603994.8的发明专利公开了一种晶圆贴膜方法及贴膜装置，其特征在于，向晶圆与台盘之间吹入气体，利用吹入的气体支撑晶圆，然后在晶圆表面贴膜。使用本发明中的晶圆贴膜方法及贴膜装置，实现了完全非接触贴膜，减小了损坏晶圆正面的风险。由于在滚轮按压时，可以利用气体支撑晶圆，以此可以抵消滚轮的压力，滚轮不会轻易将晶圆压破或压碎。

但是针对Ⅲ-Ⅴ族化合物晶圆，产品正面有裸露的空气桥等特殊工艺，薄片翘曲度大，贴膜时，尤其是薄片贴膜时，上述方法中：气体无法消除产品本身存在的翘曲度问题，造成贴膜后，晶圆和膜中间气泡较多，较大，导致贴膜失败，贴膜合格率低，无法满足工艺需求；另外Ⅲ-Ⅴ族薄片晶圆硬度低，脆性大，若来料中间有裂纹等缺陷，会导致气体泄漏，无法实现气体支撑晶圆的目的，且气体有加剧裂纹延伸恶化的风险，同样导致贴膜良率降低，甚至整晶圆报废的风险。

因此，针对上述问题，提供一种半接触贴膜平台装置，是本领域亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种半接触贴膜平台装置。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

本实用新型的第一方面，提供一种半接触贴膜平台装置，包括平台适配基座和位于平台适配基座上方的定位平台；

所述定位平台包括***的环形凸台和中部的支撑凸台，所述环形凸台和支撑凸台之间形成凹槽；所述环形凸台上的外侧部设置有若干定位凸台，所述支撑凸台上设置有硅胶垫，具有硅胶垫的支撑凸台的高度与环形凸台的高度相同；

所述平台适配基座和环形凸台设置有由下至上贯穿的真空孔。

进一步地，所述平台适配基座上置有若干安装孔。

进一步地，所述安装孔为螺纹安装孔。

进一步地，所述环形凸台为圆环凸台，所述圆环凸台的直径与待处理晶圆的尺寸适配。

进一步地，所述定位凸台在设置有四个，两两相对设置。

进一步地，所述平台适配基座为圆形基座。

进一步地，所述真空孔包括设置于平台适配基座的第一纵向孔、设置于平台适配基座或定位平台底部的且与第一纵向孔连接的若干水平孔、设置于定位平台内的且与对应水平孔尾端连接的若干第二纵向孔，所述第二纵向孔的真空吸附口延伸至环形凸台上表面。

进一步地，所述第一纵向孔的真空连接端与真空吸附器连接。

进一步地，所述第二纵向孔的真空吸附口均匀分布于环形凸台上表面。

进一步地，所述硅胶垫粘贴在所述支撑凸台上。

本实用新型的有益效果是：

(1)在本实用新型的一示例性实施例中，相较于现有技术中的全接触方式，本示例性实施例通过真空吸附晶圆的边缘无效区以固定晶圆，中心的支撑凸台作为支撑，仅有有限位置与晶圆接触，其它有效区非接触(悬空)，具有以下优点：尤其针对Ⅲ-Ⅴ族化合物晶圆，减少了表面划伤等废品，提高了产品的贴膜良率；同时改善了贴膜过程中，出现大面积空气桥塌陷废品而导致的整晶圆报废，降低了晶圆报废率。并且相较于现有技术中的非接触方式，贴膜气泡多以及气体有加剧裂纹延伸恶化的风险，同样导致贴膜良率降低，甚至整晶圆报废的风险的问题。

(2)在本实用新型的又一示例性实施例中，通过在平台适配基座上设置多个安装孔，从而实现将整个半接触贴膜平台装置进行固定，避免移动或晃动给贴膜过程造成影响。

(3)在本实用新型的又一示例性实施例中，由于晶圆具有不同尺寸，因此可以采用多个不同规格的半接触贴膜平台装置进行适配性选择；另外，圆环凸台可以进一步提供晶圆安装的形状提醒。

(4)在本实用新型的又一示例性实施例中，真空孔整体为一分多的形状，其一开始为一设置于平台适配基座的第一纵向孔，之后先水平分开为多个水平孔，然后再纵向分布为对应数量的第二纵向孔。采用该种方式，只需要一个抽真空设备即可对晶圆无效区的多个部位进行吸附。

(5)在本实用新型的又一示例性实施例中，所述第二纵向孔的真空吸附口均匀分布于环形凸台上表面。采用该种方式可以避免晶圆偏心吸附。

附图说明

图1为本实用新型一示例性实施例提供的一种半接触贴膜平台装置的俯视图；

图2为本实用新型一示例性实施例提供的一种半接触贴膜平台装置的剖视图；

图中，1-平台适配基座，101-安装孔，2-定位平台，201-环形凸台，202-支撑凸台，203-凹槽，204-定位凸台，205-硅胶垫，3-真空孔，301-第一纵向孔，302-水平孔，303-第二纵向孔，30301-真空吸附口。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

参见图1～图2，图1和图2分别示出了本实用新型一示例性实施例中提供的一种半接触贴膜平台装置的俯视图和剖视图，包括平台适配基座1和位于平台适配基座1上方的定位平台2；

所述定位平台2包括***的环形凸台201和中部的支撑凸台202，所述环形凸台201和支撑凸台202之间形成凹槽203；所述环形凸台201上的外侧部设置有若干定位凸台204，所述支撑凸台202上设置有硅胶垫205，具有硅胶垫205的支撑凸台202的高度与环形凸台201的高度相同；

所述平台适配基座1和环形凸台201设置有由下至上贯穿的真空孔3。

具体地，在本示例性实施例中，首先先将晶圆正面向下，放置在平台适配基座1的环形凸台201上，并通过环形凸台201上的定位凸台204实现预定位，此时仅有晶圆的边缘无效区与环形凸台201接触贴合、同时晶圆的中心位置与支撑凸台202接触贴合，晶圆的其他部分位于凹槽203的上方；之后放上铁环；固定完成后，打开抽真空设备，由于真空孔3的贯穿端位于环形凸台201上，因此通过真空孔3吸附晶圆的边缘无效区以固定晶圆，中心的支撑凸台202作为支撑，然后设备贴好空膜，滚轮压过膜和晶圆背面，达到膜与晶圆贴合的目的。

相较于现有技术中的全接触方式，本示例性实施例通过真空吸附晶圆的边缘无效区以固定晶圆，中心的支撑凸台202作为支撑，仅有有限位置与晶圆接触，其它有效区非接触(悬空)，具有以下优点：尤其针对Ⅲ-Ⅴ族化合物晶圆，减少了表面划伤等废品，提高了产品的贴膜良率；同时改善了贴膜过程中，出现大面积空气桥塌陷废品而导致的整晶圆报废，降低了晶圆报废率。并且相较于现有技术中的非接触方式，贴膜气泡多以及气体有加剧裂纹延伸恶化的风险，同样导致贴膜良率降低，甚至整晶圆报废的风险的问题。

更优地，在一示例性实施例中，如图1和图2所示，所述平台适配基座1上置有若干安装孔101。

具体地，在该示例性实施例中，通过在平台适配基座1上设置多个安装孔101，从而实现将整个半接触贴膜平台装置进行固定，避免移动或晃动给贴膜过程造成影响。

更优地，在一示例性实施例中，所述安装孔101为螺纹安装孔。

更优地，在一示例性实施例中，如图1和图2所示，所述环形凸台201为圆环凸台，所述圆环凸台的直径与待处理晶圆的尺寸适配。

具体地，在该示例性实施例中，由于晶圆具有不同尺寸，因此可以采用多个不同规格的半接触贴膜平台装置进行适配性选择；另外，圆环凸台可以进一步提供晶圆安装的形状提醒。

更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，在一示例性实施例中，所述定位凸台204在设置有四个，两两相对设置。

更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述平台适配基座1为圆形基座。

更优地，在一示例性实施例中，如图2所示，所述真空孔3包括设置于平台适配基座1的第一纵向孔301、设置于平台适配基座1或定位平台2底部的且与第一纵向孔301连接的若干水平孔302、设置于定位平台2内的且与对应水平孔302尾端连接的若干第二纵向孔303，所述第二纵向孔303的真空吸附口30301延伸至环形凸台201上表面。

具体地，在本示例性实施例中，真空孔3整体为一分多的形状，如图2所示，其一开始为一设置于平台适配基座1的第一纵向孔301，之后先水平分开为多个水平孔302，然后再纵向分布为对应数量的第二纵向孔303。采用该种方式，只需要一个抽真空设备即可对晶圆无效区的多个部位进行吸附。

更优地，在一示例性实施例中，所述第一纵向孔301的真空连接端与真空吸附器(抽真空设备)连接。

更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述第二纵向孔303的真空吸附口30301均匀分布于环形凸台201上表面。采用该种方式可以避免晶圆偏心吸附。

更优地，在一示例性实施例中，所述硅胶垫205粘贴在所述支撑凸台202上。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：包括平台适配基座和位于平台适配基座上方的定位平台；

所述定位平台包括***的环形凸台和中部的支撑凸台，所述环形凸台和支撑凸台之间形成凹槽；所述环形凸台上的外侧部设置有若干定位凸台，所述支撑凸台上设置有硅胶垫，具有硅胶垫的支撑凸台的高度与环形凸台的高度相同；

所述平台适配基座和环形凸台设置有由下至上贯穿的真空孔。

2.根据权利要求1所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述平台适配基座上设置有若干安装孔。

3.根据权利要求2所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述安装孔为螺纹安装孔。

4.根据权利要求1所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述环形凸台为圆环凸台，所述圆环凸台的直径与待处理晶圆的尺寸适配。

5.根据权利要求1或4所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述定位凸台设置有四个，两两相对设置。

6.根据权利要求1或4所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述平台适配基座为圆形基座。

7.根据权利要求1所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述真空孔包括设置于平台适配基座的第一纵向孔、设置于平台适配基座或定位平台底部的且与第一纵向孔连接的若干水平孔、设置于定位平台内的且与对应水平孔尾端连接的若干第二纵向孔，所述第二纵向孔的真空吸附口延伸至环形凸台上表面。

8.根据权利要求7所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述第一纵向孔的真空连接端与真空吸附器连接。

9.根据权利要求7所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述第二纵向孔的真空吸附口均匀分布于环形凸台上表面。

10.根据权利要求1所述的一种半接触贴膜平台装置，其特征在于：所述硅胶垫粘贴在所述支撑凸台上。

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