CN217507253U - 具有盖体的保护元件 - Google Patents

Abstract

本实用新型为一种具有盖体的保护元件，包含有基座及盖体，基座上设有低熔点合金层，盖体上设有容置槽及引道，引道对应于低熔点合金层的熔断区，助熔剂点设于该盖体的容置槽上，则当助熔剂熔融时，沿容置槽流入引道，而使得助熔剂能维持于低熔点合金层的熔断区上，故制造时仅须点设助熔剂于容置槽即可，可有效减少制造步骤进而降低生产成本。

Description

具有盖体的保护元件

技术领域

本实用新型是有关于一种保护元件，指用于电路中与其余电子元件连接，来对瞬间过电流提供保护效果的保护元件。

背景技术

充电电路通常会设置有一保护元件，使该充电电路于电池发生过电流或过电压等异常状况时，该保护元件能够切断该充电电路的充电回路，保护该充电电路。现有技术的保护元件包含有设置于本体上的低熔点合金层，低熔点合金层连接电极层，当电路通路时，电流通过电极层来通过低熔点合金层，当过电流或过电压时，低熔点合金层将因过热而熔断，来使得电路断路以保护电路。

在现有技术中，低熔点合金层上多半会涂覆助熔剂，助熔剂除了能够协助低熔点合金层熔化，并且能在一般时候保护低熔点合金层，使其不易氧化。然而，均匀涂覆助熔剂于低熔点合金层上，往往费时费工，故现有技术确有其须改进之处。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对保护元件的结构加以改良，以期能够省时省力的将助熔剂均匀涂覆在低熔点合金层上。

为达到上述实用新型目的，本实用新型提供一种保护元件，其包括：

一本体，该本体包含有：

一基座，其为电绝缘材质并具有一第一表面及一第二表面；

一内连接层，其形成于该基座的第一表面；

一外连接层，其形成于该基座的第二表面且与该内连接层形成电连接；

一低熔点合金层，其设置于该基座的第一表面，且与该内连接层形成电连接，该低熔点合金层上具有至少一熔断区；

一盖体，其盖设于该本体上，该盖体的内侧面设有一容置槽及至少一引道，该容置槽与所述引道相连通，各所述引道对应于该低熔点合金层的其中一熔断区；

一助熔剂，其点设于该盖体的容置槽中，当该保护元件温度开始上升时，该助熔剂进入熔融状态而由该容置槽流入所述引道中，而使得助熔剂能对应设置于该低熔点合金层的熔断区上。

上述的保护元件，其中该盖体的引道的数量为二，所述两个引道分别设于该容置槽的两侧。

上述的保护元件，其中所述引道呈平行设置，且所述引道与该容置槽成垂直设置。

上述的保护元件，其中该容置槽由两侧挡墙及一容置空间所构成，所述两侧挡墙分别设置于该容置空间的两侧，各所述引道包含有一凸肋，该凸肋垂直设置于所述侧挡墙的其中一端部，该凸肋具有一阶级部，该阶级部相邻于该容置槽的容置空间并与其相连通，该阶级部远离于该容置空间之侧为一长侧壁。

上述的保护元件，其中所述凸肋相邻于所述侧挡墙的矮壁的厚度小于该侧挡墙的厚度。

上述的保护元件，其进一步包含有一发热层，该发热层埋设于该基座内且被该基座所包覆，该发热层与该外连接层及该低熔点合金层形成电连接。

上述的保护元件，其进一步包含一发热电极单元，该发热电极单元分别与该发热层、该外连接层及该低熔点合金层形成电连接，该发热层通过该发热电极单元与该外连接层及该低熔点合金层形成电连接。

上述的保护元件，其中该发热电极单元包含有一内发热电极及一外发热电极，该内发热电极设置于该基座的第一表面上，该低熔点合金层覆盖于该内发热电极上，该内发热电极分别与该发热层及该低熔点合金层形成电连接，该外发热电极设置于该基座的第二表面上，该外发热电极分别与该发热层及该外连接层形成电连接。

上述的保护元件，其中该内连接层包含有两个内回路电极，分别设置于该第一表面上邻近于两长侧处，该外连接层包含有两个外回路电极，分别设置于该第二表面上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极形成电连接，该低熔点合金层跨接于所述两个内回路电极，该低熔点合金层的熔断区的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极。

上述的保护元件，其中该内连接层包含有两个内回路电极，分别设置于该第一表面上邻近于两长侧处，该外连接层包含有两个外回路电极，分别设置于该第二表面上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极形成电连接，该低熔点合金层跨接于所述两个内回路电极，该低熔点合金层的熔断区的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极。

本实用新型的优点在于，借由盖体上容置槽与引道的设计，来使得助熔剂在熔融状态下能维持在低熔点合金层的熔断区上，而生产时也仅需要将助熔剂点设于该容置槽上，可有效减少生产步骤，则可节省生产步骤及成本。

为了对本实用新型的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下，但不作为对本实用新型的限定。

附图说明

图1为本实用新型的立体图；

图2为本实用新型的元件分解图；

图3为图2中的基座沿A-A割面线的剖面图；

图4为图2中的基座沿B-B割面线的剖面图；

图5为本实用新型另一视角的元件分解图；

图6为本实用新型在助熔剂未熔融之前的侧视剖面图；

图7为本实用新型在助熔剂未熔融之前的端视剖面图；

图8为本实用新型在助熔剂熔融之后的侧视剖面图；

图9为本实用新型在助熔剂熔融之后的端视剖面图；

图10为本实用新型在助熔剂熔融之后的立体透视图，其中盖体为透明显示。

其中，附图标记：

10:本体 11:基座

111:第一表面 112:第二表面

12:内连接层 121:内回路电极

13:外连接层 131:外回路电极

14:发热层 15:低熔点合金层

151:熔断区 16:发热电极单元

161:内发热电极 162:外发热电极

20:盖体 21:内侧面

22:容置槽 221:侧挡墙

222:容置空间 23:引道

231:凸肋 232:阶级部

233:矮壁 234:长侧壁

30:助熔剂

具体实施方式

以下配合附图及本实用新型的实施例，进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段，其中附图仅为了说明目的而已被简化，并通过描述本实用新型的元件和组件之间的关系来说明本实用新型的结构或方法新型，因此，图中所示的元件不以实际数量、实际形状、实际尺寸以及实际比例呈现，尺寸或尺寸比例已被放大或简化，借此提供更好的说明，已选择性地设计和配置实际数量、实际形状或实际尺寸比例，而详细的元件布局可能更复杂。

请参阅图1所示，本实用新型包含有一本体10及一盖体20。

请参阅图1至图4所示，前述的本体10包含有一基座11、一内连接层12、一外连接层13、一发热层14、一低熔点合金层15。该基座11为单一电绝缘材质，并包含一第一表面111及一第二表面112。该内连接层12形成于该基座11的第一表面111。该外连接层13形成于该基座11的第二表面112，并与该内连接层12形成电连接，该外连接层13用以和外部充电回路形成电连接。该发热层14埋设于该基座11内且被该基座11所包覆，该发热层14与该外连接层13形成电连接。该低熔点合金层15形成于该基座11的第一表面111，并与该内连接层12及该发热层14形成电连接，该低熔点合金层15上具有至少一熔断区151，所述熔断区151邻近于与该内连接层12电连接处。

在一实施例中，该内连接层12包含有两个内回路电极121，分别设置于该第一表面111上邻近于两长侧处，该外连接层13包含有两个外回路电极131，分别设置于该第二表面112上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极121形成电连接，该低熔点合金层15跨接于所述两个内回路电极121，该低熔点合金层15的熔断区151的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极121，当外连接层13通过外回路电极131与外部充电回路相连接时，电流经由外回路电极131、内回路电极121及低熔点合金层15而形成通路。

请参阅图2及图5至图7所示，该盖体20盖设于该本体10上，该盖体20的内侧面21设有一容置槽22及至少一引道23，该容置槽22与所述引道23相连通，各所述引道23对应于该低熔点合金层15的其中一熔断区151，一助熔剂30点设于该容置槽22中，该助熔剂30为黏稠度高的物质，当通电后整体温度开始上升时，助熔剂30进入熔融状态(如图8至图10所示)，助熔剂30基于虹吸原理将由容置槽22流入所述引道23中，而使得助熔剂30能自然设置于低熔点合金层15的熔断区151上，以保护低熔点合金层15，并促进熔断区151有效熔断。在一实施例中，该盖体20的引道23的数量为二，所述两个引道23分别位于该容置槽22的两侧，并各引道23对应于其中一熔断区151，所述两个引道23呈平行设置，并与该容置槽22呈垂直设置，各引道23的长度大于容置槽22的长度。

在一实施例中，该容置槽22由两侧挡墙221及一容置空间222所构成，两侧挡墙221分别设置于该容置空间222的两侧，各引道23包含有一凸肋231，该凸肋231垂直设置于所述侧挡墙221的其中一端部，该凸肋231具有一阶级部232，亦即连续且厚度不同的凹槽，使该凸肋231相邻于所述侧挡墙221的矮壁233的厚度小于侧挡墙221的厚度，该阶级部232相邻于该容置槽22的容置空间222并与其相连通，该阶级部232远离于该容置空间222之侧为一长侧壁234。请参阅图8至10所示，侧挡墙221及容置空间222有助于点设助熔剂30时，可轻松对位，并维持助熔剂30的初始位置，而当助熔剂30开始熔融而由容置空间222流入阶级部232时(如图8至图10所示)，长侧壁234可有效控制助熔剂30的流动，而使得助熔剂30能维持于熔断区151上。在一实施例中，该长侧壁234的下缘可呈连续弧部，则该长侧壁234贴近该低熔点合金层15时，连续弧部的下缘可减少接触面积而避免对低熔点合金层15造成损伤。

当外部充电回路开始运作时，电流自外连接层13导入，而流经内连接层12及低熔点合金层15，由于熔断区151相邻于内连接层12及低熔点合金层15相连接处，故当过电流情形发生而电路温度上升时，熔断区151首先反应温度上升，且助熔剂30有效通过引道23的设置而维持于熔断区151上，则能有助于熔断区151加速熔断，而能迅速达到断路效果，以保护外部充电回路。

在一实施例中，请参阅图2至图4所示，该发热层14与一发热电极单元16形成电连接，该发热电极单元16分别与该外连接层13及该低熔点合金层15形成电连接，以使得外部充电回路的电流流经该发热层14，来使得发热层因而发热，使得埋设于基座11中的发热层14能加以蓄热，并通过该基座11将热传递至低熔点合金层15，以加速该低熔点合金层15过热熔断的效应。在一实施例中，该发热电极单元16包含有一内发热电极161及两外发热电极162，该内发热电极161设置于该基座11的第一表面111上，该低熔点合金层15覆盖于其上，该内发热电极161分别与该发热层14及该低熔点合金层15形成电连接，所述外发热电极162分别设置于该基座11的第一表面111及第二表面112上(或一外发热电极162设置于该第二表面112上)，所述外发热电极162分别与该发热层14及该外连接层13形成电连接，则外部充电回路的电流通过外连接层13流入该发热层14，并通过外发热电极162、发热层14、内发热电极161及低熔点合金层15来构成发热回路。

在一实施例中，所述外回路电极131与所述内回路电极121的电连接、所述内发热电极161与所述发热层14的电连接、所述外发热电极162与外连接层13及发热层14的电连接，通过基座11中所设置的多个导电贯孔来构成电连接。

以上所述仅是本实用新型的实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，虽然本实用新型已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种保护元件，其特征在于，其包括：

一本体，该本体包含有：

一基座，其为电绝缘材质并具有一第一表面及一第二表面；

一内连接层，其形成于该基座的第一表面；

一外连接层，其形成于该基座的第二表面且与该内连接层形成电连接；

一低熔点合金层，其设置于该基座的第一表面，且与该内连接层形成电连接，该低熔点合金层上具有至少一熔断区，各所述熔断区相邻于该低熔点合金层与该内连接层相连接之处；

一盖体，其盖设于该本体上，该盖体的内侧面设有一容置槽及至少一引道，该容置槽与所述引道相连通，各所述引道对应于该低熔点合金层的其中一熔断区；

一助熔剂，其点设于该盖体的容置槽中，当该保护元件温度开始上升时，该助熔剂进入熔融状态而由该容置槽流入所述引道中，而使得助熔剂能对应设置于该低熔点合金层的熔断区上。

2.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，其中该盖体的引道的数量为二，所述两个引道分别设于该容置槽的两侧。

3.如权利要求2所述的保护元件，其特征在于，其中所述引道呈平行设置，且所述引道与该容置槽成垂直设置。

4.如权利要求3所述的保护元件，其特征在于，其中该容置槽由两侧挡墙及一容置空间所构成，所述两侧挡墙分别设置于该容置空间的两侧，各所述引道包含有一凸肋，该凸肋垂直设置于所述侧挡墙的其中一端部，该凸肋具有一阶级部，该阶级部相邻于该容置槽的容置空间并与其相连通，该阶级部远离于该容置空间之侧为一长侧壁。

5.如权利要求4所述的保护元件，其特征在于，其中所述凸肋相邻于所述侧挡墙的矮壁的厚度小于该侧挡墙的厚度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的保护元件，其特征在于，其进一步包含有一发热层，该发热层埋设于该基座内且被该基座所包覆，该发热层与该外连接层及该低熔点合金层形成电连接。

7.如权利要求6所述的保护元件，其特征在于，其进一步包含一发热电极单元，该发热电极单元分别与该发热层、该外连接层及该低熔点合金层形成电连接，该发热层通过该发热电极单元与该外连接层及该低熔点合金层形成电连接。

8.如权利要求7所述的保护元件，其特征在于，其中该发热电极单元包含有一内发热电极及一外发热电极，该内发热电极设置于该基座的第一表面上，该低熔点合金层覆盖于该内发热电极上，该内发热电极分别与该发热层及该低熔点合金层形成电连接，该外发热电极设置于该基座的第二表面上，该外发热电极分别与该发热层及该外连接层形成电连接。

9.如权利要求1至5中任一项所述的保护元件，其特征在于，其中该内连接层包含有两个内回路电极，分别设置于该第一表面上邻近于两长侧处，该外连接层包含有两个外回路电极，分别设置于该第二表面上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极形成电连接，该低熔点合金层跨接于所述两个内回路电极，该低熔点合金层的熔断区的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极。

10.如权利要求8所述的保护元件，其特征在于，其中该内连接层包含有两个内回路电极，分别设置于该第一表面上邻近于两长侧处，该外连接层包含有两个外回路电极，分别设置于该第二表面上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极形成电连接，该低熔点合金层跨接于所述两个内回路电极，该低熔点合金层的熔断区的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极。

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