CN217062837U - 一种中红外半导体激光器发射装置 - Google Patents
一种中红外半导体激光器发射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217062837U CN217062837U CN202220959861.2U CN202220959861U CN217062837U CN 217062837 U CN217062837 U CN 217062837U CN 202220959861 U CN202220959861 U CN 202220959861U CN 217062837 U CN217062837 U CN 217062837U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- infrared semiconductor
- quadrangular body
- reflecting surface
- parallel quadrangular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明公开了发明了一种中红外半导体激光器发射装置。包括4.6µm量子级联激光器（1）、准直镜（2）、平行四棱体（3）和聚焦镜（4）。平行四棱体（3）包括入射面（3‑1）、第一反射面（3‑2）、第二反射面（3‑3）和出射面（3‑4）。4.6µm量子级联激光器（1）通过对应的准直镜（2）垂直入射到平行四棱体（3）的入射面（3‑1）上，在平行四棱体（3）的第一反射面（3‑2）发生全反射，全反射的光束再通过平行四棱体（3）的第二反射面（3‑3）发生全反射，接着通过平行四棱体（3）的出射面（3‑4）输出。输出的光束再通过聚焦镜（4）实现4.6µm中红外半导体激光器发射。
Description
技术领域
本发明涉及一种中红外半导体激光器发射装置，属于中红外半导体激光技术领域。
背景技术
中红外半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长等优点，在环境监测、激光雷达、医学诊断及空间通信等领域有着重要的应用前景。由于受到器件结构和材料性质限制，进一步提高输出功率十分困难。为了进一步提高中红外半导体激光的输出功率，提出了一种中红外半导体激光器发射装置。
发明内容
为了在提高中红外半导体激光的输出功率，我们发明了一种中红外半导体激光器发射装置。
本发明之一种中红外半导体激光器发射装置，包括4.6µm量子级联激光器（1）、准直镜（2）、平行四棱体（3）和聚焦镜（4）。平行四棱体（3）包括入射面（3-1）、第一反射面（3-2）、第二反射面（3-3）和出射面（3-4）。
其特征在于：
4.6µm量子级联激光器（1）每个4.6µm量子级联激光器输出波长为4.6µm，输出功率高于100mW。
准直镜（2）前后表面对波段3.6µm-5.6µm透射率高于90%。
平行四棱体（3）包括入射面（3-1）、第一反射面（3-2）、第二反射面（3-3）和出射面（3-4）。第一反射面（3-2）和入射面（3-1）成45°角，第二反射面（3-3）和出射面（3-4）成45°角，入射面（3-1）和出射面（3-4）对波段3.6µm-5.6µm透射率高于90%。
聚焦镜（4）前后表面对波段3.6µm-5.6µm透射率高于90%。
附图说明
图 1 是本发明之一种中红外半导体激光器发射装置结构示意图，该图同时作为摘要附图。图 2 为平行四棱体（3）截面光路图，能清晰表示每个量子级联半导体激光光束行走路径情况。
具体实施方式
下面结合图1和图2对本发明进一步详细说明。
本发明公开了一种中红外半导体激光器发射装置，包括4.6µm量子级联激光器（1）、准直镜（2）、平行四棱体（3）和聚焦镜（4）。平行四棱体（3）包括入射面（3-1）、第一反射面（3-2）、第二反射面（3-3）和出射面（3-4）。
图1以十个4.6µm量子级联半导体激光器为例进行具体实施说明。十个4.6µm量子级联半导体激光器（1）的每个激光器都通过对应的准直镜（2）垂直入射到平行四棱体（3）的入射面（3-1）上，在平行四棱体（3）的第一反射面（3-2）发生全反射，全反射的光束再通过平行四棱体（3）的第二反射面（3-3）发生全反射，接着通过平行四棱体（3）的出射面（3-4）输出。输出的十个光束再通过聚焦镜（4）实现4.6µm中红外半导体激光器输出。
Claims (1)
1.一种中红外半导体激光器发射装置，其特征在于，包括4.6µm量子级联激光器（1）、准直镜（2）、平行四棱体（3）和聚焦镜（4）；4.6µm量子级联激光器（1）每个4.6µm量子级联激光器输出波长为4.6µm，输出功率高于100mW；准直镜（2）前后表面对波段3.6µm-5.6µm透射率高于90%；平行四棱体（3）包括入射面（3-1）、第一反射面（3-2）、第二反射面（3-3）和出射面（3-4），第一反射面（3-2）和入射面（3-1）成45°角，第二反射面（3-3）和出射面（3-4）成45°角，入射面（3-1）和出射面（3-4）对波段3.6µm-5.6µm透射率高于90%；聚焦镜（4）前后表面对波段3.6µm-5.6µm透射率高于90%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220959861.2U CN217062837U (zh) | 2022-04-25 | 2022-04-25 | 一种中红外半导体激光器发射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220959861.2U CN217062837U (zh) | 2022-04-25 | 2022-04-25 | 一种中红外半导体激光器发射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217062837U true CN217062837U (zh) | 2022-07-26 |
Family
ID=82473041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202220959861.2U Expired - Fee Related CN217062837U (zh) | 2022-04-25 | 2022-04-25 | 一种中红外半导体激光器发射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217062837U (zh) |
-
2022
- 2022-04-25 CN CN202220959861.2U patent/CN217062837U/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5307369A (en) | Laser beam combination system | |
| KR101455800B1 (ko) | 레이저 다이오드 모듈 및 이에 이용되는 광학구조물 | |
| CN113488843A (zh) | 一种光谱组束***及超大功率激光的输出方法 | |
| CN217062837U (zh) | 一种中红外半导体激光器发射装置 | |
| CN114678773A (zh) | 一种中红外半导体激光器发射装置 | |
| CN111244745A (zh) | 高重复频率1.5um人眼安全调Q微片激光器 | |
| US4947402A (en) | Two-mirror shaping of a non-circular optical pumping beam and lasers using same | |
| CN102208740A (zh) | 一种环形结构纳秒脉冲光纤激光器 | |
| CN110120622A (zh) | 一种激光二极管直接泵浦的亚10飞秒钛宝石振荡器 | |
| CN112260048B (zh) | 一种激光波长周期性变化装置及方法 | |
| CN210326478U (zh) | 一种高功率中红外光纤耦合量子级联激光器 | |
| CN115084978A (zh) | 一种多通式激光光谱展宽光学***及方法 | |
| CN113270785A (zh) | 一种连续波1.5μm人眼安全全固态自拉曼激光器 | |
| CN109950785B (zh) | 波长可调谐的外腔激光器 | |
| EP1241501A1 (en) | An optical system | |
| CN218850074U (zh) | 基于多通腔的激光脉冲压缩装置 | |
| CN113809627B (zh) | 一种激光放大器 | |
| US11752571B1 (en) | Coherent beam coupler | |
| CN216450928U (zh) | 波长可调的高功率长波红外超快激光*** | |
| CN216958844U (zh) | 一种产生一字线组的激光装置 | |
| CN112670830B (zh) | 一种半导体激光器部分相干合束*** | |
| CN218070536U (zh) | 高功率纳秒腔内五倍频激光器 | |
| CN217427322U (zh) | 一种腔外倍频光路 | |
| CN215267057U (zh) | 一种新型固体激光放大器 | |
| CN214204263U (zh) | 一种980nm半导体激光叠阵合束装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220726 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |