CN216133749U - 一种高频变压器屏蔽层 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高频变压器屏蔽层,包括变压器基座,所述变压器基座的外表面上设置有线圈,所述线圈的外部套设有纳米晶非晶体,且线圈包裹在变压器基座和纳米晶非晶体之间,所述纳米晶非晶体上设置有接地线,所述接地线的一端延伸至纳米晶非晶体的内侧壁上。本实用新型中,通过设置的纳米晶非晶体可以起到很好的屏蔽效果,接地线与线圈通过焊锡点进行连接,连接时更加便捷,同时在拆卸时也较为便捷,实用性较强,线圈采用同材质构成,提高一定的导电性,同时形成的磁场更好,具有一定的实用性,值得广泛的推广和使用。
Description
技术领域
本实用新型涉及高频变压器技术领域,尤其涉及一种高频变压器屏蔽层。
背景技术
在电路中,高频变压器是核心元件,将输入电压变换成需求电压,当电流流过线路或变压器过程中会产生零散电感、以及寄生电容,形成浅噪声通道;并且会产生初级耦合的风险。EMC国家标准对噪声和传导辐射有要求,所以变压器需要屏蔽层才能达到EMC国家标准。目前行业屏蔽层均为铜铂,铜铂优点有导电性好、焊锡容易,但铜铂屏蔽层的磁导率低且屏蔽不了噪声和传导辐射,导致高频变压器无法通过EMC国家标准。铜价格比较贵,使制造成本难以降下来。为此我们提出使用纳米晶屏蔽层替代铜铂屏蔽层,其优点有质量轻、磁导率高、价格便宜和效果好。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种高频变压器屏蔽层。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:一种高频变压器屏蔽层,包括变压器基座,所述变压器基座的外表面上设置有线圈,所述线圈的外部套设有纳米晶非晶体,且线圈包裹在变压器基座和纳米晶非晶体之间,所述纳米晶非晶体上设置有接地线,所述接地线的一端延伸至纳米晶非晶体的内侧壁上。
进一步的,所述接地线的一端设置有焊锡点,所述焊锡点与线圈通过焊接进行连接,能够便于很好的进行连接,十分便捷,同时在拆卸的过程中也较为便捷,具有一定的实用性。
进一步的,所述线圈采用铜线进行环形缠绕,具备很好的导电性,实用性较强。
进一步的,所述线圈在变压器基座上缠绕的距离大小相同,具备一定的美观性,同时形成的磁场效果更好。
本实用新型的有益效果:通过设置的纳米晶非晶体可以起到很好的屏蔽效果,接地线与线圈通过焊锡点进行连接,连接时更加便捷,同时在拆卸时也较为便捷,实用性较强,线圈采用同材质构成,提高一定的导电性,同时形成的磁场更好,具有一定的实用性,值得广泛的推广和使用。
附图说明
图1为本实用新型一种高频变压器屏蔽层的展开结构示意图。
图2为本实用新型一种高频变压器屏蔽层的剖面结构示意图。
图3为本实用新型一种高频变压器屏蔽层的整体结构示意图。
图例说明:
1、变压器基座;2、线圈;3、纳米晶非晶体;4、接地线;41、焊锡点。
具体实施方式
如图1和图2所示:地线4通过焊锡点41与纳米晶非晶体3焊链接,使锡线4连接于纳米晶非晶体3,纳米晶非晶体3包裹住变压器基座1***设有的线圈2;变压器在工作时,会在周围产生磁场、辐射、噪音等,影响周围的电子元器件,本实用新型的纳米晶非晶体3可以屏蔽吸收磁场、辐射、噪音等,吸收后纳米晶非晶体3上会产生一个感应电动势,然后通过地线4引导走。
变压器电路需要屏蔽层才能达到EMC国家标准对噪音和传导辐射的要求,在使用铜铂屏蔽层时,变压器在工作时在周围产生磁场、辐射、噪音等无法有效被铜铂屏蔽层屏蔽吸收,达不到EMC国家标准要求;为此,本实用新型一种高频变压器屏蔽层使用纳米晶非晶体3替代铜铂屏蔽层;所述纳米晶非晶体3具有质量轻、磁导率高、价格便宜和效果好等优点,使纳米晶非晶体3可以有效屏蔽吸收磁场、辐射、噪音等,从而达到EMC国家标准对噪音和传导辐射的要求。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种高频变压器屏蔽层,包括变压器基座(1),其特征在于:所述变压器基座(1)的外表面上设置有线圈(2),所述线圈(2)的外部套设有纳米晶非晶体(3),且线圈(2)包裹在变压器基座(1)和纳米晶非晶体(3)之间,所述纳米晶非晶体(3)上设置有接地线(4),所述接地线(4)的一端延伸至纳米晶非晶体(3)的内侧壁上。
2.根据权利要求1所述的一种高频变压器屏蔽层,其特征在于:所述接地线(4)的一端设置有焊锡点(41),所述焊锡点(41)与线圈(2)通过焊接进行连接。
3.根据权利要求1所述的一种高频变压器屏蔽层,其特征在于:所述线圈(2)采用铜线进行环形缠绕。
4.根据权利要求1所述的一种高频变压器屏蔽层,其特征在于:所述线圈(2)在变压器基座(1)上缠绕的距离大小相同。
Priority Applications (1)
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CN202121894129.3U CN216133749U (zh) | 2021-08-13 | 2021-08-13 | 一种高频变压器屏蔽层 |
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Publications (1)
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CN216133749U true CN216133749U (zh) | 2022-03-25 |
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Family Applications (1)
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CN202121894129.3U Active CN216133749U (zh) | 2021-08-13 | 2021-08-13 | 一种高频变压器屏蔽层 |
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2021
- 2021-08-13 CN CN202121894129.3U patent/CN216133749U/zh active Active
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