CN203607208U - 屏蔽型功率片式电感器 - Google Patents

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李福喜
佟卫东
孟庆锋
孙瑞友
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Doublecircle Inductor Co ltd Of Bengbu
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ANHUI CHANGSHENG ELECTRONICS Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开一种屏蔽型功率片式电感器,包括横截面为“工”字形的磁芯,磁芯中段的柱面绕制线圈,磁芯的一个端面设有与线圈引出端焊接的接线端子,所述磁芯为铁氧体软磁芯,所述线圈的***通过磁胶全封闭,设有接线端子的磁芯端面上开有引线槽,所述线圈引出端穿过引线槽与接线端子焊接固定;电流通过线圈时产生的交流干扰信号,被磁芯的两个端面和封闭线圈的磁胶所屏蔽,提高抗干扰能力,线圈***通过磁胶封闭,增加了磁性材料的导磁率,可以大幅减少线圈的圈数,降低了直流阻抗、减小分布电容,提高直流叠加特性,在满足同等特性的情况下,进一步减小了产品体积,目前的尺寸可以做到直径3.5mm,高度1.5mm,非常适合客户的小型化、高密度元件安装需要。

Description

屏蔽型功率片式电感器
技术领域
本实用新型涉及电子元器件领域,特别是一种屏蔽型功率片式电感器。
背景技术
功率片式电感器在电路中起着延迟、滤波、陷波、扼流等作用,广泛应用在各种电器、电源、小家电、小电气等方面,直流阻抗小,叠加特性好。但是目前普遍使用的功率片式电感器多为磁罩屏蔽型功率片式电感器,使用磁芯加磁罩的方式,使得相同特性下的体积比较大,另外受产品的工艺限制,自动化水平比较低,使得成本较高。
实用新型内容
针对现有磁罩屏蔽型功率片式电感器存在的上述不足,本实用新型的目的在于提供一种抗干扰能力强,体积小的屏蔽型功率片式电感器。
本实用新型的目的是通过以下技术方案予以实现的,屏蔽型功率片式电感器,包括横截面为“工”字形的磁芯,磁芯中段的柱面绕制线圈,磁芯的一个端面设有与线圈引出端焊接的接线端子,其特征在于,所述磁芯为铁氧体软磁芯,所述线圈的***通过磁胶全封闭。
进一步的,所述磁胶为铁系金属合金软磁环氧树脂体系磁胶。
更进一步的,设有接线端子的磁芯端面上开有引线槽,所述线圈引出端穿过引线槽与接线端子焊接固定。
有益效果:电流通过线圈时产生的交流干扰信号,被磁芯的两个端面和封闭线圈的磁胶所屏蔽,提高抗干扰能力,线圈***通过磁胶封闭,增加了磁性材料的导磁率,可以大幅减少线圈的圈数,降低了直流阻抗、减小分布电容,提高直流叠加特性,在满足同等特性的情况下,进一步减小了产品体积,目前的尺寸可以做到直径3.5 mm,高度1.5 mm,非常适合客户的小型化、高密度元件安装需要。设置引线槽进一步保证了线圈与接线端子焊接的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图;
图2为图1的左视图;
图3为图1的俯视图。
具体实施方式
如图1、图2、图3所示,本实用新型所提供的屏蔽型功率片式电感器,包括一个横截面为“工”字形的磁芯1,磁芯为铁氧体软磁芯,磁芯包括两个端面和中段的柱面,磁芯中段的柱面绕制线圈2,线圈的***通过磁胶3全封闭,磁胶为铁系金属合金软磁环氧树脂体系磁胶;磁芯1的一个端面设有与线圈引出端焊接的接线端子4,该端面上还开有引线槽5,线圈引出端穿过引线槽与接线端子采用锡焊固定,磁芯1的另一个端面为印字面。
制作过程:接线端子通过印刷和高温烧结将镍合金材料烧结附着在磁芯的端面上,线圈采用漆包铜线按照规定的圈数绕制在已被镍的磁芯中段柱面上,线圈的两个端子通过焊锡设备焊接在磁芯已被镍的接线端子上,保证两个接线端子与线圈的引出端紧密焊接在一起,产品导通,具有一定的电感特性,使用超声波设备把焊锡时残留在端子上的污物、杂质等清洗掉并电热烘箱后烘干,通过自动或手动设备在线圈***涂覆磁胶,使磁胶完整覆盖封闭线圈,以保证产品的抗干扰能力,但磁胶不能流到磁芯的端面,以免影响外观质量和产品可焊性,在磁芯的印字面进行感值标识。
上述实施例作为本实用新型的较佳实施方式,详细说明了本实用新型的技术构思和实施要点,并非是对本实用新型的保护范围进行限制,凡根据本实用新型精神实质所作的任何简单修改及等效结构变换或修饰,均应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.屏蔽型功率片式电感器,包括横截面为“工”字形的磁芯,磁芯中段的柱面绕制线圈,磁芯的一个端面设有与线圈引出端焊接的接线端子,其特征在于,所述磁芯为铁氧体软磁芯,所述线圈的***通过磁胶全封闭。
2.根据权利要求1所述的屏蔽型功率片式电感器,其特征在于,所述磁胶为铁系金属合金软磁环氧树脂体系磁胶。
3.根据权利要求1所述的屏蔽型功率片式电感器,其特征在于,设有接线端子的磁芯端面上开有引线槽,所述线圈引出端穿过引线槽与接线端子焊接固定。
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Patentee after: DOUBLECIRCLE INDUCTOR CO.,LTD. OF BENGBU

Address before: 233000 No. 88 long march road, Bengbu hi tech Industrial Development Zone, Anhui, China

Patentee before: ANHUI CHANGSHENG ELECTRONICS Co.,Ltd.

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