CN215578596U

CN215578596U - 发光二极管和显示装置

Info

Publication number: CN215578596U
Application number: CN202121849749.5U
Authority: CN
Inventors: 杨人龙; 张平; 林雅雯; 张中英
Original assignee: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2021-08-09
Filing date: 2021-08-09
Publication date: 2022-01-18
Anticipated expiration: 2031-08-09

Abstract

本实用新型涉及一种发光二极管，包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；外延结构包括相对的第一表面及第二表面，第一表面具有至少一顶针作业区域；第一电极，至少包括第一焊盘电极，第一焊盘电极与第一半导体层电连接；第二电极，包括第二焊盘电极及第二接触电极，第二接触电极与第二半导体层电连接，第二焊盘电极与第二接触电极电连接；第二接触电极自第二焊盘电极绕开顶针作业区域，并向第一焊盘电极的方向延伸；绝缘层，覆盖外延结构及第二接触电极，绝缘层的上表面形成有与第二接触电极相对应的第一凸起结构；第一覆盖保护层，覆盖部分第一凸起结构。上述发光二极管可以降低外力对脆性薄膜的冲击风险。

Description

发光二极管和显示装置

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管和显示装置。

背景技术

目前的倒装(flip chip)芯片制作工艺主要通过ICP(inductively coupledplasma，电感耦合等离子体)刻蚀工艺在外延层上制作P/N台面，而后再制作传导电极，然后在此基础上制作反射层以及绝缘层，最后在绝缘层上进行焊线垫(bonding pad)制作；此类芯片具有较高的出光效率。但在芯片封装工艺上，由于芯片打线(bonding)工艺需求，存在顶针直接与反射层和绝缘层接触受力现象，由于绝缘层一般属于脆性材质，在受力较大以及顶针材质较硬的情况下，当受力点在芯片台面处时，容易导致绝缘层开裂现象，从而影响产品在使用中的性能。

实用新型内容

基于此，有必要针对LED芯片表面的凸起区域容易被顶针顶破进而导致芯片异常的问题，提供一种发光二极管、发光模块和显示装置。

一种发光二极管，包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述外延结构包括相对的第一表面及第二表面；第一电极，位于所述外延结构的第一表面侧，所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第一焊盘电极与所述第一半导体层电连接；第二电极，位于所述外延结构的第一表面侧，所述第二电极包括第二焊盘电极及第二接触电极，所述第二接触电极与所述第二半导体层电连接，所述第二焊盘电极与所述第二接触电极电连接；绝缘层，覆盖所述外延结构及所述第二接触电极，所述绝缘层的上表面形成有与所述第二接触电极相对应的第一凸起结构；第一覆盖保护层，覆盖部分所述第一凸起结构。

上述发光二极管的第二接触电极的延伸绕开顶针作业区，可以避开大部分顶针接触凸起结构的风险；同时通过在绝缘层对应第二接触电极的第一凸起结构部分设置第一覆盖保护层，即使偶尔出现顶针超出顶针作业区域，顶到第一凸起结构附近凸起区域，得益于第一覆盖保护层的保护作用，也可以有效防止顶针顶破第一凸起结构所在的凸起区域。

在其中一个实施例中，部分所述第二接触电极位于所述第二焊盘电极与所述外延结构的第一表面之间，部分所述第二接触电极延伸超出所述第一焊盘电极。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖保护层包括金属层。

在其中一个实施例中，所述的第二接触电极为条状，从所述外延结构的第一表面侧俯视，所述的第二接触电极的条状部分偏离外延结构的中心。

在其中一个实施例中，从所述外延结构的第一表面侧俯视，所述第二接触电极的条状部分与外延结构的中心的最小间距大于等于25μm。

在其中一个实施例中，所述第二接触电极与所述外延结构的中心的距离大于所述第二接触电极与所述外延结构的边缘的距离。

在其中一个实施例中，还包括电流阻挡块，所述电流阻挡块位于所述第二接触电极与所述外延结构的第一表面之间。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖保护层的宽度大于等于所述电流阻挡块的宽度。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖保护层与所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极具有间距。

在其中一个实施例中，所述绝缘层中至少设置两个通孔，所述第一焊盘电极及所述第二焊盘电极均位于所述绝缘层上，且所述第一焊盘电极经由一通孔与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极经由另一所述通孔与所述第二接触电极相连接。

在其中一个实施例中，所述外延结构包括电极台面，所述电极台面包括贯穿所述第二半导体层及所述发光层的斜面及露出部分所述第一半导体层的平面区；所述第一电极还包括第一接触电极，所述第一接触电极位于所述平面区，与所述第一半导体层形成欧姆接触，并与所述第一焊盘电极电连接；所述第一接触电极自所述第一焊盘电极沿所述平面区向所述第二焊盘电极延伸，所述绝缘层的上表面形成有与所述第一接触电极相对应的第二凸起结构。

在其中一个实施例中，所述电极台面位于所述外延结构的边缘，所述发光二极管还包括第二覆盖保护层，所述第二覆盖保护层覆盖部分所述第二凸起结构。

在其中一个实施例中，所述第二覆盖保护层和所述第一覆盖保护层均与第一焊盘电极和/或第二焊盘电极具有间距。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖保护层包括位于最上表面的绝缘层。

一种显示装置，包括如上述任一实施例中所述的发光二极管。

上述发光二极管，通过对发光二极管表面的指状电极凸起区域进行覆盖保护层覆盖，可以有效避免顶针顶破绝缘层而导致发光二极管漏电失效的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。

图1为本申请一实施例中一种发光二极管的剖面结构示意图。

图2a为本申请一实施例中一种发光二极管未设置覆盖保护层时的俯视图。

图2b为在图2a所示发光二极管上设置覆盖保护层后得到的发光二极管的俯视图。

图3为本申请另一实施例中一种发光二极管的剖面结构示意图。

图4为本申请另一实施例中一种发光二极管未设置覆盖保护层时的俯视图。

图5至图6为在图4中的发光二极管的基础上设置两种不同的覆盖保护层后得到的发光二极管的俯视图。

图7为本申请又一实施例中一种发光二极管的剖面结构示意图。

图8为本申请又一实施例中一种发光二极管的俯视图。

附图标号说明：10、衬底；11、第一半导体层；12、发光层；13、第二半导体层；14、第一电极；141、第一焊盘电极；142、第一接触电极；15、第二电极；151、第二焊盘电极；152、第二接触电极；16、绝缘层；17、电流扩展层；181、第一凸起结构；182、第二凸起结构；183、第三凸起结构；191、第一覆盖保护层；192、第二覆盖保护层；20、顶针作业区域。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本申请的范围。

本申请的一个实施例提供了一种发光二极管，图1为该发光二极管的剖面结构示意图。该发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层11、发光层12和第二半导体层13；所述外延结构包括相对的第一表面及第二表面；第一电极14，位于外延结构的第一表面侧，第一电极14至少包括第一焊盘电极141，所述第一焊盘电极141与所述第一半导体层11电连接；第二电极15，位于所延结构的第一表面侧，第二电极15包括第二焊盘电极151及第二接触电极152，所述第二接触电极152与所述第二半导体层13电连接，所述第二焊盘电极151与所述第二接触电极152电连接；绝缘层16，覆盖所述外延结构及所述第二接触电极152，绝缘层16的上表面形成有与所述第二接触电极152相对应得到第一凸起结构181；第一覆盖保护层191，覆盖部分所述第一凸起结构181。

具体地，本实施例中的发光二极管可以为倒装发光二极管。该倒装发光二极管具有衬底10，衬底10可以包括但不仅限于蓝宝石衬底，外延结构位于蓝宝石衬底上。其中，蓝宝石衬底具有相对的两表面，其中下表面作为出光面，上表面堆叠有外延结构。外延结构的第二表面与蓝宝石衬底的上表面相接触。外延结构的第一表面具有至少一顶针作业区域20，如图2a所示。顶针作业区域20是指顶针在芯片上作业时范围误差所覆盖的范围，例如，顶针作业区域20可以是一半径不大于35μm圆形区域，优选为顶针作业区域20可以是半径不大于25μm圆形区域。此处所述顶针不应以固晶工艺为限，如所述顶针还可是后续其他生产工序或测试工序中的顶针。

请参考图1，外延结构具有由下至上依次叠置的第一半导体层11、发光层12和第二半导体层13。第一半导体层11可以是但不仅限于氮化镓基外延层或者砷化镓基外延层，通过发光层12的材料选择，可以提供380～700nm之间的发光辐射,例如蓝光、绿光或者红光的单一峰值波长的光。具体地，发光层12可以是多量子阱层，第一半导体层11可以是N型GaN层，第二半导体层13可以为P型GaN层。其中，N型为硅基掺杂类型，P型为镁基掺杂类型。

请继续参考图1，本实施中的发光二极管还包括第一电极和第二电极15。其中，第一电极包括第一焊盘电极141，第一焊盘电极141与第一半导体层11电连接。第二电极15包括第二焊盘电极151和第二接触电极152，第二接触电极152与所述第二半导体层13电连接，所述第二焊盘电极151与所述第二接触电极152电连接。作为示例，第二接触电极152至少为两个；其中至少一个第二接触电极152包括两部分：点状部分和条状部分(未标示出)，条状部分自点状部分向水平方向延伸一定的长度。如图1所示，部分第二接触电极152位于第二焊盘电极151与外延结构的第一表面之间，部分第二接触电极152延伸超出第一焊盘电极151。另一个第二接触电极152则仅包括点状部分，不包括条状部分。优选地，具有条状部分的第二接触电极152为一个，其余的第二接触电极152不具备条状部分。其余的第二接触电极152的数量为一个或者多个，包括且不限于2、3、4、5、6、7、8个。第一凸起结构181与第二接触电极152的条状部分对应设置，即由于第二接触电极152的条状部分的存在，形成绝缘层16后会在绝缘层16的上表面形成与第二接触电极152的条状部分相对应的第一凸起结构181。

请参考图2a，第一凸起结构181与第二接触电极152相对应，根据第一凸起结构181的形状，可以看出第二接触电极152的条状部分自所述第二焊盘电极151绕开顶针作业区域20，并向所述第一焊盘电极141的方向延伸。通过避开顶针作业区域20，可以有效防止在芯片封装过程中，顶针顶到绝缘层16表面的凸起结构部分，降低膜层破损的风险。

作为示例，第二接触电极152为条状，从外延结构的第一表面侧俯视，第二接触电极152的条状部分偏离外延结构的中心，即第二接触电极152的条状部分在外延结构的第一表面的正投影偏离外延结构的中心；第二接触电极152的条状部分与外延结构的中心的最小间距大于等于25μm；具体地，第二接触电极152的条状部分与中心的最小间距可以为30μm、40μm或50μm等等。

作为示例，第二接触电极152与外延结构的中心的距离大于第二接触电极152与外延结构的边缘的距离，即第二接触电极152相较于外延结构的中心更靠近外延结构的边缘。

作为示例，第一电极和第二电极15可以为金属电极，即第一电极和第二电极15的材料可以为金属，例如，镍、金、铬、钛、铂、钯、铑、铱、铝、锡、铟、钽、铜、钴、铁、钌、锆、钨和钼中的一种或几种之组合。

在一个示例中，所述第一电极可以为N电极，所述第二电极15可以为P电极；所述第一焊盘电极141可以为N焊盘电极，所述第二焊盘电极151可以为P焊盘电极。

作为示例，第二接触电极152延伸至所述第一焊盘电极141的下方。

具体地，绝缘层16至少包括SiO₂层、Si₃N₄层、Al₂O₃层、AlN层、DBR层的一种或其组合，且并不限于此处所列举的示例。作为示例，可以优先选用分布布拉格反射层DBR层。

作为示例，第一覆盖保护层191可以包括但不仅限于金属层，例如，第一覆盖保护层191还可以是韧性材料层。由于绝缘层16属于脆性材质，并且，与绝缘层16的平面部分相比，第一凸起结构181所带来的台面结构更加脆弱，在受力较大以及顶针材质较硬的情况下，如果受力点落在第一凸起结构181附近，极易导致膜层开裂，影响产品使用性能。因此，通过在第一凸起结构181上覆盖金属材质或韧性材料材质的第一覆盖保护层191，可以有效避免第一凸起结构181处的绝缘层16被顶针顶破。具体地，第一覆盖保护层191覆盖部分第一凸起结构181后得到的发光二极管的俯视图如图2b所示。

具体的，第一覆盖保护层191可以包括位于最上表面的绝缘层，即第一覆盖保护层191可以包括位于发光二极管最顶层的绝缘层，位于发光二极管最顶层的绝缘层可以为单独设置的覆盖于部分第一凸起结构181的绝缘保护层，也可以为发光二极管最顶层的覆盖绝缘保护层。

在一个实施例中，如图3所示，发光二极管还包括电流扩展层17，所述电流扩展层17位于所述第二半导体层13与所述第二电极15之间，且与所述第二半导体层13及所述第二接触电极152相接触。其中，电流扩展层17与第二半导体层13形成欧姆接触，以增强电流水平方向上的横线传输。

具体地，电流扩展层17的材料可以是金属氧化物，并且电流扩展层17可以是相对透明的材料，可允许至少部分发光层12的辐射透过，例如ITO、GTO、GZO、ZnO一种或几种的组合，本申请不限于此处所列举的示例。电流扩展层17的厚度较佳的是30nm至200nm，例如30nm、50nm、70nm、100nm、150nm或200nm。

在一个实施例中，发光二极管还包括电流阻挡块(图中未示出)，位于第二接触电极152与外延结构的第一表面之间。电流阻挡块沿第二接触电极152的条状部分间隔分布。绝缘层16的上表面形成有与电流阻挡块相对应的第三凸起结构183，如图4所示。

在一个实施例中，第一覆盖保护层191的宽度大于等于电流阻挡块的宽度。如图5所示，其中，第一覆盖保护层191覆盖临近顶针作业区域20附近的至少部分第一凸起结构181及部分第三凸起结构183。

通过对第一凸起结构181以及沿第一凸起结构181分布的其他凸起结构进行覆盖保护，可以有效防止顶针顶破绝缘层16表面的凸起结构区域，减少芯片在封装过程中被损坏的风险。并且，在本实施例中，第一覆盖保护层191与第二焊盘电极151相连接，设计难度和制备难度较低。与其他实施例相比，本实施例中的第一覆盖保护层191的覆盖面积更大，预留给封装的顶针可波动窗口也就更大。

在一个实施例中，如图6所示，第一覆盖保护层191与第一焊盘电极141和/或第二焊盘电极151具有间距，即可以为第一覆盖保护层191与第一焊盘电极141具有间距，也可以为第一覆盖保护层191与第二焊盘电极151具有间距，还可以为第一覆盖保护层191与第一焊盘电极14及第二焊盘电极151均具有间距。因为第一覆盖保护层191不直接与焊盘电极相连，因此可以单独开光罩作业。可选地，也可以采用和焊盘电极一起作业的模式。此外，由于第一覆盖保护层191与第一焊盘电极141和第二焊盘电极相151之间设置有间隔，可以避免在焊接过程中锡膏与金属材质的第一覆盖保护层191发生黏连。

在一个实施例中，如图1所示，绝缘层16中至少设置两个通孔(未标示出)，所述第一焊盘电极141及所述第二焊盘电极151均位于所述绝缘层16上，且所述第一焊盘电极141经由一通孔与所述第一半导体层11电连接，所述第二焊盘电极151经由另一所述通孔与所述第二接触电极152相连接。具体地，第一焊盘电极141与第一半导体层11之间的通孔内填充有导电材料。第二焊盘电极151与第二接触电极152之间的通孔内也填充有导电材料。导电材料可以与焊盘电极的材料相同，例如可以是镍、金、铬、钛、铂、钯、铑、铱、铝、锡、铟、钽、铜、钴、铁、钌、锆、钨和钼中的一种或者几种之组合。当然，在其他示例中，导电材料也可以与焊盘电极的材料不同。

在一个实施例中，如图7所示，外延结构包括电极台面(未标示出)，所述电极台面包括贯穿所述第二半导体层13及所述发光层12的斜面(未标示出)及露出部分所述第一半导体层11的平面区(未标示出)；所述第一电极14还包括第一接触电极142，所述第一接触电极142位于所述平面区，与所述第一半导体层11形成欧姆接触，并与所述第一焊盘电极141电连接。

在一个实施例中，如图8所示，电极台面位于外延结构的边缘，第一接触电极142自所述第一焊盘电极141沿所述平面区向所述第二焊盘电极151延伸，所述绝缘层16的上表面形成有与所述第一接触电极142相对应的第二凸起结构182。其中，发光二极管还包括第二覆盖保护层192，所述第二覆盖保护层覆盖部分所述第二凸起结构182。

在一个实施例中，请继续参考图8，第二覆盖保护层192和所述第一覆盖保护层191均与第一焊盘电极141和/或第二焊盘电极151具有间距，即可以为第一覆盖保护层191及第二覆盖保护层192均与第一焊盘电极141具有间距，也可以为第一覆盖保护层191及第二覆盖保护层192均与第二焊盘电极151具有间距，还可以为第一覆盖保护层191及第二覆盖保护层192均与第一焊盘电极14及第二焊盘电极151均具有间距。例如，第二覆盖保护层192至少覆盖于第二凸起结构182接近顶针作业区域20的部分。通过在第二凸起结构182的上表面设置第二覆盖保护层192，可以有效防止顶针在顶偏的情况下顶破第二凸起结构182附近的膜层，避免芯片因为膜层破损而失效。

具体的，第二覆盖保护层192可以包括位于最上表面的绝缘层，即第二覆盖保护层1923可以包括位于发光二极管最顶层的绝缘层，位于发光二极管最顶层的绝缘层可以为单独设置的覆盖于部分第二凸起结构182的绝缘保护层，也可以为发光二极管最顶层的覆盖绝缘保护层。

在一个实施例中，本申请还提供一种显示装置，显示装置可以包括上述任一实施例中所述的发光二极管。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述外延结构包括相对的第一表面及第二表面；

第一电极，位于所述外延结构的第一表面侧，所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第一焊盘电极与所述第一半导体层电连接；

第二电极，位于所述外延结构的第一表面侧，所述第二电极包括第二焊盘电极及第二接触电极，所述第二接触电极与所述第二半导体层电连接，所述第二焊盘电极与所述第二接触电极电连接；

绝缘层，覆盖所述外延结构及所述第二接触电极，所述绝缘层的上表面形成有与所述第二接触电极相对应的第一凸起结构；

第一覆盖保护层，覆盖部分所述第一凸起结构。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，部分所述第二接触电极位于所述第二焊盘电极与所述外延结构的第一表面之间，部分所述第二接触电极延伸超出所述第一焊盘电极。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一覆盖保护层包括金属层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的第二接触电极为条状，从所述外延结构的第一表面侧俯视，所述的第二接触电极的条状部分偏离外延结构的中心。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，从所述外延结构的第一表面侧俯视，所述第二接触电极的条状部分与外延结构的中心的最小间距大于等于25μm。

6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极与所述外延结构的中心的距离大于所述第二接触电极与所述外延结构的边缘的距离。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括电流阻挡块，位于所述的第二接触电极与所述外延结构的第一表面之间。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述的第一覆盖保护层的宽度大于等于所述电流阻挡块的宽度。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的第一覆盖保护层与所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极具有间距。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层中至少设置两个通孔，所述第一焊盘电极及所述第二焊盘电极均位于所述绝缘层上，且所述第一焊盘电极经由一通孔与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极经由另一所述通孔与所述第二接触电极相连接。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构包括电极台面，所述电极台面包括贯穿所述第二半导体层及所述发光层的斜面及露出部分所述第一半导体层的平面区；所述第一电极还包括第一接触电极，所述第一接触电极位于所述平面区，与所述第一半导体层形成欧姆接触，并与所述第一焊盘电极电连接；所述第一接触电极自所述第一焊盘电极沿所述平面区向所述第二焊盘电极延伸，所述绝缘层的上表面形成有与所述第一接触电极相对应的第二凸起结构。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述的电极台面位于所述外延结构的边缘，所述发光二极管还包括第二覆盖保护层，所述第二覆盖保护层覆盖部分所述第二凸起结构。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第二覆盖保护层和所述第一覆盖保护层均与所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极具有间距。

14.根据权利要求1或3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一覆盖保护层包括位于最上表面的绝缘层。

15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至14任一项所述的发光二极管。