CN214672572U - 一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及封装领域,尤其涉及一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备。一种弧面电容指纹封装结构,包括封装材料层、电容指纹传感器、陶瓷片、第一晶片粘结薄膜DAF胶层;电容指纹传感器与陶瓷片之间设置第一DAF胶层以将陶瓷片固定在电容指纹传感器的上方;第一DAF胶层设置于电容指纹传感器的上表面;陶瓷片设置于第一DAF胶层的上表面;封装材料层的上表面为弧面;封装材料层包覆电容指纹传感器、第一DAF胶层和陶瓷片。通过在电容指纹传感器的上方设置陶瓷片,改善了由于弧面设置导致的指纹图像质量较差的问题。
Description
技术领域
本申请涉及生物识别领域,尤其涉及一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备。
背景技术
目前,随着生物识别传感器的发展,尤其指纹识别传感器的迅猛发展,指纹识别传感器广泛应用于移动终端设备、智能家居、汽车电子等领域,市场对生物识别传感器的需求与日俱增,市场需求体量越来越大,用户对产品的要求不仅仅是高品质高性能的追求,已经扩展到外观需求的多样化,并且不同的用户群体审美的眼光也是多样化的。目前主流市场的电容式指纹都是平面结构,不足以适配移动终端设备的曲面部位。侧面指纹(例如设置在开机键附近位置的电容指纹)表面能做成弧面,但是采集的指纹图像质量较差,以至于即使是目标用户,指纹识别成功率也较低,用户体验感差。
实用新型内容
针对现有技术中弧面指纹的指纹图像质量较差的问题,本申请实施例提供了一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备。
本申请的实施例的第一方面提供了一种弧面电容指纹封装结构,包括封装材料层、电容指纹传感器、陶瓷片、第一晶片粘结薄膜DAF胶层;
电容指纹传感器与陶瓷片之间设置第一DAF胶层以将陶瓷片固定在电容指纹传感器的上方;
第一DAF胶层设置于电容指纹传感器的上表面;
陶瓷片设置于第一DAF胶层的上表面;
封装材料层的上表面为弧面;
封装材料层包覆电容指纹传感器、第一DAF胶层和陶瓷片。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,陶瓷片的粗糙度为0.2um至0.8um。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,陶瓷片的上表面的粗糙度为0.2um至0.8um。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,陶瓷片的介电常数为25至35。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,第一DAF胶层的介电常数为25至35。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,第一DAF胶层的介电常数小于或者等于陶瓷片的介电常数;
第一DAF胶层的介电常数大于或者等于陶瓷片的介电常数的百分之九十。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,陶瓷片的厚度为50um至200um。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,陶瓷片的厚度为100um。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,陶瓷片的上表面的面积等于电容指纹传感器的感应区的面积;陶瓷片的长小于电容指纹传感器的长,陶瓷片的宽小于电容指纹传感器的宽。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,电容指纹传感器的上表面的中心到封装材料层的上表面的中心的距离为150um至480um。
根据第一方面,在一种可能的实现方式中,还包括第二DAF胶层和基板,电容指纹传感器与基板之间设置第二DAF胶层以使得电容指纹传感器固定在基板的上方;第二DAF胶层设置于基板的上表面;
电容指纹传感器设置于第二DAF胶层的上表面;
还包括焊锡层和FPC,基板与FPC之间设置焊锡层以使得基板与FPC电连接;
还包括补强板,补强板设置于FPC的下表面。
本申请的实施例的第二方面提供了一种弧面电容指纹模组,包括如第一方面中任一项的弧面电容指纹封装结构,还包括弧形涂覆层,弧形涂覆层设置于封装材料层的上表面,弧形涂覆层的上表面为弧面。
根据第二方面,在一种可能的实现方式中,电容指纹传感器的上表面的中心到弧形涂覆层的上表面的中心的距离为170um至500um。
根据第二方面,在一种可能的实现方式中,电容指纹传感器的上表面的中心到弧形涂覆层的上表面的中心的距离为200um至500um。
根据第二方面,在一种可能的实现方式中,弧形涂覆层的上表面的半径为0.8mm至8mm。
本申请的实施例的第三方面提供了一种电子设备,包括:电路主板和如第二方面中任一项的弧面电容指纹模组,弧面电容指纹模组与电路主板通过连接器连接。
与现有技术相比,本申请实施例的有益效果在于:本申请实施例提供了一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备,通过在电容指纹传感器的上方设置陶瓷片,改善了由于弧面设置导致的指纹图像质量较差的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一电容指纹模组的剖面图;
图2为本申请实施例提供的封装方法的流程图;
图3为本申请实施例提供的一封装片的示意图;
图4为本申请实施例提供的又一封装片的示意图;
图5为本申请实施例提供的另一剖面角度的封装片的示意图;
图6为本申请实施例提供的再一封装片的示意图;
图7为本申请实施例提供的又一封装方法的流程图;
图8为本申请实施例提供的一制作弧面电容指纹模组的方法的流程图;
图9为本申请实施例提供的再一封装片的示意图;
图10为本申请实施例提供的又一制作弧面电容指纹模组的方法的流程图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请的部分实施例采用举例的方式进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在各例子中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改,也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
长期以来,电容式指纹模组一直采用传统的结构,基本为一个方形或者圆形的平面接触式结构,用户使用时手感不舒适、外形不美观,而且在多风沙、多粉尘等恶劣环境下,灰尘会很容易吸附在平面接触式结构上,导致电容式指纹模组在使用时指纹识别出现误判等问题。行之有效的解决方案是采用一种弧面电容指纹方案,这种新的结构设计方案改进了指纹识别模块,其安装在整机上之后,整机从外观上更具美感,并且用户手感舒适,从视觉上具有立体感,另一方面采用弧面立体设计可以避免手机在摔落时对整个电容指纹识别模块造成损伤。
图1为本申请实施例提供的弧面电容指纹模组的剖面图,该弧面指纹模组100包括电容指纹传感器101和陶瓷片111,陶瓷片111和电容指纹传感器101之间设置有第一晶片粘结薄膜(Die Attach Film,DAF)胶层112,第一DAF胶层112用于将陶瓷片111固定在电容指纹传感器101的上方,为了便于表述,电容指纹传感器用Die表示,该模组还包括基板102,Die101与基板102电连接,基板102位于Die101的下方,Die101与基板102之间设置有第二DAF胶层104,第二DAF胶层104用于将Die101固定在基板102的上方。Die101可以通过第二DAF胶层104直接粘贴在基板102的上表面,然后通过引线键合(Wire Bonding,WB)的方式实现Die101和基板102的电气连接。模组100还包括柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC)103,该模组还包括焊锡层107,焊锡层设置于基板102与FPC103之间,本实施例中,通过焊锡然后底部填充(under fill)胶体使得基板102与FPC103连接,焊锡层107包括焊锡和胶体,焊锡用于基板102与FPC103电连接,胶体用于强化基板102与FPC103之间的物理连接。该模板还包括补强钢板(或者称之为补强板、钢补、补强钢片)108,补强钢板设置于FPC103的下表面,补强钢板108用于固定FPC103。该模组100还可以包括封装材料层105,封装材料层105包覆Die101,又由于Die101的上表面为第一DAF胶层112,第一DAF胶层112的上表面为陶瓷片111,因此,封装材料层105包覆Die101、第一DAF胶层112以及陶瓷片111组成的封装片。为了便于表述,封装材料层以环氧树脂模塑料或环氧塑封料(Epoxy Molding Compound,EMC)层为例进行说明,EMC层105的上表面设置有弧形涂覆层106,弧形涂覆层例如为油墨层。本实施例中,封装材料层可以通过CNC曲面加工再经过抛光处理得到,或者通过模压(Molding)工艺采用弧面Molding模具以得到上表面为弧面的封装材料层。
本实施例中,通过在电容指纹传感器的上方设置陶瓷片,由于陶瓷属于高介电材料,陶瓷片的介电常数高于EMC层,因此,在同样的手指以及手指表面的物理环境下,当在Die的上方设置陶瓷片时,测试得到的电容的信号量更大,可以理解为提高了电容信号的穿透能力,这对于弧面指纹来说意义重大。对于平面指纹模组来说,用户的手指与Die的上表面的距离较小,因此,可以获取到较好的质量的指纹图像。而对于弧面指纹来说,在用户将手指按压在弧面指纹模组上时,电容指纹传感器的上表面到手指之间的距离较大,因此,不易于获取到高质量的指纹图像,当在电容指纹传感器的上方设置陶瓷片后,可以改善指纹图像质量较差的问题,另外,对于弧面电容指纹封装或者模组结构,电容指纹传感器的上方有足够的空间可以容纳陶瓷片,因此,在封装或者模组中的电容指纹传感器的上方设置陶瓷片一般不增加弧面指纹封装或者模组的厚度,用户体验较好。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,由于陶瓷片是设置在电容指纹传感器的上方,封装材料层105包覆电容指纹传感器101的同时,封装材料层也包覆了陶瓷片111和第一DAF胶层112,若陶瓷片111的上表面较光滑,则在EMC层105与陶瓷片111接触的位置容易发生分层现象,即陶瓷片与EMC层105之间会产生空气间隙,由于空气的介电常数较低,因此,会使得指纹图像质量降低,为了解决这一问题,可以设置陶瓷片的粗糙度为0.2um至0.8um,具体的,可以设置陶瓷片的上表面的粗糙度为0.2um至0.8um,另外,这样设置还可以增强封装材料层与陶瓷片的结合力,有助于提高封装结构或者模组的可靠性。国家标准规定的表面粗糙度的评定参数主要有基本参数和附加参数,其中,基板参数也叫幅度参数,本实施例中的粗糙度可以理解为幅度参数Ra(轮廓的算术平均偏差)。本实施例中,也可以设置陶瓷片的整体粗糙度为0.2um至0.8um,即陶瓷片的下表面或者侧面的粗糙度也可以为0.2um至0.8um,这样,也有助于提高第一DAF胶层与陶瓷片的结合力,避免在第一DAF胶层与陶瓷片之间产生空气间隙以使得指纹图像的质量下降,另外也可以提高可靠性。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,为了进一步改善指纹图像的质量,设置陶瓷片的介电常数为25至35之间,当陶瓷片的介电常数设置为25-35之间时,在同样的手指以及手指表面的物理环境下,检测到的电容的信号量更大,因此,可以进一步改善获取到的指纹图像的质量。本实施例中,对第一DAF胶层的介电常数不作限制,例如,可以设置第一DAF胶层的介电常数为3.5。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,为了进一步改善指纹图像的质量,设置第一DAF胶层的介电常数为25至35之间,当第一DAF胶层的介电常数设置为25-35之间时,在同样的手指以及手指表面的物理环境下,检测到的电容的信号量更大,因此,可以进一步改善获取到的指纹图像的质量。进一步的,若陶瓷片的介电常数为25至35之间,第一DAF胶层的介电常数也为25-35之间,在陶瓷片和第一DAF胶层的介电常数近似时,可以进一步提高获取到的指纹图像的质量。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,第一DAF胶层的介电常数小于或者等于陶瓷片的介电常数,第一DAF胶层的介电常数大于或者等于陶瓷片的介电常数的百分之九十。本实施例中,陶瓷片和第一DAF胶层的介电常数近似,具体的,第一DAF胶层的介电常数小于等于陶瓷片的介电常数并且大于或者等于陶瓷片的介电常数的百分之九十,这样设置第一DAF胶层的介电常数与陶瓷片的介电常数的关系,工艺上便于实现,节省成本。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,陶瓷片的厚度为50um至200um,如果陶瓷片太薄,则陶瓷片容易在贴附到指纹识别传感器的过程中产生碎裂,不利于工艺实现,若陶瓷片太厚,则可能导致手指到指纹识别传感器的距离太远以至于获取到的指纹图像质量较差而影响指纹识别,当陶瓷片的厚度设置为50um至200um时,可以保证指纹图像的质量,也可以保证封装或者模组的良率。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,陶瓷片的厚度可以设置为100um,当陶瓷片的厚度设置为100um时,可以获取到质量较好的指纹图像,便于识别,并且陶瓷片也容易贴附到指纹识别传感器,可以很好的平衡指纹图像质量和可靠性。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,陶瓷片的上表面的面积等于电容指纹传感器的感应区的面积,一般的,由于陶瓷片的上表面的面积等于下表面的面积,因此,也可以理解为陶瓷片的下表面的面积等于电容指纹传感器的感应区的面积,由于电容指纹传感器的感应区用于测试电容的信号量,当陶瓷片设置在感应区的正上方并且能够完全覆盖电容传感器的感应区时,可以获取到较佳的指纹图像。一般的,电容指纹传感器的感应区的面积小于电容指纹传感器的上表面的面积,本实施例中,陶瓷片的上表面的面积等于电容指纹传感器的感应区的面积,陶瓷片的长小于电容指纹传感器的长,陶瓷片的宽小于电容指纹传感器的宽。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,电容指纹传感器的上表面的中心到封装材料层的上表面的中心的距离为150um至480um。封装材料层包覆电容指纹传感器,当电容指纹传感器的上表面的中心到封装材料层的上表面的中心的距离太远时,获取的指纹图像质量较差以至于影响指纹识别,当电容指纹传感器的上表面的中心到封装材料层的上表面的中心的距离太近时,则可能会导致可靠性问题,以至于可能导致良率降低,当设置电容指纹传感器的上表面的中心到封装材料层的上表面的中心的距离为150um至480um时,可以保证指纹图像的质量,也可以保证良率。
本实施例中,平面图形的中心可以理解为平面图形的对角线的交点,例如,若Die的上表面为矩形,则Die的上表面的中心为矩形的对角线的交点,若Die的上表面为圆形,则Die的上表面中心为圆心。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,请参考图1,电容指纹封装结构还包括第二DAF胶层104和基板102,第二DAF胶层设置于电容指纹传感器101与基板102之间以使得电容指纹传感器101通过第二DAF胶层固定在基板102的上表面。该电容指纹封装结构还可以包括焊锡层107和FPC103,焊锡层107设置于基板102与FPC103之间,焊锡层用于电连接基板102与FPC103。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,请参考图1所示的弧面电容指纹模组,与弧面电容指纹封装结构不同的是,弧面电容指纹模组还包括弧形涂覆层106,弧形涂覆层106设置于封装材料层105的上表面,弧形涂覆层106的上表面为弧面。本实施例中,弧形涂覆层可以采用涂覆(coating)工艺制成,相比于传统的盖板工艺,coating工艺形成的弧形涂覆层在材料、厚度、颜色等特性上的选择自由度更高。
基于上述实施例公开的内容,本实施例中,指纹传感器的上表面的中心到弧形涂覆层的上表面的中心的距离D1为170um至500um。当电容指纹传感器的上表面的中心到弧形涂覆层的上表面的中心的距离太远时,获取的指纹图像质量较差以至于影响指纹识别,当电容指纹传感器的上表面的中心到弧形涂覆层的上表面的中心的距离太近时,则可能会导致可靠性问题,以至于可能良率降低,当设置电容指纹传感器的上表面的中心到弧形涂覆层的上表面的中心的距离为170um至500um时,可以保证指纹图像的质量,也可以保证良率。另外,指纹传感器的上表面的中心到弧形涂覆层的上表面的中心的距离D1为200um至500um时,设置陶瓷片111在指纹传感器101的上方,可以很大程度的提高指纹图像的质量。一般来说,对于平面电容指纹模组,电容指纹传感器到平面涂覆层的距离最大一般为200um,当电容指纹传感器到平面涂覆层的距离大于200um,则可能获取不到高质量的指纹图像而影响指纹识别,对于弧面电容指纹模组来说,在电容指纹传感器上方设置陶瓷片可以将电容指纹传感器到弧形涂覆层的距离提高到500um,可以更好的满足消费者对整机中指纹识别面(与消费者手指接触的面)的宽曲率的要求。本实施例中,陶瓷片可以通过DAF胶层贴合在指纹识别传感器的表面,然后整体做成封装片,最后进行coating工艺进行表面处理形成弧形涂覆层,以制作成弧面电容指纹模组。本实施例中,弧形涂覆层106的上表面的R角可以为0.8mm~8mm,弧形涂覆层的上表面的半径可以设置为0.8mm~8mm,以满足消费者对宽曲率的需求。对于弧形涂覆层的厚度设计,若弧形涂覆层为哑光层,则其厚度可以设置为25um,若弧形涂覆层为高光层,则其厚度可以为30um。
基于上述实施例公开的内容,本实施例公开了一种电子设备,该电子设备可以是手机、平板、电脑等包含前述实施例公开的指纹模组的电子设备,该电容指纹模组与电子设备内的电路主板通过连接器连接。
基于上述实施例公开的内容,本实施例公开了一种封装方法,应用于上述实施例公开的电容指纹封装结构,具体的,如图2所示,该方法包括以下步骤:
S201:通过第二DAF胶层将电容指纹传感器粘贴在基板的上方;
S202:通过第一DAF胶层将陶瓷片粘贴在电容指纹传感器的上方;
S203:通过金属线材将电容指纹传感器的引脚和基板的引脚电连接;
S204:使用塑封材料包覆第二DAF胶层、电容指纹传感器、第一DAF胶层和陶瓷片以在基板上方形成封装材料层,封装材料层的上表面为弧面。
在步骤S201中,请参考图3,通过固晶/贴片(Die bonding,DB)工艺以使得电容指纹传感器301通过第二DAF胶层304粘贴在基板302上形成如图3所示的封装片300。本实施例中的电容指纹传感器301、第二DAF胶层304、基板302与前述实施例公开的电容指纹传感器101、第二DAF胶层104、基板102相同或者近似,此处不再赘述。
步骤S202可以理解为贴陶瓷片,请参考图4,即陶瓷片411通过第一DAF胶层412粘贴在电容指纹传感器401的上方,例如将陶瓷片411粘贴在电容指纹传感器401的感应区域的上方以形成图4所示的封装片。本实施例中的陶瓷片411、第一DAF胶层412、电容指纹传感器401、第二DAF胶层404、基板402与前述实施例公开的陶瓷片111、第一DAF胶层112、电容指纹传感器101、第二DAF胶层104、基板102相同或者近似,此处不再赘述。
在步骤S203中,请参考图5所示的弧面电容指纹模组的另一角度的剖面图,使用WB工艺,可以通过金属线材509将电容指纹传感器501的引脚(IO或者Pad)和基板502的引脚电连接以形成图5所示的封装片500,金属线材509例如为金线。本实施例中的陶瓷片511、第一DAF胶层512、电容指纹传感器501、第二DAF胶层504、基板502、焊锡层507、FPC503、补强钢板508、弧形涂覆层506、封装材料层505与前述实施例公开的陶瓷片111、第一DAF胶层112、电容指纹传感器101、第二DAF胶层104、基板102、焊锡层107、FPC103、补强钢板108、弧形涂覆层106、封装材料层105相同或者近似,此处不再赘述。本实施例中,该封装结构还可以包括补强板508,该补强板508设置于FPC503的下表面。补强钢板508还可以用于固定连接器510,该连接器510用于电容指纹传感器与电子设备内的其他电路连接以实现指纹识别功能,其他电路例如为主板。可以理解的是,本实施例中图5所示的剖面图的剖面与图1所示的剖面图的剖面垂直,本实施例中图5所示的剖面图可以方便的示出金线509以及连接器510。
在步骤S204中,请参考图6所示的封装片600,使用Molding工艺,通过模具使用塑封材料制作EMC层605包覆电容指纹传感器601、第一DAF胶层612以及陶瓷片611,以保护电容指纹传感器601、陶瓷片611和金线,即该封装材料层可以按照设计好的外形尺寸Molding成型以形成图6所示的EMC层605。如图6所示,电容指纹传感器601的上表面的中心到封装材料层605的上表面的中心的距离D2为150um至480um。本实施例中的陶瓷片611、第一DAF胶层612、电容指纹传感器601、第二DAF胶层604、基板602与前述实施例公开的陶瓷片111、第一DAF胶层112、电容指纹传感器101、第二DAF胶层104、基板102相同或者近似,此处不再赘述。Molding成型以使得EMC的上表面为弧面后,可以使用表面贴装技术(Surface MountedTechnology,SMT)这种工艺通过焊锡在基板的下表面形成如图1所示的焊锡层107以使得基板与FPC电连接,然后再进行Coating以在EMC层的上表面形成弧形涂覆层。
基于上述实施例公开的内容,本申请实施例提供一种封装方法,请参考图7,与图2所示的封装方法不同的是,在贴陶瓷片之前还可以包括步骤S702:加工陶瓷片使其上表面的粗糙度为0.2um至0.8um;步骤S702之后,可以执行步骤S703:通过第一DAF胶层将陶瓷片的下表面粘贴在电容指纹传感器的上表面。在步骤S702中,本实施例中,加工陶瓷片可以理解为制作上表面的粗糙度为0.2um至0.8um的陶瓷片,或者制作外表面的粗糙度为0.2um至0.8um的陶瓷片。为了满足陶瓷的粗糙度的要求,可以在来料的来料质量控制(IncomingQuality Control,IQA)中检查是否符合粗糙度0.2um至0.8um的要求。本实施例中,步骤S701、S704、S705与前述实施例中的步骤S201、步骤S203、步骤S204相同或者近似,此处不再赘述。
基于上述实施例公开的内容,本实施例公开了一种制作电容指纹模组的方法,如图8所示,该方法包括以下步骤:
S801:通过第二DAF胶层将电容指纹传感器粘贴在基板的上方;
S802:通过第一DAF胶层将陶瓷片粘贴在电容指纹传感器的上方;
S803:通过金属线材将电容指纹传感器的引脚和基板的引脚电连接;
S804:使用塑封材料包覆第二DAF胶层、电容指纹传感器、第一DAF胶层和陶瓷片以在基板上方形成封装材料层,封装材料层的上表面为弧面;
S805:对封装材料层的上表面进行涂覆处理以形成弧形涂覆层
本实施例中,步骤S801-S804与前述实施例中的步骤S201-S204相同或者近似,此处不再赘述。在步骤S805中,可以对如图6所示的封装材料层的上表面进行涂覆处理形成如图1所示的弧形涂覆层106以形成电容指纹模组结构100。
对于步骤S804,使用封装材料包覆电容指纹传感器也可以形成图9所示的封装片900,其中,封装材料层905的上表面为平面,可以对该封装材料层进行CNC曲面加工和抛光工艺以形成如图6所示的封装材料层的上表面为弧面的封装片600,然后执行步骤S805以在封装片600的上表面形成前述实施例公开的弧面涂覆层。本实施例中的陶瓷片911、第一DAF胶层912、电容指纹传感器901、第二DAF胶层904、基板902与前述实施例公开的陶瓷片111、第一DAF胶层112、电容指纹传感器101、第二DAF胶层104、基板102相同或者近似,此处不再赘述。本实施例中,在步骤S804与步骤S805之间还可以包括:通过SMT工艺将基板通过焊锡层贴附到FPC上,即在FPC与基板之间设置焊锡层以实现FPC与基板的电连接。
对于步骤S804,也可以通过弧面molding模具直接制作出封装材料层的上表面为弧面的封装材料层605,具体的,若通过弧面molding模具制作出来的封装材料层605的倒角不符合预设角度,则可以通过CNC加工倒角以及落料的工艺以形成预设角度的倒角,之后再进行coating表面处理以形成弧形涂覆层,本实施例中,可以省略CNC曲面加工以及抛光工艺。
基于上述实施例公开的内容,本申请实施例提供一种制作电容指纹模组的方法,请参考图10,与图8所示的方法不同的是,在贴陶瓷片之前还可以包括步骤S1002:加工陶瓷片使其上表面的粗糙度为0.2um至0.8um;步骤S1002之后,可以执行步骤S1003:通过第一DAF胶层将陶瓷片的下表面粘贴在电容指纹传感器的上表面。在步骤S1002中,可以制作出上表面的粗糙度为0.2um至0.8um的陶瓷片。本实施例中,步骤S1001、S1004、S1005、S1006与前述实施例中的步骤S801、步骤S803、步骤S804、步骤S805相同或者近似,此处不再赘述。
需要说明的是,本实施例提供的电容指纹封装结构,与前述实施例中的电容指纹模组结构相比,省略了弧形涂覆层,其具体实现上述参见上述实施例,此处不再赘述。
本实施例还提供一种电子设备,该电子设备具备电路主板,具体的电路主板可以包括存储器和处理器,该电容指纹模组与电路主板连接,具体的,电容指纹模组与电路主板通过连接器连接,以实现指纹识别和解锁,该电子设备可以是手机或者平板、电脑等电子设备。其具体实现上述参见上述实施例,此处不再赘述。
应理解,在本申请实施例中,“与A相应的B”表示B与A相关联,根据A可以确定B。但还应理解,根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B,还可以根据A和/或其它信息确定B。
另外,本文中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的***、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的***、装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (16)
1.一种弧面电容指纹封装结构,其特征在于,包括封装材料层、电容指纹传感器、陶瓷片、第一DAF胶层;
所述电容指纹传感器与所述陶瓷片之间设置所述第一DAF胶层以将所述陶瓷片固定在所述电容指纹传感器的上方;
所述第一DAF胶层设置于所述电容指纹传感器的上表面;
所述陶瓷片设置于所述第一DAF胶层的上表面;
所述封装材料层的上表面为弧面;
所述封装材料层包覆所述电容指纹传感器、所述第一DAF胶层和所述陶瓷片。
2.根据权利要求1所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述陶瓷片的粗糙度为0.2um至0.8um。
3.根据权利要求1所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述陶瓷片的上表面的粗糙度为0.2um至0.8um。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述陶瓷片的介电常数为25至35。
5.根据权利要求4所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述第一DAF胶层的介电常数为25至35。
6.根据权利要求4所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述第一DAF胶层的介电常数小于或者等于所述陶瓷片的介电常数;
所述第一DAF胶层的介电常数大于或者等于所述陶瓷片的介电常数的百分之九十。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述陶瓷片的厚度为50um至200um。
8.根据权利要求7所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述陶瓷片的厚度为100um。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述陶瓷片的上表面的面积等于所述电容指纹传感器的感应区的面积;所述陶瓷片的长小于所述电容指纹传感器的长,所述陶瓷片的宽小于所述电容指纹传感器的宽。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,所述电容指纹传感器的上表面的中心到所述封装材料层的上表面的中心的距离为150um至480um。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的弧面电容指纹封装结构,其特征在于,还包括第二DAF胶层和基板,所述电容指纹传感器与所述基板之间设置所述第二DAF胶层以使得所述电容指纹传感器固定在所述基板的上方;所述第二DAF胶层设置于所述基板的上表面;
所述电容指纹传感器设置于所述第二DAF胶层的上表面;
还包括焊锡层和FPC,所述基板与所述FPC之间设置所述焊锡层以使得所述基板与所述FPC电连接;
还包括补强板,所述补强板设置于所述FPC的下表面。
12.一种弧面电容指纹模组,其特征在于,包括如权利要求1至11中任一项所述的弧面电容指纹封装结构,还包括弧形涂覆层,所述弧形涂覆层设置于所述封装材料层的上表面,所述弧形涂覆层的上表面为弧面。
13.根据权利要求12所述的弧面电容指纹模组,其特征在于,电容指纹传感器的上表面的中心到所述弧形涂覆层的上表面的中心的距离为170um至500um。
14.根据权利要求12所述的弧面电容指纹模组,其特征在于,电容指纹传感器的上表面的中心到所述弧形涂覆层的上表面的中心的距离为200um至500um。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的弧面电容指纹模组,其特征在于,所述弧形涂覆层的上表面的半径为0.8mm至8mm。
16.一种电子设备,其特征在于,包括:电路主板和如权利要求12至15中任一项所述的弧面电容指纹模组,所述弧面电容指纹模组与所述电路主板通过连接器连接。
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CN202023351629.0U CN214672572U (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备 |
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CN202023351629.0U CN214672572U (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备 |
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CN202023351629.0U Active CN214672572U (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种弧面电容指纹封装结构、模组及电子设备 |
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2020
- 2020-12-31 CN CN202023351629.0U patent/CN214672572U/zh active Active
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