CN214411234U - 一种led发光装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种LED发光装置，包括封装基板、LED芯片、凹槽结构、粘结材料层以及封装层。封装基板具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设有功能区和非功能区，LED发光装置上设有凹槽结构。LED芯片固定在封装基板的第一表面功能区上；封装层覆盖封装基板的第一表面，LED芯片被封装在封装基板和所述封装层之间；粘结材料层填充凹槽结构，增加封装基板和封装层之间的结合力。本申请采用粘结材料层填充所述凹槽结构，粘结材料层与封装基板的接触面的粘性大于含氟树脂与封装基板的接触面的粘性，从而使得封装基板与封装层的结合力更牢固，解决了氟树脂与封装基板之间结合力差的问题。

Description

一种LED发光装置

技术领域

本申请涉及一种LED封装技术领域，特别涉及一种LED发光装置。

背景技术

LED芯片因为其优良的性能得到快速发展。其中的紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值，尤其是在杀菌消毒方面的应用，引起了人们的高度关注，成为了新的研究热点。

现有的常规深紫外LED封装结构，主要是采用陶瓷碗杯作为承载基板和石英玻璃封装罩体。但是由于空腔，且陶瓷碗杯存有一定的厚度，因此封装结构存在着体积过大，且价格昂贵的缺点，又由于LED芯片发出的光先从衬底（如蓝宝石衬底，折射率约1.76）到空气（一般认为折射率为1），再到石英玻璃（折射率约1.4），所以导致封装结构的出光效率低下。

另外还有一些用平面陶瓷基板，模制硅胶的封装形式。这种封装形式主要缺点是深紫外光(290nm以下)对硅胶具有很强的破坏性，长时间照射容易胶裂，而且硅胶对深紫外光透射率相对来说比较低。

另一种常用封装胶体为含氟材料，但是含氟材料因为粘附性问题，特别难加工，并且在切割时，容易出现切割脱落，震动脱落，回流焊气泡等问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种LED发光装置，本申请的发光装置中，封装基板第一表面非功能区设有凹槽结构，采用粘结材料层填充凹槽结构，粘结材料层与封装基板的接触面的粘性大于含氟树脂与封装基板的接触面的粘性，从而使得封装基板与封装层的结合力更牢固，解决了氟树脂与封装基板之间结合力差的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供了一种LED发光装置，包括：

封装基板，所述封装基板具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设有功能区和非功能区，所述LED发光装置上设有凹槽结构；

LED芯片，所述LED芯片固定在所述功能区上；

封装层，覆盖所述封装基板的第一表面，所述LED芯片被封装在所述封装基板和所述封装层之间；

粘结材料层，填充所述凹槽结构，使得所述第一表面与所述封装层紧密连接。

可选地，所述粘结材料层完全填充所述凹槽结构，所述粘结材料层与封装层接触面为第一接触面，所述粘结材料层与凹槽结构底部接触面为第二接触面，封装基板第一表面与封装层的接触面为第三接触面。

可选地，所述粘结材料层不完全填充所述凹槽结构，所述粘结材料层与封装层接触面为第一接触面，所述粘结材料层与凹槽结构底部接触面为第二接触面，封装基板第一表面与封装层的接触面为第三接触面。

可选地，当所述粘结材料层完全填充所述凹槽结构时，所述第一接触面与第三接触面基本齐平。

可选地，所述第一接触面与第三接触面的高度差小于50μm。

可选地，所述凹槽结构设在所述封装基板第一表面非功能区上，所述凹槽结构至少包括一个粘结凹槽。

可选地，所述凹槽结构设在所述封装基板第一表面功能区上，所述凹槽结构至少包括一个绝缘凹槽。

可选地，所述凹槽结构至少还包括一个粘结凹槽。

可选地，所述至少一个凹槽结构的深度小于等于所述封装基板厚度的1/3。

可选地，所述封装基板第一表面功能区以及至少部分非功能区上设置有金属镀层，所述至少一个粘结凹槽位于所述金属镀层内。

可选地，所述至少一个粘结凹槽位于所述金属镀层内，所述至少一个粘结凹槽的深度小于等于金属镀层的厚度。

可选地，所述至少一个粘结凹槽位于所述金属镀层内，所述至少一个粘结凹槽的深度大于金属镀层的厚度。

可选地，所述至少一个粘结凹槽位于所述金属镀层内，所述至少一个粘结凹槽延伸至基板内，所述至少一个粘结凹槽的深度小于等于所述基板厚度的1/3。

可选地，所述至少一个凹槽结构的表面为粗糙表面。

可选地，所述至少一个凹槽结构的表面的粗糙度大于所述封装基板第一表面的粗糙度。

可选地，所述粘结材料层为硅胶或者环氧树脂或者白胶或者二氧化硅。

可选地，所述凹槽结构面积占所述基板上表面的面积的比例小于50%。

可选地，所述凹槽结构的面积占封装基板第一表面的面积的比例为20%-40%。

可选地，所述一种LED芯片的发光波长为385nm以下，所述封装层的材料包含氟树脂。

综上所述，本实用新型的LED发光装置，具有以下有益效果：

本申请提供了一种LED发光装置，包括封装基板、LED芯片、凹槽结构、粘结材料层以及封装层。封装基板具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设有功能区和非功能区，LED发光装置上设有凹槽结构。 LED芯片固定在封装基板的第一表面功能区上；封装层覆盖封装基板的第一表面，LED芯片被封装在封装基板和所述封装层之间；粘结材料层填充凹槽结构，增加封装基板和封装层之间的结合力。

本申请采用粘结材料层填充所述凹槽结构，粘结材料层与封装基板的接触面的粘性和粘结材料层与封装层的接触面的粘性均大于封装层与封装基板的接触面的粘性，从而使得封装层与封装基板的结合力更牢固，解决了封装层与封装基板之间结合力差的问题。

粘结材料层与封装层接触面为第一接触面，粘结材料层与凹槽结构接触面为第二接触面，第一接触面与封装基板第一表面基本齐平，使得凹槽结构处对应的位置封装层成平面，可提高SMD贴片和编带包装产品良率。

此外，还解决了LED芯片和保护器件电极底部与封装层之间气泡的现象和提高LED发光装置的气密性和可靠性。

附图说明

图1为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图；

图2为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的俯视图；

图3a为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图；

图3b为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图；

图4a为图1所示的一种LED发光装置的A区域的示意图；

图4b为图1所示的另一种LED发光装置的A’区域的示意图；

图4c为图1所示的另一种LED发光装置的A’’区域的示意图；

图4d为现有技术LED发光装置的A1’区域的示意图；

图4e为现有技术LED发光装置的A1’’区域的示意图;

图5为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图；

图6为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图；

图7为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图;

图8为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图;

图9为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的俯视图;

图10a为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图;

图10b为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的俯视图;

图10c为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图;

图11为根据本申请实施例示出的一种LED发光装置的截面示意图。

图示说明：

100封装基板；1011封装基板第一表面；1012封装基板第二表面；1013电极焊盘；101功能区；102非功能区；200凹槽结构；201粘结凹槽；202绝缘凹槽；300 LED芯片；400封装层；500粘结材料层；501第一接触面；502第二接触面；503第三接触面；301静电保护器件(Zener)封装区；1012非功能区；102-1金属条带。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，术语“上”和“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

实施例1

本实施例提供一种LED发光装置，如图1所示，该LED发光装置包括封装基板100、LED芯片300、凹槽结构200、粘结材料层500以及封装层400。封装基板100具有相对设置的第一表面1011和第二表面1012，第一表面1011上设有功能区101和非功能区102，LED发光装置上设有凹槽结构200。 LED芯片300固定在封装基板的第一表面功能区101上；封装层400覆盖封装基板的第一表面1011，LED芯片300被封装在封装基板100和所述封装层400之间；粘结材料层500填充凹槽结构200，增加封装基板100和封装层400之间的结合力。

本实施例中，封装基板100可以是陶瓷基板、印刷电路板等任意适合的基板。本实施例以平面陶瓷基板为例进行说明。如图1所示，该封装基板100包括相对设置的第一表面1011和第二表面1012，封装基板第一表面1011上设置有功能区101，第二表面1012设置有连通功能区101的电极焊盘1013。LED芯片300设置在功能区101上，例如可以通过金线连接或者直接焊接至功能区101。

LED芯片300可以是任意类型的LED芯片，例如，可以是波长小于385 nm，尤其是波长介于220 nm~385 nm之间的紫外或深紫外LED芯片，本实施例中，以波长介于220 nm~385nm之间的紫外LED芯片为例。

虽然未详细示出，但是可以理解的是，LED芯片300可以包括衬底，形成在衬底表面的半导体层，该半导体层包括可以依次形成在衬底表面的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，LED芯片300还包括分别与上述第一、第二半导体层连接的电极结构，LED芯片300的电极结构连接至基板的功能区1011，例如可以通过焊接、共晶等方式连接，由此实现LED芯片300的固定。LED芯片的电极结构通过基板背面的电极焊盘1013引出。

在紫外LED芯片中，上述衬底可以选择蓝宝石衬底，第一半导体层可以为N型A1GaN层，在该N型A1GaN层和蓝宝石衬底之间还可以形成有AlN缓冲层和A1N/A1GaN超晶格层，以降低N型A1GaN层与蓝宝石衬底的晶格失配率。有源层为AlGaN多量子阱层，所述AlGaN多量子阱层设置于所述N型AlGaN层远离所述衬底的一侧；所述第二半导体层为P型A1GaN层，所述P型AlGaN层设置于所述AlGaN量子阱层远离所述衬底的一侧。

在可选实施例中，封装层400选用含氟树脂等含氟材料。含氟材料为无机物，可靠性好，能够很好地抵御紫外光的照射。另外，氟树脂的折射率n介于1.34~1.7之间，对紫外光的透射率高，能够提高深紫外LED的出光率。

在可选实施例中，如图1、2所示，上述功能区101由形成在封装基板第一表面1011上的金属镀层形成，金属镀层在功能区101形成分别连接LED芯片300的电极的正极固晶区101-1和负极固晶区101-2，电极焊盘1013将设置在功能区101的LED芯片300的电极引出。在本申请中，为了便于描述，将上述非功能区的外侧区域定义为非功能区102，该定义仅用于解释说明本申请，不能理解为对本申请的限定。

在可选实施例中，如图2所示，封装基板第一表面1011设有凹槽结构200，包括粘结凹槽201和绝缘凹槽202。封装基板第一表面的非功能区102形成有金属镀层，非功能区102的金属镀层形成为环绕功能区的金属条带102-1，并且该金属条带102-1与功能区102之间具有绝缘凹槽202，金属条带102-1与功能区102通过绝缘凹槽202间隔分布。

形成功能区101和非功能区102的金属条带102-1的金属镀层可以是相同的金属材料也可以是不同的金属材料。采用相同的金属材料时，可以同时形成功能区101和非功能区102的金属镀层。该金属镀层的厚度大于20μm小于200μm，优选在50μm左右。

在可选实施例中，如图2所示，金属条带102-1中形成有粘结凹槽201。

仍然参照图1，粘结材料层500填充在粘结凹槽201和绝缘凹槽202中。粘结材料层500例如可以选择硅胶、白胶、环氧树脂等粘结性较好的材料。由此粘结性较好的粘结材料层500与封装基板100的接触面的粘性和粘结材料层500与封装层400的接触面的粘性均大于粘性较差的含氟树脂400与封装基板100的接触面的粘性，从而使得封装基板100与含氟树脂400的结合力更牢固和提高LED发光装置的气密性和可靠性。

在可选实施例中，如图2所示，凹槽结构200包括粘结凹槽201和绝缘凹槽202总面积占封装基板第一表面1011面积的比例小于50%。优选地，其面积比例介于20%-40%。凹槽结构200总面积占封装基板第一表面面积的比例太小，则起不到加强封装层400与封装基板的结合力。而凹槽结构200总面积占封装基板第一表面面积的比例太大，则会减小功能区的面积，不利于芯片放置。

在可选实施例中，如图3a、3b所示，粘结凹槽201的深度D1不大于金属条带1012-1的厚度。绝缘凹槽202的深度D2与金属条带1012-1的厚度相等。

在可选实施例中，如图4a所示，粘结材料层500完全填充凹槽结构200，粘结材料层500与封装层400接触面为第一接触面501，粘结材料层500与凹槽结构底部接触面为第二接触面502，封装基板第一表面1011与封装层400的接触面为第三接触面503，第一接触面501与第三接触面503基本齐平，使得凹槽结构200处对应的位置封装层400成平面，可提高SMD贴片和编带包装产品良率。

作为可替换的实施方式，如图4b所示，结材料层500完全填充凹槽结构200并超出凹槽结构200，定义D3为第一接触面501与第三接触面503的高度差为D3，D3优选为小于50μm。若D3大于50μm，则会导致凹槽结构200对应的位置封装层400会有一定的突出弧形（可参见附图4e），在SMD贴片和编带包装产品的时候会影响良率

作为可替换的实施方式，如图4c所示，结材料层500不完全填充凹槽结构200，D3优选为小于50μm。若D3大于50μm，则会导致凹槽结构200对应的位置封装层400会有一定的内凹弧形存在（可参见附图4e），在SMD贴片和编带包装产品的时候会影响良率。

在可选实施例中，封装基板第一表面1011非凹槽区域的粗糙度Ra<0.3 μm。如图5所示，凹槽结构200的表面粗糙度大于封装基板第一表面1011非凹槽区域的粗糙度。例如，凹槽结构200的表面粗糙度Ra≥0.3μm，优选地，凹槽结构200的表面粗糙度5μm≥Ra≥0.5 μm。如此可以增强粘结材料层与封装基板的结合性，从而增强密封性，有助于增强器件的可靠性。

实施例2

本实施例同样提供一种LED发光装置，与实施例1的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图6所示，本实施例的LED发光装置的凹槽结构200穿透金属镀层并延伸到封装基板100内部，借由凹槽结构200深度的增加，可以增强粘结材料层500与封装基板100之间的接触面积，从而增加封装层400与封装基板100之间的结合力。定义凹槽结构200深度D4为封装基板第一表面1011到凹槽结构底部的距离，则优选D4小于封装基板厚度的1/3，若D4数值太大，则LED发出的光会沿粘结材料层导出向下到基板，从而降低亮度。

实施例3

本实施例同样提供一种LED发光装置，与实施例1或2的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图7所示，实施例1或2的凹槽结构200纵切面为矩形，本实施例的凹槽结构200纵切面为五边形。需要说明的是，凹槽截面形状可以为三角形或矩形等多边形、弧形或倒T形。并且，根据上述结构做出适当变形，也属于本申请所保护的范围。

实施例4

本实施例同样提供一种LED发光装置，与实施例1、2或3的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图8所示，该功能区101包括相对设置的正极固晶区101-1和负极固晶区101-2，固晶区的极性是由设置在其上的LED芯片的正负极决定，此处仅为了便于说明定义图中的正极固晶区和负极固晶区的位置)，其正极和负极分别与正极固晶区101-1和负极固晶区101-2连接。正极固晶区101-1和负极固晶区101-2之间设有绝缘凹槽202，该绝缘凹槽202将正极固晶区101-1和负极固晶区101-2电性隔离。粘结材料层500填充该绝缘凹槽202，可以解决由于LED芯片300电极之间极易存在空气导致贴膜后周围容易产生气泡的问题。

实施例5

本实施例同样提供一种LED发光装置，与实施例1-4的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图9所示，该功能区101上设置有粘结凹槽201，通过增加凹槽结构200的面积，增加封装层400和粘结材料层500的结合力。

实施例6

本实施例同样提供一种LED发光装置，与实施例1-5的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图10a、10b所示，该封装基板100同样包括形成在第一表面的功能区1011和非功能区1012，以及设置在第二表面设置的连通功能区1011的电极焊盘1013。

上述功能区101由形成在封装基板第一表面1011上的金属镀层形成，金属镀层在功能区101形成分别连接LED芯片300的电极的正极固晶区101-1和负极固晶区101-2，电极焊盘1013将设置在功能区101的LED芯片300的电极引出。在本申请中，为了便于描述，将上述非功能区的外侧区域定义为非功能区102，该定义仅用于解释说明本申请，不能理解为对本申请的限定。

在可选实施例中，如图10a、10b所示，封装基板第一表面1011设有凹槽结构200，包括粘结凹槽201和绝缘凹槽202。正极固晶区101-1和负极固晶区101-2之间具有绝缘凹槽202，金属条带正极固晶区101-1和负极固晶区101-2通过绝缘凹槽202间隔分布。非功能区102上中形成有粘结凹槽201。定义凹槽结构200厚度D4为封装基板第一表面1011到凹槽底部的距离，则优选D4小于封装基板厚度的1/3，若D4数值太大，则LED发出的光会沿粘结材料层导出向下到基板，从而降低亮度。凹槽结构200的形成方式可以软刀或者激光切割，还可以是其他方式，比如陶瓷基板在烧结过程中，用闸刀压出凹槽结构200。

在可选实施例中，如图10c所示，在非功能区102上直接填涂上薄薄一层粘性材料层500。在本优选实施例中，粘性材料层500厚度D5小于50μm。若粘性材料层500厚度D5大于50μm，易被紫外照射使粘结材料层老化，使粘结材料层的粘性降低。

实施例7

本实施例同样提供一种LED发光装置，与实施例1-6的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图11所示，LED芯片一侧形成有静电保护器件(Zener)封装区301，在该保护器件封装区301中封装保护器件，对整个LED发光装置起到保护作用，例如该静电器件封装区301可以形成在功能区101一侧边角位置。保护器件电极底部也是通过绝缘凹槽202电性隔离。粘结材料层500填充该绝缘凹槽202，可以解决由于保护器件电极底部之间极易存在空气导致贴膜后周围容易产生气泡的问题。

如上所述，本申请提供的LED发光装置，至少具备如下有益技术效果：

本申请的LED发光装置包括：

本申请提供了一种LED发光装置，包括封装基板100、LED芯片300、凹槽结构200、粘结材料层500以及封装层400。封装基板100具有相对设置的第一表面1011和第二表面1012，第一表面1011上设有功能区101和非功能区102，LED发光装置上设有凹槽结构200。 LED芯片300固定在封装基板的第一表面功能区101上；封装层400覆盖封装基板的第一表面1011，LED芯片300被封装在封装基板100和所述封装层400之间；粘结材料层500填充凹槽结构200，增加封装基板100和封装层400之间的结合力。

本申请采用粘结材料层500填充所述凹槽结构200，粘结材料层500与封装基板100的接触面的粘性和粘结材料层500与封装层400的接触面的粘性均大于封装层400与封装基板100的接触面的粘性，从而使得封装层400与封装基板100的结合力更牢固，解决了封装层400与封装基板100之间结合力差的问题。

粘结材料层与封装层接触面为第一接触面501，粘结材料层与凹槽结构200接触面为第二接触面502，第一接触面501与第三接触面503基本齐平，使得凹槽结构200处对应的位置封装层400成平面，可提高SMD贴片和编带包装产品良率。

此外，还解决了LED芯片300和保护器件电极底部与封装层400之间气泡的现象和提高LED发光装置的气密性和可靠性。

上述实施例仅例示性说明本申请的原理及其功效，而非用于限制本申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本申请的权利要求所涵盖。

Claims (19)

1.一种LED发光装置，其特征在于，所述LED发光装置包括：

封装基板，所述封装基板具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设有功能区和非功能区，所述LED发光装置上设有凹槽结构；

LED芯片，所述LED芯片固定在所述功能区上；

封装层，覆盖所述封装基板的第一表面，所述LED芯片被封装在所述封装基板和所述封装层之间；

粘结材料层，填充所述凹槽结构，使得所述第一表面与所述封装层紧密连接。

2.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述粘结材料层完全填充所述凹槽结构，所述粘结材料层与封装层接触面为第一接触面，所述粘结材料层与凹槽结构底部接触面为第二接触面，封装基板第一表面与封装层的接触面为第三接触面。

3.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述粘结材料层不完全填充所述凹槽结构，所述粘结材料层与封装层接触面为第一接触面，所述粘结材料层与凹槽结构底部接触面为第二接触面，封装基板第一表面与封装层的接触面为第三接触面。

4.根据权利要求2所述的一种LED发光装置，其特征在于：当所述粘结材料层完全填充所述凹槽结构时，所述第一接触面与第三接触面基本齐平。

5.根据权利要求2或3所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述第一接触面与第三接触面的高度差小于50μm。

6.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述凹槽结构设在所述封装基板第一表面非功能区上，所述凹槽结构至少包括一个粘结凹槽。

7.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述凹槽结构设在所述封装基板第一表面功能区上，所述凹槽结构至少包括一个绝缘凹槽。

8.根据权利要求7所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述凹槽结构至少还包括一个粘结凹槽。

9.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述至少一个凹槽结构的深度小于等于所述封装基板厚度的1/3。

10.根据权利要求6或8中任意一项所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述封装基板第一表面功能区以及至少部分非功能区上设置有金属镀层，所述至少一个粘结凹槽位于所述金属镀层内。

11.根据权利要求10所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述至少一个粘结凹槽的深度小于等于所述金属镀层的厚度。

12.根据权利要求10所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述至少一个粘结凹槽的深度大于金属镀层的厚度。

13.根据权利要求12所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述至少一个粘结凹槽延伸至封装基板内，所述至少一个粘结凹槽的深度小于等于所述封装基板厚度的1/3。

14.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述至少一个凹槽结构的表面为粗糙表面。

15.根据权利要求14所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述至少一个凹槽结构的表面的粗糙度大于所述封装基板第一表面的粗糙度。

16.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述粘结材料层为硅胶或者环氧树脂或者白胶或者二氧化硅。

17.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述凹槽结构面积占所述基板上表面的面积的比例小于50%。

18.根据权利要求17所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述凹槽结构的面积占封装基板第一表面的面积的比例为20%-40%。

19.根据权利要求1所述的一种LED发光装置，其特征在于：所述一种LED芯片的发光波长为385nm以下，所述封装层的材料包含氟树脂。

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