CN214044341U - 一种小体积半导体激光器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种小体积半导体激光器，包括第一发光模块、第二发光模块、反射组件、聚焦组件和输出光纤；第一发光模块包括多个第一发光单元，第二发光模块包括多个第二发光单元；所述反射组件设置在第二发光模块的出光方向上，聚焦组件设置在反射组件和第一发光模块的共同出光方向上，第一发光模块的出光高度高于第二发光模块的出光高度及反射组件的高度，第一发光模块中的各第一发光单元与第二发光模块中的各第二发光单元依次穿插交替设置。本实用新型的有益效果是：本申请提出的半导体激光器，将两排激光芯片依次穿插交替设置，可缩双排激光芯片布局所需要的间距，减小激光器的整体尺寸。

Description

一种小体积半导体激光器

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种小体积半导体激光器。

背景技术

半导体激光器是一种能够用于发射激光的装置，通过设置在其中的激光芯片产生激光，但是单个激光芯片发射的激光功率有限，产生的激光功率不能满足实际要求，所以需要多个激光芯片发出的激光通过偏振合束器进行偏振合束，从而可保证激光的功率；功率越高，激光芯片的数量也越多，而过多的激光芯片需要大的空间来设置，若没有合理巧妙地布局，会导致激光器的体积过大。因此，如何将激光器的体积控制在一定范围内，且保证激光器的功率输出需求及散热需求，是半导体激光器技术领域的一个重要问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述现有技术中存在的技术问题，而提出的一种小体积半导体激光器。

一种小体积半导体激光器，包括：第一发光模块、第二发光模块、反射组件、聚焦组件和输出光纤；所述第一发光模块包括多个第一发光单元，所述第二发光模块包括多个第二发光单元；所述反射组件设置在第二发光模块的出光方向上，聚焦组件设置在反射组件和第一发光模块的共同出光方向上，第一发光模块的出光高度高于第二发光模块的出光高度及反射组件的高度，第一发光模块中的各第一发光单元与第二发光模块中的各第二发光单元依次穿插交替设置。

进一步地，第一发光模块与第二发光模块的出光方向相反或者相同。

进一步地，所述反射组件包括相互平行设置的第三反射镜和第四反射镜，所述第二发光单元包括第二激光芯片及设置在第二激光芯片出光方向上的第二反射镜，所述第三反射镜设置在所述第二反射镜的出光方向上，所述第四反射镜设置在所述聚焦组件与所述第一发光模块之间的光路上，所述第二激光芯片发射的激光经第二反射镜反射至第三反射镜，并经第三反射镜和第四反射镜连续反射后进入聚焦组件。

进一步地，所述第一发光单元包括第一激光芯片及设置在第一激光芯片出光方向上的第一反射镜，所述第一激光芯片发射的激光经第一反射镜反射后越过所述第四反射镜上边缘进入所述聚焦组件。

进一步地，所述第一激光芯片设置在所述第二激光芯片与所述第二反射镜之间，所述第二激光芯片设置在所述第一激光芯片与所述第一反射镜的之间。

进一步地，第一发光模块中的多个第一发光单元依次呈阶梯状排列，距离聚焦组件越近的第一发光单元的阶梯高度越低，距离聚焦组件越远的第一发光单元的阶梯高度越高，使得各第一发光单元所在光路输出的光斑相互之间不会叠加在一起。

进一步地，第二发光模块中的多个第二发光单元依次呈阶梯状排列，距离第三反射镜入射面越近的第二发光单元的阶梯高度越低，距离第三反射镜入射面越远的第二发光单元的阶梯高度越高，使得各第二发光单元所在光路输出的光斑相互之间不会叠加在一起。

进一步地，第一光束与第二光束的波长相同，为预设的第一波长。

进一步地，所述聚焦组件包括滤波片、快轴聚焦透镜及慢轴聚焦透镜，滤波片设置在第一反射镜和第四反射镜的共同出光方向上，用于透射第一波长激光，过滤除第一波长外的其它波长的激光；所述快轴聚焦透镜设置在所述滤波片的出光方向上，所述慢轴聚焦透镜设置在所述快轴聚焦透镜的出光方向上。

本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是：本申请提出的半导体激光器，将两排激光芯片依次穿插交替设置，可缩双排激光芯片布局所需要的间距，减小激光器的整体尺寸。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或者现有技术中地技术方案，下面将对实施例或者现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中地附图是本实用新型地一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。

图1是本实用新型实施例中一种小体积半导体激光器的俯视图；

图2是本实用新型实施例中一种小体积半导体激光器的立体图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述地实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部地实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的实施例提供了一种小体积半导体激光器。请参考图1和图2，图1是本实用新型实施例中一种小体积半导体激光器的俯视图，图2是本实用新型实施例中一种小体积半导体激光器的立体图，该激光器包括：壳体6及封装于壳体6中的第一发光模块1、第二发光模块2、反射组件3、聚焦组件4和输出光纤5；第一发光模块1包括多个第一发光单元11，第二发光模块2包括多个第二发光单元21；所述反射组件3设置在第二发光模块2的出光方向上，聚焦组件4设置在反射组件3和第一发光模块1的共同出光方向上，第一发光模块1的出光高度高于第二发光模块2的出光高度及反射组件3的高度，第一发光模块1中的各第一发光单元11与第二发光模块2中的各第二发光单元21依次穿插交替设置，第一发光模块1与第二发光模块2的出光方向相反或者相同。如图1所示，本实施例中，第一发光模块1与第二发光模块2的出光方向相反。

第一发光模块1发射的第一光束越过所述反射组件3上方进入所述聚焦组件4，第二发光模块2发射的第二光束经所述反射组件3反射至所述聚焦组件4，所述聚焦组件4将所述第一光束与所述第二光束进行聚焦后耦合输出至所述输出光纤5。

所述反射组件3包括相互平行设置的第三反射镜31和第四反射镜32，所述第二发光单元21包括第二激光芯片211及与第二激光芯片211配合的第二快轴准直镜212、第二慢轴准直镜213及第二反射镜214，所述第三反射镜31设置在所述第二反射镜214的出光方向上，所述第四反射镜32设置在所述聚焦组件4与所述第一发光模块1之间的光路上，所述第二激光芯片211发射的激光经所述第二快轴准直镜212、第二慢轴准直镜213及第二反射镜214后转化为平行激光束；各第二发光单元21产生的平行激光束组成第二光束，所述第二光束通过所述第三反射镜31反射至第四反射镜32，并经所述第四反射镜32反射后进入所述聚焦组件4。

所述第一发光单元11包括第一激光芯片111及与第一激光芯片111配合的第一快轴准直镜112、第一慢轴准直镜113及第一反射镜114，所述第一激光芯片111发射的激光依次经过第一快轴准直镜112、第一慢轴准直镜113及第一反射镜114后转化为平行激光束；各第一发光单元11产生的平行激光束组成第一光束，所述第一光束越过所述第四反射镜32上边缘进入所述聚焦组件4。

在一较佳实施例中，所述第一激光芯片111设置在所述第二激光芯片211与所述第二反射镜214之间，所述第二激光芯片211设置在所述第一激光芯片111与所述第一反射镜114的之间，以缩短双排激光芯片布局所需要的距离。

第一发光模块1中的多个第一发光单元11依次呈阶梯状排列，距离聚焦组件4越近的第一发光单元11的阶梯高度越低，距离聚焦组件4越远的第一发光单元11的阶梯高度越高，从而使得每个所述第一发光单元11所在光路输出的光斑之间不会叠加在一起，都能够进入到所述聚焦组件4中。类似原理，第二发光模块2中的多个第二发光单元21依次呈阶梯状排列，距离第三反射镜31入射面越近的第二发光单元21的阶梯高度越低，距离第三反射镜31入射面越远的第二发光单元21的阶梯高度越高，从而使得每个所述第二发光单元21所在光路输出的光斑之间不会叠加在一起，都能够进入到所述第三反射镜31中。

第一光束与第二光束的波长相同，为预设的第一波长，本实施例中，第一波长为915nm；所述聚焦组件4包括滤波片41、快轴聚焦透镜42及慢轴聚焦透镜43，滤波片41设置在第一反射镜114和第四反射镜32的共同出光方向上，用于透射第一波长激光，过滤除第一波长外的其它波长的激光，以防止回返光沿光路返回至激光芯片而烧毁激光器；所述快轴聚焦透镜42设置在所述滤波片41的出光方向上，用于对所述第一光束和所述第二光束在快轴方向上进行聚焦，所述慢轴聚焦透镜43设置在所述快轴聚焦透镜42的出光方向上，用于对所述第一光束和所述第二光束在慢轴方向上进行聚焦。

本实用新型的有益效果是：本申请提出的半导体激光器，将两排激光芯片依次穿插交替设置，可缩双排激光芯片布局所需要的间距，减小激光器的整体尺寸。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或者之“下”可以包括第一特征和第二特征直接接触，也可以包括第一特征和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (9)

1.一种小体积半导体激光器，包括：第一发光模块、第二发光模块、反射组件、聚焦组件和输出光纤；所述第一发光模块包括多个第一发光单元，所述第二发光模块包括多个第二发光单元；其特征在于：

所述反射组件设置在第二发光模块的出光方向上，聚焦组件设置在反射组件和第一发光模块的共同出光方向上，第一发光模块的出光高度高于第二发光模块的出光高度及反射组件的高度，第一发光模块中的各第一发光单元与第二发光模块中的各第二发光单元依次穿插交替设置。

2.如权利要求1所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：第一发光模块与第二发光模块的出光方向相反或者相同。

3.如权利要求1所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：所述反射组件包括相互平行设置的第三反射镜和第四反射镜，所述第二发光单元包括第二激光芯片及设置在第二激光芯片出光方向上的第二反射镜，所述第三反射镜设置在所述第二反射镜的出光方向上，所述第四反射镜设置在所述聚焦组件与所述第一发光模块之间的光路上，所述第二激光芯片发射的激光经第二反射镜反射至第三反射镜，并经第三反射镜和第四反射镜连续反射后进入聚焦组件。

4.如权利要求3所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：所述第一发光单元包括第一激光芯片及设置在第一激光芯片出光方向上的第一反射镜，所述第一激光芯片发射的激光经第一反射镜反射后越过所述第四反射镜上边缘进入所述聚焦组件。

5.如权利要求4所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：所述第一激光芯片设置在所述第二激光芯片与所述第二反射镜之间，所述第二激光芯片设置在所述第一激光芯片与所述第一反射镜的之间。

6.如权利要求4所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：第一发光模块中的多个第一发光单元依次呈阶梯状排列，距离聚焦组件越近的第一发光单元的阶梯高度越低，距离聚焦组件越远的第一发光单元的阶梯高度越高，使得各第一发光单元所在光路输出的光斑相互之间不会叠加在一起。

7.如权利要求4所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：第二发光模块中的多个第二发光单元依次呈阶梯状排列，距离第三反射镜入射面越近的第二发光单元的阶梯高度越低，距离第三反射镜入射面越远的第二发光单元的阶梯高度越高，使得各第二发光单元所在光路输出的光斑相互之间不会叠加在一起。

8.如权利要求4所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：第一光束与第二光束的波长相同，为预设的第一波长。

9.如权利要求8所述的一种小体积半导体激光器，其特征在于：所述聚焦组件包括滤波片、快轴聚焦透镜及慢轴聚焦透镜，滤波片设置在第一反射镜和第四反射镜的共同出光方向上，用于透射第一波长激光，过滤除第一波长外的其它波长的激光；所述快轴聚焦透镜设置在所述滤波片的出光方向上，所述慢轴聚焦透镜设置在所述快轴聚焦透镜的出光方向上。

Images