CN213988255U - Oled像素电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型的OLED像素电路，通过设置第一至第七TFT管、发光器件、电容、基准电压端、第一复位端、第二复位端、扫描信号端、数据端、发光控制端、第一电源电压输入端和第二电源电压输入端，由于在发光阶段，第七TFT管的源极电压大于栅极的电压，且第七TFT管的栅极电压大于基准电压，使得第二TFT管的漏电流的方向是从第七TFT管的栅极流向基准电压端，第三TFT管的漏电流方向是从源极流向第七TFT管的栅极，这样子两个漏电流的方向就彼此相反，能够相互抵消，漏电流就不会对电容Cst进行充电造成Vg电压的变动，进而让OLED显示装置发光亮度更加稳定。

Description

OLED像素电路

技术领域

本实用新型涉及像素电路技术领域，特别是涉及一种OLED像素电路。

背景技术

有机发光器件(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)，又称有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display，OLED)，近年来，随着有机发光器件(OLED)技术的发展，有机发光器件(OLED)所具备的自发光、不需要背光源，对比度高、响应时间短、厚度薄、视角广和可应用于柔性及透明显示等优点也广为业内人士所知。

由有机发光器件(OLED)制作的显示装置简称OLED显示装置，OLED显示装置包含许多像素电路，像素电路中的TFT管(TFT管即薄膜晶体管)在关闭状态下还有漏电流，像素电路中的漏电流是无法彻底消除的，在OLED显示装置发光阶段，漏电流会引起像素电路内部电压变化，导致OLED显示装置的发光亮度不稳定，特别是在低帧频应用下，一帧内发光时间较长，OLED显示装置的发光亮度就会变化更大，造成闪频等严重问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种利用相反两个方向的漏电流相互抵消的，让OLED显示装置发光亮度更加稳定的OLED像素电路。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种OLED像素电路，包括：第一至第七TFT管、发光器件、电容、基准电压端、第一复位端、第二复位端、扫描信号端、数据端、发光控制端、第一电源电压输入端和第二电源电压输入端；

所述第一TFT管的栅极与所述第二复位端连接，所述第一TFT管的漏极分别与所述基准电压端和所述第二TFT管的漏极连接，所述第一TFT管的源极分别与所述第六TFT管的漏极和所述发光器件的一端连接；

所述第二TFT管的栅极与所述第一复位端连接，所述第二TFT管的源极分别与所述电容的一端、所述第三TFT管的漏极和所述第七TFT管的栅极连接；

所述第三TFT管的栅极与所述扫描信号端连接，所述第三TFT管的源极分别与所述第五TFT管的漏极连接和所述第七TFT管的源极连接；

所述第四TFT管的栅极与所述扫描信号端连接，所述第四TFT管的源极与所述数据端连接，所述第四TFT管的漏极与所述第七TFT管的漏极连接；

所述第五TFT管的栅极分别与所述发光控制端和所述第六TFT管的栅极连接，所述第五TFT管的源极分别与所述第一电源电压输入端和所述电容的另一端连接；

所述第六TFT管的源极与所述第七TFT管的漏极连接；

所述发光器件的另一端与所述第二电源电压输入端连接。

在其中一个实施方式中，所述发光器件为发光二极管，所述发光二极管的阳极分别与所述第一TFT管的源极和所述第六TFT管的漏极连接，所述发光二极管的阴极与所述第二电源电压输入端连接。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下的优点及有益效果：

本实用新型的OLED像素电路，通过设置第一至第七TFT管、发光器件、电容、基准电压端、第一复位端、第二复位端、扫描信号端、数据端、发光控制端、第一电源电压输入端和第二电源电压输入端，由于在发光阶段，第七TFT管的源极电压大于栅极的电压，且第七TFT管的栅极电压大于基准电压，使得第二TFT管的漏电流的方向是从第七TFT管的栅极流向基准电压端，第三TFT管的漏电流方向是从源极流向第七TFT管的栅极，这样子两个漏电流的方向就彼此相反，能够相互抵消，漏电流就不会对电容Cst进行充电造成Vg电压的变动，进而让OLED显示装置发光亮度更加稳定。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型一实施方式中的OLED像素电路的电路原理示意图；

图2为本实用新型一实施方式中的OLED像素电路的驱动时序示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1，一种OLED像素电路10包括：第一至第七TFT管(即图1所示的T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)、发光器件EL、电容Cst、基准电压端VINIT、第一复位端CRST、第二复位端ORST、扫描信号端SCAN、数据端VDATA、发光控制端EM、第一电源电压输入端ELVDD和第二电源电压输入端ELVSS；

第一TFT管T1的栅极与第二复位端ORST连接，第一TFT管T1的漏极分别与基准电压端VINIT和第二TFT管T2的漏极连接，第一TFT管T1的源极分别与第六TFT管T6的漏极和发光器件EL的一端连接；

第二TFT管T2的栅极与第一复位端CRST连接，第二TFT管T2的源极分别与电容Cst的一端、第三TFT管T3的漏极和第七TFT管T7的栅极连接；

第三TFT管T3的栅极与扫描信号端SCAN连接，第三TFT管T3的源极分别与第五TFT管T5的漏极连接和第七TFT管T7的源极连接；

第四TFT管T4的栅极与扫描信号端SCAN连接，第四TFT管T4的源极与数据端VDATA连接，第四TFT管T4的漏极与第七TFT管T7的漏极连接；

第五TFT管T5的栅极分别与发光控制端EM和第六TFT管T6的栅极连接，第五TFT管T5的源极分别与第一电源电压输入端ELVDD和电容Cst的另一端连接；

第六TFT管T6的源极与第七TFT管T7的漏极连接；

发光器件EL的另一端与第二电源电压输入端ELVSS连接。

为了能够更好地理解本申请的OLED像素电路10的电路原理，请一并参阅图1和图2，图2为OLED像素电路10(即图1所示的T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)的驱动时序示意图，图2所示的一共有四个阶段，这四个阶段分别是t1阶段、t2阶段、t3阶段和t4阶段，图2所示的即是在这四个阶段中，扫描信号端SCAN、第一复位端CRST、第二复位端ORST以及发光控制端EM的电平变化情况。

首先是t1阶段，扫描信号端SCAN为高电平输入，第一复位端CRST为高电平输入，第二复位端ORST为低电平输入，发光控制端EM为高电平输入，此时，第一TFT管T1开启，其余TFT管均关闭，这时，Va＝VINIT(Va即图1所示的a点在t1阶段的电压)，对OLED显示装置两端电压进行重置；

其次是t2阶段，扫描信号端SCAN为高电平输入，第一复位端CRST为低电平输入，第二复位端ORST为高电平输入，发光控制端EM为高电平输入，此时第二TFT管T2开启，其余TFT管均关闭，对电容Cst两端电压进行重置，同时使得Vg＝VINIT(Vg的电压即图1所示的g点在t2阶段的电压)；

再者是t3阶段，扫描信号端SCAN为低电平输入，第一复位端CRST为高电平输入，第二复位端ORST为高电平输入，发光控制端EM为高电平输入，此时第三TFT管T3和第四TFT管T4同时开启，其余TFT管均关闭，第七TFT管的栅极和源极相当于连接在一起，此时对第七TFT管T7的栅极进行充电，Vg从VINIT开始充电到VDATA+Vth后充电停止，此时Vg＝VDATA+Vth，由于该实施例用的是P型TFT管，因此Vth通常小于0V；

最后是t4阶段，即发光阶段，第五TFT管T5和第六TFT管T6开启，其余TFT管均关闭，这时Vs＝ELVDD(Vs即图2所示的s点在t4阶段的电压)，Vg保持不变，Vg＝VDATA+Vth，此时第七TFT管的驱动电流Id可以从以下公式计算得出：

其中，μ为沟道的电子迁移率，Cox为TFT管位面积的沟道电容，W为TFT管的沟道宽度，L为TFT管的沟道长度。从上述公式可以看出，第七TFT管T7的驱动电流Id与Vth无关，本申请的OLED像素电路10可以补偿Vth。

还需要说明的是，在发光阶段，虽然第二TFT管T2和第三TFT管T3都有漏电流存在，漏电流会对电容Cst进行充放电，但在发光阶段，由于第七TFT管T7的源极电压大于栅极的电压，且第七TFT管T7的栅极电压大于基准电压(基准电压即基准电压端VINIT输入的电压)，使得第二TFT管T2的漏电流的方向是从第七TFT管T7的栅极流向基准电压端，第三TFT管T3的漏电流方向是从源极流向第七TFT管T7的栅极，这样子两个漏电流的方向就彼此相反，能够相互抵消，漏电流就不会对电容Cst进行充电造成Vg电压的变动，进而让OLED显示装置发光亮度更加稳定。

还需要说明的是，本实施例电路用的是P型TFT管，可以想到的是采用N型TFT管实现该功能是本领域普通技术人员可在没有作出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也属于本专利保护的范围。

进一步地，请再次参阅图1，在一实施方式中，发光器件EL为发光二极管，发光二极管的阳极分别与第一TFT管的源极和第六TFT管的漏极连接，发光二极管的阴极与第二电源电压输入端连接。

如此，需要说明的是，在本实施例中，发光器件EL为发光二极管，当然，也可以采用其他的发光器件EL代替发光二极管。

本实用新型的OLED像素电路，通过设置第一至第七TFT管、发光器件、电容、基准电压端、第一复位端、第二复位端、扫描信号端、数据端、发光控制端、第一电源电压输入端和第二电源电压输入端，由于在发光阶段，第七TFT管的源极电压大于栅极的电压，且第七TFT管的栅极电压大于基准电压，使得第二TFT管的漏电流的方向是从第七TFT管的栅极流向基准电压端，第三TFT管的漏电流方向是从源极流向第七TFT管的栅极，这样子两个漏电流的方向就彼此相反，能够相互抵消，漏电流就不会对电容Cst进行充电造成Vg电压的变动，进而让OLED显示装置发光亮度更加稳定。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (2)

1.一种OLED像素电路，其特征在于，包括：第一至第七TFT管、发光器件、电容、基准电压端、第一复位端、第二复位端、扫描信号端、数据端、发光控制端、第一电源电压输入端和第二电源电压输入端；

所述第一TFT管的栅极与所述第二复位端连接，所述第一TFT管的漏极分别与所述基准电压端和所述第二TFT管的漏极连接，所述第一TFT管的源极分别与所述第六TFT管的漏极和所述发光器件的一端连接；

所述第二TFT管的栅极与所述第一复位端连接，所述第二TFT管的源极分别与所述电容的一端、所述第三TFT管的漏极和所述第七TFT管的栅极连接；

所述第三TFT管的栅极与所述扫描信号端连接，所述第三TFT管的源极分别与所述第五TFT管的漏极连接和所述第七TFT管的源极连接；

所述第四TFT管的栅极与所述扫描信号端连接，所述第四TFT管的源极与所述数据端连接，所述第四TFT管的漏极与所述第七TFT管的漏极连接；

所述第五TFT管的栅极分别与所述发光控制端和所述第六TFT管的栅极连接，所述第五TFT管的源极分别与所述第一电源电压输入端和所述电容的另一端连接；

所述第六TFT管的源极与所述第七TFT管的漏极连接；

所述发光器件的另一端与所述第二电源电压输入端连接。

2.根据权利要求1所述的OLED像素电路，其特征在于，所述发光器件为发光二极管，所述发光二极管的阳极分别与所述第一TFT管的源极和所述第六TFT管的漏极连接，所述发光二极管的阴极与所述第二电源电压输入端连接。

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