CN213782022U

CN213782022U - 一种二维半导体材料的金属接触结构

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Publication number: CN213782022U
Application number: CN202022650559.2U
Authority: CN
Inventors: 童领; 包文中; 马静怡; 郭晓娇; 陈新宇; 夏银; 周鹏; 张卫
Original assignee: Fudan University
Current assignee: Fudan University
Priority date: 2020-11-16
Filing date: 2020-11-16
Publication date: 2021-07-23
Anticipated expiration: 2030-11-16

Abstract

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本实用新型采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

Description

一种二维半导体材料的金属接触结构

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种二维半导体材料的金属接触结构。

背景技术

自集成电路发明以来，其发展迅速，技术不断迭代，以半导体硅为载体的器件的特征尺寸按照“摩尔定律”逐渐缩小，以达到单位面积上最大化的器件数量，在降低芯片生产成本的同时，保持高性能和低功耗的优点。但当器件的特征尺寸缩小到亚10纳米以下时，短沟道效应、量子效应、开关频率降低等问题变得越来越严重。二维半导体材料可以有效避免上述问题，其良好的机械性能、电学性能、光电效应等特性有利于制备高性能的逻辑器件、传感器和探测器，与成熟的硅基工艺的结合可以拓展芯片的功能和应用场景。

由于石墨烯的零禁带宽度特性限制了其在电子器件领域的应用，而二维半导体材料拥有较大的禁带宽度范围、较高的迁移率，并有效克服了短沟道效应的限制，成为学术界和工业界的研究热点。目前通过机械剥离以及化学气相沉积等方法得到的二维半导体材料主要有MoS₂、MoTe₂、MoSe₂、WSe₂和WS₂等。

传统的二维半导体材料的金属接触方法是将金属与二维材料的表面接触，即顶部接触。然而，由于二维材料的表面没有悬挂键，将金属淀积到二维材料的表面后，金属-二维材料界面难以形成强的共价键，而是在界面处形成范德华间隙，以弱的范德华力相结合。这种范德华间隙会充当电子/空穴的势垒，阻碍电荷的注入和输出，从而形成大的接触电阻，不利于器件性能的提高。此外，金属直接淀积在二维材料表面时，易对二维材料的晶格产生损伤，从而引入界面态和缺陷态，产生费米能级钉扎效应，不利于提升器件的电学性能。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种二维半导体材料的金属接触结构，以解决背景技术中提到的金属-二维半导体材料顶部接触方式存在的现有技术问题。

本实用新型提供的二维半导体材料的金属接触结构，包括衬底、位于衬底上的介质层、长方体金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述长方体金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。

所述二维半导体材料的金属接触结构由如下制备步骤得到：

（1）在衬底上形成介质层，在介质层表面制备二维半导体材料；

（2）在二维半导体材料上通过掩蔽层定义出源漏电极区，所述的源漏电极区包括长方体金属电极区和齿状金属电极区；

（3）对上述掩蔽层定义出的源漏电极区进行刻蚀，刻蚀掉源漏电极区的二维半导体材料；

（4）采用等离子体对上述刻蚀后暴露出的二维半导体材料的边缘进行轰击处理，然后进行原位的源漏金属淀积，制备出源漏金属电极。所述的源漏金属电极包括长方体金属电极和齿状金属电极；

（5）在齿状金属电极表面淀积顶金属电极；

（6）定义出沟道并刻蚀掉沟道以外的二维半导体材料。

步骤（1）中，所述衬底为本领域常用衬底，如玻璃衬底、蓝宝石衬底、石英衬底、硅衬底或柔性衬底的任一种。

步骤（1）中，所述二维半导体材料的制备方法为化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积或机械剥离法。

步骤（2）中，所述掩蔽层为光刻胶或掩膜版。

优选为，所述掩蔽层的图形化方法为使用光刻工艺，通过曝光、显影等手段将光刻胶图形化；或者使用掩膜版，将含有电极图形的掩膜版紧贴在二维半导体材料表面进行图形化。

步骤（4）中，所述等离子体的轰击和源漏金属淀积过程均在同一个真空环境的磁控溅射腔体内完成。

优选为，所述等离子体的轰击是利用磁控溅射真空腔体中靶材表面产生的等离子体对二维半导体材料的边缘进行轰击处理。所述轰击的方法为：高纯氩气流量为30 sccm-50 sccm，在0.8Pa的溅射气压和10W-40 W的溅射功率下，利用靶材表面产生的等离子体对二维半导体材料的边缘轰击10秒-60秒。所述靶材与二维半导体材料的距离为5 cm-20 cm。

步骤（5）中，所述顶金属电极的制备方法为：用光刻工艺或掩膜版定义出顶金属电极的图形，然后采用真空蒸镀或溅射镀膜的方法制备顶金属电极。

步骤（3）或步骤（6）中，所述刻蚀的方法为本领域常用的干法刻蚀，如感应耦合等离子体刻蚀、反应离子刻蚀或离子铣刻蚀。

本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：本实用新型提供的一种二维半导体材料的金属接触结构，使金属电极与二维半导体材料通过边缘接触和部分顶部接触的方式相接触。相比于传统的全顶部接触的方式，采用齿状金属电极（边缘接触）加顶金属电极（部分顶接触）的构型可以减少顶部接触导致的晶格损伤和界面态；同时，相比于线形的全边缘接触的方式，齿状的边缘接触构型可以增大金属与二维半导体材料边缘的接触面积，本实用新型可以从边缘和顶部两个方面增大金属与二维半导体材料的接触面积，从而缓解了线形的全边缘接触方式存在的电荷拥堵效应（chargecrowdingeffect）。本实用新型可以使金属-二维半导体材料实现欧姆接触、降低接触电阻、提高器件的开关比，有望在未来被应用于大规模集成电路的生产中。

附图说明

图1是本实用新型半导体器件及接触方式的结构示意图。其中，(a)为晶体管的俯视图，(b)为晶体管的侧视图。

图2是本实用新型器件制备及形成金属接触的流程示意图。其中，(a)为原始的制备出的二维半导体材料的示意图，(b)为用掩蔽层定义源漏电极的结构示意图，(c)为刻蚀掉源漏电极区域下方的二维半导体材料后的结构示意图，(d)为淀积源漏金属电极后的示意图，(e)为淀积附加的顶金属电极后的结构示意图，(f)为定义沟道并刻蚀掉沟道以外的二维半导体材料后的器件结构俯视图。

图3是本实用新型对二维半导体材料边缘的等离子体轰击处理及原位的源漏金属淀积方法的示意图。

图中标号：1001为衬底，1002为介质层，2001为长方体金属电极，2002为齿状金属电极，2003为顶金属电极，3001为二维半导体材料，4001为掩蔽层，5001为真空腔体，5002为旋转托盘，5003为靶材I，5004为靶材II，6001为定义出源漏电极的样品。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的材料或具有相同或类似功能的方法。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的材料和方法进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。

以下，根据所附附图针对本实用新型所涉及的一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法的一例进行说明。

根据本实用新型的一个实施例，提供了一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。

在图1中示出了本实用新型半导体器件及接触方式，包括衬底1001、位于衬底上的介质层1002、长方体金属电极2001、齿状金属电极2002、顶金属电极2003以及位于介质层上的二维半导体材料3001。所述长方体金属电极2001和齿状金属电极2002相接，所述齿状金属电极2002与二维半导体材料3001的边缘接触，所述顶金属电极2003位于齿状金属电极2002上方。

在图2中示出了本实用新型器件制备及形成金属接触的流程；在图3中示出了本实用新型对二维半导体材料3001边缘的等离子体轰击处理及原位的源漏金属淀积方法。以下按照图2中所示的器件制备的各步骤，结合图3，针对具体的一例进行说明。制备的具体步骤如下：

首先，如图2(a)，在衬底1001上形成介质层1002，在介质层1002表面制备二维半导体材料3001。所述衬底1001为本领域常用衬底，如玻璃衬底、蓝宝石衬底、石英衬底、硅衬底或柔性衬底的任一种，所述二维半导体材料3001的制备方法为化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积或机械剥离法。作为具体的一例，本实施例中选用重掺杂的p型硅作为衬底1001，采用二氧化硅作为介质层1002，采用化学气相沉积法制备二维半导体材料3001。本实施例中选用的二维半导体材料3001为二硫化钼。

图2(b)示出了用掩蔽层4001定义源漏电极的结构。在二维半导体材料3001上通过掩蔽层4001定义出源漏电极区，所述的源漏电极区包括长方体金属电极区和齿状金属电极区，所述掩蔽层4001为光刻胶或掩膜版。所述掩蔽层4001的图形化方法为使用光刻工艺，通过曝光、显影等手段将光刻胶图形化；或者使用掩膜版，将含有电极图形的掩膜版紧贴在二维半导体材料3001表面进行图形化。作为具体的一例，本实施例中选用光刻工艺，使用光刻胶作为掩蔽层4001，通过曝光和显影在二维半导体材料3001二硫化钼表面获得源漏区域的图形。

图2(c)示出了刻蚀掉源漏电极区域下方的二维半导体材料3001后的结构。在掩蔽层4001的图形化的选择性保护下，对上述掩蔽层4001定义出的源漏电极区进行刻蚀，刻蚀掉源漏电极区的二维半导体材料3001。本实施例中选用感应耦合等离子体刻蚀法对源漏区域的二维半导体材料3001进行刻蚀。

图3和图2(d)示出了对二维半导体材料3001边缘的等离子体轰击处理及原位的源漏金属淀积。将经过上述步骤处理的定义出源漏电极的样品6001放置于真空腔体5001内的旋转托盘5002上，在高真空条件下，用靶材I 5003产生的等离子体对上述刻蚀后暴露出的二维半导体材料3001的边缘进行轰击处理，随后在不破坏真空的情况下，用靶材I 5003和靶材II 5004进行原位的源漏金属淀积，制备出源漏金属电极。所述的源漏金属电极包括长方体金属电极2001和齿状金属电极2002。所述等离子体的轰击和源漏金属淀积过程均在同一个真空环境的磁控溅射腔体内完成。作为具体的一例，本实施例中的靶材I 5003选用钛（Ti）靶，靶材II 5004选用金（Au）靶，金属电极为Ti/Au，厚度为5 nm/30 nm。所述等离子体的轰击是利用磁控溅射真空腔体5001中靶材表面产生的等离子体对二维半导体材料3001的边缘进行轰击处理。所述轰击的方法为：高纯氩气流量为40 sccm，在0.8Pa的溅射气压和20 W的溅射功率下，利用钛靶表面产生的等离子体对二维半导体材料3001的边缘轰击30秒。所述钛靶与二维半导体材料3001的距离为10 cm。

图2(e)示出了淀积附加的顶金属电极2003后的结构。在齿状金属电极2002表面淀积顶金属电极2003。所述顶金属电极2003的制备方法为：用光刻工艺或掩膜版定义出顶金属电极2003的图形，然后采用真空蒸镀或溅射镀膜的方法制备顶金属电极2003。作为具体的一例，本实施例中选用光刻工艺定义出顶金属电极2003的图形，采用磁控溅射法制备顶金属电极2003，所述顶金属电极2003为30 nm厚的金电极。

图2(f)示出了定义沟道并刻蚀掉沟道以外的二维半导体材料3001后的器件结构。用光刻工艺定义出沟道并刻蚀掉沟道以外的二维半导体材料3001。所述刻蚀的方法为本领域常用的干法刻蚀，如感应耦合等离子体刻蚀、反应离子刻蚀或离子铣刻蚀。本实施例中选用感应耦合等离子体刻蚀法对沟道以外的二维半导体材料3001进行刻蚀。

以上，针对本实用新型，一种二维半导体材料的金属接触结构进行了详细地说明，但本实用新型不限于以上的例子，在不脱离本实用新型的要旨的范围中，当然也可以进行各种的改良、变形。

Claims

1.一种二维半导体材料的金属接触结构，其特征在于，包括衬底、位于衬底上的介质层、长方体金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料；所述长方体金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。

2.根据权利要求1所述的二维半导体材料的金属接触结构，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底、蓝宝石衬底、石英衬底、硅衬底或柔性衬底的任一种。