CN212725312U - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括：柔性基板，其中，所述柔性基板的底部设有第一开口；位于所述柔性基板上的第一无机层；位于所述第一无机层上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括金属氧化物半导体层；位于所述硅半导体层上的第二无机层，其中，所述第二无机层设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口至少部分重叠。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

LTPO是一种低功耗显示技术，LTPO TFT具有比LTPS TFT更低的驱动功率，越来越受到人们的追捧。

目前常见的LTPO产品为双层SD结构，使用双层SD结构通常有17-18Mask。在现有的制程中，为了加强弯折区的弯折性能，一般是对弯折区的无机层进行两次开孔以形成ODH(Organic Deep Hole)孔再填充有机材料，对工艺精度要求较高，容易影响产品良率。

实用新型内容

本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，以在保证弯折区的弯折性能的同时提高产品良率。

本申请实施例提供了一种显示面板，包括第一区和连接于所述第一区的弯折的第二区，所述显示面板包括：柔性基板，其中，所述柔性基板的底部设有第一开口，所述第一开口位于所述第二区内；位于所述柔性基板远离所述第一开口一侧上的第一无机层；位于所述第一无机层上并位于所述第一区内的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括金属氧化物半导体层；位于所述硅半导体层上的第二无机层，其中所述第二无机层设有第二开口，所述第二开口位于所述第二区内，所述第二开口与所述第一开口至少部分重叠；以及位于所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二无机层上的有机层，所述有机层位于所述第二开口内。

根据本申请一实施例，所述第二无机层包括位于所述硅半导体层上的第一栅极绝缘层，所述第二开口部分贯穿所述第一栅极绝缘层。

根据本申请一实施例，所述显示面板还包括位于所述第二开口内的信号线，所述信号线的底部与所述硅半导体层的顶部齐平

根据本申请一实施例，所述第二无机层还包括位于所述第一栅极绝缘层上的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的第一层间介电层、位于所述第一层间介电层上的第三栅极绝缘层，以及位于所述第三栅极绝缘层上的第二层间介电层；所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一栅极绝缘层和所述第二绝缘层之间且对应于所述硅半导体层的第一栅极、位于所述第二绝缘层和所述第一层间介电层之间且对应于所述第一栅极的第一导电层，以及连接于所述硅半导体层的第一源极和第一漏极；所述第二薄膜晶体管的所述金属氧化物半导体层位于所述第一层间介电层和所述第三栅极绝缘层之间，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二绝缘层和所述第一层间介电层之间且对应于所述金属氧化物半导体层的第三栅极、位于所述第三栅极绝缘层和所述第二层间介电层之间且对应于所述金属氧化物半导体层的第四栅极，以及连接于所述金属氧化物半导体层的第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和所述第一漏极，以及所述第二源极和所述第二漏极同层。

根据本申请一实施例，所述第二开口远离所述柔性基板的顶部大于所述第二开口的底部。

根据本申请一实施例，所述第一开口大于或等于所述第二开口的顶部，或者，所述第一开口大于或等于所述第二开口的所述底部且小于所述第二开口的所述顶部。

根据本申请一实施例，所述第一开口远离所述第一无机层的底部大于所述第一开口的顶部。

根据本申请一实施例，所述第一开口的倾斜角大于所述第二开口的倾斜角。

根据本申请一实施例，所述第一开口的中心部分的深度大于所述第一开口的周围部分的深度，其中，所述中心部分与所述第二开口的所述底部重叠。

根据本申请一实施例，所述第一开口有多个，多个所述第一开口相互间隔设置在所述柔性基板上。

根据本申请一实施例，位于中心部分的所述第一开口的深度大于位于周围部分的所述第一开口的深度；或者，位于中心部分的所述第一开口的宽度大于位于周围部分的所述第一开口的宽度；或者位于中心部分的多个所述第一开口的分布密度大于位于周围部分的多个所述第一开口的分布密度。

根据本申请一实施例，所述第二开口的深度为1.1μm-1.4μm，所述第二开口的倾斜角为30°-60°。

根据本申请一实施例，所述第二开口不贯穿所述第一无机层。

根据本申请一实施例，所述第一开口和所述第二开口是对称的。

根据本申请一实施例，所述柔性基板包括第一柔性衬底、位于所述第一柔性衬底上的第二柔性衬底和位于所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底之间的承载层，所述第一开口和所述第二开口的对称面位于所述第二柔性衬底的1/3厚度处的平面和所述第二柔性衬底的1/2厚度处的平面之间，所述第一开口设于所述第一柔性衬底的底部。

根据本申请一实施例，所述第二开口包括远离所述柔性基板的第一开口部和连接于所述第一开口部并靠近所述柔性基板的第二开口部，所述第一开口部和所述第二开口部对称设置，所述第一开口部的远离所述柔性基板的顶部大于所述第一开口部的底部。

本申请一实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。

本实用新型的实施例提供的显示面板及显示装置中，所述第二开口设置在所述硅半导体层上的所述第二无机层中，并且所述柔性基板对应所述第二开口设置有所述第一开口，从而能够保证弯折区的弯折性能的同时提高产品良率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请一实施例提供的一种显示面板的剖视示意图；

图2为本申请一实施例提供的显示面板的第二区的剖视示意图；

图3为本申请一实施例提供的显示面板的第二区的剖视示意图；

图4为本申请一实施例提供的显示面板的第二区的剖视示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

下面结合附图和实施例对本申请作进一步说明。

如图1所示，本申请的一实施例提供一种显示面板1，包括第一区11和连接于所述第一区11的弯折的第二区12，第二区12用于弯折到显示面板的背面，以缩窄下边框。所述显示面板1包括柔性基板2、第一无机层3、第一薄膜晶体管4和第二薄膜晶体管5、第二无机层6，和有机层7。可选地，所述显示面板1是OLED(有机发光二极管)显示面板，所述第一区11为显示区，所述第二区12为非显示区。

所述柔性基板2的底部设有第一开口211，所述第一开口211位于所述第二区12内。可选地，所述柔性基板2包括单层结构或者多层结构。

所述第一无机层3位于所述柔性基板2远离所述第一开口211一侧上。

所述第一薄膜晶体管4和第二薄膜晶体管5位于所述第一无机层3上并位于所述第一区11。其中，所述第一薄膜晶体管4包括硅半导体层40，所述第二薄膜晶体管5包括金属氧化物半导体层50。可选地，所述硅半导体层40的材料包括单晶硅或者低温多晶硅，所述金属氧化物半导体层50的材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)或者氧化锌(ZnO)。

所述第二无机层6位于所述硅半导体层40上。其中，所述第二无机层6设有第二开口611，所述第二开口611位于所述第二区12内，所述第二开口611与所述第一开口211至少部分重叠。

所述有机层7位于所述第一薄膜晶体管4、所述第二薄膜晶体管5和所述第二无机层6上。所述有机层7从所述第一区11延伸到第二区12，且位于所述第二开口611内。

本实用新型的实施例提供的显示面板1中，所述第一无机层3和所述第二无机层6分别设置在所述第一薄膜晶体管4的硅半导体层的两侧，所述第二开口611设置在所述第二无机层6中，相对于现有技术中在第一无机层和第二无机层中形成两个第二开口，能够减少形成第二开口的工艺复杂程度；并且所述柔性基板2对应所述第二开口611设置有所述第一开口211，并且在所述第二开口611内填充柔性更好的有机层，从而能够在保证弯折区的弯折性能的同时提高产品良率。

在一实施例中，请参阅图1，所述第二开口611不贯穿所述第一无机层3。所述第一无机层3包括缓冲层30、位于所述缓冲层30上的氮化硅层31和位于所述氮化硅层31上的氧化硅层32。其中，所述缓冲层30的厚度为400nm-600nm，所述氮化硅层31的厚度为40nm-60nm，所述氧化硅层32的厚度为200nm-400nm。在其他实施例中，所述第一无机层3可仅包括两层结构，如氮化硅层31及氧化硅层32。这样，可以节省一道ODH光罩，并且可以阻挡水汽从所述第二区12入侵至所述第一区11，防止水汽入侵导致的OLED失效，从而提升产品良率。

所述第二无机层6可以是单层结构或者多层结构。具体地，本实施例中的所述第二无机层6包括多层结构。所述第二无机层6包括位于所述硅半导体层40上的第一栅极绝缘层61，所述第二开口611至少部分贯穿所述第一栅极绝缘层61。可选地，第二开口611部分贯穿所述第一栅极绝缘层61，所述第二开口611下方的所述第一栅极绝缘层61的厚度为1nm-50nm。这样，保留的所述第一栅极绝缘层61可以阻挡水汽从所述第二区12入侵至所述第一区11，并且可以保护所述第一无机层3在后续制程中受到损伤。

可选地，所述显示面板1还包括位于所述第二开口611内的信号线8，所述信号线8的底部与所述硅半导体层40的顶部齐平。可选地，所述信号线8沿所述第二开口611的部分或全部内壁延伸。

可选地，所述第二无机层6还包括位于所述第一栅极绝缘层61上的第二绝缘层62、位于所述第二绝缘层62上的第一层间介电层63、位于所述第一层间介电层63上的第三栅极绝缘层64，以及位于所述第三栅极绝缘层64上的第二层间介电层65。

所述第一薄膜晶体管4还包括位于所述第一栅极绝缘层61和所述第二绝缘层62之间且对应于所述硅半导体层40的第一栅极41、位于所述第二绝缘层62和所述第一层间介电层63之间且对应于所述第一栅极41的第一导电层42，以及连接于所述硅半导体层40的第一源极43和第一漏极44。其中，所述第一导电层42可与所述第一栅极41形成电容。

所述第二薄膜晶体管5的所述金属氧化物半导体层50位于所述第一层间介电层63和所述第三栅极绝缘层64之间，所述第二薄膜晶体管5还包括位于所述第二绝缘层62和所述第一层间介电层63之间且对应于所述金属氧化物半导体层50的第三栅极51、位于所述第三栅极绝缘层64和所述第二层间介电层65之间且对应于所述金属氧化物半导体层50的第四栅极52，以及连接于所述金属氧化物半导体层50的第二源极53和第二漏极54。其中，所述第二开口611贯穿所述第二绝缘层62、所述第一层间介电层63、所述第三栅极绝缘层64，以及所述第二层间介电层65和至少部分所述第一栅极绝缘层61，所述第二开口611的深度为1.1μm-1.4μm，所述第一源极43和所述第一漏极44，以及所述第二源极53和所述第二漏极54同层。

在一实施例中，所述第二开口611远离所述柔性基板2的顶部大于所述第二开口611的底部。这样，便于开孔工艺的进行，并且易于弯折，而且沿所述开口611内壁延伸的所述信号线8不易断裂。

可选地，所述第一开口211大于或等于所述第二开口611的顶部，或者，所述第一开口211大于或等于所述第二开口611的所述底部且小于所述第二开口611的所述顶部。

可选地，所述第一开口211远离所述第一无机层3的底部大于所述第一开口211的顶部。这样，能够将弯折的轴线限制在所述第一开口211的限定的范围内，保证了弯折的稳定性。

可选地，所述第一开口211的倾斜角α大于所述第二开口611的倾斜角β。其中，所述一开口的倾斜角α是指在截面图中，所述第一开口211的侧壁与未设置所述第一开口211的所述柔性基板2形成的夹角。所述二开口的倾斜角β是指在截面图中，所述第二开口611的侧壁与未设置所述第二开口611的所述第一栅极绝缘层61形成的夹角。可选地，所述第二开口611的倾斜角β为30°-60°，所述第一开口211的倾斜角α为大于30°的锐角如45°、60°或者85°。这样，可以保证弯折的轴线被限定在所述第一开口211限定的范围内，保证了弯折的稳定性。

可选地，所述第一开口211的中心部分的深度大于所述第一开口211的周围部分的深度，其中，所述中心部分与所述第二开口611的所述底部重叠。这样，可以保证弯折的轴线被限制在所述第二开口611的所述底部限定的范围内。

可选地，请参阅图2，所述第一开口211有多个，多个所述第一开口211相互间隔设置在所述柔性基板2上。即，所述柔性基板2的底部可以被图案化以形成多个开口。

可选地，位于中心部分的所述第一开口211的深度大于位于周围部分的所述第一开口211的深度；或者，位于中心部分的所述第一开口211的宽度大于位于周围部分的所述第一开口211的宽度；或者位于中心部分的多个所述第一开口211的分布密度大于位于周围部分的多个所述第一开口211的分布密度。其中，位于所述中心部分的多个所述第一开口211与所述第二开口611的所述底部重叠。这样，可以保证弯折的轴线被限制在所述第二开口611的所述底部限定的范围内。

在一实施例中，请参阅图3，所述第一开口211和所述第二开口611在水平方向上是对称的，即所述第一开口211的侧壁的延长线与所述第二开口611的侧壁的延长线在一条直线上。

可选地，所述柔性基板2包括第一柔性衬底21、位于所述第一柔性衬底21上的第二柔性衬底22和位于所述第一柔性衬底21和所述第二柔性衬底22之间的承载层23，所述第一开口211和所述第二开口611的对称面位于所述第二柔性衬底22的1/3厚度处的平面和所述第二柔性衬底22的1/2厚度处的平面之间，所述第一开口211设于所述第一柔性衬底21的底部。可选地，所述第一柔性衬底21厚于所述第二柔性衬底22，没有设置所述第一开口211的所述第一柔性衬底21的厚度为3μm-10μm，所述第一开口211上的所述第一柔性衬底21的厚度为1μm-5μm。这样，可以使得中性面(应力为0的面)接近或者位于所述信号线8上。

在一实施例中，请参阅图4，所述第二开口611包括远离所述柔性基板2的第一开口部613和连接于所述第一开口部613并靠近所述柔性基板2的第二开口部614，所述第一开口部613和所述第二开口部614对称设置，所述第一开口部613的远离所述柔性基板2的顶部大于所述第一开口部613的底部。可选地，所述第一开口部613和所述第二开口部614沿水平方向对称，并且通过一道光罩形成。这样，可以方便开孔工艺的进行，能够将弯折的轴线限制在所述第二开口611的限定的范围内，保证了弯折的稳定性。

在一实施例中，所述有机层7是连续的，包括位于所述第一区11内的第一部分和位于所述第二区12的第二部分，所述第二部分位于所述第二开口611内并覆盖所述信号线8。

在一实施例中，所述显示面板1还包括位于所述有机层7上的第二金属层90、位于所述第二金属层90上的第二有机层93以及发光层。所述发光层包括第一电极91、位于所述第一电极91上的第二电极92，以及位于所述第一电极91和所述第二电极92之间的发光材料94。所述第一电极91通过所述第二金属层90电性连接于所述第一薄膜晶体管4的所述第一漏极44。

本实用新型的实施例提供的显示面板1中，所述第一无机层3和所述第二无机层6分别设置在所述第一薄膜晶体管4的硅半导体层的两侧，所述第二开口611设置在所述第二无机层6中，相对于现有技术中在第一无机层和第二无机层中形成两个第二开口，能够减少形成第二开口的工艺复杂程度；并且所述柔性基板2对应所述第二开口611设置有所述第一开口211，并且在所述第二开口611内填充柔性更好的有机层，从而能够在保证弯折区的弯折性能的同时提高产品良率。

本申请的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板1。其中，显示装置可以是具有显示功能的产品或者部件，例如显示模组，固定终端如台式电脑、电视机，移动终端如智能手机、个人数字助理，或者可穿戴设备如智能手表、头戴式设备。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (17)

1.一种显示面板，包括第一区和连接于所述第一区的弯折的第二区，其特征在于，所述显示面板包括：

柔性基板，其中，所述柔性基板的底部设有第一开口，所述第一开口位于所述第二区内；

位于所述柔性基板远离所述第一开口一侧上的第一无机层；

位于所述第一无机层上并位于所述第一区内的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括金属氧化物半导体层；

位于所述硅半导体层上的第二无机层，其中所述第二无机层设有第二开口，所述第二开口位于所述第二区内，所述第二开口与所述第一开口至少部分重叠；以及

位于所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二无机层上的有机层，所述有机层位于所述第二开口内。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层包括位于所述硅半导体层上的第一栅极绝缘层，所述第二开口部分贯穿所述第一栅极绝缘层。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述第二开口内的信号线，所述信号线的底部与所述硅半导体层的顶部齐平。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层还包括位于所述第一栅极绝缘层上的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的第一层间介电层、位于所述第一层间介电层上的第三栅极绝缘层，以及位于所述第三栅极绝缘层上的第二层间介电层；

所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一栅极绝缘层和所述第二绝缘层之间且对应于所述硅半导体层的第一栅极、位于所述第二绝缘层和所述第一层间介电层之间且对应于所述第一栅极的第一导电层，以及连接于所述硅半导体层的第一源极和第一漏极；

所述第二薄膜晶体管的所述金属氧化物半导体层位于所述第一层间介电层和所述第三栅极绝缘层之间，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二绝缘层和所述第一层间介电层之间且对应于所述金属氧化物半导体层的第三栅极、位于所述第三栅极绝缘层和所述第二层间介电层之间且对应于所述金属氧化物半导体层的第四栅极，以及连接于所述金属氧化物半导体层的第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和所述第一漏极，以及所述第二源极和所述第二漏极同层。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口远离所述柔性基板的顶部大于所述第二开口的底部。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口大于或等于所述第二开口的顶部，或者，所述第一开口大于或等于所述第二开口的所述底部且小于所述第二开口的所述顶部。

7.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口远离所述第一无机层的底部大于所述第一开口的顶部。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口的倾斜角大于所述第二开口的倾斜角。

9.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口的中心部分的深度大于所述第一开口的周围部分的深度，其中，所述中心部分与所述第二开口的所述底部重叠。

10.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口有多个，多个所述第一开口相互间隔设置在所述柔性基板上。

11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，位于中心部分的所述第一开口的深度大于位于周围部分的所述第一开口的深度；或者，位于中心部分的所述第一开口的宽度大于位于周围部分的所述第一开口的宽度；或者位于中心部分的多个所述第一开口的分布密度大于位于周围部分的多个所述第一开口的分布密度。

12.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口的深度为1.1μm-1.4μm，所述第二开口的倾斜角为30°-60°。

13.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口不贯穿所述第一无机层。

14.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口是对称的。

15.如权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述柔性基板包括第一柔性衬底、位于所述第一柔性衬底上的第二柔性衬底和位于所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底之间的承载层，所述第一开口和所述第二开口的对称面位于所述第二柔性衬底的1/3厚度处的平面和所述第二柔性衬底的1/2厚度处的平面之间，所述第一开口设于所述第一柔性衬底的底部。

16.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口包括远离所述柔性基板的第一开口部和连接于所述第一开口部并靠近所述柔性基板的第二开口部，所述第一开口部和所述第二开口部对称设置，所述第一开口部的远离所述柔性基板的顶部大于所述第一开口部的底部。

17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-16任一项所述的显示面板。

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