CN212626041U - 5g毫米波双极化天线单元、天线阵列及终端设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了5G毫米波双极化天线单元、天线阵列及终端设备,5G毫米波双极化天线单元包括基体及设于基体内的两组馈电组件,基体的顶面设有与馈电组件导通的呈正方形的辐射贴片,基体的底面设有地层及与馈电组件导通的馈电口,馈电组件包括阻抗变换微带线,两个阻抗变换微带线相互垂直设置,基体内设有导通辐射贴片和地层的短路结构,短路结构位于两个阻抗变换微带线的延长线的交点处。短路结构在拓宽天线带宽的同时提高了极化的隔离度,有效地改善了天线性能;能够有效地覆盖N257波段,可以满足5G通信终端设备在该波段的应用;基体厚度小,利于减弱基体表面波,利于进一步改善天线性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及天线技术领域,尤其涉及5G毫米波双极化天线单元、天线阵列及终端设备。
背景技术
第五代移动通信技术(5G)即将进入商用,根据通信频段,可以分为sub-6GHz和毫米波段。其中,毫米波段拥有丰富的频谱资源能够极大地提高通信速率,且具有低延迟的优点。同之前已经广泛应用的低频段相比,由于毫米波传输时路径损耗较大,其传输距离较短,因此需要将多个天线单元组成阵列提高增益。然而高增益致使天线的波束变窄,为了增大天线的覆盖范围,波束赋形技术得到应用。
贴片天线因为其简单的结构被广泛应用。为了增加带宽,采用较厚的介质,但是较厚的介质带来了表面波,对天线性能造成影响,尤其当其组成阵列天线时,表面波对扫描的性能影响较大。另外,现有的5G毫米波双极化天线单元还存在极化隔离度偏差的问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种5G毫米波双极化高性能天线单元、天线阵列及终端设备。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案一为:5G毫米波双极化天线单元,包括基体及设于所述基体内的两组馈电组件,所述基体的顶面设有与所述馈电组件导通的呈正方形的辐射贴片,所述基体的底面设有地层及与所述馈电组件导通的馈电口,所述馈电组件包括阻抗变换微带线,两个所述阻抗变换微带线相互垂直设置,所述基体内设有导通所述辐射贴片和所述地层的短路结构,所述短路结构位于两个所述阻抗变换微带线的延长线的交点处。
进一步的,所述馈电组件还包括第一匹配枝节、第二匹配枝节和馈电柱,所述阻抗变换微带线的一端设有与所述馈电口导通的第一匹配枝节,所述阻抗变换微带线的另一端连接所述馈电柱的一端,所述馈电柱的另一端连接所述辐射贴片。
进一步的,所述辐射贴片上具有对应于所述阻抗变换微带线设置的缝隙,所述缝隙与所述阻抗变换微带线垂直。
进一步的,两个所述阻抗变换微带线分别沿所述辐射贴片的两条斜对角线设置,或者,两个所述阻抗变换微带线分别垂直于所述辐射贴片的两条边线设置。
进一步的,所述基体沿竖直方向的投影轮廓呈正方形,两个所述阻抗变换微带线分别沿所述投影轮廓的两条斜对角线设置,或者,两个所述阻抗变换微带线分别垂直于所述投影轮廓的两条边线设置。
进一步的,所述基体的四周设有隔离墙。
进一步的,所述隔离墙上设有开窗。
进一步的,所述基体为低温共烧陶瓷体或多层线路板。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案二为:天线阵列,包括上述5G毫米波双极化天线单元。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案三为:终端设备,包括上述天线阵列。
本实用新型的有益效果在于:本5G毫米波双极化天线单元内具有短路结构,在拓宽天线带宽的同时提高了极化的隔离度,有效地改善了天线性能;本5G毫米波双极化天线单元及天线阵列能够有效地覆盖N257(26.5至29.5GHz)波段,可以满足5G通信终端设备在该波段的应用;另外,本5G毫米波双极化天线单元中基体厚度能够做得较小,利于减弱基体表面波,利于进一步改善天线性能。
附图说明
图1为本实用新型实施例一的5G毫米波双极化天线单元的结构示意图;
图2为本实用新型实施例一的5G毫米波双极化天线单元的俯视图;
图3为本实用新型实施例一的5G毫米波双极化天线单元的剖视图;
图4为本实用新型的5G毫米波双极化天线单元的另一种结构的结构示意图;
图5为本实用新型的5G毫米波双极化天线单元的另一种结构的结构示意图;
图6为本实用新型的5G毫米波双极化天线单元的另一种结构的结构示意图;
图7为本实用新型实施例一的5G毫米波双极化天线单元的s参数图;
图8为本实用新型实施例一的5G毫米波双极化天线单元的增益仿真结果图;
图9为本实用新型实施例一的5G毫米波双极化天线单元的辐射方向仿真结果图;
图10为本实用新型的一种天线阵列的俯视图;
图11为本实用新型实施例一的天线阵列的俯视图;
图12为本实用新型实施例一的天线阵列的立体图;
图13为本实用新型实施例一的天线阵列的辐射方向仿真结果图;
图14为本实用新型实施例一的天线阵列的CDF仿真结果图;
图15为本实用新型实施例一的天线阵列与芯片集成的结构示意图;
图16为本实用新型实施例一的终端设备的结构示意图;
图17为本实用新型实施例一的终端设备中的天线***的CDF仿真结果图。
标号说明:
1、基体;2、辐射贴片;3、地层;4、馈电口;5、阻抗变换微带线;6、短路结构;7、第一匹配枝节;8、第二匹配枝节;9、馈电柱;10、缝隙;11、隔离墙;12、开窗;13、芯片。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1至图17,5G毫米波双极化天线单元,包括基体1及设于所述基体1内的两组馈电组件,所述基体1的顶面设有与所述馈电组件导通的呈正方形的辐射贴片2,所述基体1的底面设有地层3及与所述馈电组件导通的馈电口4,所述馈电组件包括阻抗变换微带线5,两个所述阻抗变换微带线5相互垂直设置,所述基体1内设有导通所述辐射贴片2和所述地层3的短路结构6,所述短路结构6位于两个所述阻抗变换微带线5的延长线的交点处。
从上述描述可知,本实用新型的有益效果在于:本5G毫米波双极化天线单元内具有短路结构6,在拓宽天线带宽的同时提高了极化的隔离度,有效地改善了天线性能;本5G毫米波双极化天线单元及天线阵列能够有效地覆盖N257(26.5至29.5GHz)波段,可以满足5G通信终端设备在该波段的应用;另外,本5G毫米波双极化天线单元中基体1厚度能够做得较小,利于减弱基体1表面波,利于进一步改善天线性能。
进一步的,所述馈电组件还包括第一匹配枝节7、第二匹配枝节8和馈电柱9,所述阻抗变换微带线5的一端设有与所述馈电口4导通的第一匹配枝节7,所述阻抗变换微带线5的另一端连接所述馈电柱9的一端,所述馈电柱9的另一端连接所述辐射贴片2。
由上述描述可知,馈电组件结构简单,加工容易;第一、二匹配枝节的作用主要用于增加天线的容性、抵消天线的感性,增加第一、二匹配枝节的长度或者宽度,均可增加天线的容性。而且在第一/二匹配枝节与阻抗变换微带线5两者的协作下,于馈电口4处,阻抗可匹配到50ohm。
进一步的,所述辐射贴片2上具有对应于所述阻抗变换微带线5设置的缝隙10,所述缝隙10与所述阻抗变换微带线5垂直。
由上述描述可知,缝隙10作用主要用来调节匹配和两个馈电口4的隔离,同时对工作频率也有一定影响。
进一步的,两个所述阻抗变换微带线5分别沿所述辐射贴片2的两条斜对角线设置,或者,两个所述阻抗变换微带线5分别垂直于所述辐射贴片2的两条边线设置。
进一步的,所述基体1沿竖直方向的投影轮廓呈正方形,两个所述阻抗变换微带线5分别沿所述投影轮廓的两条斜对角线设置,或者,两个所述阻抗变换微带线5分别垂直于所述投影轮廓的两条边线设置。
由上述描述可知,本5G毫米波双极化天线单元至少包括上述四种构造形式,上述四种构造形式包含了水平/垂直极化和±45°极化。本5G毫米波双极化天线单元的具体构造多种多样,用户可以按需选择。
进一步的,所述基体1的四周设有隔离墙11。
由上述描述可知,隔离墙11的设置能够增大单元间的隔离,利于进一步改善天线单元的性能。
进一步的,所述隔离墙11上设有开窗12。
由上述描述可知,当多个5G毫米波双极化天线单元形成天线阵列时,隔离墙11上开窗12的存在能够提高天线阵列扫描到大角度时的匹配,从而改善天线阵列的性能。
进一步的,所述基体1为低温共烧陶瓷体或多层线路板。
由上述描述可知,低温共烧陶瓷体或多层线路板制成的基体1能够方便后续5G毫米波双极化天线单元与芯片13集成,利于降低生产成本。而且,低温共烧陶瓷体或多层线路板制成的基体1还能够为馈电组件的设置提供便利,降低加工难度。
天线阵列,包括上述5G毫米波双极化天线单元。
由上述描述可知,本天线阵列波束覆盖范围广,性能优异。
终端设备,包括上述天线阵列。
由上述描述可知,当终端设备具有多个上述天线阵列时,终端设备能够实现多方位覆盖。
实施例一
请参照图1至图17,本实用新型的实施例一为:请结合图1至图3,5G毫米波双极化天线单元,包括基体1及设于所述基体1内的两组馈电组件,所述基体1的顶面设有与所述馈电组件导通的呈正方形的辐射贴片2,所述基体1的底面设有地层3及与所述馈电组件导通的馈电口4,详细的,所述地层3设有具有两个未覆盖区域,所述馈电口4设于所述未覆盖区域内,从而防止馈电口4与地层3导通。本实施例中的所述基体1沿竖直方向的投影轮廓呈正方形。进一步的,所述基体1为低温共烧陶瓷体或多层线路板。
所述馈电组件包括阻抗变换微带线5,两个所述阻抗变换微带线5相互垂直设置,所述基体1内设有导通所述辐射贴片2和所述地层3的短路结构6,所述短路结构6位于两个所述阻抗变换微带线5的延长线的交点处,优选的,所述短路结构6与所述辐射贴片2的连接处位于所述辐射贴片2的中央区域。具体的,所述馈电组件还包括第一匹配枝节7、第二匹配枝节8和馈电柱9,所述阻抗变换微带线5的一端设有与所述馈电口4导通的第一匹配枝节7,所述阻抗变换微带线5的另一端连接所述馈电柱9的一端,所述馈电柱9的另一端连接所述辐射贴片2,所述馈电柱9既可以是探针结构,也可以是金属化孔结构,还可以是孔内填充成型结构。
可选的,所述辐射贴片2上具有对应于所述阻抗变换微带线5设置的缝隙10,所述缝隙10与所述阻抗变换微带线5垂直。本实施例中,所述缝隙10呈长条形,所述缝隙10横跨所述阻抗变换微带线5的两侧。需要说明的是,在其他实施例中,也可以不设置所述缝隙10。
本实施例中,两个所述阻抗变换微带线5分别垂直于所述辐射贴片2的两条边线设置,且两个所述阻抗变换微带线5分别沿所述投影轮廓的两条斜对角线设置,即本实施例的5G毫米波双极化天线单元中的两个馈电柱9分别激励天线的±45°极化。容易理解的,此时,所述缝隙10的长度方向与辐射贴片2的边长方向一致。如图4所示,在其他的一个实施例中,两个所述阻抗变换微带线5分别沿所述辐射贴片2的两条斜对角线设置,且两个所述阻抗变换微带线5分别沿所述投影轮廓的两条斜对角线设置,此时,5G毫米波双极化天线单元中的两个馈电柱9分别激励天线的±45°极化。如图5所示,在其他的另一个实施例中,两个所述阻抗变换微带线5分别垂直于所述辐射贴片2的两条边线设置,且两个所述阻抗变换微带线5分别垂直于所述投影轮廓的两条边线设置,此时,5G毫米波双极化天线单元中的两个馈电柱9分别激励天线的垂直极化和水平极化。如图6所示,在其他的再一个实施例中,两个所述阻抗变换微带线5分别沿所述辐射贴片2的两条斜对角线设置,且两个所述阻抗变换微带线5分别垂直于所述投影轮廓的两条边线设置,此时,5G毫米波双极化天线单元中的两个馈电柱9分别激励天线的垂直极化和水平极化。由此可见,本5G毫米波双极化天线单元既可以用作垂直水平双极化天线,也可以用作±45°双极化天线。
请结合图1至图3,可选的,所述短路结构6为短路柱,本实施例中,所述短路结构6包括四个相互导通的短路柱,四个所述短路柱呈矩形排布,形成矩形体,所述阻抗变换微带线5垂直于所述矩形体的侧面设置。
进一步的,所述基体1的四周设有隔离墙11以提高5G毫米波双极化天线单元间的隔离,进而保证天线性能。
请结合图10至图12和图15,本实施例还提供一种天线阵列,该天线阵列包括多个上述5G毫米波双极化天线单元,数量为多个的所述5G毫米波双极化天线单元呈一排设置,通过调整所述5G毫米波双极化天线的馈电相位,该天线阵列即可实现波束扫描的能力。详细的,该天线阵列可以通过flip chip的方式与芯片13集成,芯片13中的移相器可为5G毫米波双极化天线提供相位差,从而实现波束赋形的能力。
为了让阅者更清楚地理解本技术方案,申请人接下来以覆盖N257(26.5至29.5GHz)波段的本5G毫米波双极化天线单元为例进行更详细的阐述。所述辐射贴片2、短路柱、馈电柱9、第一匹配枝节7、阻抗变换微带线5、第二匹配枝节8、地层3和隔离墙11均为金属/金属化结构。为了覆盖N257波段,基体1的厚度约为0.06倍的介质波长。辐射贴片2的边长约为该天线工作频率下的半介质波长,即如基体1的介电常数为6,工作在N257波段的该辐射贴片2的边长约为2.2mm,辐射贴片2中心通过短路柱连接地层3。
图7至图9给出了覆盖N257波段的该5G毫米波双极化天线单元的仿真性能结果图。其中,所述基体1的材质选用RO4350,5G毫米波双极化天线单元的轮廓尺寸为4.5mm*4.5mm*0.65mm。如图7所示,对于反射系数小于-10dB,5G毫米波双极化天线单元的带宽从26.2GHz到29.8GHz,覆盖N257波段,且两个馈电口4的隔离度大于22dB。图8给出了该5G毫米波双极化天线单元的增益,可以看到在带宽内,增益约为5.6~6.4dBi。图9给出了该5G毫米波双极化天线单元的方向图,由图可知,该5G毫米波双极化天线单元呈现定向辐射,且交叉极化良好。
如图10至图12中所示,将四个前述5G毫米波双极化天线单元组成天线阵列,图10和图11给出了两种不同的组成方式,图12为图11所示组成方式的的3D示意图。相邻的两个5G毫米波双极化天线单元的中心距离约为半波长,工作在N257波段时,中心距离约为4.5mm至5mm。根据不同的设计要求,工作在N257波段时,整个天线阵列的尺寸约为长17mm至20mm,宽4.4至5mm。图中注意到,同5G毫米波双极化天线单元相比,在天线阵列中,隔离墙11上开了开窗12,这是为了提高天线阵列扫描到大角度时的匹配。图13给出了该天线阵列的扫描性能。该天线阵列的最大增益为10.4dBi,若选取7dBi作为阈值,该天线阵列的波束覆盖范围为±70度。图14给出了该天线阵列的CDF仿真结果图,从图10可以看到若选取7dBi作为阈值,CDF值为0.7,即该天线阵列在30%的空间上的增益大于7dBi。因此,该天线阵列具有优良的天线性能。图15给出了该天线阵列与芯片13集成的结构示意图。
如图16所示,本实施例还提供一种终端设备,该终端设备包括至少一个上述天线阵列,本实施例中,所述天线阵列的数量为三个,一个所述天线阵列设于所述终端设备的左边框上,面向Y轴负方向,另一个所述天线阵列设于所述终端设备的右边框上,面向Y轴正方向,剩下的一个所述天线阵列设于所述终端设备的背部,面对Z轴正方向,由此可见,本终端设备实现了实现多方位覆盖。
图17给出了该终端设备的天线***的CDF仿真结果图,从图17可以看到该终端设备的天线***在78%的空间上可以实现增益大于7dBi,在92%的空间上,可以实现增益大于5dBi。
综上所述,本实用新型提供的5G毫米波双极化天线单元、天线阵列及终端设备,拥有较宽的带宽,能够很好的覆盖N257(26.5至29.5GHz)波段,可以满足5G通信终端设备在该波段的应用;极化隔离度高,天线性能优良;基体采用LTCC或多层板制成,不仅厚度小,利于降低表面波,进一步改善天线性能,而且后续与芯片集成方便;可通过第一/二匹配枝节、缝隙等调节天线性能,调试方便。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (10)
1.5G毫米波双极化天线单元,包括基体及设于所述基体内的两组馈电组件,所述基体的顶面设有与所述馈电组件导通的呈正方形的辐射贴片,所述基体的底面设有地层及与所述馈电组件导通的馈电口,其特征在于:所述馈电组件包括阻抗变换微带线,两个所述阻抗变换微带线相互垂直设置,所述基体内设有导通所述辐射贴片和所述地层的短路结构,所述短路结构位于两个所述阻抗变换微带线的延长线的交点处。
2.根据权利要求1所述的5G毫米波双极化天线单元,其特征在于:所述馈电组件还包括第一匹配枝节、第二匹配枝节和馈电柱,所述阻抗变换微带线的一端设有与所述馈电口导通的第一匹配枝节,所述阻抗变换微带线的另一端连接所述馈电柱的一端,所述馈电柱的另一端连接所述辐射贴片。
3.根据权利要求1所述的5G毫米波双极化天线单元,其特征在于:所述辐射贴片上具有对应于所述阻抗变换微带线设置的缝隙,所述缝隙与所述阻抗变换微带线垂直。
4.根据权利要求1所述的5G毫米波双极化天线单元,其特征在于:两个所述阻抗变换微带线分别沿所述辐射贴片的两条斜对角线设置,或者,两个所述阻抗变换微带线分别垂直于所述辐射贴片的两条边线设置。
5.根据权利要求1所述的5G毫米波双极化天线单元,其特征在于:所述基体沿竖直方向的投影轮廓呈正方形,两个所述阻抗变换微带线分别沿所述投影轮廓的两条斜对角线设置,或者,两个所述阻抗变换微带线分别垂直于所述投影轮廓的两条边线设置。
6.根据权利要求1所述的5G毫米波双极化天线单元,其特征在于:所述基体的四周设有隔离墙。
7.根据权利要求6所述的5G毫米波双极化天线单元,其特征在于:所述隔离墙上设有开窗。
8.根据权利要求1所述的5G毫米波双极化天线单元,其特征在于:所述基体为低温共烧陶瓷体或多层线路板。
9.天线阵列,其特征在于:包括权利要求1-8中任意一项所述的5G毫米波双极化天线单元。
10.终端设备,其特征在于:包括权利要求9所述的天线阵列。
Priority Applications (1)
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CN202021328687.9U CN212626041U (zh) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | 5g毫米波双极化天线单元、天线阵列及终端设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN212626041U true CN212626041U (zh) | 2021-02-26 |
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ID=74744897
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CN202021328687.9U Active CN212626041U (zh) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | 5g毫米波双极化天线单元、天线阵列及终端设备 |
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CN (1) | CN212626041U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111916892A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-11-10 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 5g毫米波双极化天线单元、天线阵列及终端设备 |
CN112909544A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-04 | 歌尔科技有限公司 | 一种电子设备及其多天线*** |
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2020
- 2020-07-07 CN CN202021328687.9U patent/CN212626041U/zh active Active
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