CN212435657U - 滤波器和双工器 - Google Patents

Abstract

本申请提供的滤波器和双工器，涉及无线通信技术领域。在本申请中，滤波器包括：衬底结构；线路结构，该线路结构制作形成于衬底结构的至少一侧，该线路结构包括至少一层线路层，且至少有一层线路层具有至少一个电感元件；电容结构和/或谐振结构，该电容结构和/或谐振结构制作形成于至少一层线路层靠近衬底结构的一侧和/或远离该衬底结构的一侧，且该电容结构包括至少一个电容元件，该谐振结构包括至少一个声波谐振器。其中，衬底结构和线路结构，以及电容结构和/或谐振结构形成层状堆叠结构，且电感元件与电容元件和/或声波谐振器之间，相互电连接，以形成滤波电路。基于上述设置，可以改善现有技术中制作的滤波器存在集成尺寸较大的问题。

Description

滤波器和双工器

技术领域

本申请涉及无线通信技术领域，具体而言，涉及一种滤波器和双工器。

背景技术

在无线射频通信技术中，射频通信设备的性能直接影响着无线通信的质量。其中，在射频通信设备中，为了对接收到的信号和待发送的信号进行有效地处理，需要设置相应的滤波结构。

经发明人研究发现，在现有的滤波结构制作技术中，由于滤波结构的集成度较低而使得存在滤波结构的尺寸较大的问题，限制了其应用范围。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种滤波器和双工器，以改善现有技术中制作的滤波器存在集成尺寸较大的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种滤波器，包括：

衬底结构；

线路结构，该线路结构制作形成于所述衬底结构的至少一侧，该线路结构包括至少一层线路层，且至少有一层线路层具有至少一个电感元件；

电容结构和/或谐振结构，该电容结构和/或谐振结构制作形成于至少一层所述线路层靠近所述衬底结构的一侧和/或远离该衬底结构的一侧，且该电容结构包括至少一个电容元件，该谐振结构包括至少一个声波谐振器；

其中，所述衬底结构和所述线路结构，以及电容结构和/或谐振结构形成层状堆叠结构，且所述电感元件与电容元件和/或声波谐振器之间，相互电连接，以形成滤波电路。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，在所述衬底结构的至少一个外表面，制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，所述衬底结构具有至少一个内凹区域，且在该至少一个内凹区域内制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，在每一个所述内凹区域，所述衬底结构的外表面制作形成有衬底层；

其中，每一层所述衬底层上与所述衬底结构未接触的一面，制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，制作有所述声波谐振器的衬底层的材料与所述衬底结构的材料不同。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，制作形成的一层所述线路层上形成有介质隔离层，且该介质隔离层远离该线路层的一面制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，制作形成的一层具有电容元件和/或声波谐振器的层状结构上形成有介质隔离层，且该介质隔离层远离该层状结构的一面制作形成有线路层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，在所述衬底结构的至少一个外表面上，制作形成有至少一层线路层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述滤波器中，所述衬底结构上具有贯穿该衬底结构的连接过孔，且该连接过孔内填充有金属材料，用于电连接该衬底结构的相对两面。

在上述基础上，本申请实施例还提供了一种双工器，包括：

用于对接收到的信号进行处理的接收滤波器；

用于对待发送的信号进行处理的发射滤波器；

其中，所述接收滤波器和发射滤波器中至少有一个，为上述的滤波器。

本申请提供的滤波器和双工器，通过在提供的衬底结构的至少一侧制作形成包括至少一层线路层的线路结构，并在至少一层线路层的至少一侧制作形成电容结构和/或谐振结构，使得可以形成包括电感元件、电容元件和/或声波谐振器的滤波器。如此，由于线路结构、电容结构、谐振结构实际上形成一种堆叠的结构，因而，可以提高形成的滤波器的集成度，使得滤波器的集成尺寸可以更小，从而改善基于现有技术制作的滤波结构(如滤波结构的各元件分别制作形成，然后，再封装于一体)存在集成尺寸较大的问题，进而提高制作的滤波器的应用范围，例如，体积越小可以便于设置于各种应用环境，使得其实用价值极高，能够被广泛的应用。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本申请实施例提供的滤波器制作方法的流程示意图。

图2为本申请实施例提供的滤波器的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的电感元件的制作位置的示意图。

图4为本申请实施例提供的电感元件的另一制作位置的示意图。

图5为图1中步骤S120包括的子步骤的流程示意图。

图6为本申请实施例提供的制作线路层的效果示意图。

图7为本申请实施例提供的电容元件的第一种制作位置的示意图。

图8为本申请实施例提供的电容元件的第二种制作位置的示意图。

图9为本申请实施例提供的电容元件的第三种制作位置的示意图。

图10为图1中步骤S130包括的子步骤的流程示意图。

图11为本申请实施例提供的制作电容元件的效果示意图。

图12为本申请实施例提供的双工器的电路原理图。

图标：10-双工器；12-接收滤波器；14-发送滤波器；100-滤波器；110-衬底结构；120-线路结构；121-电感元件；130-电容结构；131-电容元件；140-谐振结构；141-声波谐振器；150-介质隔离层。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1和图2所示，本申请实施例提供了一种滤波器制作方法，用于制作形成滤波器100。其中，所述滤波器制作方法可以包括步骤S110、步骤S120和步骤S130，具体内容如下所述。

步骤S110，提供衬底结构110。

在本实施例中，可以先提供衬底结构110，使得可以基于该衬底结构110制作形成其它结构(如线路结构120、电容结构130、谐振结构140等)。

步骤S120，在所述衬底结构110的至少一侧制作形成线路结构120。

在本实施例中，在基于步骤S110提供所述衬底结构110之后，可以在该衬底结构110的至少一侧制作形成线路结构120。

其中，所述线路结构120可以包括至少一层线路层，且至少有一层所述线路层具有至少一个电感元件121，得到至少一个电感元件121。

步骤S130，在至少一层所述线路层靠近所述衬底结构110的一侧和/或远离该衬底结构110的一侧，制作形成电容结构130和/或谐振结构140。

在本实施例中，在基于步骤S110提供所述衬底结构110之后，还可以制作形成电容结构130和/或谐振结构140，且该电容结构130和/或谐振结构140可以位于至少一层所述线路层靠近所述衬底结构110的一侧和/或远离该衬底结构110的一侧。

其中，所述电容结构130可以包括至少一个电容元件131，该谐振结构140可以包括至少一个声波谐振器141。如此，可以形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

并且，所述衬底结构110和所述线路结构120，以及电容结构130和/或谐振结构140可以形成层状堆叠结构，且所述电感元件121与电容元件131和/或声波谐振器141之间，可以相互电连接，以形成滤波电路。

基于上述方法，实际上可以在提供的衬底结构110上形成层状堆叠的滤波器100(包括的电感元件121，以及电容元件131和声波谐振器141中的至少一种，形成堆叠的关系)，即所述衬底结构110、所述线路结构120、所述电容结构130、所述谐振结构140实际上形成一种堆叠的结构关系，因而，可以提高形成的滤波器100的集成度，使得滤波器100的集成尺寸可以更小，从而改善基于现有技术制作的滤波结构存在集成尺寸较大的问题。

第一方面，对于步骤S110需要说明的是，提供所述衬底结构110的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，可以直接提供硅、玻璃、石英、蓝宝石、锂酸铌和钽酸锂等材料结构，作为所述衬底结构110。

又例如，在另一种可以替代的示例中，也可以提供一种基板材料，作为所述衬底结构110。其中，考虑到在基板材料中，一般在基板的两面会有一层铜箔，如此，既可以将该铜箔去掉从而形成衬底结构110，也可以直接利用该铜箔制作电容元件131或电感元件121等。

第二方面，对于步骤S120需要说明的是，制作形成所述线路结构120的具体方式不受限制，也可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，结合图3，可以基于所述衬底结构110的至少一个外表面，制作形成至少一层线路层。

也就是说，既可以是基于所述衬底结构110的一个外表面，制作形成一层线路层或多层堆叠的线路层。也可以是基于所述衬底的两个相对外表面，分别制作形成一层或多层线路层，即其中一个外表面上可以制作形成一层线路层或多层堆叠的线路层，其中另一个外表面上也可以制作形成一层线路层或多层堆叠的线路层。

又例如，在另一种可以替代的示例中，结合图4，可以在制作形成一层具有电容元件131和/或声波谐振器141的层状结构之后，基于在该层状结构上形成的介质隔离层150，制作形成线路层。

也就是说，在一种具体的应用示例中，可以是在制作形成一层具有电容元件131的层状结构之后，在该层状结构上制作形成介质隔离层150，然后，再基于该介质隔离层150制作形成至少一层线路层。

在另一种具体的应用示例中，也可以是在制作形成一层具有声波谐振器141的层状结构之后，在该层状结构上制作形成介质隔离层150，然后，再基于该介质隔离层150制作形成至少一层线路层。

在另一种具体的应用示例中，还可以是，在所述衬底结构110的一侧制作形成一层具有电容元件131的第一层状结构、在所述衬底结构110的另一侧制作形成一层具有声波谐振器141的第二层状结构之后，分别在该第一层状结构和该第二层状结构上制作形成第一介质隔离层和第二介质隔离层，然后，再基于该第一介质隔离层和该第二介质隔离层分别制作形成至少一层线路层。

可选地，在上述步骤中，制作形成线路层的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，在基于介质隔离层150制作线路层时，可以先在该介质隔离层150上形成金属导电层，然后，可以基于该金属导电层远离所述介质隔离层150的一面进行钻孔，以贯穿该金属导电层和该介质隔离层150，如此，再基于该金属导电层远离该介质隔离层150的一面形成另一层金属导电层，使得金属导电层的厚度增加，且填充进行钻孔形成的通孔，使得该金属导电层能够与介质隔离层150远离该金属导电层一面的电容元件131或声波谐振器141实现电连接。

又例如，在另一种可以替代的示例中，结合图5和图6，在基于衬底结构110制作线路层，且该衬底结构110上具有金属箔(如采用基板材料以提供衬底结构110)时，步骤S120可以包括步骤S121、步骤S122、步骤S123和步骤S124，具体内容如下所述。

步骤S121，对所述衬底结构110上的金属箔进行开窗刻蚀操作。

在本实施例中，在步骤S110中采用基板材料作为衬底结构110时，可以先对该衬底结构110上的金属箔进行开窗刻蚀操作。如此，可以减小该金属箔的厚度，以便于后续的钻孔操作。

步骤S122，基于开窗刻蚀后的金属箔远离所述衬底结构110的一面进行钻孔操作，形成贯穿该金属箔和所述衬底结构110的连接过孔。

在本实施例中，在基于步骤S121对金属箔进行开窗刻蚀操作之后，可以基于该金属箔远离所述衬底结构110的一面进行钻孔操作(如进行镭射钻孔等)，以贯穿该金属箔和该衬底结构110。如此，可以形成贯穿该金属箔和所述衬底结构110的连接过孔。

步骤S123，基于钻孔后的金属箔远离所述衬底结构110的一面进行金属电镀操作，形成覆盖该金属箔和填充所述连接过孔的金属层。

在本实施例中，在基于步骤S122对金属箔进行钻孔操作哦之后，可以基于该金属箔远离所述衬底结构110的一面进行金属电镀操作。如此，可以形成覆盖该金属箔和填充所述连接过孔的金属层，使得该衬底结构110远离该金属箔的一面可以与该金属箔电连接。

步骤S124，对所述金属层远离所述金属箔的一面进行图形刻蚀操作，形成线路层。

在本实施例中，在基于步骤S123对金属箔进行金属电镀操作形成金属层之后，可以基于该金属层远离该金属箔的一面进行图形(图案)刻蚀操作。如此，可以形成一层线路层。

可以理解的是，在步骤S124中形成线路层，既可以是指具有电感元件121的层状结构，也可以是指不具有电感元件121的层状结构，如用于汇接不同的元件(如其它层状结构中的电感元件121之间、电感元件121与电容元件131之间、电感元件121与声波谐振器141之间、电容元件131之间、声波谐振器141之间等)的导电连接线。

并且，在基于步骤S124制作形成线路层之后，还可以对进行图形光学检测、棕氧化处理、介质层压处理等。

其中，图形光学检测可以是指，对制作形成的线路层的图形(如电感元件121的图形)进行检测，以确定该线路层是否满足需求。棕氧化处理可以是指，对制作形成线路层上由于刻蚀导致的残膜和污染物进行清洁处理，以及在线路层的表面沉积一层有机金属薄膜，以提高线路层的粘合能力(如与待压合形成的介质隔离层150的粘合能力)。介质层处理可以是指，在制作形成的线路层上形成一层介质隔离层150。

并且，对于所述介质隔离层150，若该介质隔离层150并不是所述滤波器100的最外层，可以以压合的形式在所述线路层上(也可以是在制作形成的电容元件131或声波谐振器141上)形成一层隔离层；若该介质隔离层150是所述滤波器100的最外层，可以在所述线路层上(也可以是在制作形成的电容元件131或声波谐振器141上)形成一层阻焊层。

其中，上述的隔离层和阻焊层的材料可以相同，如都可以采用橡胶材料，但是，该隔离层和该阻焊层的硬度可以不同，如该隔离层的硬度可以小于该阻焊层的硬度。

可以理解的是，在制作形成所述阻焊层时，对于所述线路层、电容元件131或声波谐振器141的引脚需要裸露出来，且为了对该引脚进行保护，可以对该引脚进行镀金处理。

第二方面，对于步骤S130需要说明的是，制作形成所述电容结构130和/或谐振结构140的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，可以仅制作形成电容结构130。又例如，在另一种可以替代的示例中，可以仅制作形成谐振结构140。再例如，在另一种可以替代的示例中，可以制作形成电容结构130和谐振结构140。

其中，制作形成所述电容结构130和/或谐振结构140，实际上就是制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

可选地，制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，结合图7，保证制作形成的电容元件131和/或声波谐振器141具有较高的性能，步骤S130可以包括以下子步骤：

可以基于所述衬底结构110的至少一个外表面，制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

也就是说，在基于步骤S110提供所述衬底结构110之后，可以在该衬底结构110的表面，制作形成至少一个电容元件131，和/或，制作形成至少一个声波谐振器141。

详细地，在一种具体的应用示例中，可以在所述衬底结构110的一个外表面制作形成至少一个电容元件131或至少一个声波谐振器141。在另一种具体的应用示例中，也可以在所述衬底结构110的两个外表面，分别制作形成至少一个电容元件131。在另一种具体的应用示例中，还可以在所述衬底结构110的一个外表面制作形成至少一个电容元件131，并在所述衬底结构110的另一个外表面制作形成至少一个声波谐振器141。并且，在另一种具体的应用示例中，还可以在所述衬底结构110的两个外表面，分别制作形成至少一个声波谐振器141。

又例如，在另一种可以替代的示例中，结合图8，基于一定的工艺需求，如介质隔离层150的压合工艺精度较高，步骤S130也可以包括以下子步骤：

可以在制作形成一层所述线路层之后，基于在该线路层上形成的介质隔离层150，制作形成至少一个电容元件131，和/或，制作形成至少一个声波谐振器141。

也就是说，在基于步骤S120制作形成一层所述线路层之后，可以先在该线路层上制作形成介质隔离层150，然后，再基于该介质隔离层150远离该线路层的一面，制作形成至少一个电容元件131，和/或，制作形成至少一个声波谐振器141。

详细地，在一种具体的应用示例中，可以在所述介质隔离层150远离所述线路层的一面制作形成至少一个电容元件131。在另一种可以替代的示例中，可以在所述介质隔离层150远离所述线路层的一面制作形成至少一个声波谐振器141。在另一种具体的应用示例中，也可以在所述介质隔离层150远离所述线路层的一面制作形成至少一个电容元件131，然后，再制作一层介质隔离层150，并在该介质隔离层150远离该电容元件131的一面制作形成至少一个声波谐振器141。并且，在另一种具体的应用示例中，还可以在所述介质隔离层150远离所述线路层的一面制作形成至少一个声波谐振器141，然后，再制作一层介质隔离层150，并在该介质隔离层150远离该声波谐振器141的一面制作形成至少一个电容元件131。

再例如，在另一种可以替代的示例中，为了提高制作形成的滤波器100的集成度，使得集成尺寸可以更小，步骤S130可以包括以下子步骤：

可以在所述衬底结构110的至少一个内凹区域，制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

也就是说，在基于步骤S110提高所述衬底结构110之后，可以在所述衬底结构110的至少一个内凹区域，制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

详细地，在一种具体的应用示例中，可以在所述衬底结构110的至少一个内凹区域，制作形成至少一个电容元件131。在另一种具体的应用示例中，也可以在所述衬底结构110的至少一个内凹区域，制作形成至少一个声波谐振器141。在另一种可以替代的示例中，还可以在所述衬底结构110的多个内凹区域，分别制作形成至少一个电容元件131和至少一个声波谐振器141。

可选地，制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141的具体方式不受限制，也可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，为了降低工艺的复杂度，结合图9，步骤S130可以包括以下子步骤：

首先，可以在所述衬底结构110的至少一个外表面制作形成至少一个内凹区域；其次，可以在该内凹区域基于该衬底结构110的外表面制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

又例如，在一种可以替代的示例中，为了保证制作形成的电容元件131和/或声波谐振器141具有良好的性能，结合图10和图11，步骤S130也可以包括步骤S131、步骤S132和步骤S133，具体内容如下所述。

步骤S131，在所述衬底结构110的至少一个外表面制作形成至少一个内凹区域。

在本实施例中，在基于步骤S110提供所述衬底结构110之后，可以基于该衬底结构110的至少一个外表面制作形成至少一个内凹区域。

步骤S132，在每一个所述内凹区域，基于所述衬底结构110的外表面制作形成衬底层。

在本实施例中，在基于步骤S131制作形成所述至少一个内凹区域之后，可以在每一个所述内凹区域，基于所述衬底结构110的外表面制作形成衬底层。如此，可以使得用于制作电容元件131和/或声波谐振器141的表面是较为平整的，在便于进行制作的同时，还可以保证该电容元件131和/或声波谐振器141能够具有良好的性能。

步骤S133，基于每一层所述衬底层上与所述衬底结构110未接触的一面，制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

在本实施例中，在基于步骤S132制作形成所述衬底层之后，针对每一个所述内凹区域的衬底层，可以基于该衬底层上与所述衬底结构110未接触的一面，制作形成电容元件131或声波谐振器141。如此，可以制作形成至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

可选地，在步骤S131中，既可以是在所述衬底结构110的一个外表面制作形成至少一个内凹区域，也可以是在所述衬底结构110的相对两个外表面，分别制作形成至少一个内凹区域。

并且，制作形成所述内凹区域的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择，例如，在一种可以替代的示例中，可以通过刻蚀等方式形成所述内凹区域。

可选地，在步骤S132中，制作形成所述衬底层的具体方式不受限制，也可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，可以基于与所述衬底结构110相同的材料制作形成所述衬底层。也就是说，该衬底层的材料与该衬底结构110的材料可以相同。

又例如，在另一种可以替代的示例中，经过本申请的发明人的研究发现，适合制作形成所述凹陷区域的材料，可能不适合用于制作声波谐振器141，因而，可以基于与所述衬底结构110不同的材料制作形成所述衬底层。也就是说，该衬底层的材料与该衬底结构110的材料可以不同。

详细地，在一种具体的应用示例中，所述衬底结构110的材料可以为基板材料或PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)材料，所述衬底层的材料可以为硅、锂酸铌或钽酸锂。

可以理解的是，在上述示例中，制作形成的电容元件131和/或声波谐振器141的具体形式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

一方面，所述电容元件131既可以是指平板(MIM，Metal Insulator Metal)电容，也可以是指集成电容，即将至少一个电容元件131集成于一体，形成集成电容芯片。

另一方面，所述声波谐振器141既可以是指单个谐振器，也可以是指集成谐振器，即将至少一个声波谐振器141集成于一体。

其中，在制作平板电容时，首先，可以通过电镀等方式制作形成第一金属极板(若采用基板材料作为衬底结构110，且在该衬底结构110的外表面制作平板电容时，第一金属极板也可以基于基板材料包括的铜箔进行图形刻蚀形成)，其次，可以通过PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)等方式基于该第一金属极板制作形成介质层(可以是一种电解质薄膜，如氧化钽、氧化硅、氮化硅等)，然后，可以通过电镀等方式基于该介质层制作形成第二金属极板。

并且，所述声波谐振器141的具体类型可以包括，但不限于，声表面波谐振器(Surface Acoustic Wave，SAW)、固态装配谐振器(Solidly Mounted Resonator，SMR)、薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)等。

可以理解的是，在上述示例中，步骤S120和步骤S130的具体先后顺序不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，可以先执行步骤S120以形成线路结构120，再执行步骤S130以形成电容结构130和/或谐振结构140。

又例如，在另一种可以替代的示例中，也可以先执行步骤S130以形成电容结构130和/或谐振结构140，再执行步骤S120以形成线路结构120。

再例如，在另一种可以替代的示例中，还可以步骤S120和步骤S130交替执行，如执行一次步骤S120形成一层线路层之后，执行一次步骤S130形成至少一个电容元件131或至少一个声波谐振器141，再执行一次步骤S120再形成一层线路层。

进一步参照图2，本申请实施例还提供了一种滤波器100。其中，该滤波器100可以基于上述的滤波器制作方法制作形成。

也就是说，所述滤波器100可以包括衬底结构110和电感结构，还包括电容结构130和/或谐振结构140。其中，所述电感结构包括至少一层线路层，且至少有一层线路层具有至少一个电感元件121。所述电容结构130可以包括至少一个电容元件131，所述谐振结构140可以包括至少一个声波谐振器141，且所述电感元件121与该电容元件131和/或该声波谐振器141之间，可以相互电连接，以形成滤波电路。

如此，所述衬底结构110和所述电感结构，以及所述电容结构130和所述谐振结构140中的一个，实际上可以形成层状堆叠的结构关系，使得构成的滤波器100可以具有更高的集成度，即集成尺寸更小。

第一方面，对于所述衬底结构110需要说明的是，该衬底结构110的具体结构不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，基于电连接的需求，所述衬底结构110上可以具有贯穿该衬底结构110的连接过孔，且该连接过孔内填充有金属材料，用于电连接该衬底结构110的相对两面，如连接衬底结构110两面的不同元件(如电感元件121、电容元件131、声波谐振器141)。

第二方面，对于所述线路结构120需要说明的是，该线路结构120的具体结构不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，在制作形成的一层具有电容元件131和/或声波谐振器141的层状结构上，可以形成有介质隔离层150，且该介质隔离层150远离该层状结构的一面，可以制作形成有线路层。

又例如，在另一种可以替代的示例中，在所述衬底结构110的至少一个外表面，可以制作形成有至少一层线路层。

第三方面，对于所述电容结构130和/或所述谐振结构140需要说明的是，该电容结构130和/或谐振结构140的具体结构不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，在所述衬底结构110的至少一个外表面，可以制作形成有至少一个电容元件131，和/或，制作形成有至少一个声波谐振器141。

又例如，在另一种可以替代的示例中，制作形成的一层所述线路层上，可以形成有介质隔离层150，且该介质隔离层150远离该线路层的一面，可以制作形成有至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

再例如，在另一种可以替代的示例中，所述衬底结构110可以具有至少一个内凹区域，且在该至少一个内凹区域内，可以制作形成有至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

详细地，在一种具体的应用示例中，在每一个所述内凹区域，所述衬底结构110的外表面可以制作形成有衬底层。如此，每一层所述衬底层上与所述衬底结构110未接触的一面，可以制作形成有至少一个电容元件131和/或至少一个声波谐振器141。

也就是说，所述电容元件131和/或所述声波谐振器141可以分别通过衬底层制作形成于所述衬底结构110的内凹区域。

其中，所述衬底层的材料类型不受限制。例如，在一种可以替代的示例中，制作有所述声波谐振器141的衬底层的材料与所述衬底结构110的材料，可以不同。

需要说明的是，在所述线路层为多层时，多层线路层之间可以仅间隔有介质隔离层150，也可以间隔有介质隔离层150和其它层状结构，如电容结构130和/或谐振结构140。

并且，在所述电容元件131为多个，且分别位于不同的层状结构时，不同的电容元件131之间可以仅间隔有介质隔离层150，也可以间隔有介质隔离层150和其它层状结构，如线路层和/或谐振结构140。

以及，在所述声波谐振器141为多个，且分别位于不同的层状结构时，不同的声波谐振器141之间可以仅间隔有介质隔离层150，也可以间隔有介质隔离层150和其它层状结构，如电容结构130和/或谐振结构140。

可以理解的是，所述滤波器100的具体结构，可以参照前文对所述滤波器制作方法的解释说明，在此不再一一赘述。

结合图12，本申请实施例还提供了一种双工器10。其中，该双工器10可以包括接收滤波器12和发送滤波器14，且该接收滤波器12和发送滤波器14中至少有一个，属于上述的滤波器100。

详细地，所述接收滤波器12可以用于对接收到的信号(如射频信号)进行处理，所述发送滤波器14可以用于对待发送的信号进行处理。

综上所述，本申请提供的滤波器100和双工器10，通过在提供的衬底结构110的至少一侧制作形成包括至少一层线路层的线路结构120，并在至少一层线路层的至少一侧制作形成电容结构130和/或谐振结构140，使得可以形成包括电感元件121、电容元件131和/或声波谐振器141的滤波器100。如此，由于线路结构120、电容结构130、谐振结构140实际上形成一种堆叠的结构，因而，可以提高形成的滤波器100的集成度，使得滤波器100的集成尺寸可以更小，从而改善基于现有技术制作的滤波结构(如滤波结构的各元件分别制作形成，然后，再封装于一体)存在集成尺寸较大的问题，进而提高制作的滤波器100的应用范围，例如，体积越小可以便于设置于各种应用环境，使得其实用价值极高，能够被广泛的应用。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种滤波器，其特征在于，包括：

衬底结构；

线路结构，该线路结构制作形成于所述衬底结构的至少一侧，该线路结构包括至少一层线路层，且至少有一层线路层具有至少一个电感元件；

电容结构和/或谐振结构，该电容结构和/或谐振结构制作形成于至少一层所述线路层靠近所述衬底结构的一侧和/或远离该衬底结构的一侧，且该电容结构包括至少一个电容元件，该谐振结构包括至少一个声波谐振器；

其中，所述衬底结构和所述线路结构，以及电容结构和/或谐振结构形成层状堆叠结构，且所述电感元件与电容元件和/或声波谐振器之间，相互电连接，以形成滤波电路。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，在所述衬底结构的至少一个外表面，制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述衬底结构具有至少一个内凹区域，且在该至少一个内凹区域内制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

4.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，在每一个所述内凹区域，所述衬底结构的外表面制作形成有衬底层；

其中，每一层所述衬底层上与所述衬底结构未接触的一面，制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，制作有所述声波谐振器的衬底层的材料与所述衬底结构的材料不同。

6.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，制作形成的一层所述线路层上形成有介质隔离层，且该介质隔离层远离该线路层的一面制作形成有至少一个电容元件和/或至少一个声波谐振器。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的滤波器，其特征在于，制作形成的一层具有电容元件和/或声波谐振器的层状结构上形成有介质隔离层，且该介质隔离层远离该层状结构的一面制作形成有线路层。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的滤波器，其特征在于，在所述衬底结构的至少一个外表面上，制作形成有至少一层线路层。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的滤波器，其特征在于，所述衬底结构上具有贯穿该衬底结构的连接过孔，且该连接过孔内填充有金属材料，用于电连接该衬底结构的相对两面。

10.一种双工器，其特征在于，包括：

用于对接收到的信号进行处理的接收滤波器；

用于对待发送的信号进行处理的发射滤波器；

其中，所述接收滤波器和所述发射滤波器中至少有一个，为权利要求1-9任意一项所述滤波器。

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