CN2121686U - 偶对称组合半导体结型温度传感器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004861 thermometry Methods 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
一种结型半导体温度传感器，它由同种材料的半
导体单质结型器件偶对称串联组合而成，由测温参数
离散的结型半导体器件集合以简便的方式构成可以
无限量互换的高灵敏温度传感器。其灵敏度较普通
热电偶高100倍，响应速度较铂电阻快20倍，线性
度优于半导体热敏电阻30倍，可以在强磁场和高频
电磁干扰环境可靠工作，解决工业、农业、医学、气象
观测、火灾报警和科学仪器制造中的温度信号检测问
题。
Description
本发明涉及一种半导体结型温度传感器。
半导体PN结温度传感器自本世纪五十年代问世以来，一直未能有效地解决互换问题，人们希望能找到一种简便可行的方案，使半导体结型温度传感器具有相同的测温特性。目前采用两种方式来提高它们的互换度，一是使测温PN结和信号处理***集成在同一硅片上构成复合传感器，通过激光调阻使复合传感器的输出特性大体一致，典型产品如七十年代中期出现的温度电流源器件AD590。二是通过分选，从大量离散PN结温度传感器中挑出特性相近的互换组。前者工艺复杂，需要昂贵的工艺设备，同时由于信号处理***同时处于被测温场之中，限制了这种传感器的使用温度范围。后者成品率很低，无法实现大批量稳定分度值工业化生产。
本发明目的在于以新的组合构成方式，利用离散的结型半导体器件集合制造大批量互换、可以工业化生产的半导体结型温度传感器。
发明是这样实现的：利用同种半导体材料构成的PN结，包括锗、硅、砷化镓、磷砷化镓、磷化镓、锑化铟和碳化硅PN结，及硅半导体材料构成的金属半导体势垒肖特基二极管，N个同向偶对称串联组合成新的温度传感器，N是从2到无限大的任意正整数，用以构成这种组合温度传感器的PN结或肖特基二极管是不掺金和其它深能级杂质的单质结，在0℃－100℃温度这段内某一个温度点上偶对称串联组合温度传感器中各单元结型器件恒流条件下正向电压之和具有相同的数值。
这种新型传感器结构可以实现互换的理论根据如下：不含金或其他深能级的半导体结型器件正向电压的解析表达式为；
VF＝Vg＋（nKT／q）×lnIF
／A－（rnKT／q）×lnT
其中 VF－－－正向电压
Vg－－－单质结半导体材料禁带宽度
n－－－无量纲指数
K－－－波兹曼常数
T－－－绝对温度
q－－－电子电荷绝对值
ln－－自然对数
IF－－－正向电流
A－－－与器件离散性有关的系数
r－－－无量纲指数
在所述条件下，A的数值唯一决定着结型半导体器件测温特性的零点和斜率，单个器件A值的离散导至测温特性的离散。
若由N个单元器件构成串倍组合温度传感器，相应单元A值为A（i＝1，2，…，N），正向电压为V，
由于
lnI／A中不含绝对温度T，在某一个特定的T值（例如0－100℃）之间某个温度点下
VFi具有相同的值，则必定
lnI／A具有相同的值，这种新的组合结构在任何工作温度段都具有相同的零点值和斜率，亦即具有相同的正向电压和测温灵敏度。
其实施例如附图所示，此时N＝2。它包括两个以偶对称方式组合的单元结型温度传感器（1）和（2），用以提供机械保护和防止外部流体物质进入（1）和（2）的外壳（3），为（1）和（2）提供正向导通电流的外引线（4），（1）和（2）同方向串联组合的公共联结焊点（5）和填充在外壳（3）与外引线（4）之间的固紧密封材料（6）。
本发明的特点在于它以半导体异常简便的方式实现了结型半导体温度传感器的无限量互换，无需昂贵的工艺装备的原材料，使廉价低值的结型半导体器件离散集合组合构成一代新型的工业温度传感器。
这种新型的温度传感器测温灵敏度较普通热电偶高100倍以上，响应速度高于铂电阻温度计20倍以上，线性度优于半导体热敏电阻30倍可以在强磁场和高频电磁干扰环境可靠工作，解决工业、农业、医学、气象观测、火灾报警和科学仪器制造中急迫的高精度温度信号检测问题。
Claims (4)
1、一种结型半导体温度传感器，其特征是它由同种半导体材料构成的单质结偶对称串联组合而成，用以组成这种结型半导体温度传感器的各单元结型器件在恒流条件下0-100℃温度区段内某个温度点上正向电压之和具相同的数值。
2、如权利要求1所述的温度传感器，其特征是，由单质串联组成的结型半导体温度传感器，由N个同种材料的单质构成，N是从2到无限大的任意正整数。
3、如权利要求1所述的温度传感器，其特征是，用以构成串联组合结型温度传感器的单质结包括锗、硅、砷化镓、磷砷化镓、锑化铟和碳化硅PN结和金属半导体势垒肖特基二极管。
4、如权利要求1所述的温度传感器，其特征是，单质结，不掺金和其它深能级杂质。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 91229861 CN2121686U (zh) | 1991-12-07 | 1991-12-07 | 偶对称组合半导体结型温度传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 91229861 CN2121686U (zh) | 1991-12-07 | 1991-12-07 | 偶对称组合半导体结型温度传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2121686U true CN2121686U (zh) | 1992-11-11 |
Family
ID=4935269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 91229861 Granted CN2121686U (zh) | 1991-12-07 | 1991-12-07 | 偶对称组合半导体结型温度传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2121686U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103604521A (zh) * | 2013-11-04 | 2014-02-26 | 深圳市彩煌实业发展有限公司 | 温敏探头及其制备方法 |
-
1991
- 1991-12-07 CN CN 91229861 patent/CN2121686U/zh active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103604521A (zh) * | 2013-11-04 | 2014-02-26 | 深圳市彩煌实业发展有限公司 | 温敏探头及其制备方法 |
| CN103604521B (zh) * | 2013-11-04 | 2016-01-06 | 深圳市彩煌实业发展有限公司 | 温敏探头及其制备方法 |
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| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |