CN212135137U - 动态随机存取存储器之版图结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种动态随机存取存储器的版图结构，包括多个字线图案、多个有源区图案以及多个接触图案。字线图案沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列。有源区图案与两字线图案相交而被划分成一个中间部及两个端部。中间部的形状为平行四边形，包括一对钝角以及一对锐角。接触图案重叠有源区图案的中间部，并且包括平行于第一方向的一对第一边缘以及位于第一边缘之间的一对第二边缘，其中第二边缘包括阶梯形状。本实用新型之一目的在于提升有源区的切割工艺及/或位线接触插塞工艺的余裕度，以提升有源区的切割准确度及/或减少位线(bit line)与相邻的储存节点接触插塞(storage node contact)之间发生短路的缺陷，提升产品良率。

Description

动态随机存取存储器之版图结构

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种动态随机存取存储器之版图结构。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)属于一种挥发性存储器，包含由多个记忆胞(memory cell)构成的阵列区(array area)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各记忆胞包含一电晶体(transistor)电连接至一电容器(capacitor)，由该电晶体控制该电容器中电荷的存储或释放来达到存储资料的目的。控制电路通过横跨阵列区并与各记忆胞电连接的字元线(word line,WL)与位线(bit line,BL)，可定位至每一记忆胞以控制其资料的存取。

在先进半导体工艺中，存储器的布局图案越来越紧密以能在单位面积内获得更高的集密度，但是这不仅提高了制作的困难度，存储器元件对于制作工艺变异的容忍度也越来越严苛，关键步骤的工艺变异即可能造成元件电性异常。例如，在有源区的切割(activeregion cut)工艺中，常由于开口图案变形导致切割后的有源区尺寸偏移。另外，目前采取埋入式字元线(buried wordline)结构的动态随机存取存储器常由于位线接触插塞接点的主动区的凹陷不足，导致位线(bit line)与相邻的储存节点接触插塞(storage nodecontact)之间发生短路，造成存储器功能异常。

实用新型内容

本实用新型之一目的在于提供一种动态随机存取存储器(DRAM)之版图结构及用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法，可提升有源区的切割工艺及/或位线接触插塞工艺的余裕度，以提升有源区的切割准确度及/或减少位线(bit line)与相邻的储存节点接触插塞(storage node contact)之间发生短路的缺陷，提升产品良率。

为达上述目的，本实用新型一实施例提供一种动态随机存取存储器的版图结构，包括多个字线图案、多个有源区图案以及多个接触图案。所述字线图案沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列。各所述有源区图案与两所述字线图案相交而被划分成一个中间部及两个端部，其中该中间部的形状为平行四边形，且包括一对钝角以及一对锐角。所述接触图案重叠所述有源区图案的所述中间部，并且包括平行于第一方向的一对第一边缘以及位于所述第一边缘之间的一对第二边缘，所述第二边缘包括阶梯形状。

为达上述目的，本实用新型另一实施例提供一种用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法，包括以下步骤。首先，接收一版图结构，包括多个字线图案、多个有源区图案以及多个第一接触图案。字线图案沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列，所述第一方向与所述第二方向垂直。有源区图案与两所述字线图案相交而被区分成一个中间部及两个端部，所述中间部的形状包括平行四边形且包括一对钝角以及一对锐角。第一接触图案重叠所述有源区图案的所述中间部，并且包括平行于第一方向的一对第一边缘以及位于所述第一边缘之间的一对第二边缘。接着，对所述多个第一接触图案进行重塑处理以获得多个第二接触图案，所述重塑处理包括在所述第二边缘邻近所述锐角的位置设置延伸辅助图案。然后，将所述多个第二接触图案转移至一光掩模。

为达上述目的，本实用新型另一实施例提供一种动态随机存取存储器的版图结构，包括包括多个字线图案、多个有源区图案以及多个开口图案。所述字线图案沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列。所述字线图案和所述有源区图案包括多个重叠区域，所述重叠区域的形状为平行四边形且包括一对钝角以及一对锐角。所述开口图案与所述重叠区域的其中一些重叠，各开口图案包括平行于所述第一方向的一对第一边缘以及位于所述第一边缘之间的一对第二边缘，所述第二边缘包括阶梯形状。

为达上述目的，本实用新型另一实施例提供一种用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法，包括以下步骤。首先，接收一版图结构，包括多个字线图案、多个有源区图案以及多个第一开口图案。所述字线图案沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列。字线图案和所述有源区图案包括多个重叠区域，所述重叠区域的形状为平行四边形且包括一对钝角以及一对锐角。所述第一开口图案与所述重叠区域的其中一些重叠，各开口图案包括平行于所述第一方向的一对第一边缘以及位于所述第一边缘之间的一对第二边缘。接着，对所述多个第一开口图案进行重塑处理以获得多个第二开口图案，所述重塑处理包括在所述第二边缘邻近所述锐角的位置设置延伸辅助图案。然后，将所述多个第二开口图案转移至一光掩模。

附图说明

为了便于理解，在可能的情况下使用相同的附图标记来指示图中共有的相同元件，而可以预期的是，在一个实施例中所揭露的元件可不须特定叙述而将其利用于其他实施例。除非特别说明，否则本文的附图不应被理解为按比例绘制，并且，为了清楚的表达与解释，附图通常被简化且省略了细节或元件，而本文附图与详述用于解释下文所讨论的原理，并以相似的标号表示相同的元件。

图1所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法的步骤流程图。

图2、图3和图4所绘示为本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的版图结构的局部平面示意图。

图5所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺之光掩模的局部平面示意图。

图6所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法的步骤流程图。

图7所绘示为本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的版图结构的局部平面示意图。

图8所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺之光掩模的局部平面示意图。

图9和图10所绘示为本实用新型一些实施例之动态随机存取存储器的版图结构的局部平面示意图。

图11所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法的步骤流程图。

图12、图13和图14所绘示为本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的版图结构的局部平面示意图。

图15所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺之光掩模的局部平面示意图。

其中，附图标记说明如下：

10 版图结构

11 隔离区图案

11' 隔离区

12 字线图案

14 有源区图案

14’ 有源区图案

14a 中间部

14b 端部

16 第一接触图案

16a 第一边缘

16b 第二边缘

20 第二接触图案

20a 第一边缘

20b 第二边缘

18 延伸辅助图案

22 凹入辅助图案

26 第一开口图案

26a 第一边缘

26b 第二边缘

28 第二开口图案

28a 第一边缘

28b 第二边缘

100 光掩模

120 光掩模图案

500 光掩模

520 光掩模图案

200 制作方法

202 步骤

204 步骤

206 步骤

300 制作方法

302 步骤

304 步骤

306 步骤

400 制作方法

402 步骤

404 步骤

406 步骤

D1 第一方向

D2 第二方向

D3 第三方向

α 锐角

β 钝角

具体实施方式

接下来的详细说明及叙述，参照相关图式所示内容，共同用来说明可依据本实用新型而具体实行的实施例。这些实施例已提供足够的细节，使此领域中的技术人员能充分了解并具体实行本实用新型。以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可做结构、逻辑和电性上的修改，例如将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合而应用在其他实施例上。

本实用新型之动态随机存取存储器之版图结构及光掩模的制作方法的其中一种实施样态可应用于位线接触插塞凹陷(bit line contact recess)的制作工艺中。请参考图1至图5。图1所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法200的步骤流程图。图2、图3和图4所绘示为本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的版图结构于制作方法200的步骤中的局部平面示意图。图5所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺之光掩模的局部平面示意图。制作方法200包含使用一电脑***，其可接收设计定案(tape-out)的版图结构并依照半导体制作工艺特性而设定的规则来修正版图结构的图案，然后可将修正后的版图结构转移至光掩模制作***来制作用于半导体制作工艺的光掩模。

如图1所示，制作方法200开始于步骤202，接收一版图结构。如图2所示，版图结构10包括多个字线图案12、多个有源区图案14以及多个第一接触图案16。字线图案12、有源区图案14以及第一接触图案16属于版图结构10的不同图案层，将被转移至不同光掩模成为光掩模图案，分别使用在动态随机存取存储器工艺的不同图案化步骤，以在半导体衬底上形成动态随机存取存储器结构。需特别说明的是，有源区图案14以外的部分为隔离区图案11，与有源区图案14一起被转移同一光掩模上。

字线图案12沿第一方向D1延伸并且沿第二方向D2平行排列。有源区图案14沿第三方向D3延伸并且沿着第一方向D1平行排列，且相邻有源区图案14在第一方向D1上交错。在一实施例中，第一方向D1与第二方向D2互相垂直，第三方向D3不平行于第一方向D1与第二方向D2。举例来说，第三方向D3和第一方向D1之间包括小于90度的夹角。

各有源区图案14与两个相邻的字线图案12相交而被字线图案12区分成两个端部14b以及位于两个端部14b之间的一个中间部14a。当有源区图案14转移至半导体衬底上时，中间部14a为电连接位线接触插塞(bit line contact)的区域，端部14b为电连接储存节点接触插塞(storage node contact)的区域。

本实施例中，中间部14a的形状包括平行四边形，并且包括一对锐角α以及一对钝角β。锐角α的角度小于钝角β的角度。

第一接触图案16和有源区图案14的中间部14a重叠，并且包括平行于第一方向D1的一对第一边缘16a以及位于所述第一边缘16a之间的一对第二边缘16b。在一实施例中，第一接触图案16可以包括矩形的平面形状，也就是说第二边缘16b平行于第二方向D2，第一边缘16a和第二边缘16b互相垂直。在一实施例中，第一接触图案16可包括与有源区图案14的中间部14a的锐角α共端点的一对角。在其他实施例中，第一接触图案可以是平行四边形，例如是第一边缘平行于第一方向D1且第二边缘平行于第三方向D3的平行四边形。

为了补偿图案化步骤产生的图案变形及/或提升工艺容忍度，在将各图案层转移至光掩模之前，可通过分别对各图案层进行修正，以在半导体衬底上获得较理想的成像结果，提升动态随机存取存储器制作工艺对于工艺变异的容忍度(process window)。

详细来说，如图1所示，制作方法200接着进行步骤204，对所述多个第一接触图案进行重塑处理以获得多个第二接触图案。在一实施例中，如图3和图4所示，重塑处理可包括沿着第二方向D2延伸第一接触图案16的第二边缘16b，使第一接触图案16与两侧的字线图案12部分重叠，并且在两个第二边缘16b邻近锐角α的位置分别设置延伸辅助图案18。延伸辅助图案18与第一接触图案16为同调(tone)，例如均为暗区(dark)或亮区(clear)，两者结合而获得第二接触图案20。需特别说明的是，本实用新型并不限制延伸第二边缘16b的操作以及设置延伸辅助图案18的操作的次序。例如，可先延伸第二边缘16b然后设置伸辅助图案18，或者先设置伸辅助图案18然后延伸第二边缘16b并且同步延伸辅助图案18。

如图4所示，延伸辅助图案18可包括矩形的平面形状，具有平行于第一方向D1的一对边缘以及平行于第二方向D2的另一对边缘。在一实施例中，平行于第一方向D1的该对边缘的其中一者与第一接触图案16的第一边缘16a对齐，另一者则介于第一接触图案16的第一边缘16a之间并连接在第一接触图案16的第二边缘16b上。延伸辅助图案18位于第一接触图案16与相邻的端部14b之间，较佳者延伸辅助图案18不重叠相邻的端部14b。

由第一接触图案16和延伸辅助图案18构成的第二接触图案20包括Z型的平面形状。详细来说，第二接触图案20包括平行于第一方向D1的一对第一边缘20a以及位于所述第一边缘20a之间的一对第二边缘20b。第一边缘20a在第二方向D2上包括错位。第二边缘20b包括由第一接触图案16的第二边缘16b和延伸辅助图案18的边缘形成的阶梯形状。

第二接触图案20完全重叠有源区14的中间部14a，和两侧的字线图案12部分重叠，也和中间部14a和邻近的端部14b之间的隔离区11’部分重叠。可调整延伸辅助图案18的面积，使第二接触图案20与隔离区11’的重叠面积符合需求。例如，在一些实施例中，第二接触图案20与隔离区11’的重叠面积大约介于隔离区11’面积的40％至50％之间。

需特别说明的是，在另一实施例中，步骤202接收的版图结构10可例如图3所示，其中第一接触图案16在步骤204的重塑处理之前就已经与两侧的字线图案12部分重叠。在这情况下，步骤204的重塑处理可省略延伸第一接触图案16的第二边缘16b的操作。

接着，进行步骤206，将所述多个第二接触图案转移至一光掩模，形成光掩模图案。光掩模可采用本领域习知技术来制作。举例来说，可将第二接触图案20的数据输出至一雷射曝光***并根据第二接触图案20来图案化光掩模基板，获得如图5所示光掩模100，其包括转移自第二接触图案20的光掩模图案120。

光掩模100将使用在动态随机存取存储器(DRAM)的位线接触插塞凹陷(bit linecontact recess)的制作工艺中。举例来说，在半导体衬底中定义出动态随机存取存储器的有源区和字线之后，接着在半导体衬底上形成一绝缘层，然后在绝缘层上形成一遮罩层，例如光阻。然后，用光掩模100对遮罩层进行一图案化工艺而将光掩模图案120转移至遮罩层中，以在遮罩层中形成对应于有源区中间部的开口。接着，以遮罩层作为蚀刻遮罩对自遮罩层显露出来的半导体衬底进行蚀刻，形成位线接触插塞凹陷。

请参考图6、图2、图3、图7和图8。图6所绘示为本实用新型另一实施例之用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法300的步骤流程图。图2、图3和图7所绘示为本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的版图结构于制作方法300的步骤中的局部平面示意图。图8所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺之光掩模的局部平面示意图。具体而言，图6的制作方法300与图1的制作方法200的主要差异在于，制作方法300的重塑处理(步骤304)还包括在第二边缘邻近有源区的中间部的钝角的位置设置凹入辅助图案。

如图6所示，制作方法300开始于步骤302，接收一版图结构。请参考图2，版图结构10包括多个字线图案12、多个有源区图案14以及多个第一接触图案16。字线图案12沿第一方向D1延伸并且沿第二方向D2平行排列。有源区图案14沿第三方向D3延伸并且沿着第一方向D1平行排列，且相邻有源区图案14在第一方向D1上交错。各有源区图案14与两个相邻的字线图案12相交而被字线图案12区分成两个端部14b以及位于两个端部14b之间的一个中间部14a，其中中间部14a的形状包括平行四边形，并且包括一对锐角α以及一对钝角β。第一接触图案16和有源区图案14的中间部14a重叠，并且包括平行于第一方向D1的一对第一边缘16a以及位于所述第一边缘16a之间的一对第二边缘16b。

接着，进行步骤304，对所述多个第一接触图案进行重塑处理以获得多个第二接触图案。在一实施例中，如图3和图7所示，步骤304之重塑处理包括沿着第二方向D2延伸第一接触图案16的第二边缘16b，使第一接触图案16与两侧的字线图案12部分重叠，并且在两个第二边缘16b邻近锐角α的位置分别设置延伸辅助图案18，以及在第二边缘16b邻近所述钝角β的位置设置凹入辅助图案22。延伸辅助图案18与第一接触图案16为同调(tone)，而凹入辅助图案22与第一接触图案16为反调(reverse tone)。例如，延伸辅助图案18与第一接触图案16为暗区(dark)，而凹入辅助图案22为亮区(clear)。或者，延伸辅助图案18与第一接触图案16为亮区(clear)，而凹入辅助图案22为暗区(dark)。延伸辅助图案18、凹入辅助图案22与第一接触图案16结合而获得第二接触图案20。

本实用新型并不限制延伸第二边缘16b的操作以及设置延伸辅助图案18和设置凹入辅助图案22的操作的次序。例如，可先延伸第二边缘16b然后同时设置伸辅助图案18和凹入辅助图案22，或者先设置伸辅助图案18以及凹入辅助图案22，然后延伸第二边缘16b并且同步延伸辅助图案18及凹入辅助图案22。在另一实施例中，当步骤302接收的版图结构10为如图3所示第一接触图案16在步骤304的重塑处理之前就已经与两侧的字线图案12部分重叠，则步骤304的重塑处理可省略延伸第一接触图案16的第二边缘16b的操作。

如图7所示，延伸辅助图案18和凹入辅助图案22分别可具有矩形的平面形状，分别具有平行于第一方向D1的一对边缘以及平行于第二方向D2的另一对边缘。在一实施例中，延伸辅助图案18的平行于第一方向D1的该对边缘的其中一者与第一接触图案16的第一边缘16a对齐，另一者则介于第一接触图案16的第一边缘16a之间并连接在第一接触图案16的第二边缘16b上。凹入辅助图案22的平行于第一方向D1的该对边缘的其中一者与第一接触图案16的另第一边缘16a对齐，另一者则介于第一接触图案16的第一边缘16a之间并连接在第一接触图案16的第二边缘16b上。延伸辅助图案18位于第一接触图案16与相邻的端部14b之间，较佳者，延伸辅助图案18不重叠相邻的端部14b，而凹入辅助图案22不重叠中间部14a。

由第一接触图案16、延伸辅助图案18和凹入辅助图案22构成的第二接触图案20包括Z型的平面形状。详细来说，第二接触图案20包括平行于第一方向D1的一对第一边缘20a以及位于所述第一边缘20a之间的一对第二边缘20b。第一边缘20a在第二方向D2上包括错位。第二边缘20b包括由第一接触图案16的第二边缘16b、延伸辅助图案18的边缘和凹入辅助图案22的边缘形成的阶梯形状。类似的，可调整延伸辅助图案18及凹入辅助图案22的面积以使第二接触图案20与隔离区11’的重叠面积符合需求。

接着，进行步骤306，将所述多个第二接触图案转移至一光掩模，形成光掩模图案。如图8所示，光掩模100包括转移自第二接触图案20的光掩模图案120，将使用在动态随机存取存储器(DRAM)的位线接触插塞凹陷(bit line contact recess)的制作工艺中。

请参考图9和图10，所绘示为根据本实用新型一些实施例之动态随机存取存储器的版图结构的局部平面示意图，其中与前文实施例中相同或对应的元件以相同的附图标记来指示。本实用新型之延伸辅助图案18和凹入辅助图案22的形状并不限于图4和图7所示的矩形，也可包括其他形状，例如图9所示可分别包括阶梯形的平面形状，或者如图10所示可包括三角形的平面形状，但不限于此。

本实施例通过第一接触图案16对应于有源区14中间部14a的锐角α的位置设置延伸辅助图案18，以及可选择性的在对应于有源区14中间部14a的钝角β的位置设置凹入辅助图案22，获得的第二接触图案20可补偿动态随机存取存储器的线接触插塞凹陷的制作工艺中由于光学效应造成的开口图案圆角化，确保位线接触插塞凹陷可将有源区14的中间部14a凹陷至足够深度，减少了由于位线接触插塞凹陷不足而导致的位线与相邻的储存节点接触插塞之间发生短路的问题。

本实用新型之动态随机存取存储器之版图结构及光掩模的制作方法的其中一种实施样态可应用于有源区切割(active region cut)工艺中。请参考图11至图15。图11所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺的光掩模的制作方法400的步骤流程图。图12、图13和图14所绘示为本实用新型一实施例之动态随机存取存储器的版图结构于制作方法400的步骤中的局部平面示意图。图15所绘示为本实用新型一实施例之用于动态随机存取存储器工艺之光掩模的局部平面示意图。制作方法400包含使用一电脑***，其可接收设计定案(tape-out)的版图结构并依照半导体制作工艺特性而设定的规则来修正版图结构的图案，然后可将修正后的版图结构转移至光掩模制作***来制作用于半导体制作工艺的光掩模。

如图11所示，制作方法400开始于步骤402，接收一版图结构。如图12所示，版图结构10包括多个字线图案12、多个有源区图案14’以及多个第一开口图案26。值得注意的是，本实施例之有源区图案14’已根据有源区切割(active region cut)工艺之需求调整成沿着第三方向D3延伸的连续图案，开口图案26定义出有源区图案14’的切割区域。字线图案12、有源区图案14’以及第一开口图案26属于版图结构10的不同图案层，将被转移至不同光掩模成为光掩模图案，分别使用在动态随机存取存储器工艺的不同图案化步骤。

字线图案12沿第一方向D1延伸并且沿第二方向D2平行排列。有源区图案14’沿第三方向D3延伸并且沿着第一方向D1平行排列。在一实施例中，第一方向D1与第二方向D2互相垂直，第三方向D3不平行于第一方向D1与第二方向D2。举例来说，第三方向D3和第一方向D1之间包括小于90度的夹角。

字线图案12和有源区图案14’将交并且包括多个重叠区域，重叠区域的形状为平行四边形且包括一对锐角α以及一对钝角β。第一开口图案26与字线图案12和有源区图案14’的重叠区域的其中一些重叠。详细来说，有源区图案14’被字线图案12区分成端部14b以及位于端部14b之间的中间部14a，而第一开口图案26与位于两端部14b之间的字线图案12和有源区图案14’的重叠区域重迭。

第一开口图案26包括平行于第一方向D1的一对第一边缘26a以及位于第一边缘26a之间的一对第二边缘26b。在一实施例中，第一开口图案26可以包括矩形的平面形状，也就是说第二边缘26b平行于第二方向D2，第一边缘16a和第二边缘16b互相垂直。在一实施例中，第一开口图案26可包括与字线图案12和有源区图案14’的重叠区域的锐角α共端点的一对角。在其他实施例中，第一接触图案可以是平行四边形，例如是第一边缘平行于第一方向D1且第二边缘平行于第三方向D3的平行四边形。

制作方法400接着进行步骤404，对所述多个第一开口图案进行重塑处理以获得多个第二开口图案。在一实施例中，如图13和图14所示，重塑处理可包括沿着第一方向D1延伸第一开口图案26的第一边缘26a，以及在两个第二边缘26b邻近锐角α的位置分别设置延伸辅助图案18，以及可选择性的在两个第二边缘26b邻近钝角β的位置分别设置凹入辅助图案22。延伸辅助图案18与第一开口图案26为同调(tone)，凹入辅助图案22与第一开口图案26为反调(reverse tone)。举例来说，在一实施例中，延伸辅助图案18与第一开口图案26为暗区(dark)，而凹入辅助图案22为亮区(clear)。在另一实施例中，延伸辅助图案18与第一开口图案26为亮区(clear)，而凹入辅助图案22为暗区(dark)。延伸辅助图案18、凹入辅助图案22与第一开口图案26结合而获得第二开口图案28。需特别说明的是，本实用新型并不限制延伸第一边缘26a的操作以及设置延伸辅助图案18及凹入辅助图案22的操作的次序。例如，可先延伸第一边缘26a然后设置伸辅助图案18及凹入辅助图案22，或者先设置伸辅助图案18及凹入辅助图案22然后延伸第一边缘26a并且同步延伸辅助图案18。

如图14所示，延伸辅助图案18和凹入辅助图案22分别可具有矩形的平面形状，分别具有平行于第一方向D1的一对边缘以及平行于第二方向D2的另一对边缘。在一实施例中，延伸辅助图案18的平行于第一方向D1的该对边缘的其中一者与第一开口图案26的第一边缘26a对齐，另一者则介于第一开口图案26的第一边缘26a之间并连接在第一开口图案26的第二边缘26b上。凹入辅助图案22的平行于第一方向D1的该对边缘的其中一者与第一开口图案26的另第一边缘26a对齐，另一者则介于第一开口图案26的第一边缘26a之间并连接在第一开口图案26的第二边缘26b上。延伸辅助图案18位于第一开口图案26与相邻的有源区14’之间，较佳者，延伸辅助图案18不重叠相邻的有源区14’，而凹入辅助图案22不重叠字线图案12和有源区图案14’的重叠区域。可调整延伸辅助图案18及凹入辅助图案22的面积以使第二开口图案28与隔离区域11的重叠面积符合需求。

第二开口图案28包括Z型的平面形状。详细来说，第二开口图案28包括平行于第一方向D1的一对第一边缘28a以及位于所述第一边缘28a之间的一对第二边缘28b。第一边缘28a与有源区图案14’重叠，与字线图案12不重叠。第二边缘28b与有源区图案14不’重叠，与字线图案12重叠。第一边缘28a在第二方向D2上包括错位。第二边缘28b包括由第一开口图案26的第二边缘26b、延伸辅助图案18的边缘和凹入辅助图案22的边缘形成的阶梯形状。

延伸辅助图案18和凹入辅助图案22的形状并不限于图14所示的矩形，也可包括其他形状，例如阶梯形或三角形，但不限于此。

接着，进行步骤406，将所述多个第二开口图案转移至一光掩模，形成光掩模图案。如图15所示，光掩模500包括转移自第二开口图案28的光掩模图案520。

光掩模500将使用在动态随机存取存储器(DRAM)的有源区切割(active regioncut)工艺中。举例来说，可在半导体衬底上形成一掩膜层，然后通过光刻工艺将有源区图案14’转移至掩膜层中，形成包括连续延伸的有源区图案的图案化掩膜层，然后再通过另一次光刻工艺将光掩模500的光掩模图案520转移至图案化掩膜层中，而将图案化掩膜层的连续延伸的有源区图案切割成不连续的有源区图案。后续，再以包括不连续的有源区图案的图案化掩膜层为蚀刻遮罩对半导体衬底进行蚀刻，而在半导体衬底上定义出不连续的有源区。

本实施例通过第一开口图案26对应于字线图案12和有源区图案14’的重迭区域的锐角α的位置设置延伸辅助图案18，以及可选择性的在对应于字线图案12和有源区图案14’的重迭区域的钝角β的位置设置凹入辅助图案22，获得的第二开口图案28可补偿动态随机存取存储器的有源区切割工艺中由于光学效应造成的开口图案圆角化，确保有源区的切割准确度。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种动态随机存取存储器的版图结构，其特征在于，包括:

多个字线图案，沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列；

多个有源区图案，各所述有源区图案与两所述字线图案相交而被划分成一个中间部及两个端部，其中所述中间部的形状为平行四边形，且包括一对钝角以及一对锐角；以及

多个接触图案，重叠所述有源区图案的所述中间部，并且包括平行于所述第一方向的一对第一边缘以及位于所述第一边缘之间的一对第二边缘，所述第二边缘包括阶梯形状。

2.如权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述有源区图案沿第三方向延伸并沿所述第一方向交错排列，所述第三方向不平行于所述第一方向与所述第二方向。

3.如权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述有源区图案的中间部与相邻有源区图案的所述端部之间包括一隔离区，所述接触图案重叠所述隔离区的面积的40％至50％。

4.如权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述接触图案的形状包括Z型。

5.如权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述接触图案的所述第一边缘在所述第二方向上错位。

6.如权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述接触图案与两所述字线图案部分重叠。

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