CN211700262U - 单片式半导体单相全波mb和db系列贴片整流桥堆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，包括四组连接板，四组所述连接板上均焊接有整流二极管芯片，四组所述连接板上还设置有连接头，所述连接头与整流二极管芯片之间焊接有跳线铜片，四组所述连接板上还连接有整流桥堆引脚，此单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，固定设备投资少，人员利用率高，人工成本降低，原材料成本降低，从而实现整体成本降低，且大部分可以实现自动化制作，以及提高单相全波整流桥堆的电气可靠性能和制作产出良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及100A以下2000V以下MBF,MBS,MBM,DBS，ABS单相全波迷你整流桥堆半导体元器件框架引线料片布线封装技术领域，具体为单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆。
背景技术
现有100A以下2000V以下MBF,MBS,MBM,DBS，ABS单相全波迷你整流桥堆，现有的产品是采用上下两片式连接板进行组合实现，上下引线框架各承载粘接2颗整流二极管芯片单元，后人工或机械把已经粘接好2颗整流二极管芯片单元的上连接板合接在已经粘接好2颗整流二极管芯片单元的下连接板上，再通过隧道高温使4颗整流二极管芯片正负极焊接在上下连接板上形成空间结构并形成单相全波整流电路，最后通过塑封形成集成化的单相全波迷你整流桥堆元器件。
现有的存在以下缺点，第一：其采用的整流二极管芯片单元，芯片为GPP芯片，该芯片制作工艺后的芯片正极比负极小30％左右，以上工艺在没有上下合在一起形成电路前各分别两颗芯片都是负极粘接在上下连接板上。现有的在没有上下合片在一起的时候是没有焊接的只是使用锡膏自身的粘性把芯片黏在各自的上下连接板料片上。而上下需要合片在一起，这是就需要把上连接板料片上的芯片对准下连接板料片的焊点上，这是芯片小头朝下对准焊点。后上下框架合成一片形成单相全波整流电路，因此时芯片没有焊接形成有效的欧姆接触，这种模式因锡膏的粘性以及人工或机械的误差，周边环境，特别是上下连接板采用的矩阵等距离排列其布线安全电气线宽在0.3毫米左右布线很小，而连接板料片非常的薄极容易变形形成芯片不稳上下空间歪斜以及横向偏斜走位幅度超大的现象，导致整个4颗芯片集成中出现虚焊、短路搭桥、芯片上下锡流焊短路、引出端走位短路等电气严重不良现象。这样极容易造成连接线或芯片之间电气短路导致整流电路失效或电路中炸机现象。
第二、现有封装采用的上下两片式连接板作为4颗整流单元的内部布线和外部4脚的引出端。每片连接板都是整体铜片冷冲压制作出来，电气电路在每片连接板上以矩阵排列模式分布每颗集成的线路和焊点。所以每个连接板有一定的制作内应力，在元器件制作和焊接过程中也会引入内应力，因上下连接板中各有448颗的单相全波迷你整流桥堆元器件半个单元，每半个单元中有2颗整流二极管芯片单元，这些单元均通过料片上的构造连在一起，在后续的合片、焊接、注塑、上锡过程中都是连在一起的，最后通过机械成型切脚才把每个单相全波迷你整流桥堆器件分粒出来，在这些过程中会存在太多的应力。在器件电气性能和器件的可靠性能有极大的隐患，可靠性不高。导致制造良率底和实际应用失效率较大问题。
第三、现有的单相全波迷你整流桥堆采用上下两片连接板，对冲压连接板的材料利用率极低，只能达到40％至50％；对料片的成本较高，导致整个器件制造成本高。
第四、现有的单相全波迷你整流桥堆采用上下两片连接板，制造的工序以及设备，人工使用多。对固定投资和人工成本较高。为此，我们提出一种单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，包括四组连接板，四组所述连接板上均焊接有整流二极管芯片，四组所述连接板上还设置有连接头，所述连接头与整流二极管芯片之间焊接有跳线铜片，四组所述连接板上还连接有整流桥堆引脚。
优选的，四组所述连接板在同一平面内。
优选的，四组所述整流二极管芯片均为单元负极与连接板焊接。
优选的，四组所述连接板间隔设置。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型固定设备投资少，人员利用率高，人工成本降低，原材料成本降低，从而实现整体成本降低，且大部分可以实现自动化制作，以及提高单相全波整流桥堆的电气可靠性能和制作产出良率。
附图说明
图1为框架引线料片中单颗桥堆布线立体图；
图2为框架引线料片中单颗桥堆布线整流二极管芯片立体图；
图3为框架引线料片中单颗桥堆布线跳线图；
图4为图3的俯视示意图；
图5为框架引线料片中单颗桥堆布线采用跳线模式形成内部单相全波整流电路图；
图6为框架引线料片局部放大以及布线图。
图中：1-连接板；2-整流二极管芯片；3-连接头；4-跳线铜片；5-整流桥堆引脚；6-第一整流二极管芯片；7-第二整流二极管芯片；8-第三整流二极管芯片；9-第四整流二极管芯片；10-第一引脚；11-第二引脚；12-第三引脚；13-第四引脚。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-6，本实用新型提供一种技术方案：单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，包括四组连接板1，四组所述连接板1在同一平面内，由四组连接板1构成一个桥堆即单片式，解决上下料片应力问题以及料片自身折弯和凸点应力问题，四组所述连接板1间隔设置，四组所述连接板1上均焊接有整流二极管芯片2，四组所述连接板1上还设置有连接头3，所述连接头3与整流二极管芯片2之间焊接有跳线铜片4，在集成4颗分离整流二极管芯片2单元上正极采用各个单片跳线模式形成单相全波桥式整流电路，解决虚焊搭桥短路以及整体应力移位变形等整体焊接不良问题，提高产品产出良率和器件可靠性能，四组所述连接板1上还连接有整流桥堆引脚5，具体的，四组整流二极管芯片2分别为第一整流二极管芯片6、第二整流二极管芯片7、第三整流二极管芯片8和第四整流二极管芯片9，四组整流桥堆引脚5分别为第一引脚10、第二引脚11、第三引脚12和第四引脚13，而单片(一片)式内部电路全部采用平面形，没有凸点，桥堆的4个整流桥堆引脚5均在一个整体框架上没有相互应力，四组连接板1与整流二极管芯片2以及之间的连接整体构成一个单颗桥堆，然后通过注塑的方式将以上整体包裹在一层环氧塑封料内形成单颗桥堆元器件的本体，然后由448颗整流桥堆阵列式等距分布排列在一个框架引线料片。
四组所述整流二极管芯片4均为单元负极与连接板1焊接，4颗分离整流二极管芯片2单元负极(大头)与连接板1焊接，正极(小头)朝上与跳线铜片4焊接，4颗芯片全是大头朝下小头朝上的焊接在连接板1上，就不会有站不稳现象，极容易形成良好的欧姆接触，整流二极管芯片2在框架上不容易走位，对正极焊接定位准确度很大的提高。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，包括四组连接板(1)，其特征在于：四组所述连接板(1)上均焊接有整流二极管芯片(2)，四组所述连接板(1)上还设置有连接头(3)，所述连接头(3)与整流二极管芯片(2)之间焊接有跳线铜片(4)，四组所述连接板(1)上还连接有整流桥堆引脚(5)。
2.根据权利要求1所述的单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，其特征在于：四组所述连接板(1)在同一平面内。
3.根据权利要求1所述的单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，其特征在于：四组所述整流二极管芯片(2)均为单元负极与连接板(1)焊接。
4.根据权利要求1所述的单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，其特征在于：四组所述连接板(1)间隔设置。
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