CN211295085U - 一种多芯片串联封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种多芯片串联封装结构,包括芯片、封装壳体和两铜框架,所述芯片至少设置为两个,所述铜框架位于封装壳体外形成引出脚;两所述铜框架位于封装壳体内的部分分别呈一上、一下折弯形成上框架和下框架,所述上框架和下框架间平行设置,多个所述芯片呈阴、阳极同向叠放于上框架和下框架之间,且相邻两所述芯片间、上框架与芯片间、以及下框架与芯片间电连接。采用叠加式的结构,将多个芯片集成在竖向空间内,能够有效的降低整体器件的占用面积。
Description
技术领域
本实用新型涉及芯片封装的技术领域,特别涉及一种多芯片串联封装结构。
背景技术
在电子电路中,串、并联是常用的连接方式,其中,由于集成电路板的普及,现有电路的集成程度也越来越高,因此为了实现更高的集成度,采用了各式集成化的芯片。但在一些场合,会采用多颗芯片间的串联来实现整个器件的参数变化,比如在半导体领域,多颗芯片的串联可以用来实现对伏安特性曲线的调整,也可以用来调节电压。基于此,可以对芯片进一步进行集成化处理,从而减小其体积。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的一是提供一种多芯片串联封装结构,具有将多个芯片进一步集成化,具有缩小整个器件整体尺寸的效果。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种多芯片串联封装结构,包括芯片、封装壳体和两铜框架,所述芯片至少设置为两个,所述铜框架位于封装壳体外的部分形成引出脚;
两所述铜框架位于封装壳体内的部分分别呈一上、一下折弯形成上框架和下框架,所述上框架和下框架间平行设置,多个所述芯片呈阴、阳极同向叠放于上框架和下框架之间,且相邻两所述芯片间、上框架与芯片间、以及下框架与芯片间电连接。
如此设置,采用叠加式的结构,将多个芯片集成在竖向空间内,能够有效的降低整体器件的占用面积。
进一步优选为:相邻两所述芯片间、上框架与芯片间、以及下框架与芯片间通过焊锡钎焊连接。
如此设置,生产时先焊接连接,然后再进行灌胶封装形成封装壳体,便于生产,有效提高生产效率。
进一步优选为:所述引出脚为鸥翼脚、平脚或插件脚。
如此设置,鸥翼脚的设计,使得引出脚从封装壳体侧面的中部位置引出,具有较好的结构强度;而平脚和插件脚的设计能用于一些特定场合的使用。
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的二是提供一种多芯片串联封装结构,具有将多个芯片进一步集成化,具有缩小整个器件整体尺寸的效果。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种多芯片串联封装结构,包括芯片、封装壳体和两铜框架,所述芯片至少设置为两个,所述铜框架位于封装壳体外的部分形成引出脚;
两所述铜框架位于封装壳体内的部分形成焊盘,所有所述芯片于同一水平面上呈线性间隔排列,位于两端的两所述芯片分别与两焊盘电连接,相邻两所述芯片间通过一连接片电连接,相邻两所述芯片的阴、阳极呈相反设置。
如此设置,采用线性排列的搭桥式连接,芯片相对较长,但不占用竖向空间,也能够降低整体器件的占用面积。
进一步优选为:所述焊盘与芯片间、以及芯片与连接片间通过焊锡钎焊连接。
如此设置,生产时先焊接连接,然后再进行灌胶封装形成封装壳体,便于生产,有效提高生产效率。
进一步优选为:所述引出脚为鸥翼脚、平脚或插件脚。
如此设置,鸥翼脚的设计,使得引出脚从封装壳体侧面的中部位置引出,具有较好的结构强度;而平脚和插件脚的设计能用于一些特定场合的使用。
进一步优选为:所述芯片呈双数时,两所述焊盘共面设置。
进一步优选为:所述芯片呈单数时,两所述焊盘呈一上一下平行设置。
综上所述,本实用新型具有以下有益效果:将多个芯片进一步集成化,具有缩小整个器件整体尺寸的效果。
附图说明
图1是实施例一的整体外形图;
图2是实施例一的内部结构示意图;
图3是实施例二的内部结构示意图;
图4是实施例三的整体外形图;
图5是实施例四的整体外形图;
图6是实施例四的内部结构示意图;
图7是实施例五的内部结构示意图。
图中,100、封装壳体;200、芯片;300、铜框架;310、引出脚;320、上框架;330、下框架;340、焊盘;400、焊锡;500、连接片。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
实施例1:一种多芯片串联封装结构,如图1和图2所示,包括封装壳体100、多个芯片200和两铜框架300,其中,本实施例中以两个芯片200为例,两个芯片200均位于封装壳体100内,两铜框架300一端位于封装壳体100内与芯片200连接、另一端伸出封装壳体100外的部分形成引出脚310。
参照图2,两铜框架300位于封装壳体100内的部分分别呈一上、一下折弯形成上框架320和下框架330,上框架320和下框架330间平行设置,上框架320和下框架330同中心线设置,且上框架320和下框架330间距离大于两个芯片200的厚度之和。
两个芯片200位于上框架320和下框架330之间,且两个芯片200间呈阴、阳极同向叠放。两芯片200间、上框架320与芯片200间、以及下框架330与芯片200间通过焊锡400钎焊连接,在完成连接后相邻两芯片200间、上框架320与芯片200间、以及下框架330与芯片200间形成电连接。
其中,参照图1和图2,两引出脚310均为鸥翼脚,即两引出脚310分别于封装壳体100两侧面的中部位置伸出,伸出后向同一方向弯折,使引出脚310形成鸥翼形结构。
实施例2:如图3所示,与实施例1的不同之处在于,两引出脚310均为平脚。
本实施例引脚设置相比于对比实施例1的设计,在生产上较为简单,工艺更少。但在成品的结构强度上、焊接温度传导等方面上有所降低。
实施例3:如图4所示,与实施例1的不同之处在于,两引出脚310均为插件脚。
本实施例引脚设置相比于实施例1的设计,在生产上较为简单,工艺更少,但在使用上局限较大。
实施例4:一种多芯片串联封装结构,如图5和图6所示,包括封装壳体100、多个芯片200和两铜框架300,其中,芯片200数量为双数,本实施例中以两个芯片200为例。
两芯片200均位于封装壳体100内,两铜框架300一端位于封装壳体100内与芯片200连接、另一端伸出封装壳体100外的部分形成引出脚310。
两铜框架300位于封装壳体100内的部分形成焊盘340,其中,两引出脚310均为鸥翼脚,且焊盘340所在端面位于引出脚310的上下两端之间、且靠近下端位置,两焊盘340间共面设置。
所有芯片200于同一水平面上呈线性间隔排列,位于两端的两芯片200分别与两焊盘340间通过焊锡400钎焊连接,相邻两芯片200间通过一连接片500电连接,芯片200与连接片500间通过焊锡400钎焊连接,且相邻两芯片200的阴、阳极呈相反设置。
实施例5:如图7所示,与实施例4的不同之处在于,芯片200数量大于两个,且数量为单数,此时两焊盘340呈一上一下平行设置,一个焊盘340的所在端面位于引出脚310的上下两端之间、且靠近下端位置,另一焊盘340所在端面高于引出脚310所在位置。
本具体实施方式的实施例均为本发明的较佳实施例,并非依此限制本发明的保护范围,故:凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种多芯片串联封装结构,包括芯片(200)、封装壳体(100)和两铜框架(300),其特征是:所述芯片(200)至少设置为两个,所述铜框架(300)位于封装壳体(100)外的部分形成引出脚(310);
两所述铜框架(300)位于封装壳体(100)内的部分分别呈一上、一下折弯形成上框架(320)和下框架(330),所述上框架(320)和下框架(330)间平行设置,多个所述芯片(200)呈阴、阳极同向叠放于上框架(320)和下框架(330)之间,且相邻两所述芯片(200)间、上框架(320)与芯片(200)间、以及下框架(330)与芯片(200)间电连接。
2.根据权利要求1所述的一种多芯片串联封装结构,其特征是:相邻两所述芯片(200)间、上框架(320)与芯片(200)间、以及下框架(330)与芯片(200)间通过焊锡(400)钎焊连接。
3.根据权利要求1所述的一种多芯片串联封装结构,其特征是:所述引出脚(310)为鸥翼脚、平脚或插件脚。
4.一种多芯片串联封装结构,包括芯片(200)、封装壳体(100)和两铜框架(300),其特征是:所述芯片(200)至少设置为两个,所述铜框架(300)位于封装壳体(100)外的部分形成引出脚(310);
两所述铜框架(300)位于封装壳体(100)内的部分形成焊盘(340),所有所述芯片(200)于同一水平面上呈线性间隔排列,位于两端的两所述芯片(200)分别与两焊盘(340)电连接,相邻两所述芯片(200)间通过一连接片(500)电连接,相邻两所述芯片(200)的阴、阳极呈相反设置。
5.根据权利要求4所述的一种多芯片串联封装结构,其特征是:所述焊盘(340)与芯片(200)间、以及芯片(200)与连接片(500)间通过焊锡(400)钎焊连接。
6.根据权利要求4所述的一种多芯片串联封装结构,其特征是:所述引出脚(310)为鸥翼脚、平脚或插件脚。
7.根据权利要求6所述的一种多芯片串联封装结构,其特征是:所述芯片(200)呈双数时,两所述焊盘(340)共面设置。
8.根据权利要求6所述的一种多芯片串联封装结构,其特征是:所述芯片(200)呈单数时,两所述焊盘(340)呈一上一下平行设置。
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- 2020-03-11 CN CN202020297952.5U patent/CN211295085U/zh active Active
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