CN211479089U - 一种触控显示面板 - Google Patents
一种触控显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211479089U CN211479089U CN202020159454.4U CN202020159454U CN211479089U CN 211479089 U CN211479089 U CN 211479089U CN 202020159454 U CN202020159454 U CN 202020159454U CN 211479089 U CN211479089 U CN 211479089U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- touch
- display panel
- substrate
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 25
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请提供了一种触控显示面板，所述触控显示面板包括：衬底；薄膜晶体管层，位于所述衬底上；发光器件层，位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底一侧，包括多个间隔设置的像素单元，且相邻所述像素单元的阳极之间相互间隔设置，相邻所述像素单元的阴极之间相互间隔设置；触控层，包括触控电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影位于相邻所述像素单元的间隔区域在所述衬底上的正投影内，且至少部分所述触控电极与所述薄膜晶体管层中的其中一个金属层同层且相互绝缘设置。通过上述方式，本申请能够实现将触控层的部分触控电极嵌入薄膜晶体管层中。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种触控显示面板。
背景技术
触控显示面板兼具触控和显示两种功能，因此目前越来越受到大家的青睐，且成为主流显示面板之一。
但目前大部分触控显示面板中的触控层均单独设置于发光器件层远离衬底一侧。该方式会增加触控显示面板的厚度，制造成本也相对较高。
实用新型内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种触控显示面板，能够实现将触控层的部分触控电极嵌入到薄膜晶体管层中。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种触控显示面板，所述触控显示面板包括：衬底；薄膜晶体管层，位于所述衬底上；发光器件层，位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底一侧，包括多个间隔设置的像素单元，且相邻所述像素单元的阳极之间相互间隔设置，相邻所述像素单元的阴极之间相互间隔设置；触控层，包括触控电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影位于相邻所述像素单元的间隔区域在所述衬底上的正投影内，且至少部分所述触控电极与所述薄膜晶体管层中的其中一个金属层同层且相互绝缘设置。
本申请的有益效果是：区别于现有技术情况，本申请所提供的触控显示面板包括衬底、薄膜晶体管层、发光器件层和触控层，其中，发光器件层包括多个间隔设置的像素单元，相邻像素单元的阳极之间相互间隔设置，相邻像素单元的阴极之间相互间隔设置。一方面，触控层中的触控电极在衬底上的正投影位于相邻像素单元的间隔区域在衬底上的正投影内。该方式可以使得发光器件层的阳极和阴极不会影响触控电极的触控效果实现。另一方面，触控层的至少部分触控电极与薄膜晶体管层中的其中一个金属层同层且相互绝缘设置。该方式可以将触控层的至少部分触控电极嵌入薄膜晶体管层中，实现了内嵌式触控显示面板，降低触控显示面板的厚度；且在制备过程中至少部分触控电极与同层设置的金属层可以利用同一个掩膜版同时制备形成，进而可以降低工艺制备复杂程度，降低制备成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1为本申请触控显示面板一实施方式的结构示意图；
图2为图1中触控电极一实施方式的俯视示意图；
图3为本申请触控显示面板另一实施方式的结构示意图；
图4为本申请触控显示面板又一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请触控显示面板一实施方式的结构示意图。该触控显示面板包括衬底10、薄膜晶体管层12、发光器件层14和触控层16。
具体地，衬底10可以为刚性衬底或者柔性衬底，当其为刚性衬底时，其材质可以为硅等，当其为柔性衬底时，其材质可以为聚酰亚胺等。
薄膜晶体管层12位于衬底10上，薄膜晶体管层12中可以包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管可以控制发光器件层14进行发光。薄膜晶体管层12中可以包括多个金属层，例如，栅极金属层120、漏极金属层122、电容极板金属层(图未示)等。
发光器件层14位于薄膜晶体管层12远离衬底10一侧，包括多个间隔设置的像素单元140，且相邻像素单元140的阳极142之间相互间隔设置，即相邻像素单元140的阳极142之间相互断开；相邻像素单元140的阴极144之间相互间隔设置，即相邻像素单元140的阴极144之间相互断开。在本实施例中，该发光器件层14还可以包括像素定义层146和发光层148。其中，阳极142可以与薄膜晶体管层12接触；像素定义层146覆盖阳极142，且对应阳极142的位置设置有开口；发光层148位于开口内；阴极144覆盖发光层148远离阳极142一侧。
触控层16包括触控电极160，触控电极160在衬底10上的正投影位于相邻像素单元140的间隔区域在衬底10上的正投影内，此时，触控电极160在衬底10上的正投影与阳极142和阴极144在衬底10上的正投影之间无相互重合区域。该方式可以使得发光器件层14的阳极142和阴极144不会影响触控电极160的触控效果实现。且触控层16中至少部分触控电极160与薄膜晶体管层12中的其中一个金属层同层且相互绝缘设置，该方式可以将触控层16的至少部分触控电极160嵌入薄膜晶体管层12中，实现了内嵌式触控显示面板，降低触控显示面板的厚度；且在制备过程中至少部分触控电极160与同层设置的金属层可以利用同一个掩膜版同时制备形成，进而可以降低工艺制备复杂程度，降低制备成本。当然，在其他实施例中，触控层16还可包括与触控电极160电连接的触控引线(图未示)等。
在一个实施方式中，请参阅图2，图2为图1中触控电极一实施方式的俯视示意图。触控电极160包括交叉设置的多个第一触控电极1600和多个第二触控电极1602。例如，第一触控电极1600可以与第二触控电极1602相互垂直设置，第一触控电极1600和第二触控电极1602中的一个可以作为接收电极，另一个可以作为发射电极，且两者可以形成自电容或者互电容工作模式。此外，对于第一触控电极1600和第二触控电极1602的形状，本申请对此不作限定，例如，第一触控电极1600和第二触控电极1602可以为长条形；又例如，第一触控电极1600和第二触控电极1602可以为图2中菱形电极块与长条形桥接线交替连接的结构。
较佳地，在本实施例中，第一触控电极1600与发光器件层14的阳极142同层且相互绝缘设置，第二触控电极1602与薄膜晶体管层12中的其中一个金属层(例如，漏极金属层122、源极金属层123等)同层且相互绝缘设置。该设计方式可以使得第一触控电极1600和第二触控电极1602的距离较小，触控精度较高；且在制备过程中第一触控电极1600与同层设置的阳极142可以利用同一个掩膜版制备形成，第二触控电极1602与同层设置的金属层可以利用同一个掩膜版同时制备形成，进而可以进一步降低工艺制备复杂程度，降低制备成本。当然，在其他实施例中，第一触控电极1600也可与发光器件层14中的阴极144同层且相互绝缘设置，第二触控电极1602与薄膜晶体管层12中的其中一个金属层同层且相互绝缘设置。
在另一个实施方式中，请再次参阅图1，触控电极160在衬底10上的正投影与阳极142、阴极144以及薄膜晶体管层12中的所有金属层在衬底10上的正投影无相互重合区域。该设计方式可以降低触控显示面板中其他金属层对触控电极160的电容的影响，提高触控效果和精度。
在又一个实施方式中，请再次参阅图1，薄膜晶体管层12包括多个间隔设置的低温多晶硅晶体管124。该薄膜晶体管层12的结构较为简单，且由该薄膜晶体管层12形成的触控显示面板具有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优点。
在一个应用场景中，如图1所示，上述薄膜晶体管层12中的低温多晶硅晶体管124为顶栅结构，即栅极金属层120位于低温多晶硅半导体层126上方。上述设计方式中的薄膜晶体管层12的结构较为成熟，且工艺易于制得。
具体地，薄膜晶体管层12包括：低温多晶硅半导体层126、第一绝缘层128、栅极金属层120、第二绝缘层121、漏极金属层122、源极金属层123。其中，低温多晶硅半导体层126位于衬底10上，包括多组间隔设置的且依次连接的源极区1260、沟道区1262和漏极区1264。第一绝缘层128覆盖低温多晶硅半导体层126。栅极金属层120位于第一绝缘层128上。第二绝缘层121覆盖第一绝缘层128以及栅极金属层120。漏极金属层122可以与源极金属层123同层设置，且位于第二绝缘层121上，漏极金属层122的一侧与对应位置处的阳极142电连接，漏极金属层122的另一侧透过第一绝缘层128和第二绝缘层121与对应位置处的漏极区1264电连接，例如，第一绝缘层128和第二绝缘层121对应漏极金属层122和漏极区1264的位置设置有导电孔，漏极金属层122通过该导电孔与漏极区1264电连接；源极金属层123的一侧透过第一绝缘层128和第二绝缘层121与对应位置处的源极区1260电连接，例如，第一绝缘层128和第二绝缘层121对应源极金属层123和源极区1260的位置设置有导电孔，源极金属层123通过该导电孔与源极区1260电连接。
在又一个应用场景中，如图3所示，图3为本申请触控显示面板另一实施方式的结构示意图。上述薄膜晶体管层12a中的低温多晶硅晶体管124a为底栅结构，即栅极金属层120a位于低温多晶硅半导体层126a的下方。上述设计方式中的薄膜晶体管层12a的结构较为成熟，且工艺易于制得。
具体地，薄膜晶体管层12a包括：栅极金属层120a、第一绝缘层128a、低温多晶硅半导体层126a、漏极金属层122a和源极金属层123a。其中，栅极金属层120a位于衬底10a上。第一绝缘层128a覆盖栅极金属层120a。低温多晶硅半导体层126a位于第一绝缘层128a上，包括依次连接的源极区1260a、沟道区1262a和漏极区1264a。漏极金属层122a与源极金属层123a位于第一绝缘层128a上，且漏极金属层122a覆盖至少部分漏极区1264a，阳极142a与对应位置处的漏极金属层122a电连接；源极金属层123a覆盖至少部分源极区1260a。
优选地，在上述图1或图3所示的触控显示面板中，至少部分触控电极160/160a(例如，触控电极160/160a中的第二触控电极1602/1602a)与低温多晶硅晶体管124/124a中的栅极金属层120/120a或漏极金属层122/122a同层且绝缘设置。该设计方式结构较为简单，且工艺上易于实现；且在制备过程中至少部分触控电极160a可以与同层设置的栅极金属层120/120a或漏极金属层122/122a利用同一个掩膜版同时制备形成，降低工艺制备复杂程度，进而降低制备成本。
在又一个实施方式中，请参阅图4，图4为本申请触控显示面板又一实施方式的结构示意图。该触控显示面板中的薄膜晶体管层12b包括多个间隔设置的低温多晶硅晶体管124b和金属氧化物晶体管124c。由该薄膜晶体管层12b形成的触控显示面板不仅具有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有生产成本低和功耗低的优势。
在一个应用场景中，至少部分触控电极160b(例如，第二触控电极1602b)与低温多晶硅晶体管124b中的栅极金属层120b或漏极金属层122b同层且绝缘设置；或者，至少部分触控电极160b(例如，第二触控电极1602b)与金属氧化物晶体管124c中的栅极金属层120c或漏极金属层122c同层且绝缘设置。该设计方式结构简单，且工艺上易于实现。且在制备过程中至少部分触控电极160b可以与同层设置的栅极金属层120b/120c或漏极金属层122b/122c利用同一个掩膜版同时制备形成，降低工艺制备复杂程度，进而降低制备成本。
优选地，在本实施例中，如图4所示，低温多晶硅晶体管124b包括顶栅结构，金属氧化物晶体管124c包括底栅结构。该设计方式可以有效提升金属氧化物晶体管124c的可靠性，降低漏电流loff和功耗。
进一步，上述低温多晶硅晶体管124b中的栅极金属层120b与金属氧化物晶体管124c中的栅极金属层120c同层且绝缘设置。该设计方式可以使得在制备过程中低温多晶硅晶体管124b的栅极金属层120b与金属氧化物晶体管124c的栅极金属层120c采用同一个掩膜版同时制备形成，节省工序，降低制备成本。具体地，如图4所述，该薄膜晶体管层12b包括：
低温多晶硅半导体层126b，位于衬底10b上，包括依次连接的第一源极区1260b、第一沟道区1262b和第一漏极区1264b。
第一绝缘层128b，覆盖低温多晶硅半导体层126b。
同层设置的低温多晶硅晶体管124b的栅极金属层120b和金属氧化物晶体管124c的栅极金属层120c，位于第一绝缘层128b。
第二绝缘层121b，覆盖第一绝缘层128b以及栅极金属层120b/120c。
低温多晶硅晶体管124b的漏极金属层122b与源极金属层123b，位于第二绝缘层121b上，漏极金属层122b的一侧与对应位置处的阳极142b电连接，漏极金属层122b的另一侧透过第一绝缘层128b和第二绝缘层121b与第一漏极区1264b电连接；源极金属层123b的一侧透过第一绝缘层128b和第二绝缘层121b与第一源极区1260b电连接。
金属氧化物半导体层126c，位于第二绝缘层121b上，包括依次连接的第二源极区1260c、第二沟道区1262c和第二漏极区1264c。
金属氧化物晶体管124c的漏极金属层122c与源极金属层123c，位于第二绝缘层121b上，且漏极金属层122c覆盖至少部分第二漏极区1264c，阳极142b与对应位置处的漏极金属层122c接触；源极金属层123c覆盖至少部分第二源极区1260c。
当然，在其他实施例中，当触控显示面板中的薄膜晶体管层12b由多个间隔设置的低温多晶硅晶体管124b和金属氧化物晶体管124c组成时，低温多晶硅晶体管124b和金属氧化物晶体管124c也可全部为顶栅结构或底栅结构，或者低温多晶硅晶体管124b为底栅结构，金属氧化物晶体管124c为顶栅结构。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括：
衬底；
薄膜晶体管层，位于所述衬底上；
发光器件层，位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底一侧，包括多个间隔设置的像素单元，且相邻所述像素单元的阳极之间相互间隔设置，相邻所述像素单元的阴极之间相互间隔设置；
触控层，包括触控电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影位于相邻所述像素单元的间隔区域在所述衬底上的正投影内，且至少部分所述触控电极与所述薄膜晶体管层中的其中一个金属层同层且相互绝缘设置。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述触控电极包括交叉设置的多个第一触控电极和多个第二触控电极，所述第一触控电极与所述发光器件层的所述阳极同层且相互绝缘设置，所述第二触控电极与所述薄膜晶体管层中的其中一个金属层同层且相互绝缘设置。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述触控电极在所述衬底上的正投影与所述阳极、所述阴极以及所述薄膜晶体管层中的所有所述金属层在所述衬底上的正投影无相互重合区域。
4.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述薄膜晶体管层包括多个间隔设置的低温多晶硅晶体管-。
5.根据权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，
所述低温多晶硅晶体管为顶栅结构或底栅结构。
6.根据权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，
至少部分所述触控电极与所述低温多晶硅晶体管中的栅极金属层或漏极金属层同层且绝缘设置。
7.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述薄膜晶体管层包括多个间隔设置的低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管。
8.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，
至少部分所述触控电极与所述低温多晶硅晶体管中的栅极金属层或漏极金属层同层且绝缘设置；或者，
至少部分所述触控电极与所述金属氧化物晶体管中的栅极金属层或漏极金属层同层且绝缘设置。
9.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，
所述低温多晶硅晶体管包括顶栅结构，所述金属氧化物晶体管包括底栅结构。
10.根据权利要求9所述的触控显示面板，其特征在于，
所述低温多晶硅晶体管中的栅极金属层与所述金属氧化物晶体管中的栅极金属层同层且绝缘设置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020159454.4U CN211479089U (zh) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | 一种触控显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020159454.4U CN211479089U (zh) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | 一种触控显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211479089U true CN211479089U (zh) | 2020-09-11 |
Family
ID=72372210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202020159454.4U Active CN211479089U (zh) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | 一种触控显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211479089U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112802858A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-05-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及显示装置的制备方法 |
| CN113193011A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示模组 |
| CN113655919A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-11-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 内嵌式的oled触控显示面板 |
| CN115942832A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-07 | 惠科股份有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
-
2020
- 2020-02-10 CN CN202020159454.4U patent/CN211479089U/zh active Active
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112802858A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-05-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及显示装置的制备方法 |
| WO2022151533A1 (zh) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及显示装置的制备方法 |
| CN112802858B (zh) * | 2021-01-13 | 2023-11-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及显示装置的制备方法 |
| CN113193011A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示模组 |
| CN113655919A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-11-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 内嵌式的oled触控显示面板 |
| CN113655919B (zh) * | 2021-08-18 | 2023-06-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 内嵌式的oled触控显示面板 |
| CN115942832A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-07 | 惠科股份有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
| CN115942832B (zh) * | 2022-12-29 | 2024-03-01 | 惠科股份有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN211479089U (zh) | 一种触控显示面板 | |
| CN107170764B (zh) | 阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置 | |
| US20210327965A1 (en) | Oled array substrate, manufacturing method thereof and touch display device | |
| CN110649043A (zh) | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 | |
| KR101985246B1 (ko) | 금속 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
| CN110211974A (zh) | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 | |
| US8698159B2 (en) | Panel structure including transistor and connecting elements, display device including same, and methods of manufacturing panel structure and display device | |
| US20210225883A1 (en) | Ltps array substrate and method for manufacturing same | |
| CN104808376A (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
| US11669180B2 (en) | Touch display substrate and display device | |
| CN110046610B (zh) | 一种指纹识别显示装置及其制备方法、显示设备 | |
| CN109671722B (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制造方法 | |
| WO2020215602A1 (zh) | Oled显示面板的制备方法及oled显示面板 | |
| US20220317848A1 (en) | Touch Panel, Preparation Method Thereof and Display Apparatus | |
| CN109449164B (zh) | 一种tft基板、显示面板及显示装置 | |
| CN109713043A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置 | |
| US20200402465A1 (en) | Display panel, display screen and control method thereof | |
| CN103022144A (zh) | 氧化物半导体 | |
| CN108417579A (zh) | 一种显示基板及其制造方法 | |
| WO2021258458A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| CN104952935A (zh) | 一种薄膜晶体管结构及其制备方法 | |
| WO2022047704A1 (zh) | 触控面板及触控显示装置 | |
| WO2021258455A1 (zh) | 自容式触控基板及显示装置 | |
| CN102522411B (zh) | 薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的阵列基板及其制作方法 | |
| CN107507848B (zh) | 一种触摸显示屏 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |