CN113193011A - 显示面板及其制备方法、显示模组 - Google Patents

Abstract

本申请提出了一种显示面板及其制备方法、显示模组，该显示面板包括衬底、位于衬底上的驱动电路层、位于驱动电路层上的发光器件层以及触控层，其中，触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，第一触控电极层与驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，第二触控电极层与发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。本申请通过将第一触控电极和第二触控电极分别设置在驱动电路层中和发光器件层中，避免了内嵌式触控显示面板由于触控电极同时设置在阵列基板中，造成薄膜晶体管器件电场干扰触控信号的技术问题，从而提高了触控信号的质量，提高显示面板的响应速度。

Description

显示面板及其制备方法、显示模组

技术领域

本申请涉及显示面板领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示模组。

背景技术

近年来，内置触控有源矩阵有机电致发光二极管(AMOLED)具有色域广、对比度高、自发光、轻薄可折叠的优点，在面板显示领域具有广阔的应用前景。

触摸屏常常和显示屏一起工作，通过感应人手或探针的触碰来实现人与显示内容间信息交互的器件，经常应用于手机、便携式平板电脑、公共场所信息中心和工控显示屏等等需要进行方便快捷的人机交互的场合。电容式触摸屏依靠检测触摸动作对电极之间，或电极与地之间电容大小的影响来工作，具有透光性好，使用寿命长等优势，被广泛应用于小尺寸显示面板。

针对触控AMOLED，根据结构上的区别，电容触摸屏可以分为外挂式和内嵌式，内嵌式触控AMOLED制程中由于触控电极内嵌在阵列基板中，因薄膜晶体管器件电场容易干扰触控信号，增加内嵌式触控AMOLED制作工艺难度，且触控层图形设计在阵列基板上由于空间限制，影响产品开口率。

因此，亟需一种显示面板及其制备方法以解决上述技术问题。

发明内容

本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示模组，以改善现有内嵌式显示面板由于触控电极设置在阵列基板中导致薄膜晶体管器件电场干扰触控信号的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供了一种显示面板，包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层、位于所述驱动电路层上的发光器件层以及触控层；

其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。

本申请提供的显示面板中，所述第一触控电极层与所述第二触控电极层设置为在所述衬底上的正投影垂直交叉。

本申请提供的显示面板中，所述驱动电路层包括遮光层、有源层、栅极层以及源漏极层；

所述第一触控电极层与所述遮光层、所述有源层、所述栅极层以及所述源漏极层的至少一层同层设置。

本申请提供的显示面板中，所述发光器件层包括阴极层，所述第二触控电极层与所述阴极层同层设置。

本申请提供的显示面板中，所述第一触控电极层包括至少一沿第一方向设置的第一电极，所述第二触控电极层包括至少一沿第二方向设置的第二电极，所述第一电极和所述第二电极在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层的非发光区，所述第一方向与所述第二方向垂直。

本申请提供的显示面板中，所述第一触控电极层还包括第一信号线，所述第一信号线与所述第一电极电性连接；

所述第一信号线与所述第一电极位于同层或者所述第一信号线与所述第一电极位于不同层并通过过孔电性连接。

本申请提供的显示面板中，所述驱动电路层还包括数据线与扫描线；

所述第一信号线与所述数据线或者所述扫描线同层设置，且所述第一信号线平行于所述数据线或者所述第一信号线平行于所述扫描线。

本申请提供的显示面板中，所述第二电极的材料包括透明金属或者透明金属氧化物。

本申请还提供了一种显示面板的制备方法，步骤包括：

提供一衬底；

在所述衬底上制备驱动电路层、发光器件层以及触控层；

其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。

本申请还提供了一种显示模组，包括上述所述的显示面板。

有益效果：本申请通过将第一触控电极层设置在驱动电路层中的至少一导电膜层，第二触控电极层设置在发光器件层中的至少一导电膜层，避免了内嵌式触控显示面板由于触控电极同时设置在阵列基板中，造成薄膜晶体管器件电场干扰触控信号的技术问题，提高了触控信号的质量，提高显示面板的响应速度；另一方面，将第二触控电极层设置在发光器件层中，减少了阵列基板上不透光图形的数量，提高了显示面板的开口率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例中显示面板的一种剖面图。

图2为本申请实施例中显示面板的制备方法的流程图。

图3-13为本申请实施例中显示面板的制备步骤图。

图14为图7对应的俯视图。

图15为图12对应的俯视图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在现有的内嵌式触控显示面板中，触控电极通常内嵌在阵列基板中，导致触控信号容易受到薄膜晶体管器件电场的干扰，影响触控显示面板正确的响应，增加显示面板的制作工艺。本申请基于上述技术问题提出了下列技术方案：

请参阅图1至图15，本申请提供了一种显示面板100，包括衬底101、位于所述衬底101上的驱动电路层、位于所述驱动电路层上的发光器件层以及触控层；

其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。

本申请通过将第一触控电极层设置在驱动电路层中的至少一导电膜层，第二触控电极层设置在发光器件层中的至少一导电膜层，避免了内嵌式触控显示面板由于触控电极同时设置在阵列基板中，造成薄膜晶体管器件电场干扰触控信号的技术问题，提高了触控信号的质量，提高显示面板的响应速度；另一方面，将第二触控电极层设置在发光器件层中，减少了阵列基板上不透光图形的数量，提高了显示面板的开口率。

现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。

请参阅图1，显示面板100包括衬底101、位于所述衬底101上的驱动电路层、位于所述驱动电路层上的发光器件层以及触控层，其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。

在一种实施例中，所述显示面板100包括OLED，如AMOLED，在此不做具体限制。

在一种实施例中，所述衬底101包括玻璃基板、介电层或者柔性衬底，在此不做具体限制。

在一种实施例中，所述显示面板100包括衬底101，所述衬底101上设置所述驱动电路层，在所述驱动电路层上设置所述发光器件层以及所述触控层。

进一步地，所述驱动电路层包括位于所述衬底101上的遮光层102，所述遮光层102包括一第一金属层1021，沉积在所述第一金属层1021上的扩散阻挡层1022，以及位于所述扩散阻挡层1022上的刻蚀阻挡层1023；位于所述遮光层102上的一缓冲层103，所述缓冲层103的材料包括绝缘材料；位于所述缓冲层103上的有源层104，所述有源层104的材料包括低温多晶硅或者铟镓锌氧化物；位于所述有源层104上的栅极层绝缘层105，位于所述栅极层绝缘层105上的栅极层106；覆盖所述栅极层106、所述栅极层绝缘层105、所述有源层104的相间介质层107，所述相间介质层107设有第一过孔a1，第二过孔a2以及第三过孔b1，其中所述第一过孔a1与所述第二过孔a2电连接于所述有源层104，所述第三过孔b1电连接于所述遮光层102；位于所述相间介质层107上的源漏极层108，位于所述源漏极层108上的钝化保护层110，所述钝化保护层110的材料包括SiNx，SiOx或SiNx和SiOx夹层的无机非金属膜层材料，位于所述钝化保护层110上的平坦层111。

进一步地，所述发光器件层包括位于所述平坦层111上的阳极层112，所述阳极层112包括氧化铟锡、银、氧化铟锡的叠层结构，位于所述平坦层111上的像素定义层113，位于所述阳极层112上空穴注入层114，位于所述空穴注入层114上的空穴传输层115，位于所述空穴传输层115上的发光层116，位于所述发光层116上的电子传输层117，位于所述电子传输层117上的电子注入层118，位于所述像素定义层113和所述电子注入层118上的阴极层119，其中，所述阳极层112通过第四过孔112a与所述源漏极层108电性连接，所述第四过孔112a贯穿所述平坦层111。

进一步地，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。所述驱动电路层包括遮光层102、有源层104、栅极层106以及源漏极层108，所述第一触控电极层与所述遮光层102、所述有源层104、所述栅极层106以及所述源漏极层108的至少一层同层设置；所述发光器件层包括阴极层119，所述第二触控电极层与所述阴极层119同层设置。将所述第一触控电极层设置在所述驱动电路层中，所述第二触控电极层设置在所述发光器件层中，使得所述第一触控电极层与所述第二触控电极层不易受到所述驱动电路层中薄膜晶体管的电场的影响，从而提高了触控信号的质量，提高显示面板100的响应速度；另一方面，将第二触控电极层设置在发光器件层中，减少了阵列基板上不透光图形的数量，提高了显示面板100的开口率。

在一种实施例中，所述第一触控电极层与所述第二触控电极层设置为在所述衬底101上的正投影垂直交叉。具体的，所述第一触控电极层与所述第二触控电极层形成电容，当手指触摸到电容屏时，影响了触摸点附近触控电极层之间的耦合，从而改变了这两个触控电极层之间的电容量，根据所述触控电极层之间的电容变化量数据，可以计算出相应触摸点的坐标；并且所述第一触控电极层与所述第二触控电极层分别位于所述驱动电路层与所述发光器件层中，使得所述第一触控电极层与所述第二触控电极层根据电容量的变化得出触摸点时，触控信号未受薄膜晶体管电场的影响，计算出的触控点位置更加准确，所述显示面板100的响应速度更灵敏。

在一种实施例中，所述第一触控电极层和所述第二触控电极层的图形大小和形状在此不做具体限制。

在一种实施例中，所述第一触控电极层包括至少一沿第一方向设置的第一电极109，所述第二触控电极层包括至少一沿第二方向设置的第二电极121，所述第一电极109和所述第二电极121在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层的非发光区，所述第一方向与所述第二方向垂直。具体的，所述第一方向与所述第二方向垂直，使得所述第一电极109与所述第二电极121形成垂直交叉电场，根据所述第一电极109与所述第二电极121形成的二维电容变化量数据，即可计算出每一个触摸点的坐标；所述第一电极109可设置在所述驱动电路层中的至少一导电膜层，即所述第一电极109可与所述遮光层102、所述有源层104、所述栅极层106以及所述源漏极层108的任一膜层同层设置；所述第二电极121设置在所述发光器件层中的至少一导电膜层，即所述第二电极121与所述发光器件层中的阴极层119同层设置，并且所述第一电极109与所述第二电极121在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层的非发光区，不会影响所述显示面板100的开口率，另外，将所述第二电极121设置在所述器件发光层中，减少了所述第二电极121在所述阵列基板上的占位面积，从而提高了所述显示面板100的开口率。

在一种实施例中，所述第一电极109的材料包括铜、钼铜合金、钼钛铜合金或者铝，在此不做具体限制。

在一种实施例中，所述第二电极121的材料包括透明金属或者透明金属氧化物，如铝、镁、银或者镁银的叠层结构，在此不做具体限制。

在一种实施例中，所述第一触控电极层还包括第一信号线，所述第一信号线与所述第一电极109电性连接，所述第一信号线与所述第一电极109位于同层或者所述第一信号线与所述第一电极109位于不同层并通过过孔电性连接。具体的，所述第一触控电极层包括所述第一电极109和所述第一信号线，所述第一电极109与所述第一信号线电性连接，并且所述第一电极109通过所述第一信号线电连接触控芯片，进而实现触摸点坐标点的计算；类似地，所述第二触控电极层还包括第二信号线，所述第二信号线与所述第二电极121电性连接，所述第二信号线与所述第二电极121位于同层或者所述第二信号线与所述第二电极121位于不同层并通过过孔电性连接，在此不做详细赘述。

进一步地，所述驱动电路层还包括数据线与扫描线，所述第一信号线与所述数据线或者所述扫描线同层设置，且所述第一信号线平行于所述数据线或者所述第一信号线平行于所述扫描线。当所述第一信号线与所述第一电极109同层设置时，针对所述第一电极109位于所述栅极层106时，所述第一信号线与所述扫描线平行，针对所述第一电极109位于所述源漏极层108时，所述第一信号线与所述数据线平行，所述第一电极109与所述第一信号线与所述驱动电路层的任一导电层同层设置时，减少了所述显示面板100的制造工艺，提高所述显示面板100的制备效率；当所述第一信号线与所述第一电极109不同层设置时，如所述第一电极109设置在所述源漏极层108时，所述第一信号线设置在所述栅极层106时，所述第一电极109与所述第一信号线通过过孔进行电性连接，降低了所述第一电极109与所述第一信号线同层设置时，各种信号线之间由于间距太窄出现的信号串扰问题。所述第二触控电极层的所述第二电极121与所述第二信号线在所述发光器件层中可同层设置也可不同层设置，布局原理与所述第一触控电极层相似，在此不做详细赘述。

在一种实施例中，所述第一电极109可从所述显示面板100的显示区延伸至所述显示面板100的非显示区，直接电性连接***电路中的触控芯片，即所述第一电极109既充当触控电极，又充当所述第一信号线，简化了所述显示面板100的制备工艺，避免了显示面板100由于布线复杂导致信号质量下降的问题。

请参阅图2至图15，本申请还提出了一种显示面板100的制备方法，步骤包括：

S10、提供一衬底101；

S20、在所述衬底101上制备驱动电路层、发光器件层以及触控层；

其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。

在一种实施例中，制备所述驱动电路层的步骤包括：

提供一衬底101，在所述衬底101上利用物理气相溅射沉积一第一金属层1021，接着沉积一扩散阻挡层1022和一刻蚀阻挡层1023，经光刻工艺形成一遮光层102，其中，所述第一金属层1021及所述扩散阻挡层1022可采用过氧化氢系药液作为蚀刻剂，所述刻蚀阻挡层1023用草酸系药液作为蚀刻剂；所述衬底101的材料包括玻璃基板或者柔性衬底101，所述第一金属层1021可以是钼铜的叠层结构；所述扩散阻挡层1022是为了防止铜原子扩散；

在所述遮光层102上用化学气相法沉积缓冲层103，在所述缓冲层103上用物理气相溅射沉积有源层104，经光刻工艺形成有源层104图案，用草酸系药液作为蚀刻剂；

在所述有源层104上用化学气相法沉积栅极绝缘层105及第二金属层，经光刻工艺形成栅极层106及栅极绝缘层105图案，光阻剥离后用等离子体处理所述有源层104；

在所述栅极层106、所述栅极绝缘层105、所述有源层104上用化学气相法沉积相间介质层107，经两次光刻工艺分别对所述相间介质层107及所述缓冲层103进行挖孔，形成第一过孔a1、第二过孔a2和第三过孔b1，采用氟化氢等气体干刻蚀处理；

在所述相间介质层107上用物理气相法沉积第三金属层，经光刻工艺形成源漏极层108，采用过氧化氢系药液作为蚀刻剂进行蚀刻，制作所述源漏极层108，所述源漏极层108与所述有源层104通过所述第一过孔a1及所述第二过孔a2电性连接，所述源漏极层108与所述遮光层102的所述刻蚀阻挡层1023通过所述第三过孔b1电性连接，保证所述源漏电层108与所述刻蚀阻挡层1023之间有电荷相互传递，使得薄膜晶体管的栅极的阈值电压得到补偿；

在所述源漏极层108用化学气相法沉积一钝化保护层110，在所述钝化保护层110上设置一平坦层111。

在一种实施例中，所述第一触控电极层包括第一电极109和第一信号线，所述第一电极109与所述第一信号同层设置或者所述第一信号线与所述第一电极109不同层设置并通过过孔电性连接，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，即所述第一触控电极层与所述遮光层102、所述有源层104、所述栅极层106以及所述源漏极层108的至少一层同层设置。

在一种实施例中，制备所述器件发光层的步骤包括：

在所述平坦层111上进行阳极层112制备，使用草酸和银酸进行刻蚀，在所述平坦层111上制备像素定义层113，在所述阳极层112上形成空穴注入层114、空穴传输层115、发光层116、电子传输层117及电子注入层118；在所述像素定义层113及所述像素定义层113使用准对位掩膜光罩进行蒸镀透明金属制作阴极层119。

在一种实施例中，在所述器件发光层上设置封装盖板120，所述封装盖板120的材料包括玻璃盖板。

在一种实施例中，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层包括第二电极121和第二信号线，所述第二电极121与所述第二信号同层设置或者所述第二信号线与所述第二电极121不同层设置并通过过孔电性连接，所述第二触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，即所述第二触控电极层与所述阴极层119、所述阳极层112的至少一层同层设置。所述第二触控电极层的材料包括透明金属或者金属氧化物，虽然位于所述器件发光层116，但是所述第二触控电极层并不影响显示面板100的开口率，另外，将所述第二触控电极层设置在所述器件发光层116，减少了内置式触控显示面板100将两个触控电极都设置在所述驱动电路层占位面积，提高了所述显示面板100的开口率，还避免了所述第一触控电极层与所述第二触控电极层受薄膜晶体管电场干扰的问题。

本申请还提出了一种显示模组，包括上述实施例中所述显示面板100。

本申请提出了一种显示面板及其制备方法、显示模组，所述显示面板包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层、位于所述驱动电路层上的发光器件层以及触控层；其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。本申请通过将第一触控电极层设置在驱动电路层中的至少一导电膜层，第二触控电极层设置在发光器件层中的至少一导电膜层，避免了内嵌式触控显示面板由于触控电极同时设置在阵列基板中，造成薄膜晶体管器件电场干扰触控信号的技术问题，提高了触控信号的质量，提高显示面板的响应速度；另一方面，将第二触控电极层设置在发光器件层中，减少了阵列基板上不透光图形的数量，提高了显示面板的开口率。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示模组进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层、位于所述驱动电路层上的发光器件层以及触控层；

其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一触控电极层与所述第二触控电极层设置为在衬底上的正投影垂直交叉。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括遮光层、有源层、栅极层以及源漏极层；

所述第一触控电极层与所述遮光层、所述有源层、所述栅极层以及所述源漏极层的至少一层同层设置。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括阴极层，所述第二触控电极层与所述阴极层同层设置。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一触控电极层包括至少一沿第一方向设置的第一电极，所述第二触控电极层包括至少一沿第二方向设置的第二电极，所述第一电极和所述第二电极在所述发光器件层上的正投影位于所述发光器件层的非发光区，所述第一方向与所述第二方向垂直。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一触控电极层还包括第一信号线，所述第一信号线与所述第一电极电性连接；

所述第一信号线与所述第一电极位于同层或者所述第一信号线与所述第一电极位于不同层并通过过孔电性连接。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括数据线与扫描线；

所述第一信号线与所述数据线或者所述扫描线同层设置，且所述第一信号线平行于所述数据线或者所述第一信号线平行于所述扫描线。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极的材料包括透明金属或者透明金属氧化物。

9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，步骤包括：

提供一衬底；

在所述衬底上制备驱动电路层、发光器件层以及触控层；

其中，所述触控层包括第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一触控电极层与所述驱动电路层中的至少一导电膜层同层设置，所述第二触控电极层与所述发光器件层中的至少一导电膜层同层设置。

10.一种显示模组，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。

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