CN211123623U - 一种光刻胶去除机构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种光刻胶去除机构,包括传送部,所述传送部包括两侧平行布置的带式传输机,沿带式传输机的进给方向依次设置第一处理部和第二处理部,所述第一处理部和第二处理部均包括能够上下移动的上盖体和下盖体,所述上盖体和下盖体关于带式传输机的工作面对称布置,本光刻胶去除机构通过第一处理部喷淋去离子水,对光刻胶表层的硬壳进行软化,随后在微波发生装置的作用下,利用等离子体对光刻胶进行轰击,以去除软化后的硬壳层和部分光刻胶,随后在第二处理部内部喷淋清洗液,对剩余的光刻胶进行清洗,由于硬壳被软化,其去除所需的等离子体轰击能量下降,降低等离子体对衬底的损伤,且减少清洗液清洗所需时间。
Description
技术领域
本实用新型涉及光刻设备技术领域,具体为一种光刻胶去除机构。
背景技术
光刻工艺是半导体器件制造过程中的一个重要步骤,其过程包括衬底的准备、光刻胶的涂膜、软烘干、曝光、显影、硬烘干、刻蚀或离子注入和光刻胶的去除,其中光刻胶的去除,主要是为了将剩余的光刻胶去除,以免对后续的工序造成影响,现有的去除光刻胶方式分为湿法去胶和干法去胶两种,但是在进行离子注入后,光刻胶的表层会产生一种硬质壳体,通过干法去胶时,需要较大能量的离子对硬壳进行轰击,且能量控制不准时,会对衬底造成破坏影响产品质量,而单纯依靠湿法去胶,虽然能降低对衬底的损伤,但是由于硬壳的存在,去胶所需加工时间较长,且很难将光刻胶完全去除,因此需要一种新型设备或能够在保证光刻胶清除完全的情况下,降低对衬底的损伤。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供一种光刻胶去除机构,通过第一处理部喷淋去离子水,对光刻胶表层的硬壳进行软化,随后在微波发生装置的作用下,利用等离子体对光刻胶进行轰击,以去除软化后的硬壳层和部分光刻胶,随后在第二处理部内部喷淋清洗液,对剩余的光刻胶进行清洗,由于硬壳被软化,其去除所需的等离子体轰击能量下降,降低等离子体对衬底的损伤,且减少清洗液清洗所需时间,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种光刻胶去除机构,包括传送部,所述传送部包括两侧平行布置的带式传输机,沿带式传输机的进给方向依次设置第一处理部和第二处理部,所述第一处理部和第二处理部均包括能够上下移动的上盖体和下盖体,所述上盖体和下盖体关于带式传输机的工作面对称布置,所述上盖体和下盖体结合后内部形成密闭空间,所述上盖体的内侧壁设置与外部液体供应装置连通的环形水管,所述水管内部均匀布置喷淋头,所述下盖体的底部设置排水口;
所述第一处理部的上盖体侧壁设置进气口和排气口,所述排气口通过气管连通设置抽气泵,所述第一处理部的上盖体顶部设置贯通的安装孔,所述安装孔内部密封安装微波发生装置。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述传送部的两侧分别两组线速度相同且方向相反的带式传输机,两组带式传输机沿竖直平面平行布置,且上层带式传输机的底部部分与下层带式传输机的底部接触安装,且接触位置的传输带内层部分均匀转动安装支撑辊,在进行清洗作业时,将工件通过网状托盘进行固定后,将托盘至于两组带式传输机之间,通过带式传输机的进给,带动托盘进给,从而实现工件的进给,且便于保证工件在清洗过程中的稳定性。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述第一处理部的进气口处设置第一电磁阀,所述第一电磁阀通过气管与外置反应气体供应装置连通,通过电磁阀保证上盖体和下盖体所围成的空间的密闭性,同时能够控制反应气体的注入量。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述下盖体底部的排水口处设置第二电磁阀,所述第二电磁阀与外置的污水处理设备连通,便于底部聚集的清洗废水排出。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述上盖体的上表面和下盖体的下表面分别竖直设置伸缩部,所述伸缩部的另一端与传送部固定安装,通过伸缩部动作,带动上盖体和下盖体的上下移动,从而使两者围成空间的密闭。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述上盖体和下盖体的结合处分别设置弹性密封环,通过弹性密封环的受压形变,弥补上盖体与下盖体之间因托盘造成的密封不严的问题。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本光刻胶去除机构通过第一处理部喷淋去离子水,对光刻胶表层的硬壳进行软化,随后在微波发生装置的作用下,利用等离子体对光刻胶进行轰击,以去除软化后的硬壳层和部分光刻胶,随后在第二处理部内部喷淋清洗液,对剩余的光刻胶进行清洗,由于硬壳被软化,其去除所需的等离子体轰击能量下降,降低等离子体对衬底的损伤,且减少清洗液清洗所需时间。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型剖视图;
图3为本实用新型A处剖视图;
图4为本实用新型第一处理部上盖体的示意图。
图中:1传送部、101带式传输机、102支撑辊、2第一处理部、201上盖体、202下盖体、203弹性密封环、204抽气泵、205微波发生装置、206伸缩部、207喷淋头、3第二处理部。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4,本实用新型提供一种技术方案:一种光刻胶去除机构,包括传送部1,传送部1包括两侧平行布置的带式传输机,沿带式传输机101的进给方向依次设置第一处理部2和第二处理部3,第一处理部2和第二处理部3均包括能够上下移动的上盖体201和下盖体202,上盖体201和下盖体202关于带式传输机101的工作面对称布置,上盖体201和下盖体202结合后内部形成密闭空间,上盖体201的内侧壁设置与外部液体供应装置连通的环形水管,水管内部均匀布置喷淋头207,下盖体202的底部设置排水口,方便将软化后或清洗后的废水排出;
第一处理部2的上盖体201侧壁设置进气口和排气口,排气口通过气管连通设置抽气泵204,工作时,将抽气泵204的出气口与外置的废气收集装置连通,通过抽气泵204作业将反应产生的废气进行抽离,避免对现场环境造成污染,第一处理部2的上盖体201顶部设置贯通的安装孔,安装孔内部密封安装微波发生装置205。
传送部1的两侧分别两组线速度相同且方向相反的带式传输机101,两组带式传输机101沿竖直平面平行布置,且上层带式传输机101的底部部分与下层带式传输机101的底部接触安装,且接触位置的传输带内层部分均匀转动安装支撑辊102,在进行清洗作业时,将工件通过网状托盘进行固定后,将托盘至于两组带式传输机101之间,通过带式传输机101的进给,带动托盘进给,从而实现工件的进给,且便于保证工件在清洗过程中的稳定性。
第一处理部2的进气口处设置第一电磁阀,第一电磁阀通过气管与外置反应气体供应装置连通,通过电磁阀保证上盖体201和下盖体202所围成的空间的密闭性,同时能够控制反应气体的注入量。
下盖体202底部的排水口处设置第二电磁阀,第二电磁阀与外置的污水处理设备连通,便于底部聚集的清洗废水排出,且保证内部密闭腔体的密封性。
上盖体201的上表面和下盖体202的下表面分别竖直设置伸缩部206,伸缩部206的另一端与传送部1固定安装,通过伸缩部206动作,带动上盖体201和下盖体202的上下移动,从而使两者围成空间的密闭。
上盖体201和下盖体202的结合处分别设置弹性密封环203,通过弹性密封环203的受压形变,弥补上盖体201与下盖体202之间因托盘造成的密封不严的问题。
伸缩部206优选气缸、电动伸缩杆或液压缸,电磁阀和抽气泵204均采用市场上常见的型号,其布线和控制方式均采用现有技术中的常见方式。
微波发生装置205优选北京杰能达机电设备有限公司生产销售的MS系列的微波发生器,如MS5000D-500DE 5 kW型,其控制方式采用现有技术中的常见方案。
在使用时:将抽气泵204的排气口与外置的废气处理装置连通,将第一处理部2内部的环形水管与外部的去离子水供应装置连通,将第二处理部3的环形水管与清洗液的供应装置连通,清洗液为硫酸与双氧水的混合液,将第一处理部2上盖体201的进气口与臭氧供应装置连通。
在使用时,将晶片通过托盘进行成组固定,随后将托盘放置在两组带式传输机101之间,随带式传输机101一同进给,当工件运动至第一处理部2时,驱动伸缩部206伸长,使上盖体201和下盖体202相互靠拢,并结合成密闭的内腔,此时,第一处理部2内部的喷淋头207喷淋去离子水,对光刻胶表面的硬壳进行软化,喷淋时间约为10min,结束后,通过进气口向密闭的腔体内部注入臭氧,此时微波发生装置205作用,产生等离子体对软化后的硬壳进行轰击,去除软化后的硬壳和部分光刻胶,随后,第一处理部2的上盖体201和下盖体202分离,带式传输机101带动托盘继续进给至第二处理部3,此时第二处理部3的上盖体201和下盖体202闭合,喷淋头207内部喷淋硫酸和双氧水的混合液,对剩余的光刻胶进行清洗,保证光刻胶的清洗效果。
同时,在实际操作中,可将下盖体202底部的排出的废水进行收集,通过外置的水循环装置,即将下盖体202排出的废水回流至对应的环形水管内部,进行废水的再利用,从而降低生产成本。
本实用新型通过第一处理部2喷淋去离子水,对光刻胶表层的硬壳进行软化,随后在微波发生装置205的作用下,利用等离子体对光刻胶进行轰击,以去除软化后的硬壳层和部分光刻胶,随后在第二处理部3内部喷淋清洗液,对剩余的光刻胶进行清洗,由于硬壳被软化,其去除所需的等离子体轰击能量下降,降低等离子体对衬底的损伤,且减少清洗液清洗所需时间,通过第一处理部2和第二处理部3的分体设计,使软化水和清洗液互相不会干涉,降低对废水的处理难度,且通过在第一处理部2和第二处理部3之间加装传送部1,实现工件的自动进给,从而缩短加工所需的辅助时间。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种光刻胶去除机构,包括传送部(1),其特征在于:所述传送部(1)包括两侧平行布置的带式传输机,沿带式传输机(101)的进给方向依次设置第一处理部(2)和第二处理部(3),所述第一处理部(2)和第二处理部(3)均包括能够上下移动的上盖体(201)和下盖体(202),所述上盖体(201)和下盖体(202)关于带式传输机(101)的工作面对称布置,所述上盖体(201)和下盖体(202)结合后内部形成密闭空间,所述上盖体(201)的内侧壁设置与外部液体供应装置连通的环形水管,所述水管内部均匀布置喷淋头(207),所述下盖体(202)的底部设置排水口;
所述第一处理部(2)的上盖体(201)侧壁设置进气口和排气口,所述排气口通过气管连通设置抽气泵(204),所述第一处理部(2)的上盖体(201)顶部设置贯通的安装孔,所述安装孔内部密封安装微波发生装置(205)。
2.根据权利要求1所述的光刻胶去除机构,其特征在于:所述传送部(1)的两侧分别两组线速度相同且方向相反的带式传输机(101),两组带式传输机(101)沿竖直平面平行布置,且上层带式传输机(101)的底部部分与下层带式传输机(101)的底部接触安装,且接触位置的传输带内层部分均匀转动安装支撑辊(102)。
3.根据权利要求1所述的光刻胶去除机构,其特征在于:所述第一处理部(2)的进气口处设置第一电磁阀,所述第一电磁阀通过气管与外置反应气体供应装置连通。
4.根据权利要求1所述的光刻胶去除机构,其特征在于:所述下盖体(202)底部的排水口处设置第二电磁阀,所述第二电磁阀与外置的污水处理设备连通。
5.根据权利要求1所述的光刻胶去除机构,其特征在于:所述上盖体(201)的上表面和下盖体(202)的下表面分别竖直设置伸缩部(206),所述伸缩部(206)的另一端与传送部(1)固定安装。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的光刻胶去除机构,其特征在于:所述上盖体(201)和下盖体(202)的结合处分别设置弹性密封环(203)。
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CN201921325353.3U CN211123623U (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 一种光刻胶去除机构 |
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Family
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
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WO2022088697A1 (zh) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种光刻胶剥离方法 |
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2019
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