CN210575925U - 封装模组和雷达*** - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种封装模组和雷达***，所述封装模组包括：引线框架；***级射频裸片，固定设置于所述引线框架上；所述***级射频裸片背离所述引线框架一侧表面上设置有第一焊垫和第二焊垫；天线结构，倒装焊接于所述第二焊垫上；以及所述引线框架包括临近所述***级射频裸片设置的封装管脚；所述封装管脚通过键合线与所述第一焊垫连接；其中，所述引线框架和所述天线结构分别位于所述***级射频裸片相对的两侧；所述第二焊垫用于传输射频信号，所述第一焊垫用于传输非射频信号。本申请将不同的信号分开处理，可以降低封装天线的制造成本，提高封装天线的设计灵活性和可靠性。

Description

封装模组和雷达***
技术领域
本实用新型涉及裸片封装技术领域，特别是涉及一种封装模组和雷达***。
背景技术
高频射频(如毫米波)天线的工作频率高，波长短，容易受到周围环境的影响，传统看来较小的器件(如裸片)都会带来天线方向图的畸变，这就对天线周围的环境提出较高要求。为了获得较为稳定和理想的天线辐射方向图，通常将天线设计在封装基板一侧，而将裸片、焊球等放置在封装基板的另外一侧。
由于裸片(die)裸露在封装基板的焊球侧，通常需要将裸片研磨到较薄的尺寸，这对于裸片的可靠性非常不利；其次，现有的封装天线多是采用单一的封装工艺，随着对封装天线的辐射性能及路径损耗的要求更高，相应伴随着需要采用低损耗的基板和精细的加工工艺，进而使得产品的价格比较高昂，另外由于封装模组会产生较多的低频数字信号和电源，仅仅单一的封装方式并不能有效解决以上问题。
实用新型内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种封装模组和雷达***。
一种***级射频裸片封装模组，所述封装模组包括：
引线框架；
***级射频裸片，固定设置于所述引线框架上；所述***级射频裸片背离所述引线框架一侧的表面上设置有第一焊垫和第二焊垫；
天线结构，倒装焊接于所述第二焊垫上；以及
所述引线框架包括临近所述***级射频裸片设置的封装管脚；所述封装管脚通过键合线与所述第一焊垫连接；
其中，所述引线框架和所述天线结构分别位于所述***级射频裸片相对的两侧；所述第二焊垫用于传输射频信号，所述第一焊垫用于传输非射频信号。
在其中一个实施例中，所述封装模组还包括：
高度可调的焊球，所述天线结构通过所述焊球倒装焊接于所述第二焊垫上；
其中，所述天线结构的尺寸可依据所述焊球的高度进行调整。
在其中一个实施例中，所述封装模组还包括设置于所述焊球与所述天线结构之间的金属柱，用于调整所述天线结构与所述***级射频裸片之间的间距。
在其中一个实施例中，所述封装模组还包括：
支撑柱，设置在所述引线框架与所述天线结构之间，用于支撑所述天线结构；
其中，所述***级射频裸片和所述封装管脚位于所述引线框架的器件区域中，所述器件区域为所述天线结构投影至所述引线框架上的区域。
在其中一个实施例中，所述天线结构为平面天线结构。
在其中一个实施例中，所述平面天线结构为贴片天线结构或单极子天线结构。
在其中一个实施例中，所述天线结构包括基板和设于所述基板上的辐射单元；以及
所述辐射单元通过贯穿所述基板的金属化过孔与所述焊球实现电连接；
其中，所述辐射单元设置于所述基板远离所述***级射频裸片一侧的表面上。
在其中一个实施例中，所述射频信号的频率大于等于10GHz，所述非射频信号包括直流信号。
在其中一个实施例中，所述射频信号为毫米波信号。
上述封装模组，一方面将***级射频裸片和天线结构置于引线框架的相同侧，可以避免对裸片的研磨导致可靠性下降的问题，另一方面，本申请采用不同封装方式来将不同的信号分开处理，也即是对于不同的信号采用不同的走线方式，既可以减小信号之间的相互干扰，又能为封装模组中天线的设计提供更高的灵活性。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种封装模组，所述封装模组包括：
毫米波雷达裸片，所述毫米波雷达裸片的一侧表面设置有第一区域和环绕所述第一区域的第二区域；
若干第一焊垫，设置于所述第一区域中，所述第一焊垫为高频焊垫；以及若干第二焊垫，设置于所述第二区域中，所述第二焊垫包括直流焊垫和低频焊垫；
其中，所述第一焊垫的封装结构为倒装封装结构，所述第二焊垫的封装结构为键合封装结构，所述高频焊垫所传输信号的频率大于所述低频焊垫所传输信号的频率。
在其中一个实施例中，所述封装模组还包括：
引线框架，所述毫米波雷达裸片固定设置于所述引线框架上，各所述第一焊垫和各所述第二焊垫均设置在所述毫米波雷达裸片背离所述引线框架一侧的表面上；
天线结构，倒装焊接于各所述第一焊垫上；以及
所述引线框架包括临近所述毫米波雷达裸片设置的封装管脚；所述封装管脚通过键合线与所述第二焊垫连接；
其中，所述引线框架和所述天线结构位于所述裸片相对的两侧。
在其中一个实施例中，所述高频焊垫所传输信号的频率大于等于30GHz，所述低频焊垫所传输信号的频率小于30GHz。
在其中一个实施例中，所述封装模组还包括：
若干高度可调的焊球，所述天线结构通过各所述焊球倒装焊接于各所述第一焊垫上；
其中，所述天线结构的尺寸可依据各所述焊球的高度进行调整。
在其中一个实施例中，所述封装模组还包括：
支撑柱，设置在所述引线框架与所述天线结构之间，用于支撑所述天线结构；
其中，所述毫米波雷达裸片和所述封装管脚包含在所述天线结构投影至所述引线框架的区域中。
上述封装模组，通过在毫米波雷达裸片上设置第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，又分别在第一区域中设置若干高频焊垫，在第二区域中设置若干直流和低频焊垫，然后再对高频焊垫采用倒装封装结构，对直流和低频焊垫采用键合封装结构，也即是，本申请采用不同封装方式来将不同的信号分开处理，又可以理解为对于不同的信号采用不同的走线方式，既可以减小信号之间的相互干扰，又能为封装模组中天线的设计提供更高的灵活性。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种雷达***，包括：
外部处理器，以及
如前述所述的封装模组；
其中，所述外部处理器接收所述封装模组所输出的雷达数据，并对所述雷达数据进行处理用以生成通信数据、辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。
在其中一个实施例中，所述封装模组为AiP封装模组。
上述雷达***，通过采用前述所述的封装模组，针对于不同类型的信号采用相异的封装结构，从而可有效降低不同类型信号之间的干扰，尤其是应用到诸如雷达***、通信设备等时，可使得***级射频芯片所发射和接收数据的噪声更低，相应生成的诸如通信数据、辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据等也更加精准。
附图说明
图1为实施例一中的***级射频裸片封装模组的结构示意图；
图2为实施例二中的***级射频裸片封装模组的结构示意图；
图3为实施例三中的***级射频裸片封装模组的结构示意图；
图4为实施例四中的***级射频裸片封装模组的结构示意图；
图5为实施例五中的***级射频裸片封装模组的结构示意图；
图6为一实施例中的封装模组的俯视图；
图7为另一实施例中的封装模组的俯视图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
本申请的***级射频裸片采用***级封装技术，***级封装(System inPackage，SiP)主要是将不同种类及功能的电子元器件集成到一个完整的***中，可以实现对不同工艺、不同功能芯片的完美兼容，并可降低成本、节省时间成本。
请同时参阅图1和图6，本申请提供一种封装模组。该封装模组可以包括引线框架(图未示)，***级射频裸片20及天线结构30。其中，引线框架也称为Lead Frame，即本申请实施例中的引线框架可以是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。***级射频裸片20固定设置于所述引线框架上，同时***级射频裸片20背离所述引线框架的一侧表面上设置有第一焊垫210和第二焊垫220，本申请的所述第二焊垫220可用于传输射频信号，第一焊垫210可用于传输非射频信号，本申请的射频信号可以为高频信号，非射频信号可以为直流信号或者低频信号；本申请对于第一焊垫210与第二焊垫220的数量没有特殊限制，本领域技术人员可根据天线结构30的传输性能进行选择和调整；所述天线结构30倒装焊接于所述第二焊垫220上，倒装焊接也称为倒装芯片技术，通常是指将IC裸片的pad侧朝下，与封装外壳或布线基板直接互连的一种技术，又称倒扣焊技术。该技术与丝焊(WB)、载带自动焊(TAB)等其他裸片互连技术相比较，其互连线短、寄生电容和寄生电感小，裸片的I/O电极可在裸片表面任意设置，封装密度高。所述引线框架可以包括临近所述***级射频裸片20设置的封装管脚102，如图1所示，本申请的封装管脚102可通过键合线204与所述第一焊垫210连接。
基于倒装裸片技术的构思，本申请将天线中的天线结构30(具有辐射功能)倒装焊接于***级射频裸片20的第二焊垫220上，而第二焊垫220传输的又是射频信号，将引线框架中的封装管脚102通过键合线204与第一焊垫210连接，而第一焊垫210传输的又是非射频信号，所以，可实现对不同信号的分别处理。
本具体实施例中，第二焊垫220传输的射频信号的频率可以是大于等于10GHz的信号，可选地，该射频信号可以为毫米波信号。第一焊垫210传输的非射频信号可以包括直流信号，还可以包括频率小于10GHz的信号。直流信号可以视为频率为0GHz的特殊低频信号。通过将频率在10GHz以上的高频信号和天线结构30采用倒装工艺进行处理，将频率在10GHz以下的低频信号或直流信号采用金属引线204(键合线)与引线框架中的封装管脚102进行连接，也即是对于不同的信号采用不同的连接方式，一方面可减小信号之间的相互干扰，另一方面还能为封装模组中天线的设计提供更高的灵活性。同时，不难看出，本申请的引线框架和所述天线结构30分别位于所述***级射频裸片20相对的两侧，从而可以避免对裸片的研磨导致可靠性下降的问题。
可选地，请继续参阅图1，本申请的封装模组还可以包括焊球202，所述天线结构30通过所述焊球202倒装焊接于所述第二焊垫220上，换句话说，所述第二焊垫220通过所述焊球202与所述天线结构30实现电连接；由于焊球202主要设置于第二焊垫220上，所以焊球202的数量主要取决于第二焊垫220的数量；焊球202本身的高度可以调整，从而使得天线结构30的尺寸可依据焊球202的高度进行调整；焊球202的高度可以通过增加其本身的尺寸来进行调整。
可选地，焊球202可包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的任意一种。
在倒装封装过程中使用焊球202用作天线结构30与***级射频裸片20的连接部，可产生较好阻抗匹配，减少互连损坏，与键合引线相比，可以降低互联长度，降低装置的成本。
在一个实施例中，请参阅图2，为了使天线结构30的大小不受键合线的影响，也即是，为了使天线结构30与键合线204在高度上错位，本申请的封装模组还设置有金属柱206，所述金属柱206设置于所述焊球202与所述天线结构30上之间，用于调整所述天线结构30与所述裸片20之间的间距，金属柱206的选取应当是直径较大、损耗较低的多层金属连接柱。一方面可以降低天线结构的损耗，还可以使得当天线结构30过大时，键合线204可以与其在高度上错位，从而使得键合线204的布局不会受限于天线结构30与***级射频裸片20之间的间距。
可选地，请参阅图3，为了避免天线结构30过大而仅靠位于天线结构30中心区域的金属柱206无法稳定支撑的情况，本申请的封装模组还设置有支撑柱40，该支撑柱40设置在所述引线框架与天线结构30之间；其中，所述***级射频裸片20和所述封装管脚102位于所述引线框架上的器件区域中，所述器件区域为所述天线结构30投影至所述引线框架的区域。具体地，该支撑柱40可设置在引线框架的封装管脚102上，自所述封装管脚102一直向上延伸至所述天线结构30，用于支撑所述天线结构。可选地，本申请的支撑柱40的材质可以为金属材料和/或塑胶材料，换句话说，支撑柱40可以仅仅为金属材料，也可以仅为塑胶材料，还可以部分支撑柱为金属材料，部分支撑柱为塑胶材料。一方面，采用金属材料和/或塑胶材料制成的支撑柱40可以起到对基板的支撑作用，另一方面，采用金属材料的支撑柱40还可以加强高频信号的回流路径。
可选地，本申请的天线结构30可以为平面天线结构；更可选地，本申请的平面天线结构可以为贴片天线结构或者单极子天线结构。贴片天线结构主要包括金属贴片，单极子天线结构主要包括单极子，由于金属贴片和单极子的形状、尺寸可以为天线结构30提供不同的带宽，所以对于金属贴片和单极子的形状、尺寸可以根据本领域技术人员依据实际产品的性能需求进行选择和调整。
在一个实施例中，请参阅图4，本申请的天线结构30可以所述天线结构30可以包括基板(图4未示)和设于所述基板上的辐射单元220；其中，辐射单元220的数量可以为多个，采用多个辐射单元220时，可以将多个辐射单元220设置成阵列；所述辐射单元220通过贯穿所述基板的金属化过孔(图4未示)与所述焊球202实现电连接，辐射单元220设置于所述基板远离所述***级射频裸片20一侧的表面上。
可选地，请继续参阅图4，所述基板可以包括第一介质基板312，第一金属层314及第二介质基板316；其中，所述第一金属层314夹设于所述第一介质基板312与所述第二介质基板316之间；所述辐射单元320设于所述第二介质基板316上方；所述第一介质基板312上开设有第一金属化过孔H1，所述第二介质基板316上开设有第二金属化过孔H2，所述焊球202设于所述第一介质基板312下方、并与所述第一介质基板312上的第一金属化过孔H1电接触，所述辐射单元320分别与所述第二介质基板316上的第二金属化过孔H2电接触，换句话说，***级射频裸片20将高频信号通过第二焊垫220、焊球202并透过第一金属化过孔H1或第二金属化过孔H2传输至辐射单元320，通过辐射单元320将待传输的高频信号辐射出去。
应当说明的是，本申请的辐射单元320、焊球202、第一焊垫210、第二焊垫220、第一金属化过孔H1、第二金属化过孔H2、金属柱206、支撑柱40的数量均没有特殊限制。
可选地，本申请的封装模组在天线结构的上方还设置有塑封层(图未示)，主要用于将整个封装模组中的各个部件进行塑封，使整个封装模组中的各部件于封装材料内固定，成为一个***级封装***，塑封层的材料可以包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的任意一种。其中，本申请实施例中的辐射单元320可设置在塑封层之中，也可部分或全部辐射表面暴露于所述塑封层之外，以提升天线结构的辐射效率。
请继续参阅图4，所述引线框架还可以包括用于承载电子器件的金属层104，该金属层104与封装管脚102同层设置；换句话说，引线框架可包括封装管脚102和金属层104；可以理解，在对本申请的封装模组进行封装的时候，本申请的引线框架下面还可以设置有一层PCB板，该PCB板可起到暂时的承载作用，待金属层104与封装管脚102之间被塑封层封装固定之后，可将其去除，或者等到应用至具体的产品时，再将该层PCB板去除，去除PCB板后并不会影响本申请封装模组的性能。
综上，本申请的封装模组，一方面将***级射频裸片和天线结构置于引线框架的相同侧，可以避免对***级射频裸片的研磨导致可靠性下降的问题，另一方面，本申请采用不同封装方式来将不同的信号分开处理，也即是对于不同的信号采用不同的走线方式，既可以减小信号之间的相互干扰，又能为封装模组中天线的设计提供更高的灵活性。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种封装模组。
请参阅图7，同时可辅助参阅图1-图6。本申请的封装模组可以包括毫米波雷达裸片die，若干第一焊垫DP(Die Pad)1和若干第二焊垫DP(Die Pad)2；其中，所述毫米波雷达裸片die的一侧表面设置有第一区域A1和环绕所述第一区域A1的第二区域A2，具体地，该第一区域A1可以为裸片die的中心区域，该第二区域A2可以为环绕中心区域的边缘位置；如图7所示，若干第一焊垫DP1设置于所述第一区域A1中，若干第二焊垫DP2设置于所述第二区域A2中，也就是说，若干第二焊垫DP2环绕所述若干第一焊垫DP1设置。
可选地，所述第一焊垫DP1可以为高频焊垫，该高频焊垫所传输信号的频率可以大于等于30GHz；所述第二焊垫DP2包括直流焊垫和低频焊垫，所述低频焊垫所传输信号的频率小于30GHz，直流焊垫传输信号的频率可以理解为0GHz的特殊信号；所述第一焊垫DP1的封装结构为倒装封装结构，所述第二焊垫DP2的封装结构为键合封装结构。通过将若干第一焊垫DP1设置在毫米波雷达裸片die的中心位置，可以便于倒装封装处理，将第二焊垫DP2设置在毫米波雷达裸片die的边缘，便于键合封装处理。
在一个实施例中，本申请的封装模组还可以包括引线框架(图7未示)，天线结构(图7未示)；其中，所述毫米波雷达裸片die固定设置于所述引线框架上，各所述第一焊垫DP1和各所述第二焊垫DP2设置在所述毫米波雷达裸片die背离所述引线框架一侧的表面上；所述天线结构倒装焊接于各所述第一焊垫DP1上；所述封装管脚P临近所述毫米波雷达裸片设置；所述引线框架可以包括临近所述毫米波雷达裸片die设置的封装管脚P(Packaging pin)，所述封装管脚P通过键合线BW(Bond-Wire)与所述第二焊垫DP2连接；所述引线框架和所述天线结构位于所述毫米波雷达裸片die相对的两侧。
应当说明的是，本具体实施例对于引线框架、天线结构、倒装焊接、倒装封装结构、键合封装结构等的描述可以参照前述封装模组实施例中的有关描述，在此不再进一步赘述。
在一个实施例中，本申请的封装模组还可以包括焊球(图7未示)，所述天线结构通过所述焊球倒装焊接于所述第一焊垫DP1上，换句话说，所述第一焊垫DP1通过所述焊球与所述天线结构实现电连接；由于焊球主要设置于第一焊垫DP1上，所以焊球的数量主要取决于第一焊垫DP1的数量；焊球本身的高度可以调整，从而使得天线结构的尺寸可依据焊球的高度进行调整；焊球的高度可以通过增加其本身的尺寸来进行调整。
在一个实施例中，本申请的封装模组还可以包括支撑柱(图7未示)和金属柱(图7未示)，所述支撑柱设置在所述引线框架与所述天线结构之间，用于支撑所述天线结构；其中，所述毫米波雷达裸片die和所述封装管脚P包含在所述天线结构投影至所述引线框架的区域中。所述金属柱的一端固定设置在所述天线结构上，另一端设置于所述焊球上，用于调整所述天线结构与所述裸片die之间的间距。可以理解，对于支撑柱和金属柱的描述可以参照前述***级射频裸片封装模组中的有关描述，在此不做进一步赘述。
可选地，本申请的封装模组在天线结构的上方还设置有塑封层(图未示)，主要用于将天线的各个部件进行塑封，使天线的各部件于封装材料内固定，成为一个封装天线，塑封层的材料可以包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的任意一种。
综上，本申请的封装模组，通过设置不同封装结构的焊垫die pad来传输毫米波雷达裸片die中的不同频率的信号，从而将不同的信号分开处理，既可以减小信号之间的相互干扰，又能为封装模组中天线的设计提供更高的灵活性。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种雷达***(图未示)，所述雷达***可以包括外部处理器(图未示)以及如前述所述的封装模组；其中，所述外部处理器接收所述封装模组所输出的雷达数据，并对所述雷达数据进行处理用以生成通信数据、辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。可选地，所述封装模组可以为AiP芯片封装模组，AiP(Antenna-in-Package，封装天线)，是基于封装材料与工艺，将天线与芯片集成在封装内实现***级无线功能的一项技术本申请的雷达***由于采用前述所述的封装模组，所以，对于与前述封装模组具有的相同有益效果部分可参照前述的描述，在此不再进一步赘述。可选地，本申请的雷达***可以应用至自动辅助驾驶领域、安检成像领域以及搜救设备领域。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (16)

1.一种封装模组，其特征在于，所述封装模组包括：
引线框架；
***级射频裸片，固定设置于所述引线框架上；所述***级射频裸片背离所述引线框架一侧的表面上设置有第一焊垫和第二焊垫；
天线结构，倒装焊接于所述第二焊垫上；以及
所述引线框架包括临近所述***级射频裸片设置的封装管脚；所述封装管脚通过键合线与所述第一焊垫连接；
其中，所述引线框架和所述天线结构分别位于所述***级射频裸片相对的两侧；所述第二焊垫用于传输射频信号，所述第一焊垫用于传输非射频信号。
2.根据权利要求1所述的封装模组，其特征在于，还包括：
高度可调的焊球，所述天线结构通过所述焊球倒装焊接于所述第二焊垫上；
其中，所述天线结构的尺寸可依据所述焊球的高度进行调整。
3.根据权利要求2所述的封装模组，其特征在于，还包括设置于所述焊球与所述天线结构之间的金属柱，用于调整所述天线结构与所述***级射频裸片之间的间距。
4.根据权利要求1所述的封装模组，其特征在于，还包括：
支撑柱，设置在所述引线框架与所述天线结构之间，用于支撑所述天线结构；
其中，所述***级射频裸片和所述封装管脚位于所述引线框架上的器件区域中，所述器件区域为所述天线结构投影至所述引线框架上的区域。
5.根据权利要求2所述的封装模组，其特征在于，所述天线结构为平面天线结构。
6.根据权利要求5所述的封装模组，其特征在于，所述平面天线结构为贴片天线结构或单极子天线结构。
7.根据权利要求5所述的封装模组，其特征在于，所述天线结构包括基板和设于所述基板上的辐射单元；以及
所述辐射单元通过贯穿所述基板的金属化过孔与所述焊球实现电连接；
其中，所述辐射单元设置于所述基板远离所述***级射频裸片一侧的表面上。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的封装模组，其特征在于，所述射频信号的频率大于等于10GHz，所述非射频信号包括直流信号。
9.根据权利要求8所述的封装模组，其特征在于，所述射频信号为毫米波信号。
10.一种封装模组，其特征在于，所述封装模组包括：
毫米波雷达裸片，所述毫米波雷达裸片的一侧表面设置有第一区域和环绕所述第一区域的第二区域；
若干第一焊垫，设置于所述第一区域中，所述第一焊垫为高频焊垫；以及
若干第二焊垫，设置于所述第二区域中，所述第二焊垫包括直流焊垫和低频焊垫；
其中，所述第一焊垫的封装结构为倒装封装结构，所述第二焊垫的封装结构为键合封装结构，所述高频焊垫所传输信号的频率大于所述低频焊垫所传输信号的频率。
11.根据权利要求10所述的封装模组，其特征在于，还包括：
引线框架，所述毫米波雷达裸片固定设置于所述引线框架上，各所述第一焊垫和各所述第二焊垫均设置在所述毫米波雷达裸片背离所述引线框架一侧的表面上；
天线结构，倒装焊接于各所述第一焊垫上；以及
所述引线框架包括临近所述毫米波雷达裸片设置的封装管脚；所述封装管脚通过键合线与所述第二焊垫连接；
其中，所述毫米波雷达裸片和所述天线结构位于所述引线框架的同一侧。
12.根据权利要求10所述的封装模组，其特征在于，所述高频焊垫所传输信号的频率大于等于30GHz，所述低频焊垫所传输信号的频率小于30GHz。
13.根据权利要求11所述的封装模组，其特征在于，还包括：
若干高度可调的焊球，所述天线结构通过所述焊球倒装焊接于所述第一焊垫上；
其中，所述天线结构的尺寸可依据所述焊球的高度进行调整。
14.根据权利要求11-13中任意一项所述的封装模组，其特征在于，还包括：
支撑柱，设置在所述引线框架与所述天线结构之间，用于支撑所述天线结构；
其中，所述毫米波雷达裸片和所述封装管脚设置在所述天线结构投影至所述引线框架的区域中。
15.一种雷达***，其特征在于，包括：
外部处理器，以及
如权利要求1-14中任意一项所述封装模组；
其中，所述外部处理器接收所述封装模组所输出的雷达数据，并对所述雷达数据进行处理用以生成通信数据、辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。
16.根据权利要求15所述的雷达***，其特征在于，所述封装模组为AiP芯片封装模组。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111865357B (zh) * 2020-08-05 2021-11-30 成都天锐星通科技有限公司 一种aip射频前端

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