CN210464778U - 一种硅差压传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种硅差压传感器，其特征在于，包括相邻的高压侧基座、低压侧基座，高压侧基座或低压侧基座上设有陶瓷部件、压力敏感芯片，高压侧基座与压力敏感芯片、高压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充高压侧充灌液的高压腔路径，低压侧基座与压力敏感芯片、低压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充低压侧充灌液的低压腔路径；高压侧隔离膜片、高压侧基座、过载保护膜片、低压侧基座、低压侧隔离膜片、导油管部件、芯片管座及环部件之间的全焊接结构，该全焊接结构与高低压侧充灌液的共同作用，使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护及高静压功能，提高了硅差压传感器的性能。

Description

一种硅差压传感器

技术领域

本实用新型涉及一种硅差压传感器，属于压力传感器技术领域。

背景技术

硅差压传感器是工业仪器仪表设备用传感器中的一种，其为采用硅压力敏感芯片的差压传感器。硅差压传感器是一类压力变送器的组成部分，而压力变送器是重要的工业仪器仪表。

硅差压传感器采用压力敏感芯片感测来自工业生产过程的差压信号，一般情况下，不仅传感器结构复杂，而且由于压力敏感芯片抗单向过载压力能力低，因此不能有效承受单向过载压力及高静压。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是：现有硅差压传感器结构复杂，不能有效承受单向过载压力及高静压。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种硅差压传感器，其特征在于，包括相邻的高压侧基座、低压侧基座，高压侧基座、低压侧基座外侧分别设有高压侧隔离膜片、低压侧隔离膜片，高压侧基座与低压侧基座之间设有过载保护膜片，高压侧基座或低压侧基座上部设有凹槽，该凹槽内设有陶瓷部件，陶瓷部件内设有压力敏感芯片，压力敏感芯片、陶瓷部件与其上方的芯片管座粘接，芯片管座通过环部件固定于该凹槽内；压力敏感芯片与穿设于芯片管座上的充灌小管二连接，充灌小管二与导油管部件连通，导油管部件上设有充灌支管；高压侧基座与芯片管座、压力敏感芯片及其两侧的高压侧隔离膜片、过载保护膜片之间构成高压腔路径，高压腔路径内填充有高压侧充灌液；低压侧基座与导油管部件、充灌小管二、压力敏感芯片及其两侧的低压侧隔离膜片、过载保护膜片之间构成低压腔路径，低压腔路径内填充有低压侧充灌液；芯片管座上设有充灌小管一，充灌小管一与压力敏感芯片、陶瓷部件两者之间的缝隙连通；高压侧隔离膜片、高压侧基座、过载保护膜片、低压侧基座、低压侧隔离膜片、导油管部件、芯片管座及环部件之间焊接连接。

优选地，所述导油管部件与芯片管座上的充灌小管二焊接连接。

当过载的过程压力仅作用于硅差压传感器的高压侧一侧时，过载保护膜片向低压侧弯曲位移，使高压侧隔离膜片与高压侧基座之间的充灌液减少，当高压侧隔离膜片与高压侧基座完全贴合时，更高的高压侧单向压力仅能作用于高压侧基座上，并不能进一步传递作用于高压侧充灌液之上，因而也就不能再传递作用到压力敏感芯片之上，从而保护了压力敏感芯片，实现了高压侧单向压力的过载保护。同理，也可实现低压侧单向压力的过载保护。

本实用新型的有益效果是：实现了高低压侧隔离膜片、高低压侧基座、过载保护膜片、导油管部件、环部件及芯片管座之间的全焊接连接，该全焊接结构与高低压侧充灌液的共同作用，使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护及高静压功能，提高了硅差压传感器的性能。

附图说明

图1为实施例提供的硅差压传感器的剖视图。

具体实施方式

为使本实用新型更明显易懂，兹以优选实施例，并配合附图作详细说明如下。

实施例

图1所示为本实施例提供的一种硅差压传感器，包括高压侧基座1、低压侧基座2，高压侧基座1、低压侧基座2外侧分别设有高压侧隔离膜片3、低压侧隔离膜片4，高压侧基座1与低压侧基座2之间设有过载保护膜片7，高压侧基座1上设有凹槽，该凹槽内设有环部件14、芯片管座8、压力敏感芯片9和陶瓷部件15，芯片管座8包括充灌小管一10和充灌小管二11；芯片管座8上的充灌小管二11与导油管部件12连通，导油管部件12包含有充灌支管13；高压侧基座1与高压侧隔离膜片3、过载保护膜片7、芯片管座8、压力敏感芯片9之间构成高压腔路径，高压腔路径内填充有高压侧充灌液5；低压侧基座2与低压侧隔离膜片4、过载保护膜片7、导油管部件12、芯片管座8上的充灌小管二11、压力敏感芯片9之间构成低压腔路径，低压腔路径内填充有低压侧充灌液6。

高压侧隔离膜片3、高压侧基座1、过载保护膜片7、低压侧基座2、低压侧隔离膜片4、导油管部件12、芯片管座8及环部件14之间焊接连接。导油管部件12与芯片管座8上的充灌小管二11焊接连接。

首先将高压侧基座1、过载保护膜片7及低压侧基座2焊接在一起，然后将高压侧隔离膜片3与高压侧基座1焊接，将低压侧隔离膜片4与低压侧基座2焊接，接着将已经粘接有压力敏感芯片9和陶瓷部件15的芯片管座8与高压侧基座1焊接，然后将环部件14与芯片管座8压紧后，与高压侧基座1焊接，再将导油管部件12的一端与芯片管座8上的充灌小管二11对接焊接，将导油管部件12的另一端与低压侧基座2焊接，最后通过芯片管座8上的充灌小管一10和导油管部件12上的充灌支管13对传感器的高压腔和低压腔进行抽真空及填充充灌液。

Claims (2)

1.一种硅差压传感器，其特征在于，包括相邻的高压侧基座(1)、低压侧基座(2)，高压侧基座(1)、低压侧基座(2)外侧分别设有高压侧隔离膜片(3)、低压侧隔离膜片(4)，高压侧基座(1)与低压侧基座(2)之间设有过载保护膜片(7)，高压侧基座(1)或低压侧基座(2)上部设有凹槽，该凹槽内设有陶瓷部件(15)，陶瓷部件(15)内设有压力敏感芯片(9)，压力敏感芯片(9)、陶瓷部件(15)与其上方的芯片管座(8)粘接，芯片管座(8)通过环部件(14)固定于该凹槽内；压力敏感芯片(9)与穿设于芯片管座(8)上的充灌小管二(11)连接，充灌小管二(11)与导油管部件(12)连通，导油管部件(12)上设有充灌支管(13)；高压侧基座(1)与芯片管座(8)、压力敏感芯片(9)及其两侧的高压侧隔离膜片(3)、过载保护膜片(7)之间构成高压腔路径，高压腔路径内填充有高压侧充灌液(5)；低压侧基座(2)与导油管部件(12)、充灌小管二(11)、压力敏感芯片(9)及其两侧的低压侧隔离膜片(4)、过载保护膜片(7)之间构成低压腔路径，低压腔路径内填充有低压侧充灌液(6)；芯片管座(8)上设有充灌小管一(10)，充灌小管一(10)与压力敏感芯片(9)、陶瓷部件(15)两者之间的缝隙连通；高压侧隔离膜片(3)、高压侧基座(1)、过载保护膜片(7)、低压侧基座(2)、低压侧隔离膜片(4)、导油管部件(12)、芯片管座(8)及环部件(14)之间焊接连接。

2.如权利要求1所述的硅差压传感器，其特征在于，所述导油管部件(12)与芯片管座(8)上的充灌小管二(11)焊接连接。

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