CN210199718U - 一种Oncell触摸显示模组 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供的一种Oncell触摸显示面板，包括液晶显示面板和触控导电层，所述触控导电层是制作在液晶显示面板上的；所述液晶显示面板上设有第一消影镀膜，所述第一消影镀膜上制作有触控导电层，所述触控导电层上覆盖有第二消影镀膜。本实用新型的Oncell结构触摸显示模组，通过在液晶显示面板上设第一消影镀膜，在第一消影镀膜上制作触控导电层，在触控导电层上覆盖第二消影镀膜，可以实现对触控导电层的图案的消影；不需要将触控导电层的图案间距设置过小，对设备没有太高的要求，因此制作成本可以得到降低。

Description

一种Oncell触摸显示模组

技术领域

本实用新型主要涉及智能产品的显示领域，更具体地涉及一种Oncell触摸显示模组。

背景技术

现有的Oncell触摸显示模组，是直接在液晶显示面板上再制作触控导电层，触控导电层一般采用磁控溅射镀膜制作，由于液晶显示面板有液晶，在制作触控导电层时磁控溅射镀膜时无法使用高温镀膜，因此触控导电层的触控层只能够低温镀膜。低温镀膜时，触控导电层厚度高达100nm以上。触控导电层的图案间距过大时，会导致底影明显而无法满足使用者要求。为了保证触控导电层的图案无底影，触控导电层的图案间距需要做到10um以下，这对产线设备要求极高，进一步导致了成本的提高。

实用新型内容

为了解决以上问题，本实用新型提供了一种改进的Oncell结构触摸显示模组，不仅可以避免底影明显，同时还不需要将触控导电层的图案间距需要做到10um以下。

本实用新型提供的一种Oncell触摸显示面板，包括液晶显示面板和触控导电层，所述触控导电层是制作在液晶显示面板上的；所述液晶显示面板上设有第一消影镀膜，所述第一消影镀膜上制作有触控导电层，所述触控导电层上覆盖有第二消影镀膜。

进一步的，所述触控导电层为ITO图案层。

进一步的，所述ITO 图案层通过低温磁控溅射镀膜方式在第一消影镀膜上制成。

进一步的，所述ITO 图案层的厚度为100nm以上，所述ITO图案层的图案间距大于30um。

进一步的，所述第一消影镀膜包括折射率不同的第一折射率材料层和第二折射率材料层；所述第二消影镀膜包括折射率不同的第三折射率材料层和第四折射率材料层；所述液晶显示面板、第四折射率材料层、第三折射率材料层、触控导电层、第二折射率材料层、第一折射率材料层，从下到上依次层叠。

进一步的，所述第一折射率材料层为氮化硅层、五氧化二铌层、和氮化硅和五氧化二铌的混合材料层三者中的其中一种；所述第二折射率材料层为二氧化硅层；所述第三折射率材料层为二氧化硅层；所述第四折射率材料层为氮化硅层、五氧化二铌层、和氮化硅和五氧化二铌的混合材料层三者中的其中一种。

进一步的，所述第一折射率材料层、第二折射率材料层、第三折射率材料层、第四折射率材料层的厚度分别在10-40nm之间。

进一步的，所述触控导电层上还层叠有玻璃盖板。

进一步的，所述盖板上设置有AR抗反射增透膜。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果如下：

本实用新型的Oncell结构触摸显示模组，通过在液晶显示面板上设第一消影镀膜，在第一消影镀膜上制作触控导电层，在触控导电层上覆盖第二消影镀膜，可以实现对触控导电层的图案的消影；不需要将触控导电层的图案间距设置过小，对设备没有太高的要求，因此制作成本可以得到降低。

附图说明

图1为本实用新型实施例所述的一种Oncell结构触摸显示面板的结构示意图；

图2为本实用新型实施例所述的一种Oncell结构触摸显示面板的剖视图；

图3为本实用新型实施例所述的一种四层结构消影层的Oncell结构触摸显示面板的示意图。

附图标记：

10-液晶显示面板、20-第一消影镀膜、30-触控导电层、40-第二消影镀膜、21-第三折射率材料层、22-第四折射率材料层、41-第一折射率材料层、42-第二折射率材料层、50-盖板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1~图3为本实用新型实施例附图。

本实用新型实施例提供了一种Oncell结构触摸显示面板，包括液晶显示面板10和触控导电层30，该触控导电层30是制作在液晶显示面板10上的，例如通过磁控溅射镀膜的方法制作在液晶显示面板10上，而非直接贴附在液晶显示面板10上。

液晶显示面板10包括显示屏和背光模组，显示屏包括上片基板、下片基板、以及位于上片基板和下片基板之间的液晶层。显示屏一般还包括上偏光片和下偏光片。背光模组包括框架和背光元件。

在本实施例中，触控导电层30为ITO图案层。ITO图案层是通过低温磁控溅射镀膜方式在显示屏上制成的。低温磁控溅射镀膜为现有技术，在专利CN201110412188.7中公布了对有机衬底进行正式的低温溅射镀膜的方法。

通过低温磁控溅射镀膜方式制成的ITO图案层的厚度为100nm以上，为了避免底影明显，现有技术通常需要将ITO图案层的图案间距做到10um以下。

作为本实施例的具体改进方案，在磁控溅射镀膜制作ITO图案层之前，先在液晶显示面板10上镀上一层打底层，该打底层为第一消影镀膜20。然后在第一消影镀膜20上通过磁控溅射镀膜制作ITO图案层，之后，再用镀膜方式在ITO图案层上镀第二消影镀膜40覆盖ITO图案层。

本实施例，在液晶显示面板10上设第一消影镀膜20，在第一消影镀膜20制作触控导电层30，在触控导电层30上覆盖第二消影镀膜40，可以使可见光区（450nm-700nm）之间的反射率与触控导电层30的反射率接近，达到触控导电层30的图案无底影的效果。

经过以上改进后的Oncell触摸显示面板，ITO图案层的图案间距不需要做到10um以下，就可以达到触控导电层30的图案无底影的效果。ITO图案层的图案间距可以大于30um，该图案间距的ITO图案层，对设备没有太高的要求，因此制作成本可以得到降低。

可以理解的是，第一消影镀膜20和第二消影镀膜40都是通过低温镀膜的方式制作的。

触控导电层30处还包括FPC软性线路板，ITO图案层的引脚需要和FPC连接的位置可以通过其他方式掏空。

在本实施例中，第一消影镀膜20和第二消影镀膜40都是通过低温镀膜的方式制成。常规溅射镀消影镀膜层，温度一般在高温150℃左右，本实施例方案是使用在液晶显示面板10上面，液晶显示面板10在溅射镀膜时需要将温度控制在100℃以下，该温度较常规镀膜温度低。

消影镀膜层的材料不限于氮化硅、二氧化硅、五氧化二铌等混合材料。

在本实施例中，第一消影镀膜20包括折射率不同的第一折射率材料层41和第二折射率材料层42组成的双层膜层。第二消影镀膜40包括折射率不同的第三折射率材料层21和第四折射率材料层22组成的双层膜层。第一消影镀膜20和第二消影镀膜40组成四层结构的消影层。

在本实施例中，触控导电层30还层叠有盖板50，例如，盖板50为玻璃盖板50。

在一个具体实施例中，如图3所示，从下到上的层叠顺序是：液晶显示面板10、第四折射率材料层22、第三折射率材料层21、触控导电层30、第二折射率材料层42、第一折射率材料层41、玻璃盖板50。

已知的，二氧化硅的折射率约为1.49，氮化硅层的折射率约为2.0，五氧化二铌层的折射率约为2.3，氮化硅和五氧化二铌的混合材料层的折射率在2.0~2.3之间。玻璃盖板50的折射率约为1.52，液晶显示面板10折射率约为1.52，ITO图案层的折射率大约为1.82。

作为优选的方案，如图3所示，第二折射率材料层42包括二氧化硅层，第一折射率材料层41可以是氮化硅层、或者五氧化二铌层、或者氮化硅和五氧化二铌的混合材料层，第一折射率材料层41为高折射率材料层，第二折射率材料层42为低折射率材料层。作为优选的方案，第三折射率材料层21包括二氧化硅层，所述第四折射率材料层22可以是氮化硅层、或者五氧化二铌层、或者氮化硅和五氧化二铌的混合材料层，第四折射率材料层22为高折射率材料层，第三折射率材料层21为低折射率材料层。

触控导电层30包括ITO图案区域和非ITO图案区域。

在触控导电层30的ITO图案区域，从下到上各层高低折射率材料依次搭配设置，消影效果较好：从下到上，依次是低折射率的液晶显示面板10、高折射率的第四折射率材料层22、低折射率的第三折射率材料层21、高折射率的ITO图案层、低折射率的第二折射率材料层42、高折射率的第一折射率材料层41、低折射率的玻璃盖板50。人的眼睛看ITO图案区域的触摸显示面板时，层叠结构的折射率顺序是：玻璃盖板50折射率1.52、第一折射率材料层41折射率2.0~2.3、第二折射率材料层42折射率为1.49、触控导电层30 的ITO图案层的折射率大约为1.82、第三折射率材料层21二氧化硅层折射率为1.49、第四折射率材料层22折射率2.0~2.3、液晶显示面板10折射率约为1.52。因此，该层叠结构的导纳曲线以1.52为起点，最后又回归到1.52，形成了完美的导纳曲线，因此整体的折射率做到了1.52、等同于玻璃基板。在此基础上，触控导电层ITO图案层的厚度不会导致底影明显。

在触控导电层30的非ITO图案区域，第三折射率材料层21和第二折射率材料层42的材料相同且均为二氧化硅层，因此第三折射率材料层21和第二折射率材料层42可以合在一起算低折射率的二氧化硅层，从下到上，依次是低折射率的液晶显示面板10、高折射率的第四折射率材料层22、低折射率的二氧化硅层、高折射率的第一折射率材料层41、低折射率的玻璃盖板50，各层高低折射率材料依次搭配设置，也形成了完美的导纳曲线，。

因此，无论是ITO图案区域还是非ITO图案区域，各层高低折射率材料都是依次搭配设置，因此具有消影效果较好的消影效果。

消影镀膜层的厚度会根据不同ITO图案层的厚度来匹配，在本实施例中，第一折射率材料层41、第二折射率材料层42、第三折射率材料层21、第四折射率材料层22的厚度分别在10-40nm之间。

作为更加优选的方案，在所述盖板50上设置有AR（anti-reflection）抗反射增透膜。抗反射增透膜，通过提高屏幕盖板50的透光率，可以增透、降低反射率。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果如下：

本实用新型的Oncell结构触摸显示模组，通过在液晶显示面板上设第一消影镀膜，在第一消影镀膜上制作触控导电层，在触控导电层上覆盖第二消影镀膜，可以实现对触控导电层的图案的消影；不需要将触控导电层的图案间距设置过小，对设备没有太高的要求，因此制作成本可以得到降低。

应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进或变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种Oncell触摸显示模组，包括液晶显示面板和触控导电层，其特征在于，所述触控导电层是制作在液晶显示面板上的；所述液晶显示面板上设有第一消影镀膜，所述第一消影镀膜上制作有触控导电层，所述触控导电层上覆盖有第二消影镀膜。

2.根据权利要求1所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述触控电极层为ITO图案层。

3.根据权利要求2所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述ITO 图案层通过低温磁控溅射镀膜方式在第一消影镀膜上制成。

4.根据权利要求2所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述ITO 图案层的厚度为100nm以上，所述ITO图案层的图案间距大于30um。

5.根据权利要求1所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述第一消影镀膜包括折射率不同的第一折射率材料层和第二折射率材料层；所述第二消影镀膜包括折射率不同的第三折射率材料层和第四折射率材料层。

6.根据权利要求5所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述第一折射率材料层为氮化硅层、五氧化二铌层、和氮化硅和五氧化二铌的混合材料层三者中的其中一种；所述第二折射率材料层为二氧化硅层。

7.根据权利要求5所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述第三折射率材料层包括氧化硅层，所述第四折射率材料层包括氮化硅层、五氧化二铌层、或者氮化硅和五氧化二铌的混合材料层。

8.根据权利要求5所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述第一折射率材料层、第二折射率材料层、第三折射率材料层、第四折射率材料层的厚度分别在10-40nm之间。

9.根据权利要求1所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述触控电极层还层叠有盖板。

10.根据权利要求1所述的Oncell触摸显示模组，其特征在于，所述盖板上设置有AR抗反射增透膜。

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