CN210040199U - 一种高性能的dob光源的结构 - Google Patents
一种高性能的dob光源的结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210040199U CN210040199U CN201921312113.XU CN201921312113U CN210040199U CN 210040199 U CN210040199 U CN 210040199U CN 201921312113 U CN201921312113 U CN 201921312113U CN 210040199 U CN210040199 U CN 210040199U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- heat conducting
- constant current
- aluminum substrate
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 76
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 4
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 16
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种高性能的DOB光源的结构，包括：铝基板，恒流驱动芯片，荧光胶层，金线，分别粘结在所述铝基板上的BT绝缘层、发光晶片、导热片，设置在所述BT绝缘层上的线路层，阻焊油墨层，有机透明层；所述BT绝缘层设置有导热孔，所述导热片设置在所述导热孔内，所述恒流驱动芯片设置在所述导热孔上方。本实用新型通过将导热片设置在恒流驱动芯片与铝基板之间，导热片可将恒流驱动芯片产生的热量传到至铝基板，从而加强恒流驱动芯片的散热，延长了恒流驱动所需的电子元器件的寿命，继而延长了DOB光源的寿命。有机透明层可隔开铝基板与荧光胶层，从而可有效避免铝基板被硫化，继而可延长DOB光源的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及DOB光源技术领域，尤其涉及一种高性能的DOB光源的结构。
背景技术
DOB光源是将LED光源与恒流驱动电路所需的电子元器件集成于同块基板上，因此DOB光源可以直接接入市电，由于无需再另外设置驱动电路，更节省空间。将恒流驱动电路所需的电子元器件(尤其是恒流驱动芯片)与LED光源集成在同块基板上不利于恒流驱动电路所需的电子元器件的散热，易导致恒流驱动电路所需的电子元器件寿命减少，继而缩短了DOB光源的寿命。进一步地，镜面铝的表面有一层银层(如德国安铝的
CoM)，因此可以反射效果特别好，荧光胶中的荧光粉多含有硫元素，DOB光源长期使用后，反射发光晶片发出的光的镜面铝区域会被硫元素硫化从而发黑，继而降低了DOB光源发出的光的亮度，DOB光源的性能下降。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：提供一种高性能的DOB光源的结构，增强恒流驱动电路所需的电子元器件的散热效果，避免镜面铝被硫化。
本实用新型的技术方案如下：提供一种高性能的DOB光源的结构，包括：铝基板，恒流驱动芯片，荧光胶层，金线，分别粘结在所述铝基板上的BT绝缘层、发光晶片、导热片，导热胶层，设置在所述BT绝缘层上的线路层，阻焊油墨层；所述BT绝缘层设置有发光孔、导热孔，所述发光晶片设置在所述发光孔内，所述导热片设置在所述导热孔内，所述恒流驱动芯片设置在所述导热孔上方，所述导热片通过所述导热胶层分别与所述铝基板、恒流驱动电子元件连接，所述荧光胶层封盖所述发光孔，所述发光晶片通过金线与线路层连接，所述恒流驱动芯片焊接在所述线路层上。在恒流驱动芯片与铝基板之间设置导热片，导热片可将恒流驱动芯片工作是产生的热量快速传导给铝基板，有效加强了恒流驱动芯片的散热，延长了恒流驱动芯片的寿命，继而延长了DOB光源的寿命。导热胶层可加强热在恒流驱动芯片与导热片之间、导热片与铝基板之间的传导效率，继而增强恒流驱动芯片的散热。
进一步地，所述高性能的DOB光源的结构，还包括：设置在所述发光孔内的有机透明层，所述有机透明层设置在所述发光晶片与所述铝基板之间，所述有机透明层盖住发光孔内的铝基板区域。有机透明层可隔开荧光胶层与铝基板层，从而避免了铝基板被硫化，继而可延长DOB光源的使用寿命。
进一步地，所述有机透明层为透明环氧树脂。
进一步地，所述导热片为氮化铝片，所述铝基板为德国安铝的
CoM镜面铝。
进一步地，所述线路层设置有若干焊盘，所述恒流驱动芯片焊接在所述所述焊盘上，所述发光晶片通过金线与所述焊盘连接。所述阻焊油墨层覆盖所述线路层的非焊盘区域。
采用上述方案，本实用新型提供一种高性能的DOB光源的结构，将导热片设置在恒流驱动芯片与铝基板之间，导热片可将恒流驱动芯片产生的热量传到至铝基板，从而加强恒流驱动芯片的散热，延长了恒流驱动所需的电子元器件的寿命，继而延长了DOB光源的寿命。有机透明层可隔开铝基板与荧光胶层，从而可有效避免铝基板被硫化，继而可延长DOB光源的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的一实施例的结构示意图；
图2为本实用新型的另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。
实施例1
请参阅图1，本实用新型提供一种高性能的DOB光源的结构，包括：铝基板10，恒流驱动芯片20，荧光胶层30，金线40，分别粘结在所述铝基板10上的BT绝缘层50、发光晶片51、导热片52，导热胶层81，设置在所述BT绝缘层50上的线路层60，阻焊油墨层70；所述BT绝缘层50设置有发光孔、导热孔，所述发光晶片51设置在所述发光孔内，所述导热片52设置在所述导热孔内，所述导热片52通过所述导热胶层81分别与所述铝基板10、恒流驱动电子元件连接，所述恒流驱动芯片20设置在所述导热孔上方，所述荧光胶层30封盖所述发光孔，所述发光晶片51通过金线40与线路层60连接，所述恒流驱动芯片20焊接在所述线路层60上。在恒流驱动芯片20与铝基板10之间设置导热片52，导热片52可将恒流驱动芯片20工作是产生的热量快速传导给铝基板10，有效加强了恒流驱动芯片20的散热，延长了恒流驱动芯片20的寿命，继而延长了DOB光源的寿命。在本实施例中，发光晶片通过导热绝缘胶固定在铝基板上。导热胶层81可加强热在恒流驱动芯片20与导热片52之间、导热片52与铝基板10之间的传导效率，继而增强恒流驱动芯片20的散热。所述导热胶采用乐牌1101。
在本实施例中，所述恒流驱动芯片20为LED灯恒流驱动芯片，如：SM2082ED、CYT1000AE、SM2315E。
所述高性能的DOB光源的结构，还包括：设置在所述发光孔内的有机透明层80，所述有机透明层80设置在所述发光晶片51与所述铝基板10之间，所述有机透明层80盖住发光孔内的铝基板10区域。有机透明层80可隔开荧光胶层30与铝基板10层，从而避免了铝基板10被硫化，继而可延长DOB光源的使用寿命。
在本实施例中，所述有机透明层80为透明环氧树脂。所述透明环氧树脂的型号为WSR-615。所述BT绝缘层为BT树脂层，在本实施例中，BT树脂采用日本三菱瓦斯公司的BT树脂。
在本实施例中，所述导热片52为氮化铝片，所述铝基板10为德国安铝的
CoM镜面铝。
在本实施例中，所述线路层60设置有若干焊盘，所述恒流驱动芯片20焊接在所述焊盘上，所述发光晶片51通过金线40与所述焊盘连接。所述阻焊油墨层70覆盖所述线路层60的非焊盘区域。
实施例2
请参阅图2，本实用新型提供一种高性能的DOB光源的结构，包括：铝基板10，恒流驱动芯片20，荧光胶层30，金线40，分别粘结在所述铝基板10上的BT绝缘层50、发光晶片51、导热片52，导热胶层81，设置在所述BT绝缘层50上的线路层60，阻焊油墨层70；所述BT绝缘层50设置有发光孔、导热孔，所述发光晶片51设置在所述发光孔内，所述导热片52设置在所述导热孔内，所述导热片52通过所述导热胶层81分别与所述铝基板10、恒流驱动电子元件连接，所述恒流驱动芯片20设置在所述导热孔上方，所述荧光胶层30封盖所述发光孔，所述发光晶片51通过金线40与线路层60连接，所述恒流驱动芯片20焊接在所述线路层60上。在恒流驱动芯片20与铝基板10之间设置导热片52，导热片52可将恒流驱动芯片20工作是产生的热量快速传导给铝基板10，有效加强了恒流驱动芯片20的散热，延长了恒流驱动芯片20的寿命，继而延长了DOB光源的寿命。在本实施例中，发光晶片51通过导热绝缘胶层55固定在铝基板10上。导热胶层81可加强热在恒流驱动芯片20与导热片52之间、导热片52与铝基板10之间的传导效率，继而增强恒流驱动芯片20的散热。所述导热胶采用乐牌1101。
在本实施例中，所述恒流驱动芯片20为LED灯恒流驱动芯片，如：SM2082ED、CYT1000AE、SM2315E。
所述BT绝缘层为BT树脂层，在本实施例中，BT树脂采用日本三菱瓦斯公司的BT树脂。
在本实施例中，所述导热片52为氮化铝片，所述铝基板10为德国安铝的
CoM镜面铝。
在本实施例中，所述线路层60设置有若干焊盘，所述恒流驱动芯片20焊接在所述焊盘上，所述发光晶片51通过金线40与所述焊盘连接。所述阻焊油墨层70覆盖所述线路层60的非焊盘区域。
综上所述，本实用新型提供一种高性能的DOB光源的结构，将导热片设置在恒流驱动芯片与铝基板之间，导热片可将恒流驱动芯片产生的热量传到至铝基板，从而加强恒流驱动芯片的散热，延长了恒流驱动所需的电子元器件的寿命，继而延长了DOB光源的寿命。有机透明层可隔开铝基板与荧光胶层，从而可有效避免铝基板被硫化，继而可延长DOB光源的使用寿命。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种高性能的DOB光源的结构，其特征在于，包括：铝基板，恒流驱动芯片，荧光胶层，金线，分别粘结在所述铝基板上的BT绝缘层、发光晶片、导热片，导热胶层，设置在所述BT绝缘层上的线路层，阻焊油墨层；所述BT绝缘层设置有发光孔、导热孔，所述发光晶片设置在所述发光孔内，所述导热片设置在所述导热孔内，所述恒流驱动芯片设置在所述导热孔上方，所述导热片通过所述导热胶层分别与所述铝基板、恒流驱动芯片连接，所述荧光胶层封盖所述发光孔，所述发光晶片通过金线与线路层连接，所述恒流驱动芯片焊接在所述线路层上。
2.根据权利要求1所述的一种高性能的DOB光源的结构，其特征在于，还包括：设置在所述发光孔内的有机透明层，所述有机透明层设置在所述发光晶片与所述铝基板之间，所述有机透明层盖住发光孔内的铝基板区域。
3.根据权利要求2所述的一种高性能的DOB光源的结构，其特征在于，所述有机透明层为透明环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的一种高性能的DOB光源的结构，其特征在于，所述导热片为氮化铝片，所述铝基板为德国安铝的MIRO-
CoM镜面铝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921312113.XU CN210040199U (zh) | 2019-08-13 | 2019-08-13 | 一种高性能的dob光源的结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921312113.XU CN210040199U (zh) | 2019-08-13 | 2019-08-13 | 一种高性能的dob光源的结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210040199U true CN210040199U (zh) | 2020-02-07 |
Family
ID=69350901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921312113.XU Active CN210040199U (zh) | 2019-08-13 | 2019-08-13 | 一种高性能的dob光源的结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210040199U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022236880A1 (zh) * | 2021-05-10 | 2022-11-17 | 幂光新材料科技（上海）有限公司 | 一种高光效led灯具的制造方法 |
-
2019
- 2019-08-13 CN CN201921312113.XU patent/CN210040199U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022236880A1 (zh) * | 2021-05-10 | 2022-11-17 | 幂光新材料科技（上海）有限公司 | 一种高光效led灯具的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100435362C (zh) | 发光二极管 | |
| JP4757756B2 (ja) | Ｌｅｄランプ | |
| US7615799B2 (en) | Light-emitting diode package structure | |
| US20080191235A1 (en) | Light emitting diode structure with high heat dissipation | |
| US20080061314A1 (en) | Light emitting device with high heat-dissipating capability | |
| JP2005050838A (ja) | 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置 | |
| JP2006295085A (ja) | 発光ダイオード光源ユニット | |
| JP2010199167A (ja) | 発光素子収納用パッケージならびに発光装置 | |
| US20110084612A1 (en) | Hybrid chip-on-heatsink device and methods | |
| TWM498387U (zh) | 熱電分離的發光二極體封裝模組及電連接模組 | |
| US8476656B2 (en) | Light-emitting diode | |
| US20100301359A1 (en) | Light Emitting Diode Package Structure | |
| US9338837B2 (en) | Lighting device | |
| CN210040199U (zh) | 一种高性能的dob光源的结构 | |
| JP2012243643A (ja) | 電球形ランプ及び照明装置 | |
| JP2014082481A (ja) | 発光装置 | |
| CN201434352Y (zh) | 发光二极管封装结构及应用该结构的灯条 | |
| EP2713411B1 (en) | Luminescence device | |
| TW201349603A (zh) | Ｌｅｄ發光裝置和其製造方法以及ｌｅｄ照明裝置 | |
| US7531846B2 (en) | LED chip packaging structure | |
| KR100954858B1 (ko) | 고휘도 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN112366201A (zh) | 一种高功率光源封装结构及其制造方法 | |
| KR101248607B1 (ko) | 열우물을 이용한 방열구조를 가지는 led 어레이 모듈 | |
| KR102199183B1 (ko) | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN217719649U (zh) | Led芯片封装架构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Room 304, 307, and 309, 3rd floor, Chuangyan Street, Zhongxin Knowledge City Science and Information Industry Park, Huangpu District, Guangzhou City, Guangdong Province, 510700 (self designated Building 3) (R&D office) Patentee after: Guangdong Ipas New Materials Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 518000 Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province, Heshuikou Community, Gongming Street, Area A, 3rd floor, Xinghuang Science Park, 7th Industrial Zone Patentee before: Shenzhen Ipas New Materials Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |