CN209947802U - 显影处理装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种当在显影处理工序中发生了异常的情况下迅速地使显影处理的进展停止的显影处理装置。所述显影处理装置进行基板的显影，所述显影处理装置具有：载置部，其用于载置所述基板；以及一个以上的紧急用清洗液喷嘴，所述一个以上的紧急用清洗液喷嘴与通常的清洗喷嘴分开地进行设置，用于在所述显影处理装置发生异常时朝向所述载置部上的基板喷射清洗液。

Description

显影处理装置
技术领域
本公开涉及一种显影处理装置。
背景技术
例如在半导体器件的制造工序中的光刻工序中，依次进行在作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)上涂布抗蚀液来形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布处理、在该抗蚀膜曝光出规定的图案的曝光处理、在曝光后促进抗蚀膜内的化学反应的加热处理(曝光后烘烤)、利用显影液使曝光后的抗蚀膜显影的显影处理等来在晶圆上形成规定的抗蚀图案。
在上述的显影处理中，例如从显影液供给喷嘴向被保持于旋转卡盘的晶圆上供给显影液，在晶圆表面上形成显影液的液膜，由此推进晶圆的显影。当显影处理结束时，通过清洗液供给喷嘴向晶圆上供给纯水等清洗液，并利用旋转卡盘使晶圆高速旋转，由此该清洗液和显影液被甩出来对晶圆表面进行清洗、干燥，显影处理结束。
通常要花费显影进展所需的规定时间来进行所述的显影处理，但当例如由于故障、误操作等而使装置的工作在显影液被供给到晶圆上的状态下停止时，超过所述规定时间地进行显影处理。当像这样超过规定时间地进行显影处理时，有时发生晶圆上的抗蚀图案破坏、或者抗蚀剂剥落等缺陷。为了防止这种因装置停止导致超过显影时间而产生的晶圆缺陷，需要例如在装置的工作停止时使晶圆上的显影处理暂时停止。
关于该点，在专利文献1中公开了如下内容：在基板处理装置内发生某些故障而涂布显影处理装置停止的情况下，在该涂布显影处理装置再启动时甩出基板上的显影液，并且从在通常的显影处理时使用的冲洗喷嘴供给冲洗液来对晶圆基板上进行清洗(以下称作“液体终止处理”。)。通过利用这样的液体终止处理对晶圆上进行清洗，能够阻止该晶圆上的显影的进展。
专利文献1：日本特开2002-260995号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
如上述的那样，在显影处理装置的动作停止时，阻止晶圆上的显影的进展是很重要的。本公开涉及一种能够在显影处理工序中产生故障的情况下迅速地阻止显影处理的进展的显影处理装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本公开所涉及的技术的一个方式是一种进行基板的显影的显影处理装置，其特征在于，具有：载置部，其用于载置所述基板；以及一个以上的紧急用清洗液喷嘴，所述一个以上的紧急用清洗液喷嘴与通常的清洗喷嘴分开地进行设置，用于在所述显影处理装置发生异常时朝向所述载置部上的基板喷射清洗液。
实用新型的效果
根据本公开所涉及的技术，能够在显影处理工序中产生故障的情况下迅速地阻止显影处理的进展。
附图说明
图1是表示搭载有实施方式所涉及的显影处理装置的基板处理***的结构的概要的俯视图。
图2是示意性地表示图1的基板处理***的结构的概要的主视图。
图3是示意性地表示图1的基板处理***的结构的概要的后视图。
图4是示意性地表示实施方式所涉及的显影处理装置的结构的概要的纵剖截面图。
图5是示意性地表示实施方式所涉及的显影处理装置的结构的概要的横剖截面图。
图6是表示显影处理的一例的流程图。
图7是表示实施方式所涉及的紧急时动作的一例的流程图。
图8是表示实施方式所涉及的显影处理装置的紧急时动作中的紧急用清洗液喷嘴的被喷射区域的说明图。
图9是示意性地表示实施方式所涉及的显影处理装置的紧急时动作的纵剖截面图。
图10是表示被两个紧急用清洗液喷嘴喷射的被喷射区域彼此不干扰的其它紧急用清洗液喷嘴的配置例的说明图。
图11是表示被三个紧急用清洗液喷嘴喷射的被喷射区域彼此不干扰的其它配置例的说明图。
具体实施方式
以下参照附图来说明实施方式的一例。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。
图1是示意性地表示具备实施方式所涉及的显影处理装置的基板处理***1的结构的概要的俯视说明图。图2和图3是分别示意性地表示基板处理***1的内部结构的概要的主视图和后视图。
基板处理***1如图1所示具有将盒站10、处理站11与接口站13连接为一体的结构，所述盒站10供收容有多张晶圆W的盒C搬入搬出，所述处理站11具备用于对晶圆W实施规定的处理的多个各种处理装置，所述接口站13与处理站11相邻并且与曝光装置12之间进行晶圆W的交接。
在盒站10中设置有盒载置台20。在盒载置台20中设置有多个盒载置板21，所述盒载置板21用于在相对于基板处理***1的外部进行盒C的搬入搬出时载置盒C。
如图1所示，在盒站10中设置有在沿X方向延伸的搬送路22上移动自如的晶圆搬送装置23。晶圆搬送装置23也能够在上下方向上以及绕铅垂轴(θ方向)移动自如，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三块G3的交接装置之间搬送晶圆W。
在处理站11中设置有具备各种装置的多个、例如四个块，即第一块G1～第四块G4。例如在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧、附图的上侧)设置有第二块G2。另外，在处理站11的靠盒站10一侧(图1的Y方向负方向侧)设置有已述的第三块G3，在处理站11的靠接口站13一侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四块G4。
例如在第一块G1中，如图2所示，从下起依次配置例如对晶圆W进行显影处理的显影处理装置30、在晶圆W的抗蚀膜的下层形成防反射膜(以下称作“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、向晶圆W涂布抗蚀液来形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布装置32、在晶圆W的抗蚀膜的上层形成防反射膜(以下称作“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33这些多个液处理装置。
例如，显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32、上部防反射膜形成装置33分别配置为沿水平方向排列有三个。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32、上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地进行选择。
在这些下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32、上部防反射膜形成装置33中例如进行向晶圆W上涂布规定的处理液的旋涂。在旋涂中，例如从涂布喷嘴向晶圆W上喷出涂布液，并且使晶圆W旋转来使涂布液在晶圆W的表面扩散。此外，在后文对作为本公开的对象的显影处理装置30的结构进行叙述。
例如在第二块G2中，如图3所示，设置有疏水化处理装置40、周边曝光装置41、进行晶圆W的冷却处理、加热处理的热处理装置42、43。此外，这些各装置的配置、数量是任意的。
例如在第三块G3中，如图2、图3所示，从下起依次设置有多个交接装置50～56。另外，在第四块G4中，如图3所示，从下起依次设置有多个交接装置60～62。
如图1所示，在由第一块G1～第四块G4围成的区域中形成有晶圆搬送区域D。在晶圆搬送区域D中配置有多个晶圆搬送装置70，各晶圆搬送装置70具有例如在Y方向、X方向、θ方向以及上下方向上移动自如的搬送臂70a。晶圆搬送装置70在晶圆搬送区域D内移动，能够与位于周围的第一块G1、第二块G2、第三块G3和第四块G4内的规定的装置之间搬送晶圆W。
另外，在晶圆搬送区域D中，如图3所示，设置有在第三块G3与第四块G4之间线性地搬送晶圆W的梭式搬送装置80。
梭式搬送装置80例如沿图3的Y方向线性地移动自如。梭式搬送装置80能够在支承着晶圆W的状态下在Y方向上移动，来在第三块G3的交接装置52与第四块G4的交接装置62之间搬送晶圆W。
如图1所示，在第三块G3的X方向正方向侧的附近设置有晶圆搬送装置81。晶圆搬送装置81具有例如在X方向、θ方向和上下方向上移动自如的搬送臂81a。晶圆搬送装置81能够在支承着晶圆W的状态下上下地移动，来向第三块G3内的各交接装置搬送晶圆W。
在接口站13中设置有晶圆搬送装置90和交接装置91。晶圆搬送装置90具有例如在Y方向、θ方向和上下方向上移动自如的搬送臂90a。晶圆搬送装置90例如能够将晶圆W支承于搬送臂，来与第四块G4内的各交接装置、交接装置91和曝光装置12之间搬送晶圆W。
如图1所示，在以上的基板处理***1中设置有控制部100。控制部100例如为计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有用于控制基板处理***1中的晶圆W的处理的程序。另外，在程序保存部中还保存有用于控制上述的各种处理装置、搬送装置等的驱动***的动作、以及控制后述的显影处理装置的动作的程序。此外，所述程序例如可以是记录在计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质中并且从该存储介质安装至控制部100中的程序。
接着，对使用如以上那样构成的基板处理***1进行的晶圆处理进行说明。
首先，将收纳有多个晶圆W的盒C搬入基板处理***1的盒站10中，载置于盒载置板21。接着，利用晶圆搬送装置23依次取出盒C内的各晶圆W，并将各晶圆W搬送至处理站11的第三块G3的交接装置53。
利用晶圆搬送装置70将被搬送至交接装置53的晶圆W搬送至第二块G2的加热处理装置42来进行温度调节处理。接着，利用晶圆搬送装置70将晶圆W例如搬送至第一块G1的下部防反射膜形成装置31中，在晶圆W上形成下部防反射膜。之后，晶圆W在被搬送至第二块G2的热处理装置42中进行加热处理后，返回第三块G3的交接装置53。
利用晶圆搬送装置81将返回交接装置53的晶圆W搬送至该第三块G3的交接装置54。接着，利用晶圆搬送装置70将晶圆W搬送至第二块G2的疏水化处理装置40，进行疏水化处理。
利用晶圆搬送装置70将进行疏水化处理后的晶圆W搬送至抗蚀剂涂布装置32，在晶圆W上形成抗蚀膜。之后，利用晶圆搬送装置70将晶圆W搬送至加热处理装置43，进行预烘烤处理后搬送至第三块G3的交接装置55。
利用晶圆搬送装置70将被搬送至交接装置55的晶圆W搬送至上部防反射膜形成装置33，在晶圆W上形成上部防反射膜。之后，利用晶圆搬送装置70将晶圆W搬送至热处理装置42，通过加热进行温度调节。进行温度调节后，将晶圆W搬送至周边曝光装置41，进行周边曝光处理。
利用晶圆搬送装置70将进行周边曝光处理后的晶圆W搬送至第三块G3的交接装置56。
利用晶圆搬送装置81将被搬送至交接装置56的晶圆W搬送至交接装置52，利用梭式搬送装置80搬送至第四块G4的交接装置62。利用接口站13的晶圆搬送装置90将被搬送至交接装置62的晶圆W搬送至曝光装置12，以规定的图案进行曝光处理。
利用晶圆搬送装置90将进行曝光处理后的晶圆W搬送至第四块G4的交接装置60。之后，利用晶圆搬送装置70搬送至热处理装置43，进行曝光后烘烤处理。
利用晶圆搬送装置70将进行曝光后烘烤处理后的晶圆W搬送至显影处理装置30进行显影。在显影结束后，利用晶圆搬送装置70将晶圆W搬送至热处理装置43，进行后烘烤处理。
之后，利用晶圆搬送装置70将晶圆W搬送至第三块G3的交接装置50，利用盒站10的晶圆搬送装置23搬送至规定的盒载置板21的盒C。像这样，一系列的光刻工序结束。
接着，参照图4和图5来说明实施方式所涉及的显影处理装置30的结构。
如图4所示，显影处理装置30具有能够将内部密闭的处理容器110。在处理容器110的侧面形成有晶圆W的搬入搬出口(未图示)。
处理容器110具备载置基板的载置部120。载置部120包括例如通过真空吸附等将晶圆W水平载置的旋转卡盘121，并且构成为通过马达等卡盘驱动部122以规定的速度旋转自如。另外，在卡盘驱动部122中设置有未图示的气缸等升降驱动机构，旋转卡盘121构成为通过升降驱动机构升降自如。
在旋转卡盘121的周围设置有接受从晶圆W飞散或落下的显影液、清洗液等液体并且进行回收的杯体123。杯体123包括沿铅垂方向延伸的壁面部123a、设置于壁面部123a的上端并且朝向杯体123的内周方向倾斜的倾斜部123b、以及设置于壁面部123a的下端的底面部123c。杯体123的底面部123c与排出回收到的液体的排出管124、对杯体123内的气氛进行排气的排气管125连接。
此外，杯体123构成为通过未图示的杯体升降机构升降自如。该杯体升降机构在将晶圆W向显影处理装置30内搬入搬出时使杯体123下降而退避以不妨碍晶圆W的搬入搬出。另外，在将晶圆W载置于旋转卡盘121上进行显影处理时，杯体123上升，防止被供给至晶圆W上的显影液、清洗液向周围飞散。
如图5所示，在杯体132的X方向负方向侧(图5的下方向)形成有沿Y方向(图5的左右方向)延伸的导轨130。导轨130例如从杯体123的Y方向负方向侧(图5的左方向)的外侧形成至杯体123的Y方向正方向侧(图5的右方向)的外侧。在导轨130例如安装有臂131、132。
在第一臂131支承有用于供给显影液的显影液供给喷嘴133。第一臂131通过喷嘴驱动部134在导轨130上移动自如。由此，显影液供给喷嘴133从设置在杯体123的Y方向负方向侧的外侧的待机部135移动至杯体123内的晶圆W的中央部上方。另外，通过喷嘴驱动部134，第一臂131升降自如，能够调节显影液供给喷嘴133的高度。作为显影液，例如使用四甲基氢氧化铵(TMAH)。
在第二臂132支承有用于供给冲洗液的冲洗液供给喷嘴136和供给溶剂的溶剂供给喷嘴137。第二臂132通过喷嘴驱动部138在导轨130上移动自如。由此，冲洗液供给喷嘴136和溶剂供给喷嘴137能够从设置在杯体123的Y方向正方向侧的外侧的待机部139移动至杯体123内的晶圆W的中央部上方。另外，通过喷嘴驱动部138，第二臂132升降自如，能够调节冲洗液供给喷嘴136和溶剂供给喷嘴137的高度。作为冲洗液，例如使用表面活性剂溶液与纯水混合而成的含表面活性剂冲洗液、作为“水系清洗液”的一例的DIW(DeionizedWater：去离子水)、纯水等。另外，作为溶剂，例如使用水溶性聚合物的水溶液。
如图4所示，在处理容器110内的上部设置有在该处理容器110内形成清洁的下降流的过滤单元140。过滤单元140将来自设置于基板处理***1的顶部的风扇过滤单元的清洁的气体进一步清洁化后供给至处理容器110内。
然后，在处理容器110内的上方，在不阻碍该过滤单元140的外缘部附近的下降流的形成、且在俯视时与载置于旋转卡盘121的晶圆W不重叠的位置处，例如设置有两个紧急用清洗液喷嘴141。
紧急用清洗液喷嘴141构成为在显影处理装置30发生异常时，基于来自用于通知该异常的警报发出部142的警报来朝向晶圆W喷射紧急用的清洗液。紧急用清洗液喷嘴141例如由喷雾喷嘴构成，以抑制喷射出的清洗液绕到晶圆W的背面。此外，作为警报发出部142，例如考虑在画面中显示警告的显示器、发出警告声的蜂鸣器等。作为紧急用的清洗液，例如使用DIW等。
紧急用清洗液喷嘴141如前述的那样例如在显影处理装置30紧急停止时等发生异常时朝向晶圆W喷射清洗液。即，期望构成为能够在发生异常时与显影处理装置30的停止相独立地进行清洗液的喷出动作。因此，例如将与紧急用清洗液喷嘴141连接的紧急用清洗液供给源150同与所述的冲洗液供给喷嘴136连接的冲洗液供给源151分开地设置。另外，紧急用清洗液供给源150也与显影液供给源152和溶剂供给源153相独立地设置。
此外，在紧急用清洗液喷嘴141设置有用于调节从该紧急用清洗液喷嘴141喷射的清洗液的喷射方向和喷射角度θ的角度调节机构(未图示)。
在此，使用图6来说明显影处理装置30中的显影处理方法。图6是表示显影处理的流程的一例的流程图。此外，在以下的说明中，例如在晶圆W的表面形成有SiARC(Silicon-containing Anti-Reflective Coating：含硅防反射涂层)等下层膜，在该下层膜之上形成抗蚀膜，该抗蚀膜完成了曝光处理以及之后的加热处理。
在进行载置于旋转卡盘121上的晶圆W的显影处理时，首先使显影液供给喷嘴133向晶圆W的中央部上方移动。接着，一边使晶圆W旋转一边从显影液供给喷嘴133向晶圆W上喷出显影液，在晶圆W的整面形成显影液覆液层(Puddle)(图6的S1)。
在形成显影液覆液层后，停止从显影液供给喷嘴133供给显影液，进行例如通过使晶圆W静止规定时间的静止显影，推进晶圆W上的抗蚀膜的显影(图6的S2)。在显影期间，显影液供给喷嘴133向杯体123之外退避，使冲洗液供给喷嘴136和溶剂供给喷嘴137向晶圆W的中央部上方移动。
当经过显影进展所需的所述规定时间并在晶圆W上形成抗蚀图案时，从所述溶剂供给喷嘴137对晶圆W供给溶剂，利用该溶剂形成液膜(图6的S3)。此外，此时，晶圆W通过旋转卡盘121例如以100rpm～1500rpm旋转。
在涂布溶剂后，从冲洗液供给喷嘴136向晶圆W供给冲洗液，对晶圆W上进行清洗(图6的S4)。具体地说，一边使晶圆W例如以100rpm～500rpm旋转一边向晶圆W供给冲洗液，将晶圆W上的溶剂形成的液膜置换为冲洗液。之后，使晶圆W的转速上升，使冲洗液在晶圆W上的整面扩散并且甩出该冲洗液，来使晶圆W干燥(图6的S5)。此时，晶圆W例如最初以300rpm～1000rpm旋转5秒～15秒，接着以1000rpm～3000rpm旋转10秒～20秒。由此，一系列的显影处理结束，在晶圆W上形成抗蚀图案。
像这样，通常花费显影进展所需的规定时间来进行显影处理，但例如在由于装置故障、操作者的误操作等而使装置的动作在显影处理的途中停止时，显影液超过所述规定时间地在晶圆W上残留，使得超过规定时间地进行显影处理。当像这样超过规定时间地进行显影处理时，有可能产生晶圆W上的抗蚀图案破坏、或者抗蚀剂剥落等缺陷。
当例如在半导体制造的前道工序(切割前的晶圆制造工序)的显影处理中发生由于所述故障等引起的装置停止的情况下，能够例如利用SPM(硫酸+过氧化氢溶液)等强处理液使形成于晶圆W上的抗蚀膜剥离(以下称作“返工”。)，之后再次在晶圆W上进行抗蚀液的涂布，由此来进行应对。
然而，在装置在半导体制造的后道工序(切割后的封装工序)中停止的情况下，有时芯片已经接合在器件上而形成有电路，因此在进行所述返工的情况下会对器件带来损伤。即，尤其在显影处理装置的动作在后道工序中停止的情况下难以进行返工，因此需要立即阻止晶圆W上的显影处理的进展。
作为阻止晶圆W上的显影处理进展的方法，例如举出前述的液体终止处理。在液体终止处理中，在显影处理装置的再启动时，甩出晶圆W上的显影液，并且使用在显影后进行通常的清洗处理的冲洗喷嘴供给冲洗液来对晶圆W上进行清洗，由此实现阻止显影处理进展。
然而，在该液体终止处理中，伴随显影处理装置的再启动来进行晶圆W的清洗，因此例如在装置再启动需要时间的情况下，有时超过所述规定时间。另外，例如在显影处理装置的旋转驱动***、供给***发生装置故障的情况下，不能够恰当地进行阻止显影处理进展所需的旋转卡盘的旋转、冲洗液的喷出。当像这样在显影处理的阻止动作之前需要时间、或者不能够恰当地进行阻止动作时，该晶圆W、芯片、或者器件就会作废。
因此，与本公开有关的显影处理装置30与在显影后进行通常的清洗处理的冲洗液供给喷嘴136分开地具备用于在发生异常时向晶圆W上喷射清洗液的一个以上的紧急用清洗液喷嘴141、伴随显影处理装置30发生异常而发出警报的警报发出部142。而且，紧急用清洗液喷嘴141在显影处理装置30发生异常时基于由所述警报发出部142的警报来开始朝向被载置于旋转卡盘121的晶圆W喷射清洗液。由此，能够极迅速地停止显影处理的进展。
以下对显影处理装置30发生异常时的动作(紧急时动作)的一例进行说明。图7是表示显影处理装置30中的从探测到警报发出部142发出警报起直至晶圆W上的显影液的清洗完成为止的动作的一例的流程图。
当由于显影处理装置30或具备该显影处理装置30的装置***即基板处理***1中的故障、操作者的误操作等而探测到显影处理装置30的动作的紧急停止(紧急停止探测工序)时，通过警报发出部142发出用于警告是装置发生异常等紧急时的意思的警报(图7的S11：警报发出工序)。
作为装置的异常，例如举出有臂131、132的动作不良、旋转卡盘121的旋转驱动***的不良等装置的动作不良，操作员在基板处理***1的动作中错误地打开***的维护检查用的门等人为的意外事件等。
当在显影处理的途中探测到所述发出的情况下，为了阻止由于显影处理装置30的动作不良、停止而晶圆W的显影处理超过规定时间地进展，从所述紧急用清洗液喷嘴141朝向被载置于旋转卡盘121的晶圆W喷射清洗液(图7的S12：紧急时清洗工序)。
在该紧急时清洗工序中，通过使旋转卡盘121例如以500rpm～100rpm、例如以200rpm旋转，通过离心力使喷射至晶圆W上的清洗液在晶圆W的整面扩散，由此能够恰当地清洗该晶圆W的整面。然而，例如在显影处理装置30的异常是由于旋转卡盘的旋转驱动***引起的情况下，即，是由于旋转卡盘121的故障而引起的情况下，无法使旋转卡盘121旋转，无法进行清洗液的扩散。
因此，例如在如本实施例那样设置有两个紧急用清洗液喷嘴141的情况下，如图8所示那样设定晶圆W上的、被紧急用清洗液喷嘴141、141分别喷射的被喷射区域A、B为宜。当更详细地进行叙述时，以使紧急用清洗液喷嘴141、141在晶圆W上的喷射中心位置为与晶圆W的中心偏离的位置的方式进行喷射。而且，关于喷射至晶圆W上的清洗液，设定为进一步从被喷射区域A、B向外侧推出滞留于晶圆W上的显影液、冲洗液，设定为最终在晶圆W的整面上通过清洗液的液流将滞留于晶圆W上的显影液、冲洗液全部冲走。由此，例如即使在旋转卡盘121产生故障而无法旋转的情况下，也能够恰当地进行晶圆W的整面的清洗。
此外，在本实施例中设置有两个紧急用清洗液喷嘴141，但该数量不限定为两个，只要从紧急用清洗液喷嘴喷射的清洗液的被喷射区域能够恰当地覆盖晶圆W的整面，或者通过喷射出的清洗液的液流将滞留于晶圆W上的显影液、冲洗液全部冲走即可。例如，在晶圆W的径小的情况下，可以将紧急用清洗液喷嘴141的设置数量设为一个，反之在通过两个紧急用清洗液喷嘴141无法恰当地覆盖晶圆W的整面，或者出现喷射至晶圆W上的清洗液的液流不能够到达的空白区域的情况下，可以将紧急用清洗液喷嘴141设置为三个以上。
此外，关于紧急用清洗液喷嘴141的清洗液的喷射，在如上述的那样无法通过旋转卡盘121使晶圆W旋转的情况下，在晶圆W的整面中，需要以使清洗液向外侧流出的角度、方向或者流量进行喷射。即，在无法使晶圆W旋转的情况下，需要使紧急用清洗液喷嘴141以在该晶圆W上不会形成清洗液的积液的方式喷射清洗液。
此外，能够任意地设定紧急用清洗液喷嘴141喷出清洗液的喷出时间和旋转卡盘121的转速。例如在将晶圆W搬入显影处理装置30之后立即探测到发出警报，并明确可知没有向晶圆W上供给显影液的情况下，也可以省略紧急用清洗液喷嘴141的清洗液的喷出、旋转卡盘121的旋转。另外，关于紧急用清洗液喷嘴141喷出清洗液的喷出时间、转速，也可以根据预先保存在所述控制部100中的处理制程来进行，另外也可以是确认到发出警报的操作者在操作画面上任意地进行设定。
当经过根据处理制程等设定的从紧急用清洗液喷嘴141喷出清洗液的喷出时间而晶圆W上的显影液被充分稀释并被从晶圆W上全部冲洗掉时，紧急用清洗液喷嘴141的清洗液的喷射结束(图7的S13)。
确认到清洗液的喷射结束的操作者进行由警报发出部142发出的警报的解除(警报清除)(图7的S14)。然后，在清洗液等残留于晶圆W上的情况下，通过旋转卡盘121使晶圆W旋转，进行残留于晶圆W上的液体的甩出处理(图7的S15)，通过该甩出处理完成，一系列的紧急时动作结束。此外，在无法利用旋转卡盘121使晶圆W旋转的情况下，也能够省略该甩出处理。
在此，在例如在晶圆W未载置于旋转卡盘121的状态下发出警报、并从紧急用清洗液喷嘴141喷射出清洗液的情况下，认为清洗液会进入旋转卡盘121的内部，会导致显影处理装置30产生故障。
因此，优选显影处理装置30还具有用于判定作为载置部120的旋转卡盘121上有无晶圆W的基板探测部(未图示)。作为利用基板探测部进行基板探测的方法，例如可以通过探测真空泵的工作状态来进行，所述真空泵进行驱动以向旋转卡盘121上真空吸附晶圆W，或者也可以使用利用了例如激光位移计、重量计等的探测方法。
像这样，通过在显影处理装置30设置基板探测部，能够根据旋转卡盘121上有无晶圆W来决定是否使紧急用清洗液喷嘴141工作(基板探测工序)。即，能够只有在晶圆W载置于旋转卡盘121的情况下使所述紧急用清洗液喷嘴141工作，在晶圆W没有载置于旋转卡盘121的情况下，即使探测到所述警报发出部142发出警报，也使所述紧急用清洗液喷嘴141不工作。
此外，关于所述的基板探测工序，至少在利用所述紧急用清洗液喷嘴141喷射清洗液(紧急时清洗工序)之前进行即可，例如可以在发出警报后直至喷射清洗液前的期间进行探测，也可以在朝向显影处理装置30搬入晶圆W且将晶圆W载置于旋转卡盘121的同时进行探测。另外，如上述的那样，例如在探测真空泵的工作状态的情况下，可以始终判定有无基板。
另外，例如关于显影处理装置30的紧急停止，在探测到自显影处理装置30漏液的情况下，认为当进一步从紧急用清洗液喷嘴141喷射清洗液时，会导致漏液进一步进展。因此，也可以是，例如在显影处理装置30的紧急停止是由于漏液而引起的情况下，即使探测到所述警报发出部142发出警报，也使所述紧急用清洗液喷嘴141不工作。
此外，当反复进行显影处理装置30的显影处理时，在杯体123中堆积有从显影液、溶剂等产生的升华物，有时由于所述生华物而使冲洗液供给喷嘴136、紧急用清洗液喷嘴141的供给线路被污染。为了防止所述供给线路的污染，需要进行杯体123的定期清洗。
关于杯体123的定期清洗，例如通过在将CWD(Cup Wash Disk：杯清洗盘)等基板假片载置于旋转卡盘121上的状态下利用杯体升降机构使杯体123上升，并且向该CWD的表面喷射清洗液来进行。由此，对堆积于杯体123的升华物进行清洗，即能够防止冲洗液、清洗液的供给线路的污染。
关于所述杯体123的定期清洗，例如根据预先设定的杯清洗制程来进行，例如每隔固定的期间(每隔显影处理的规定次数、每经过规定时间等)、或者在由操作者判断为需要进行杯清洗的情况下等进行。
另外，关于紧急用清洗液喷嘴141的清洗液的喷射，喷射出的清洗液飞散至旋转卡盘121的周边构件，由此需要避免周边构件产生故障。即，需要通过所述角度调节机构(未图示)调整紧急用清洗液喷嘴141喷出清洗液的喷射方向、喷射角度θ，以使清洗液的被喷射区域收敛在比杯体123的内周靠内侧的位置。由此，从紧急用清洗液喷嘴141喷射出的清洗液不会直接飞散至周边构件，另外在晶圆W上反弹回来的清洗液也被杯体123接住，不会飞散至周边构件。
在此，所谓清洗液的被喷射区域收敛在比杯体123的内周靠内侧的位置是指：例如图9所示，从紧急用清洗液喷嘴141喷射的清洗液的扩散区域A′、B′在侧视时收敛在比杯体123的倾斜部123b的内周面靠内侧的位置的状态。
此外，清洗液的喷射角度θ是使被喷射区域A、B如图8所示那样覆盖晶圆W的整面时的喷射角度，或者是能够在晶圆W的整面上确认到喷射后的清洗液的液流使得晶圆W上的液体全部被冲洗掉时的喷射角度。在本实施方式中，喷射角度θ例如设定为50°。
另外，根据需要，在杯体123的外周设置外杯170，构成为防止从紧急用清洗液喷嘴141喷射出的清洗液飞散至周围的构件。
另外，紧急用清洗液喷嘴141设置为如上述的那样配置在旋转卡盘121的上方且在俯视时与载置于该旋转卡盘121的晶圆W不重叠的位置。优选如图8所示，所述紧急用清洗液喷嘴141的配置在形成于杯体123的倾斜部123b的切口部123d(在俯视时没有形成倾斜部123b的部分)的上方。通过设为这样的配置，例如在紧急用清洗液喷嘴141非工作时，即使清洗液的液滴从喷射孔落下，该清洗液的液滴也不会附着于晶圆W上，能够导向杯体123的内部。
另外，为了抑制所述紧急用清洗液喷嘴141非工作时从喷射孔落下清洗液的液滴，如图9所示，紧急用清洗液喷嘴141还可以具备用于去除残留于清洗液供给线路中的清洗液的空气供给线路160。由此，即使在清洗液供给线路内有清洗液残留，也能够通过来自空气供给线路160的空气的喷射来推出该残留的清洗液，并向紧急用清洗液喷嘴141的外部排出(空气喷出工序)。即，能够防止从紧急用清洗液喷嘴141的喷射孔落下液滴。关于所述空气的喷射，例如在所述紧急时清洗工序之后、用于避免紧急用清洗液喷嘴141堵塞的定期伪喷出之后、所述定期杯清洗时进行。
此外，设为能够任意地设定所述空气的喷射时间，例如可以根据预先保存在所述控制部100中的处理制程来进行，也可以是确认到发出警报的操作者在操作画面上恰当地进行设定。
另外，作为用于抑制从喷射孔落下清洗液的液滴的其它方法，例如也可以在清洗液供给线路中设置吸回阀。
另外，可以如图9所示，在针对紧急用清洗液喷嘴141的清洗液供给线路中设置流量计200。由此，能够监视从紧急用清洗液喷嘴141喷射的清洗液的流量，从而能够确认是否恰当地朝向晶圆W上喷射了清洗液。关于所述流量监视，可以通过操作者的目视来进行，也可以通过所述控制部100来进行。此外，关于由所述流量计200进行的流量监视，只要能够确认是否能够恰当地进行晶圆W上的清洗即可，能够至少监视清洗液流量的下限即可。
此外，在所述的实施方式中，如图8所示，以使被喷射区域A、B至少一部分重复、即相互干扰的方式设定紧急用清洗液喷嘴141、141的配置、喷射角度，但可以代替该方式，而如图10所示那样配置为从两个紧急用清洗液喷嘴141a、141b喷射的清洗液在晶圆W上的被喷射区域E、F彼此不干扰。此外，为了图示的方便，在被喷射区域E、F之间描绘出空隙，但在实际的装置中当然优选不存在该空隙而被喷射区域E、F邻接。
根据该图10的例子，通过从紧急用清洗液喷嘴141a、141b喷射的液流，能够将晶圆W上的显影液、冲洗液向晶圆W外侧推出，从而能够去除晶圆W上的显影液、冲洗液。另外，在图10所示的例子中，通过使晶圆W旋转，来在晶圆W的整面上去除晶圆W上的显影液、冲洗液。在不使晶圆W旋转来去除晶圆W上的整面的显影液、冲洗液的情况下，以使两个被喷射区域E、F覆盖晶圆W上的全部的方式设定紧急用清洗液喷嘴141a、141b的配置、喷射角度即可。或者，即使被喷射区域E、F自身不覆盖晶圆W上的全部，以使来自被喷射区域E、F的清洗液的液流最终会覆盖晶圆W上的全部的方式设定喷射区域、喷射角度，进一步设定喷射量、喷射速度等即可。例如，即使只在离紧急用清洗液喷嘴141a、141b最近的部位设定被喷射区域，只要来自该被喷射区域的清洗液的液流如图10所示那样扩展而覆盖区域即可。来自被喷射区域E、F的各液流也可以设定为在晶圆W上不干扰。
例如可以在一个紧急用清洗液喷嘴中扇状地配置多个喷射口，也可以扇状地配置多个紧急用清洗液喷嘴。无论怎样，均能够通过以使被喷射区域不干扰的方式调整紧急用清洗液喷嘴的清洗液的喷射来高效且迅速地将晶圆W上的显影液、冲洗液向晶圆W外侧推出。
图11示出了以使从三个紧急用清洗液喷嘴141c、141d、141e喷射的清洗液在晶圆W上的被喷射区域J、K、L彼此不干扰的方式扇状配置各紧急用清洗液喷嘴141c、141d、141e的例子。该例子也为了图示的方便而在被喷射区域J、K、L之间描绘出空隙，但在实际的装置中以不存在该空隙而被喷射区域J、K、L邻接为宜。
根据该图11的例子，也能够通过来自紧急用清洗液喷嘴141c～141e的液流将晶圆W上的显影液、冲洗液向晶圆W外侧推出，从而能够去除晶圆W上的显影液、冲洗液。另外，在图11所示的例子中，也通过使晶圆W旋转来在晶圆W的整面上去除晶圆W上的显影液、冲洗液。在不使晶圆W旋转来去除晶圆W上的整面的显影液、冲洗液的情况下，以使三个被喷射区域J、K、L覆盖晶圆W上的全部的方式设定紧急用清洗液喷嘴141c～141e的配置、喷射角度即可。或者，即使被喷射区域J、K、L自身不全部覆盖晶圆W上的全部，以使来自被喷射区域J、K、L的清洗液的液流最终会覆盖晶圆W上的全部的方式设定被喷射区域、喷射角度、喷射量、喷射速度等即可。
此外，本实施方式所涉及的紧急时动作在需要在半导体制造的后道工序中停止显影处理装置30、即在不能返工的情况下特别有效，但也当然能够应用于在半导体制造的前道工序中需要停止装置的情况。
另外，所谓发生异常不仅是构成显影处理装置的构件、部件等中产生动作不良、故障的情况，根据需要也可以包括在具备显影处理装置的***整体的一部分中发生这样的动作不良、故障的情况。此外，根据需要操作员的操作失误、门的开放等违反规定的操作手册的人为行动也可以包括在发生异常中。另外，在这些情况下，可以预先选择进行紧急时动作的情景，例如针对每个情景向控制部100预先输入所述异常发生时进行的紧急时动作。
以上对实施方式进行了说明，但本公开不限定为所述的例子。只要是本领域技术人员就应该明白在权利要求书所记载的技术构思的范围内，能够想到各种变更例或修正例，并且应该了解的是这些也当然属于本公开的技术范围。

Claims (7)

1.一种显影处理装置，进行基板的显影，所述显影处理装置的特征在于，具有：
载置部，其用于载置所述基板；以及
一个以上的紧急用清洗液喷嘴，所述一个以上的紧急用清洗液喷嘴与通常的清洗喷嘴分开地进行设置，用于在所述显影处理装置发生异常时朝向所述载置部上的基板喷射清洗液。
2.根据权利要求1所述的显影处理装置，其特征在于，
还具有警报发出部，所述警报发出部在所述显影处理装置发生异常时发出警报，
所述紧急用清洗液喷嘴基于来自该警报发出部的警报发出来开始朝向被载置于所述载置部的基板喷射清洗液。
3.根据权利要求1或2所述的显影处理装置，其特征在于，
在没有将基板载置于所述载置部的情况下，即使在所述显影处理装置发生异常时，所述紧急用清洗液喷嘴也不工作。
4.根据权利要求1或2所述的显影处理装置，其特征在于，
所述紧急用清洗液喷嘴配置在所述载置部的上方且在俯视时与被载置于该载置部的基板不重叠的位置。
5.根据权利要求1或2所述的显影处理装置，其特征在于，
所述紧急用清洗液喷嘴为喷出所述清洗液的喷雾的喷雾喷嘴。
6.根据权利要求1或2所述的显影处理装置，其特征在于，
所述载置部构成为旋转自如，所述载置部在从所述紧急用清洗液喷嘴喷射清洗液时旋转。
7.根据权利要求1或2所述的显影处理装置，其特征在于，
具有两个以上的所述紧急用清洗液喷嘴，
以使从各所述紧急用清洗液喷嘴喷射的清洗液在所述基板上的被喷射区域彼此不干扰的方式配置各所述紧急用清洗液喷嘴。
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