CN209861471U

CN209861471U - 透明电磁屏蔽薄膜结构

Info

Publication number: CN209861471U
Application number: CN201920282492.6U
Authority: CN
Inventors: 谢自民; 毛乃晔; 郭向阳; 陈春明; 平财明; 王庆军
Original assignee: Suzhou Lanpei Photoelectric Technology Co Ltd
Current assignee: Suzhou Lanpei Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date: 2019-03-06
Filing date: 2019-03-06
Publication date: 2019-12-27
Anticipated expiration: 2029-03-06

Abstract

本实用新型提供一种电磁屏蔽薄膜结构，透明电磁屏蔽薄膜结构包括：透明基底；柔性材料层，位于透明基底的上表面，且柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；导磁材料层，位于各凹槽结构的底部：导电材料层，位于各凹槽结构内，且位于导磁材料层的上表面；黑化处理层，位于各凹槽结构内，且位于导电材料层的上表面。本实用新型的柔性材料层内的凹槽结构内形成导磁材料层及导电材料层，可以采用加成法电镀形成导磁材料层及导电材料层，不需要采用真空溅射工艺及刻蚀工艺，不需要昂贵的设备，不会造成材料的浪费，成本较低、生产工艺简单，不会造成环保问题，可以制备线宽更小的导磁材料层及线宽更小的导电材料层，可以实现透明。

Description

透明电磁屏蔽薄膜结构

技术领域

本实用新型属于电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种透明电磁屏蔽薄膜结构。

背景技术

电磁屏蔽薄膜是一种满足一定透光要求的透明贴膜，当电磁波的传播路径遇到电磁屏蔽薄膜，它会改变电磁波的传输方向，有效阻断无线电波、红外、紫外等各种电磁波的传播，从而能成功阻断信息泄露、电子窃听及电磁辐射的干扰影响，确保设备正常工作，避免人员遭受电磁辐射的影响。

设备视窗、计算机显示器、仪器仪表的显示器等很多电子产品，在进行产品EMC(电磁兼容)/EMI(电磁干扰)测试时，往往产品无法满足的电磁辐射和抗电磁辐射的要求，这就需要对产品的透光部分采取屏蔽措施。另一方面需要注意的就是通过玻璃基底窗进行远程窃听的泄密威胁，这种窃听技术能够在遥远距离外，通过激光麦克风等复杂的技术，从电脑、打印机和PDA等电子设备上截获电子泄漏，窃取信息。解决这类问题，最简单而行之有效的方法就是使用电磁屏蔽薄膜，即可屏蔽电磁波又可透光透明。

主要用于汽车、显示器、仪器仪表视窗、会议室、机房、实验室及家庭的玻璃基底门窗等。

常规的屏蔽层做法是采用真空溅射工艺溅射一层金属导电层，材料成本高，生产工艺复杂。若需要做成透明导电膜，需要在经过蚀刻作业，刻蚀成金属网格，以目前线路板最好的水平，线宽50um，也难以做到绝对的透明，另外还有其工艺产生的环保问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提+供一种透明电磁屏蔽薄膜结构，用于解决现有技术中由于采用真空溅射工艺及刻蚀工艺制备屏蔽层存在的对设备、生产环境要求极高、生产工艺复杂、成本较高、造成材料大量浪费及影响环保的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构，所述透明电磁屏蔽薄膜结构包括：

透明基底；

柔性材料层，位于所述透明基底的上表面，且所述柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；

导磁材料层，位于各所述凹槽结构的底部，且所述导磁材料层的厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内：

导电材料层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导磁材料层的上表面，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；

黑化处理层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导电材料层的上表面。

可选地，所述透明基底包括玻璃基底、聚对苯二甲酸乙二醇酯基底、聚酰亚胺基底、聚碳酸酯基底或聚甲基丙烯酸甲酯基底；所述柔性材料层包括UV树脂层；所述导磁材料层包括铁层、镍层、铁镍合金层或镍钴合金层；所述导电材料层包括铜层、锌层、锡层、金层或银层；所述黑化处理层包括硫化层、锡镍合金层或碳层。

可选地，各所述凹槽结构独立分布或各所述凹槽结构相互连接呈网格状互连分布。

可选地，所述凹槽结构的宽度包括2微米～50微米，所述凹槽结构的深度包括2微米～50微米。

本实用新型还提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，所述透明电磁屏蔽薄膜的制备方法包括如下步骤：

提供透明基底；

于所述透明基底的上表面形成柔性材料层；

于所述柔性材料层的上表面形成多个凹槽结构；

于所述凹槽结构的底部形成导磁材料层，所述导磁材料层厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；

于所述导磁材料层的上表面形成导电材料层，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；

于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层，所述黑化处理层位于各所述凹槽结构内。

可选地，于所述柔性材料层的表面形成多个凹槽结构包括如下步骤：

提供表面具有凸起结构的模具；

基于所述模具采用压印工艺于所述柔性材料层的表面形成多个所述凹槽结构。

可选地，于各所述凹槽结构内形成导磁材料层包括如下步骤：

采用点胶工艺于所述柔性材料层的表面放置导磁浆料；

将所述导磁浆料刮涂至各所述凹槽结构内；所述导磁浆料固化后即形成所述导磁材料层。

可选地，采用电镀工艺或化学镀工艺于所述导磁材料的上表面形成所述导电材料层。

可选地，于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层具体方法包括将所述导电材料层的上表面进行硫化处理，以于所述导电材料层的上表面形成硫化层作为所述黑化处理层。

可选地，于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层具体方法包括于所述导电材料层的上表面形成锡镍合金层或碳层作为所述黑化处理层。

如上所述，本实用新型的一种透明电磁屏蔽薄膜结构，具有以下有益效果：

本实用新型的柔性材料层内的凹槽结构内形成导磁材料层及导电材料层，可以采用加成法电镀形成导磁材料层及导电材料层，不需要采用真空溅射工艺及刻蚀工艺，不需要昂贵的设备，不会造成材料的浪费，成本较低、生产工艺简单，有利于卷对卷量产工艺，不会造成环保问题，可以制备线宽更小的导磁材料层及线宽更小的导电材料层，可以实现透明；同时，本实用新型通过同时设置导磁材料层及导电材料层，使得所述透明电磁屏蔽薄膜结构同时具有导电和导磁的功能，可以实现宽屏屏蔽；通过在导电材料层的上表面形成黑化处理层，可以降低导电材料层的金属反射色泽，从而提高所述电磁屏蔽薄膜结构的性能。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例一中提供的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法的流程图。

图2至图8显示为本实用新型实施例一中提供的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法的各步骤所得的局部结构示意图。

元件标号说明

10 透明基底

20 柔性材料层

201 凹槽结构

21 导磁材料层

211 导磁线

22 导电材料层

221 导电线

23 黑化处理层

24 模具

241 凸起结构

S1～S6 步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，虽图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一

请参阅图1，本实施例提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，所述透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供透明基底；

2)于所述透明基底的上表面形成柔性材料层；

3)于所述柔性材料层的上表面形成多个凹槽结构；

4)于所述凹槽结构的底部形成导磁材料层，所述导磁材料层厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；

5)于所述导磁材料层的上表面形成导电材料层，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；

6)于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层，所述黑化处理层位于各所述凹槽结构内。

在步骤1)中，请参阅图1中的S1步骤及图2，提供透明基底10。

作为示例，所述透明基底10可以为刚性基底或柔性基底，所述刚性基底可以包括但不仅限于玻璃基底，所述柔性基底包括但不仅限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底、聚酰亚胺(PI)基底、聚碳酸酯(PC)基底或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基底。所述透明基底10的厚度可以根据实际需要进行设定，此处不做限定。

在步骤2)中，请参阅图1中的S2步骤及图3，于所述透明基底10的上表面形成柔性材料层20。

作为示例，所述柔性材料层20可以包括但不仅限于UV树脂层，譬如，聚丙烯酸系的UV树脂层等等；具体的，可以采用旋涂法于所述透明基底10的表面旋涂形成所述柔性材料层20。需要说明的是，所述UV树脂层又称为光敏树脂层、紫外光固化树脂层，它可以作为油漆、涂料、油墨等的胶料使用。UV是英文Ultraviolet Rays的缩写，即紫外线。紫外线是肉眼看不见的，是可见光以外的一段电磁辐射，波长在10nm～400nm的范围。所述UV树脂层的固化原理是所述UV树脂中的光引发剂(或光敏剂)在紫外线的照射下吸收紫外光后产生活性自由基或阳离子，引发单体聚合、交联和接支化学反应，使得所述UV树脂层在数秒钟内由液态转化为固态。

需要进一步说明的是，该步骤中形成于所述透明基底10表面的所述透明柔性材料层20未经过紫外光照射，仍然呈液态。

在步骤3)中，请参阅图1中的S3及图4至图5，于所述柔性材料层20的上表面形成多个凹槽结构201。

作为示例，步骤3)中于所述柔性材料层20的上表面形成多个凹槽结构201包括如下步骤：

3-1)提供表面具有凸起结构241的模具24，如图4所示；所述凸起结构241的形状与后需要形成的所述凹槽结构201的形状完全相匹配；

3-2)基于所述模具24采用压印工艺于所述柔性材料层20的上表面形成多个所述凹槽结构201，如图4及图5所示；具体的，使用所述模具24形成有所述凸起结构241的一面挤压所述柔性材料层20，所述凸起结构241陷入于所述柔性材料层20内以形成所述凹槽结构201；使用紫外光照射所述柔性材料层20以使所述柔性材料层20固化后移除所述模具24。

作为示例，位于所述柔性基底20上表面的各所述凹槽结构201可以相互连通成网格状，具体的，所述凹槽结构201的形状可以为矩形网格状，也可以为菱形网格状，还可以为三角形网格状等等。当然，位于所述柔性基底20上表面的各所述凹槽结构201也可以呈独立分布，即各所述凹槽结构201之间可以不相连通。

作为示例，所述凹槽结构201的宽度可以从几微米至几十微米，优选地，本实施例中，所述凹槽结构201的宽度可以为2μm(微米)～50μm；所述凹槽结构201的深度可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，所述凹槽结构201的深度可以为2μm～50μm。通过压印工艺可以形成分布均匀且只有几微米至几十微米宽的所述凹槽结构201，后续可以在所述凹槽结构201内形成分布均匀且宽度比较小(几微米至几十微米)的导磁线及导电线)，从而可以确保后续形成的导磁材料层及导电材料层可以呈透明状。

在步骤4)中，请参阅图1中的S4及图6，于各所述凹槽结构201的底部形成导磁材料层21，所述导磁材料层21厚度小于所述凹槽结构的深度201；所述导磁材料层21包括多条导磁线211，所述导磁线211位于各所述凹槽结构201内。

作为示例，于各所述凹槽结构201内形成导磁材料层21包括如下步骤：

4-1)采用点胶(Slit Coat)工艺于所述柔性材料层20的表面放置导磁浆料(未示出)；所述导电金属浆料可以包括但不仅限于铁浆料、镍浆料、铁镍合金浆料或镍钴合金浆料等等；

4-2)将所述导磁浆料(未示出)刮涂至各所述凹槽结构201内；所述导磁浆料固化后即形成所述导磁材料层21；所述导磁材料层21可以包括不仅限于铁(Fe)层、镍(Ni)层、铁镍(Fe-Ni)合金层或镍钴(Ni-Co)合金层。

作为示例，各所述导磁线211的宽度可以与所述凹槽结构201的宽度相同，各所述导磁线211可以独立分布，也可以相互连接呈网格状互连分布。

在步骤5)中，请参阅图1中的S5及图7，于所述导磁材料21的上表面形成导电材料层22，所述导电材料层22与所述导磁材料层21的厚度之和小于所述凹槽结构201的深度；所述导电材料层22包括多条导电线221，所述导电线221位于各所述凹槽结构201内。

作为示例，在所述导磁材料层21的基础上，可以采用电镀工艺或化学镀工艺形成所述导电材料层22。

作为示例，所述导电材料层22可以包括但不仅限于铜(Cu)层、锌(Zn)层、锡(Sn)层、金(Au)层或银(Ag)层。

作为示例，各所述导电线221的宽度可以与所述凹槽结构201的宽度相同，各所述导电线221可以独立分布，也可以相互连接呈网格状互连分布。

在步骤6)中，请参阅图1中的S6及图8，于所述导电材料22的上表面形成黑化处理层23，所述黑化处理层23位于各所述凹槽结构201内。

在一示例中，于所述导电材料层22的上表面形成黑化处理层23具体方法包括将所述导电材料层22的上表面进行硫化处理，以于所述导电材料层22的上表面形成硫化层作为所述黑化处理层23。

在另一示例中，于所述导电材料层22的上表面形成黑化处理层23具体方法包括于所述导电材料层22的上表面形成锡镍合金层或碳层作为所述黑化处理层23。

作为示例，所述黑化处理层23的上表面可以低于所述柔性材料层20的上表面，也可以与所述柔性材料层20的上表面相平齐。

通过在所述导电材料层22的上表面形成所述黑化处理层23，可以降低所述导电材料层22的金属反射色泽，从而提高所述电磁屏蔽薄膜结构的性能。

实施例二

请结合图2至图7继续参阅图8，本实用新型还提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构，所述透明电磁屏蔽薄膜结构可以采用但不仅限于上述制备方法制备而制得，所述透明电磁屏蔽薄膜结构包括：透明基底10；柔性材料层20，位于所述透明基底10的上表面，且所述柔性材料层20的上表面形成有多个凹槽结构201；导磁材料层21，位于各所述凹槽结构201的底部，且所述导磁材料层21的厚度小于所述凹槽结构201的深度；所述导磁材料层21包括多条导磁线211，所述导磁线211位于各所述凹槽结构201内；导电材料层22，位于各所述凹槽结构201内，且位于所述导磁材料层21的上表面，所述导电材料层22与所述导磁材料层21的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层22包括多条导电线221，所述导电线221位于各所述凹槽结构201内；黑化处理层23，位于各所述凹槽结构10内，且位于所述导电材料层22的上表面。

作为示例，所述凹槽结构201的宽度可以从几微米至几十微米，优选地，本实施例中，所述凹槽结构201的宽度可以为2μm(微米)～50μm；所述凹槽结构201的深度可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，所述凹槽结构201的深度可以为2μm～50μm。通过压印工艺可以形成分布均匀且只有几微米至几十微米宽的所述凹槽结构201，可以在所述凹槽结构201内形成分布均匀且宽度比较小(几微米至几十微米)的所述导磁线211及导电线221，从而可以确保后续形成的所述导磁材料层21及所述导电材料层22可以呈透明状。

作为示例，所述导磁材料层21可以包括不仅限于铁(Fe)层、镍(Ni)层、铁镍(Fe-Ni)合金层或镍钴(Ni-Co)合金层。

作为示例，所述黑化处理层23可以包括但不限于硫化层，也可以包括锡镍合金层或碳层。

综上所述，本实用新型提供一种透明电磁屏蔽薄膜结构，所述透明电磁屏蔽薄膜结构包括：透明基底；柔性材料层，位于所述透明基底的上表面，且所述柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；导磁材料层，位于各所述凹槽结构的底部，且所述导磁材料层的厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内：导电材料层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导磁材料层的上表面，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；黑化处理层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导电材料层的上表面。本实用新型的柔性材料层内的凹槽结构内形成导磁材料层及导电材料层，可以采用加成法电镀形成导磁材料层及导电材料层，不需要采用真空溅射工艺及刻蚀工艺，不需要昂贵的设备，不会造成材料的浪费，成本较低、生产工艺简单，有利于卷对卷量产工艺，不会造成环保问题，可以制备线宽更小的导磁材料层及线宽更小的导电材料层，可以实现透明；同时，本实用新型通过同时设置导磁材料层及导电材料层，使得所述透明电磁屏蔽薄膜结构同时具有导电和导磁的功能，可以实现宽屏屏蔽；通过在导电材料层的上表面形成黑化处理层，可以降低导电材料层的金属反射色泽，从而提高所述电磁屏蔽薄膜结构的性能。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims

1.一种透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，包括：

透明基底；

导磁材料层，位于各所述凹槽结构的底部，且所述导磁材料层的厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；

2.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，所述透明基底包括玻璃基底、聚对苯二甲酸乙二醇酯基底、聚酰亚胺基底、聚碳酸酯基底或聚甲基丙烯酸甲酯基底；所述柔性材料层包括UV树脂层；所述导磁材料层包括铁层、镍层、铁镍合金层或镍钴合金层；所述导电材料层包括铜层、锌层、锡层、金层或银层；所述黑化处理层包括硫化层、锡镍合金层或碳层。

3.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，各所述凹槽结构独立分布或各所述凹槽结构相互连接呈网格状互连分布。

4.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，所述凹槽结构的宽度包括2微米～50微米，所述凹槽结构的深度包括2微米～50微米。