CN209787139U - 具有过压保护的开关电路 - Google Patents
具有过压保护的开关电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209787139U CN209787139U CN201920767854.0U CN201920767854U CN209787139U CN 209787139 U CN209787139 U CN 209787139U CN 201920767854 U CN201920767854 U CN 201920767854U CN 209787139 U CN209787139 U CN 209787139U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- circuit
- triode
- control
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
一种具有过压保护的开关电路，包括缓冲开关电路以及过压保护控制电路；所述过压保护控制电路在输入电压过压时控制缓冲开关电路关断；所述缓冲开关电路包括PMOS管开关电路和PMOS管控制电路；所述PMOS管控制电路的控制输出端与PMOS管开关电路的控制输入端连接；所述PMOS管控制电路的第一控制输入端用于接收外部控制信号，所述PMOS管控制电路的第二控制输入端用于接收外部控制信号以及过压保护控制电路输出的控制信号；能够在上电时对PMOS管进行良好的防冲击保护，而且在PMOS管关断时能够有效降低PMOS管的关断损耗，从而改善PMOS管的开关环境，提高整个开关电路的可靠性；而且还能够根据输入电压的变化进行过压保护，从而确保整个开关电路的使用安全性以及稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及开关电路领域，尤其涉及一种具有过压保护的开关电路。
背景技术
在直流负载供电中，通常采用电子开关元件，比如MOS管、PMOS管或者三极管等作为开关元件，采用这些电子开关元件，操控比较方便，反应较为迅速，然而，这些电子开关元件应用在开关电路中时存在如下缺陷：当刚开始上电时，电子开关元件容易受到开通电流冲击，而在关断时，具有较大的关断损耗，从而使得电子开关元件的可靠性降低；另一方面，现有的开关电路普遍不具有过压保护功能，需要另外设置保护电路对负载以及开关电路进行保护，这种方式不利于使用。
实用新型内容
有鉴于上述的缺陷，本实用新型旨在提供一种具有过压保护的开关电路，能够在上电时对PMOS管进行良好的防冲击保护，而且在PMOS管关断时能够有效降低PMOS管的关断损耗，从而改善PMOS管的开关环境，提高整个开关电路的可靠性；而且还能够根据输入电压的变化进行过压保护，从而确保整个开关电路的使用安全性以及稳定性。
本实用新型提供的一种具有过压保护的开关电路，包括缓冲开关电路以及过压保护控制电路；所述过压保护控制电路在输入电压过压时控制缓冲开关电路关断；
所述缓冲开关电路包括PMOS管开关电路和PMOS管控制电路；所述PMOS管控制电路的控制输出端与PMOS管开关电路的控制输入端连接；所述PMOS管控制电路的第一控制输入端用于接收外部控制信号，所述PMOS管控制电路的第二控制输入端用于接收外部控制信号以及过压保护控制电路输出的控制信号；
所述过压保护控制电路包括检测电路、电源电路、参考电压电路以及比较控制电路；
所述检测电路的输入端连接于缓冲开关电路的输入端，检测电路的输出端与比较控制电路的检测信号输入端连接，所述电源电路的输入端连接于缓冲开关电路的输入端，电源电路的输出端输出电源VCC，所述参考电压电路的输入端与电源电路的输出端连接，所述参考电压电路的输出端与比较控制电路的参考信号端连接，所述比较控制电路的控制输出端与PMOS管控制电路的第二控制输入端连接。
优选地，所述缓冲开关电路包括电阻R12、PMOS管QT1、三极管QT2、电感L1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、驱动控制电路、电容C1、电容C3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R10以及三极管QT3；
所述电阻R12的一端作为缓冲开关电路的输入端，电阻R12的另一端通过电感L1与PMOS管QT1的源极的连接，PMOS管QT1的漏极作为缓冲开关电路的输出端，PMOS管QT1的漏极通过电容C3接地；
PMOS管QT1的源极通过电阻R5与栅极连接，PMOS管QT1的栅极与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与三极管QT3的集电极连接，三极管QT3的发射极接地，三极管QT3的基极作为PMOS管开关电路的控制输入端，三极管QT3的基极通过电阻R10与发射极连接；
电容C1的一端连接于PMOS管QT1的漏极，电容C1的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端连接于电感L1与直流电源之间的公共连接点；二极管D2的正极连接于PMOS管QT1的源极，二极管D2的负极连接于电阻R1和电容C1之间的公共连接点，二极管D3的正极连接于PMOS管QT1的源极，二极管D3的负极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端通过电阻R2与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极连接于电感L1与直流电源之间的公共连接点；
三极管QT2的集电极连接于电阻R2和电阻R3之间的公共连接点，三极管QT2的发射极接地，三极管QT2的基极通过电阻R4连接于二极管D3的负极。
优选地，所述PMOS管控制电路包括二极管D4、三极管QT6、电容C2、电阻R11以及电阻R9；
所述二极管D4的正极作为PMOS管控制电路的第一控制输入端接收外部控制命令，二极管D4的负极与三极管QT6的基极连接，三极管QT6的集电极通过电阻R11接电源VCC，三极管QT6的发射极通过电容C2接地，三极管QT6的发射极与电容C2的公共连接点与电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端作为PMOS管控制电路的控制输出端与三极管QT3的基极连接。
优选地，所述PMOS管控制电路还包括放电控制电路，所述放电控制电路包括电阻R7、电阻R8、三极管QT4以及三极管QT5；
三极管QT4的基极作为PMOS管控制电路的第二控制输入端，且三极管QT4的基极分别连接于二极管D4的正极以及比较控制电路的控制输出端，三极管QT4的发射极通过电阻R7接电源VCC，三极管QT4的集电极通过电阻R8接地，三极管QT5的基极连接于三极管QT4的发射极，三极管QT5的集电极连接于电容C2与三极管QT6的发射极之间的公共连接点，三极管QT5的发射极接地，其中，三极管QT4为P型三极管。
优选地，所述缓冲开关电路还包括输出放电电路，所述输出放电电路的输入端连接于PMOS管QT1的漏极，输出放电电路的输出端接地，输出放电电路的控制端连接于三极管QT4的集电极。
优选地，所述输出放电电路为可控硅Q1，可控硅Q1的阳极连接于PMOS管QT1的漏极，可控硅Q1的阴极接地，可控硅Q1的控制极连接于三极管QT4的集电极。
优选地，所述比较控制电路包括比较器U2、电阻R20以及三极管QT7；
比较器U2的反相端作为比较控制电路的检测信号输入端与检测电路的输出端连接，比较器U2的同相端作为参考信号输入端与参考电压电路的输出端连接，比较器U2的输出端通过电阻R20与三极管QT7的基极连接，三极管QT7的发射极接地，三极管QT7的集电极作为比较控制电路的控制输出端与PMOS管控制电路的第二控制输入端连接。
优选地，所述参考电压电路包括可调电阻R16、电阻R17、电阻R15、可控精密稳压源U1以及电容C2；
可调电阻R16的一端连接于电源电路的输出端，可调电阻R16的另一端通过电阻R17接地，可调电阻R16和电阻R17之间的公共连接点与可控精密稳压源U1的参考极连接，可控精密稳压源U1的正极接地，可控精密稳压源U1的负极通过电阻R15与电源电路的输出端连接，可控精密稳压源U1的负极通过电容C2接地，电容C2与可控精密稳压源U1的负极之间的公共连接点作为参考电压电路的输出端,其中，可控精密稳压源U1为TL431芯片。
优选地，所述电源电路包括电阻R18、电阻R19、稳压管DW1、稳压管DW2、三极管QT8以及电容C3；
电阻R8的一端作为电源电路的输入端与缓冲开关电路的输入端连接，电阻R18的另一端与三极管QT8的集电极连接，三极管QT8的发射极与稳压管DW1的负极连接，稳压管DW1的正极接地，电阻R19的一端连接于三极管QT8的集电极，另一端连接于三极管QT8的基极，三极管QT8的基极通过电容C3接地，三极管QT8的基极与稳压管DW2的负极连接，稳压管DW2的正极接地，三极管QT8的发射极与稳压管DW1的负极之间的公共连接点作为电源电路的输出端输出电源VCC。
优选地，所述检测电路包括电阻R13和电阻R14；所述电阻R13的一端连接于缓冲开关电路的输入端，电阻R13的另一端通过电阻R14接地，电阻R13和电阻R14之间的公共连接点作为检测电路的输出端与比较器U2的反相端连接。
本实用新型的有益效果：能够在上电时对PMOS管进行良好的防冲击保护，而且在PMOS管关断时能够有效降低PMOS管的关断损耗，从而改善PMOS管的开关环境，提高整个开关电路的可靠性；而且还能够根据输入电压的变化进行过压保护，从而确保整个开关电路的使用安全性以及稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的电路原理示意图。
具体实施方式
以下结合说明书附图对本发明做出进一步详细解释说明，需要指出的是，以下仅仅是以较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域技术人员的任何对本发明的技术方案的修改以及等同替换，均包含在本申请的的技术方案所要求保护的范围之内。
本实用新型提供的一种具有过压保护的开关电路，包括缓冲开关电路以及过压保护控制电路；所述过压保护控制电路在输入电压过压时控制缓冲开关电路关断；
所述缓冲开关电路包括PMOS管开关电路和PMOS管控制电路；所述PMOS管控制电路的控制输出端与PMOS管开关电路的控制输入端连接；所述PMOS管控制电路的第一控制输入端用于接收外部控制信号，所述PMOS管控制电路的第二控制输入端用于接收外部控制信号以及过压保护控制电路输出的控制信号；
所述过压保护控制电路包括检测电路、电源电路、参考电压电路以及比较控制电路；
所述检测电路的输入端连接于缓冲开关电路的输入端，检测电路的输出端与比较控制电路的检测信号输入端连接，所述电源电路的输入端连接于缓冲开关电路的输入端，电源电路的输出端输出电源VCC，所述参考电压电路的输入端与电源电路的输出端连接，所述参考电压电路的输出端与比较控制电路的参考信号端连接，所述比较控制电路的控制输出端与PMOS管控制电路的第二控制输入端连接；通过上述结构，能够在上电时对PMOS管进行良好的防冲击保护，而且在PMOS管关断时能够有效降低PMOS管的关断损耗，从而改善PMOS管的开关环境，提高整个开关电路的可靠性；而且还能够根据输入电压的变化进行过压保护，从而确保整个开关电路的使用安全性以及稳定性。
优选的一个实施例中，所述缓冲开关电路包括电阻R12、PMOS管QT1、三极管QT2、电感L1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、驱动控制电路、电容C1、电容C3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R10以及三极管QT3；
所述电阻R12的一端作为缓冲开关电路的输入端，电阻R12的另一端通过电感L1与PMOS管QT1的源极的连接，PMOS管QT1的漏极作为缓冲开关电路的输出端，PMOS管QT1的漏极通过电容C3接地；
PMOS管QT1的源极通过电阻R5与栅极连接，PMOS管QT1的栅极与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与三极管QT3的集电极连接，三极管QT3的发射极接地，三极管QT3的基极作为PMOS管开关电路的控制输入端，三极管QT3的基极通过电阻R10与发射极连接；
电容C1的一端连接于PMOS管QT1的漏极，电容C1的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端连接于电感L1与直流电源之间的公共连接点；二极管D2的正极连接于PMOS管QT1的源极，二极管D2的负极连接于电阻R1和电容C1之间的公共连接点，二极管D3的正极连接于PMOS管QT1的源极，二极管D3的负极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端通过电阻R2与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极连接于电感L1与直流电源之间的公共连接点；
三极管QT2的集电极连接于电阻R2和电阻R3之间的公共连接点，三极管QT2的发射极接地，三极管QT2的基极通过电阻R4连接于二极管D3的负极；当初始上电时或者PMOS管开通时，由于电感L1的电流不能瞬变，流经电感L1的电流会逐渐增大，直至达到磁饱和时的最大电流，当PMOS管关断时，电流流经电感L1、二极管D1向电容C1充电，此时，利用了电容C1的电压不能瞬变的特性，将PMOS管的关断损耗转移到电容C1上，从而有效降低PMOS管的关断损耗，当PMOS管下一次导通时，电容C1上的电能通过电阻R1、电感L1以及PMOS管的源极和漏极实现放电；开关电路的输入端瞬时断电时，会在电感L1与PMOS管的源极连接的一端感应出高压，为了防止该高压对电容C1和PMOS管的PN结造成的冲击，此时，该高压感应电动势通过二极管D3、电阻R4使得三极管QT2导通，使得该高压由二极管D3、电阻R3以及三极管QT2形成的回路得到释放，为了使得整个电路的正常工作，需要根据电感L1、供电电流的大小来选择电阻R4的阻值，这是由于电感L1的感应电动势的大小与供电电流以及自身的结构有关，只要选择合适阻值，就能够使得正常供电时，三极管QT2不会导通，这个阻值选择属于现有技术，在此不加以赘述。
优选的一个实施例中，所述PMOS管控制电路包括二极管D4、三极管QT6、电容C2、电阻R11以及电阻R9；
所述二极管D4的正极作为PMOS管控制电路的第一控制输入端接收外部控制命令，二极管D4的负极与三极管QT6的基极连接，三极管QT6的集电极通过电阻R11接电源VCC，三极管QT6的发射极通过电容C2接地，三极管QT6的发射极与电容C2的公共连接点与电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端作为PMOS管控制电路的控制输出端与三极管QT3的基极连接；当三极管QT3导通时，PMOS管QT1的栅极电压被拉低，PMOS管QT1导通，当三极管QT3截止时，PMOS管QT1的栅极电压与源极电压相等，从而使得PMOS管QT1截止，而且，利用电容电压不能瞬变的特性，当三极管QT6导通时，向电容C2充电，使得三极管QT3的基极电压缓慢上升并达到导通电压，从而实现对三极管QT3进行良好的保护，其中，外部控制命令可以是现有的单片机输出的高电平，也可以是通过手动开关形成的触发电压。
优选的一个实施例中，所述PMOS管控制电路还包括放电控制电路，所述放电控制电路包括电阻R7、电阻R8、三极管QT4以及三极管QT5；
三极管QT4的基极作为PMOS管控制电路的第二控制输入端，且三极管QT4的基极分别连接于二极管D4的正极以及比较控制电路的控制输出端，三极管QT4的发射极通过电阻R7接电源VCC，三极管QT4的集电极通过电阻R8接地，三极管QT5的基极连接于三极管QT4的发射极，三极管QT5的集电极连接于电容C2与三极管QT6的发射极之间的公共连接点，三极管QT5的发射极接地，其中，三极管QT4为P型三极管；在上述中，由于电容C2的电压不能瞬变，当三极管QT6的基极失电或者为低电平时，虽然三极管QT6截止，但是，电容C2仍然具有一定的电压，该电压会通过三极管QT3的基极、发射极放电，使三极管处于延时导通状态，这个延时导通状态将会导致PMOS管QT1不能及时关断，因此，当二极管D4的正极失电或者输入低电平时，三极管QT4导通，进而使得三极管QT5导通，电容C2通过三极管QT5集电极、射极之间的回路迅速放电，使得三极管QT3快速关断，从而实现快速关断PMOS管QT1；当二极管D4的正极输入高电平或者输入触发电压时，使得三极管QT4的基极电压和发射极电压之差小于导通电压，从而关断三极管QT4，进而关断三极管QT5，使得三极管QT3能够处于正常的导通状态。
优选的一个实施例中，所述缓冲开关电路还包括输出放电电路，所述输出放电电路的输入端连接于PMOS管QT1的漏极，输出放电电路的输出端接地，输出放电电路的控制端连接于三极管QT4的集电极，具体地：
所述输出放电电路为可控硅Q1，可控硅Q1的阳极连接于PMOS管QT1的漏极，可控硅Q1的阴极接地，可控硅Q1的控制极连接于三极管QT4的集电极；由于PMOS管QT1的漏极一般会通过一个电容接地，即附图2中的电容C3，该电容具有滤波和稳定电压的作用，但是，电容C3还会储能，当PMOS管QT1关断时，电容C3仍然具有残存电压，为了实现整个开关电路的输出端迅速地为0输出，因此，通过可控硅Q1的导通，为C3提供一个额外的放电回路，从而使得整个开关电路的输出能够在短时间内降低为0或者接近于0，由于可控硅具有正向导通特性，因此，只要触发后正向具有电压，可控硅即处于导通状态，当该正向电压小于PN结的导通电压后，可控硅Q1则截止。
优选的一个实施例中，所述比较控制电路包括比较器U2、电阻R20以及三极管QT7；
比较器U2的反相端作为比较控制电路的检测信号输入端与检测电路的输出端连接，比较器U2的同相端作为参考信号输入端与参考电压电路的输出端连接，比较器U2的输出端通过电阻R20与三极管QT7的基极连接，三极管QT7的发射极接地，三极管QT7的集电极作为比较控制电路的控制输出端与PMOS管控制电路的第二控制输入端连接。
其中，所述检测电路包括电阻R13和电阻R14；所述电阻R13的一端连接于缓冲开关电路的输入端，电阻R13的另一端通过电阻R14接地，电阻R13和电阻R14之间的公共连接点作为检测电路的输出端与比较器U2的反相端连接。
所述参考电压电路包括可调电阻R16、电阻R17、电阻R15、可控精密稳压源U1以及电容C2；
可调电阻R16的一端连接于电源电路的输出端，可调电阻R16的另一端通过电阻R17接地，可调电阻R16和电阻R17之间的公共连接点与可控精密稳压源U1的参考极连接，可控精密稳压源U1的正极接地，可控精密稳压源U1的负极通过电阻R15与电源电路的输出端连接，可控精密稳压源U1的负极通过电容C2接地，电容C2与可控精密稳压源U1的负极之间的公共连接点作为参考电压电路的输出端,其中，可控精密稳压源U1为TL431芯片，参考电压电路用于向比较器U2提供一个基准比较电压信号，检测电路用于检测输入到缓冲开关电路的电压信号，当电压信号小于基准比较电压信号时，比较器U2输出一个低电平，三极管QT7截止；当检测电路检测的电压信号大于或者等于基准比较电压信号时，比较器U2输出一个高电平，此时三极管QT7导通，此时，无论外部触发信号无论是高电平还是低电平，三极管QT4的基极电压被拉低，三极管QT4导通，从而使得三极管QT5导通，三极管QT3截止，进而关断PMOS管QT1，从而实现过压保护。
优选的一个实施例中，所述电源电路包括电阻R18、电阻R19、稳压管DW1、稳压管DW2、三极管QT8以及电容C3；
电阻R8的一端作为电源电路的输入端与缓冲开关电路的输入端连接，电阻R18的另一端与三极管QT8的集电极连接，三极管QT8的发射极与稳压管DW1的负极连接，稳压管DW1的正极接地，电阻R19的一端连接于三极管QT8的集电极，另一端连接于三极管QT8的基极，三极管QT8的基极通过电容C3接地，三极管QT8的基极与稳压管DW2的负极连接，稳压管DW2的正极接地，三极管QT8的发射极与稳压管DW1的负极之间的公共连接点作为电源电路的输出端输出电源VCC；其中，电源电路用于起到稳压作用，将输出电压VCC稳定在设定的值，该输出电压VCC向基准电压产生电路提供工作用电，而且还向PMOS管控制电路提供电源。
Claims (10)
1.一种具有过压保护的开关电路，其特征在于：缓冲开关电路以及过压保护控制电路；所述过压保护控制电路在输入电压过压时控制缓冲开关电路关断；
所述缓冲开关电路包括PMOS管开关电路和PMOS管控制电路；所述PMOS管控制电路的控制输出端与PMOS管开关电路的控制输入端连接；所述PMOS管控制电路的第一控制输入端用于接收外部控制信号，所述PMOS管控制电路的第二控制输入端用于接收外部控制信号以及过压保护控制电路输出的控制信号；
所述过压保护控制电路包括检测电路、电源电路、参考电压电路以及比较控制电路；
所述检测电路的输入端连接于缓冲开关电路的输入端，检测电路的输出端与比较控制电路的检测信号输入端连接，所述电源电路的输入端连接于缓冲开关电路的输入端，电源电路的输出端输出电源VCC，所述参考电压电路的输入端与电源电路的输出端连接，所述参考电压电路的输出端与比较控制电路的参考信号端连接，所述比较控制电路的控制输出端与PMOS管控制电路的第二控制输入端连接。
2.根据权利要求1所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述缓冲开关电路包括电阻R12、PMOS管QT1、三极管QT2、电感L1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、驱动控制电路、电容C1、电容C3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R10以及三极管QT3；
所述电阻R12的一端作为缓冲开关电路的输入端，电阻R12的另一端通过电感L1与PMOS管QT1的源极的连接，PMOS管QT1的漏极作为缓冲开关电路的输出端，PMOS管QT1的漏极通过电容C3接地；
PMOS管QT1的源极通过电阻R5与栅极连接，PMOS管QT1的栅极与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与三极管QT3的集电极连接，三极管QT3的发射极接地，三极管QT3的基极作为PMOS管开关电路的控制输入端，三极管QT3的基极通过电阻R10与发射极连接；
电容C1的一端连接于PMOS管QT1的漏极，电容C1的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端连接于电感L1与直流电源之间的公共连接点；二极管D2的正极连接于PMOS管QT1的源极，二极管D2的负极连接于电阻R1和电容C1之间的公共连接点，二极管D3的正极连接于PMOS管QT1的源极，二极管D3的负极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端通过电阻R2与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极连接于电感L1与直流电源之间的公共连接点；
三极管QT2的集电极连接于电阻R2和电阻R3之间的公共连接点，三极管QT2的发射极接地，三极管QT2的基极通过电阻R4连接于二极管D3的负极。
3.根据权利要求2所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述PMOS管控制电路包括二极管D4、三极管QT6、电容C2、电阻R11以及电阻R9；
所述二极管D4的正极作为PMOS管控制电路的第一控制输入端接收外部控制命令，二极管D4的负极与三极管QT6的基极连接，三极管QT6的集电极通过电阻R11接电源VCC，三极管QT6的发射极通过电容C2接地，三极管QT6的发射极与电容C2的公共连接点与电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端作为PMOS管控制电路的控制输出端与三极管QT3的基极连接。
4.根据权利要求3所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述PMOS管控制电路还包括放电控制电路，所述放电控制电路包括电阻R7、电阻R8、三极管QT4以及三极管QT5；
三极管QT4的基极作为PMOS管控制电路的第二控制输入端，且三极管QT4的基极分别连接于二极管D4的正极以及比较控制电路的控制输出端，三极管QT4的发射极通过电阻R7接电源VCC，三极管QT4的集电极通过电阻R8接地，三极管QT5的基极连接于三极管QT4的发射极，三极管QT5的集电极连接于电容C2与三极管QT6的发射极之间的公共连接点，三极管QT5的发射极接地，其中，三极管QT4为P型三极管。
5.根据权利要求4所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述缓冲开关电路还包括输出放电电路，所述输出放电电路的输入端连接于PMOS管QT1的漏极，输出放电电路的输出端接地，输出放电电路的控制端连接于三极管QT4的集电极。
6.根据权利要求5所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述输出放电电路为可控硅Q1，可控硅Q1的阳极连接于PMOS管QT1的漏极，可控硅Q1的阴极接地，可控硅Q1的控制极连接于三极管QT4的集电极。
7.根据权利要求4所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述比较控制电路包括比较器U2、电阻R20以及三极管QT7；
比较器U2的反相端作为比较控制电路的检测信号输入端与检测电路的输出端连接，比较器U2的同相端作为参考信号输入端与参考电压电路的输出端连接，比较器U2的输出端通过电阻R20与三极管QT7的基极连接，三极管QT7的发射极接地，三极管QT7的集电极作为比较控制电路的控制输出端与PMOS管控制电路的第二控制输入端连接。
8.根据权利要求1所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述参考电压电路包括可调电阻R16、电阻R17、电阻R15、可控精密稳压源U1以及电容C2；
可调电阻R16的一端连接于电源电路的输出端，可调电阻R16的另一端通过电阻R17接地，可调电阻R16和电阻R17之间的公共连接点与可控精密稳压源U1的参考极连接，可控精密稳压源U1的正极接地，可控精密稳压源U1的负极通过电阻R15与电源电路的输出端连接，可控精密稳压源U1的负极通过电容C2接地，电容C2与可控精密稳压源U1的负极之间的公共连接点作为参考电压电路的输出端,其中，可控精密稳压源U1为TL431芯片。
9.根据权利要求1所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述电源电路包括电阻R18、电阻R19、稳压管DW1、稳压管DW2、三极管QT8以及电容C3；
电阻R8的一端作为电源电路的输入端与缓冲开关电路的输入端连接，电阻R18的另一端与三极管QT8的集电极连接，三极管QT8的发射极与稳压管DW1的负极连接，稳压管DW1的正极接地，电阻R19的一端连接于三极管QT8的集电极，另一端连接于三极管QT8的基极，三极管QT8的基极通过电容C3接地，三极管QT8的基极与稳压管DW2的负极连接，稳压管DW2的正极接地，三极管QT8的发射极与稳压管DW1的负极之间的公共连接点作为电源电路的输出端输出电源VCC。
10.根据权利要求7所述具有过压保护的开关电路，其特征在于：所述检测电路包括电阻R13和电阻R14；所述电阻R13的一端连接于缓冲开关电路的输入端，电阻R13的另一端通过电阻R14接地，电阻R13和电阻R14之间的公共连接点作为检测电路的输出端与比较器U2的反相端连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920767854.0U CN209787139U (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 具有过压保护的开关电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920767854.0U CN209787139U (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 具有过压保护的开关电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209787139U true CN209787139U (zh) | 2019-12-13 |
Family
ID=68788250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920767854.0U Expired - Fee Related CN209787139U (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 具有过压保护的开关电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209787139U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110943730A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-03-31 | 海南星宇智控科技有限公司 | 防冲击大功率电子开关电路及其驱动方法 |
| CN113422595A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-09-21 | 成都市易冲半导体有限公司 | 一种新型处理负压ac信号的电子开关及其控制方法 |
-
2019
- 2019-05-27 CN CN201920767854.0U patent/CN209787139U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110943730A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-03-31 | 海南星宇智控科技有限公司 | 防冲击大功率电子开关电路及其驱动方法 |
| CN113422595A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-09-21 | 成都市易冲半导体有限公司 | 一种新型处理负压ac信号的电子开关及其控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105406846B (zh) | 一种适用于固态功率控制器的功率管驱动控制电路 | |
| CN209787139U (zh) | 具有过压保护的开关电路 | |
| CN109004818B (zh) | 本质安全型直流容性负载缓启动装置 | |
| CN212381113U (zh) | 驱动电路及电力电子设备 | |
| CN102497101B (zh) | 一种自激式Buck电路 | |
| CN210444028U (zh) | 一种电池短路保护装置 | |
| CN207264977U (zh) | 用于关断电感性负载的电路 | |
| CN217427985U (zh) | 缓启动电路和开关电源 | |
| CN214069805U (zh) | 用于开关电源的前端保护装置 | |
| CN209709680U (zh) | 直流供电开关电路 | |
| CN213990523U (zh) | 一种同步整流装置 | |
| CN112968425B (zh) | 一种开关电源次级短路保护电路 | |
| CN214412269U (zh) | 一种电源安全保护装置 | |
| CN210297249U (zh) | 自激振荡双向限流电路 | |
| CN108809069A (zh) | 一种单周期峰值电流限制电路 | |
| CN210156915U (zh) | 一种开关电源可控延时打嗝式输出短路保护电路 | |
| JP7247903B2 (ja) | 電気回路及び電源装置 | |
| CN114665560A (zh) | 一种大电流充电保护电路 | |
| CN111200355B (zh) | 上电缓冲电路 | |
| CN112737287A (zh) | 一种具有短路和过载保护功能的直流低边驱动开关电路 | |
| CN107659239B (zh) | 交流电机调速电路 | |
| Zhao et al. | Fault Current Bypass and Transient Commutation Current Injection Based Soft Turn-Off DC SSCBs | |
| CN221177556U (zh) | 一种基于反激拓扑结构的mosfet隔离驱动电路 | |
| CN221202534U (zh) | 一种高压直流电子开关电路 | |
| CN216904289U (zh) | 带浪涌电流保护的电机驱动器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20191213 Termination date: 20200527 |