CN209297772U - 一种常温单面镀膜单面消影超厚ito导电膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、镀于TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，ITO导电层的厚度大于消影层的厚度且小于消影层厚度的2倍，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影。

Description

一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜

技术领域

本实用新型涉及光电玻璃技术领域，尤其涉及一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜。

背景技术

ITO导电膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

ITO导电膜的主要参数有：表面方块电阻、表面电阻的均匀性、透光率、反射率、蚀刻前后反射率差值（消影特性）、热稳定性、耐酸碱稳定性、耐划伤（耐后期加工）等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜厚度有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。

现有ITO导电膜的结构为：Glass/BM/ITO氧化铟锡，其中BM为绝缘保护层，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成图案以后，由于蚀刻前后的反射差值较大，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。在可见光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88％左右，如果电阻值更低的话，透过率还会更低，导致反射率高，因此在可见光下，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。

已有技术中的ITO导电膜均是在高温镀膜线上实现，虽然在高温镀膜线上实现导电玻璃的ITO镀膜时的镀膜难度较小，但是，高温镀膜线所采用的设备昂贵，并且高温镀膜过程中温度比较难以控制，导致最终的镀膜成功率较低。而且，在常温下实现普通厚度的ITO导电膜的过程中，就很难实现消影，对于较厚的ITO导电膜，由于其厚度和吸收以及膜层成分的变化，蚀刻前后反射差会更大，蚀刻时会产生更重的影子，也即已有技术中根本就不存在完全消影的较厚常温溅镀的ITO导电膜。换句话说，目前使用的超过50纳米的ITO导电膜，基本没有做消影处理，只能用在特殊情况无消影要求的地方。常温镀ITO膜，与高温镀ITO相比，方块电阻较高，所以为了保持同样的导电性能，就普遍实行镀较厚的ITO来实现高温镀膜的一样的导电性。因为厚度大，因而与高温镀膜相比，影子难以消除。

发明内容

本实用新型提供一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，旨在解决已有技术中的ITO导电膜所存在的技术缺陷。

本实用新型提供的具体技术方案如下：

本实用新型提供的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于所述第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于所述第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于所述第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于所述第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，所述ITO导电层的厚度大于所述消影层的厚度且小于所述消影层厚度的2倍。

可选的，所述第二层五氧化二铌膜的厚度大于所述第一层五氧化二铌膜的厚度，所述第一层二氧化硅膜的厚度大于所述第二层二氧化硅膜的厚度。

可选的，所述第一层五氧化二铌膜的厚度为5.9纳米，所述第一层二氧化硅膜的厚度为42.0纳米，所述第二层五氧化二铌膜的厚度为14.9纳米，所述第二层二氧化硅膜的厚度为22.4纳米，所述ITO导电层的厚度为141.7纳米。

可选的，所述TG基板的厚度为0.7毫米，所述ITO导电膜在常温下形成单面镀膜单面消影结构。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型实施例提供一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜包括TG基板、镀于TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且， ITO导电层的厚度大于消影层的厚度且小于消影层厚度的2倍，采用该消影层可以实现对厚度较厚的ITO导电膜进行消影，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成的消影层的折射率与ITO的膜层厚度和折射率接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影，也即已有技术中，常温镀ITO消影难度高，超厚ITO消影难度更大，本申请通过调整五氧化二铌膜和二氧化硅膜层的厚度，相互配合组成消影层，能有效地消除超厚ITO蚀刻影子。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜刻蚀前后的反射曲线示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面将结合图1~图2对本实用新型实施例的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜进行详细的说明。

参考图1、图2所示，本实用新型实施例提供的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜包括TG基板1、镀于TG基板1上表面的第一层五氧化二铌膜2、镀于第一层五氧化二铌膜2上表面的第一层二氧化硅膜3、镀于第一层二氧化硅膜3上表面的第二层五氧化二铌膜4、镀于第二层五氧化二铌膜4上表面的第二层二氧化硅膜5和镀于第二层二氧化硅膜5上表面的ITO导电层6，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，ITO导电层6的厚度大于消影层的厚度且小于消影层厚度的2倍，采用该消影层可以实现对厚度较厚的ITO导电膜进行消影，其中，参考图2所示，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影。

进一步的，参考图1所示，第二层五氧化二铌膜4的厚度大于第一层五氧化二铌膜2的厚度，第一层二氧化硅膜3的厚度大于第二层二氧化硅膜5的厚度。具体的，第一层五氧化二铌膜2的厚度为5.9纳米，第一层二氧化硅膜3的厚度为42.0纳米，第二层五氧化二铌膜4的厚度为14.9纳米，第二层二氧化硅膜5的厚度为22.4纳米， ITO导电层6的厚度为141.7纳米。参考图1所示，TG基板1的厚度为0.7毫米，本实用新型实施例的ITO导电膜在常温下形成单面镀膜单面消影结构。

本实用新型实施例的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜采用的消影层是申请人付出巨大的创造性劳动之后获得的技术方案，其中，该消影层包括间隔设置的五氧化二铌膜和二氧化硅膜，具体的是，第一层五氧化二铌膜2的厚度为5.9纳米，第一层二氧化硅膜3的厚度为42.0纳米，第二层五氧化二铌膜4的厚度为14.9纳米，第二层二氧化硅膜5的厚度为22.4纳米，该种结构和组成的消影层的ITO导电膜刻蚀前后的反射曲线如图2所示，保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影。

本实用新型实施例提供一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜包括TG基板、镀于TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且， ITO导电层的厚度大于消影层的厚度且小于消影层厚度的2倍，采用该消影层可以实现对厚度较厚的ITO导电膜进行消影，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成的消影层的折射率与ITO的膜层厚度和折射率接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影，也即已有技术中，常温镀ITO消影难度高，超厚ITO消影难度更大，本申请通过调整五氧化二铌膜和二氧化硅膜层的厚度，相互配合组成消影层，能有效地消除超厚ITO蚀刻影子。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型实施例的精神和范围。这样，倘若本实用新型实施例的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (4)

1.一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，其特征在于，所述ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于所述第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于所述第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于所述第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于所述第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，所述ITO导电层的厚度大于所述消影层的厚度且小于所述消影层厚度的2倍。

2.根据权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述第二层五氧化二铌膜的厚度大于所述第一层五氧化二铌膜的厚度，所述第一层二氧化硅膜的厚度大于所述第二层二氧化硅膜的厚度。

3.根据权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述第一层五氧化二铌膜的厚度为5.9纳米，所述第一层二氧化硅膜的厚度为42.0纳米，所述第二层五氧化二铌膜的厚度为14.9纳米，所述第二层二氧化硅膜的厚度为22.4纳米，所述ITO导电层的厚度为141.7纳米。

4.根据权利要求3所述的ITO导电膜，其特征在于，所述TG基板的厚度为0.7毫米，所述ITO导电膜在常温下形成单面镀膜单面消影结构。