CN208596787U - 天线装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种抑制第1频带中的通信用的磁通对第2频带中的通信有影响的天线装置以及电子设备。在天线装置(1)中，第1线圈天线(6)具有第1开口(61)，且被配置于第1磁性体(5)的第1主面(51)侧，以第1频带进行通信。第2线圈天线(7)具有第2开口(71)，且被配置于第1磁性体(5)的第2主面(52)侧，以第2频带进行通信。在从第1主面(51)与第2主面(52)对置的第1方向(D1)的俯视下，第2线圈天线(7)的第2开口(71)与第1磁性体(5)重叠，并且不与第1线圈天线(6)的第1开口(61)重叠。第1频带中的第1磁性体(5)的磁导率比第2频带中的第1磁性体(5)的磁导率高。

Description

天线装置以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及具备多个线圈天线的天线装置以及电子设备。

背景技术

以往，已知具备多个线圈天线的天线装置(例如参照专利文献1)。

专利文献1所述的天线装置具备近距离无线通信用的线圈天线和无线充电用的线圈天线。在专利文献1所述的天线装置中，与无线充电用的线圈天线相邻地配置近距离无线通信用的线圈天线。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/088912号

在专利文献1所述的现有的天线装置中，来自外部装置的无线充电用的磁通可能与近距离无线通信用的线圈天线交链。因此，存在无线充电用的磁通对近距离无线通信中的处理有负面影响的问题。

实用新型内容

本实用新型是鉴于上述的方面而作出的实用新型，本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制第1频带中的通信用的磁通对第2频带中的通信有影响的天线装置以及具备该天线装置的电子设备。

本实用新型的一方式所涉及的天线装置具备：磁性体、第1线圈天线和第2线圈天线。所述磁性体具有第1主面以及第2主面。所述第1线圈天线具有第1开口，且被配置于所述磁性体的所述第1主面侧，以第1频带进行通信。所述第2线圈天线具有第2开口，且被配置于所述磁性体的所述第2主面侧，以与所述第1频带不同的第2频带进行通信。在所述磁性体的所述第1主面或者所述第2主面的俯视下，所述第2线圈天线的所述第2开口与所述磁性体重叠，并且不与所述第1线圈天线的所述第1开口重叠。所述第1频带中的所述磁性体的磁导率比所述第2频带中的所述磁性体的磁导率高。

本实用新型的一方式所涉及的电子设备具备所述天线装置和控制部。所述控制部对所述天线装置进行控制。

通过本实用新型的上述方式所涉及的天线装置以及电子设备，能够抑制第1频带中的通信用的磁通对第2频带中的通信有影响。

附图说明

图1A是本实用新型的实施方式1所涉及的天线装置的主视图。图1B 是图1A的X1-X1线剖视图。图1C是同上的天线装置的概念图。

图2是同上的天线装置的立体图。

图3是本实用新型的实施方式1所涉及的电子设备的概略图。

图4A是本实用新型的实施方式1的变形例所涉及的天线装置的主视图。图4B是图4A的X2-X2线剖视图。图4C是同上的天线装置的概念图。

图5是同上的天线装置的立体图。

图6A是本实用新型的实施方式2所涉及的天线装置的主视图。图6B 是图6A的X3-X3线剖视图。图6C是同上的天线装置的概念图。

图7是同上的天线装置的立体图。

图8A是本实用新型的实施方式2的变形例所涉及的天线装置的主视图。图8B是图8A的X4-X4线剖视图。图8C是同上的天线装置的概念图。

图9是同上的天线装置的立体图。

图10A是本实用新型的实施方式3所涉及的天线装置的主视图。图 10B是图10A的X5-X5线剖视图。图10C是同上的天线装置的概念图。

图11是同上的天线装置的立体图。

-符号说明-

1、1a～1d 天线装置

3、3b、3d 平面导体

5、5a～5d 第1磁性体

51、51a～51d 第1主面

52、52a～52d 第2主面

6、6b、6d 第1线圈天线

61、61b、61d 第1开口

7、7b、7d 第2线圈天线

71、71b、71d 第2开口

8、8b、8d 第2磁性体

9 电子设备

91 控制部

D1 第1方向。

具体实施方式

以下，参照附图来对实施方式1～3所涉及的天线装置以及电子设备进行说明。另外，针对说明书以及附图中所述的结构要素，说明书以及附图中所述的大小以及厚度还有其尺寸关系是示例，这些结构要素并不限定于说明书以及附图中所述的示例。

(实施方式1)

(1)天线装置的整体结构

实施方式1所涉及的天线装置1如图1A、图1B以及图2所示，具备天线部2和平面导体3。天线部2具备第1磁性体5、第1线圈天线6和第2线圈天线7。

第1线圈天线6在第1方向D1上被配置于第1磁性体5的第1主面 51侧。与此相对地，第2线圈天线7在第1方向D1上被配置于第1磁性体5的第2主面52侧。这里，所谓第1方向D1，例如是指与第1磁性体 5的第1主面51或者第2主面52正交的方向，即，俯视第1磁性体5的第1主面51或者第2主面52的方向，或者第1线圈天线6或者第2线圈天线7的卷绕轴延伸的方向，或者与后述的平面导体3的平面(主面31) 正交的方向。

在上述的天线装置1中，第2线圈天线7的第2开口71与第1磁性体5重叠。另一方面，第2线圈天线7的第2开口71未与第1线圈天线6 的第1开口61重叠。

并且，第1频带中的第1磁性体5的磁导率比第2频带中的第1磁性体5的磁导率高。

如图3所示，上述的天线装置1被搭载于电子设备9，具备多个线圈天线、所谓的组合天线。

天线装置1例如被用于无线充电以及非接触无线通信(短距离无线通信)。作为用于天线装置1的无线充电方式，例如，存在电磁感应方式以及磁场共振方式这样的磁场耦合式。作为电磁感应方式的无线充电标准，例如存在WPC(Wireless Power Consortium，无线充电联盟)制定的标准“Qi(注册商标)”。作为磁场共振方式的无线充电标准，例如存在A4WP(Alliance for Wireless Power)制定的标准“Rezence(注册商标)”。作为用于天线装置1的非接触无线通信，例如存在NFC(Near Field Communication，近场通信)。

在实施方式1中，第1线圈天线6是无线充电用的线圈天线，第2线圈天线7是非接触无线通信用的线圈天线。

具备天线装置1的电子设备9例如是包含智能电话的移动电话、可穿戴设备、手表型终端、头戴式耳机或者助听器。电子设备9具备天线装置 1，并且具备控制部91。控制部91控制天线装置1。

(2)天线装置的各结构要素

接下来，参照附图来对实施方式1所涉及的天线装置1的各结构要素进行说明。

(2.1)平面导体

如图1A以及图1B所示，平面导体3通过金属等例如形成为四边形状。平面导体3例如通过铝、不锈钢或者铜等单一的材料形成。平面导体 3例如是搭载于电子设备9(参照图3)内的二次电池的金属壳体。平面导体3具有主面31，被配置为主面31在第1方向D1与天线部2对置。换言之，平面导体3在平面导体3的主面31的俯视下，被配置为至少一部分与天线部2重叠。更详细地，平面导体3在第1方向D1上，被配置于第1磁性体5的后述的第2主面52侧。换言之，平面导体3在第1方向 D1上，被配置于相比于第1磁性体5的后述的第1主面51，更接近于第 2主面52的位置。主面31是四边形状的平面。

在平面导体3中，第2方向D2的尺寸(与第1方向D1正交的方向、或者沿着平面导体3的主面31的方向)相对于第1方向D1的尺寸的尺寸比大于1。换句话说，平面导体3是第2方向D2的尺寸比第1方向D1的尺寸长的平面导体。

另外，在平面导体3中，并不限定于与天线部2对置的主面31是完全的平面。这里，即使存在相比于平面导体3的第1方向D1上的尺寸(平面导体3的厚度)或者第2方向D2上的尺寸较小的凹凸，也可以说是平面。此外，也并不限定于主面31的全部是平面。即，主面31也可以在至少一部分是平面。另外，也可以取代平面导体3，使用具有曲面的面状导体。

(2.2)天线部

天线部2形成为四边形状，具备：基材4、第1磁性体5、第1线圈天线6、第2线圈天线7和第2磁性体8。此外，虽省略图示，但天线部2 还具备保护层。天线部2在第1方向D1上与平面导体3相邻(接近)。另外，天线部2可以与平面导体3紧贴，也可以相对于平面导体3隔着缝隙而被配置。

(2.2.1)基材

基材4通过树脂等电绝缘材料而形成为板状或者片状，具有第1主面 41以及第2主面42。作为用于基材4的电绝缘材料，例如存在聚酰亚胺、 PET(Poly EthyleneTerephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)或者液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer：LCP)。基材4在从第1方向D1的俯视下为四边形状。基材4的大小是足够设置第1线圈天线6以及第2线圈天线7 的大小。在实施方式1中，基材4具有设置有第1线圈天线6的第1基材、和设置有第2线圈天线7的第2基材。换句话说，第1基材与第2基材是一体的。

(2.2.2)第1磁性体

第1磁性体5通过铁氧体等强磁性材料而形成为长方形的板状或者长方形的片状。第1磁性体50例如是烧结体铁氧体、非晶体磁性体或者磁性片。作为用于第1磁性体5的强磁性材料，例如存在Mn-Zn-Fe系铁氧体。第1磁性体5具有第1主面51和第2主面52。第1磁性体5具有比平面导体3、基材4以及保护层(未图示)高的磁导率。第1磁性体5的第1主面51以及第1磁性体5的第2主面52在第1方向D1上相互面对。

第1磁性体5通过形成于基材4并***到切口40，从而在配置有第1 线圈天线6的区域内位于基材4的第2主面42侧，在配置有第2线圈天线7的区域内位于基材4的第1主面41侧。

(2.2.3)第1线圈天线

第1线圈天线6在从第1方向D1的俯视下为四边形的环状，具有第 1开口61。第1线圈天线6以第1频带进行通信。

第1线圈天线6被配置于第1磁性体5的第1主面51侧。换言之，第1线圈天线6在第1方向D1上，被配置为相比于第1磁性体5的第2 主面52更接近于第1主面51。

第1线圈天线6是细长的线状的导体，绕沿着第1方向D1的第1轴而被设置为螺旋状。更详细地，第1线圈天线6在从第1轴方向(第1方向D1)的俯视下，被设置为绕着第1轴卷绕了多匝的状态。例如，第1 线圈天线6被设置为卷绕4匝的状态。第1线圈天线6通过铜或者铝等，被设置于基材4的第1主面41。例如，通过蚀刻或者印刷，在基材4的第 1主面41上形成铜膜或者铝膜，从而第1线圈天线6被设置于基材4的第 1主面41。

这里，在第1线圈天线6中，所谓“被设置为卷绕了N(N为自然数) 匝的状态”，不仅指线状的导线卷绕N匝的情况，也包含进行图案化而成为线状的导体被卷绕了N匝的形状的情况。

此外，设置为螺旋状的第1线圈天线6可以是在一个平面上绕卷绕轴漩涡状地卷绕多匝的形状的二维线圈天线。或者，设置为螺旋状的第1线圈天线6也可以是绕着卷绕轴并沿着卷绕轴螺线状地卷绕多匝的形状的三维线圈天线。图1A以及图1B表示二维线圈天线。

在这种第1线圈天线6中，在第1线圈天线6的最内周与第1线圈天线6的最外周之间，导体线宽在全部位置相同。但是，导体线宽也可以在第1线圈天线6的最内周与第1线圈天线6的最外周之间不同。在第1线圈天线6是绕第1轴卷绕为螺旋状的形状的情况下，第1线圈天线6的导体线宽是指在构成第1线圈天线6的线状的导体中与长边方向正交的短边方向的长度。

(2.2.4)第2线圈天线

第2线圈天线7在从第1方向D1的俯视下为四边形的环状，具有第 2开口71。第2线圈天线7在第2方向D2上，与第1线圈天线6相邻设置。第2线圈天线7以第2频带进行通信。第2频带与第1频带不同。

第2线圈天线7被配置于第1磁性体5的第2主面52侧。换言之，第2线圈天线7在第1方向D1上，被配置为相比于第1磁性体5的第1 主面51更接近于第2主面52。

第2线圈天线7是细长的线状的导体，绕沿着第1方向D1的第2轴而被设置为螺旋状。更详细地，第2线圈天线7在从第2轴方向(第1方向D1)的俯视下，被设置为绕着第2轴卷绕了多匝的状态。例如，第2 线圈天线7被设置为卷绕了4匝的状态。第2线圈天线7通过铜或者铝等，被设置于基材4的第2主面42。例如，通过蚀刻或者印刷，在基材4的第 2主面42上形成铜膜或者铝膜，从而第2线圈天线7被设置于基材4的第 2主面42。

这里，在第2线圈天线7中，与第1线圈天线6同样地，所谓“被设置为卷绕了N(N为自然数)匝的状态”，不仅指线状的导线卷绕N匝的情况，也包含进行图案化而成为线状的导体被卷绕了N匝的形状的情况。

此外，被设置为螺旋状的第2线圈天线7可以是在一个平面上绕卷绕轴漩涡状地卷绕多匝的形状的二维线圈天线。或者，被设置为螺旋状的第 2线圈天线7也可以是绕卷绕轴并沿着卷绕轴螺线状地卷绕多匝的形状的三维线圈天线。图1A以及图1B表示二维线圈天线。

在这种第2线圈天线7中，在第2线圈天线7的最内周与第2线圈天线7的最外周之间，导体线宽在全部位置相同。但是，导体线宽也可以在第2线圈天线7的最内周与第2线圈天线7的最外周之间不同。在第2线圈天线7是绕第2轴卷绕为螺旋状的形状的情况下，第2线圈天线7的导体线宽是在构成第2线圈天线7的线状的导体中与长边方向正交的短边方向的长度。

此外，第2线圈天线7被设置于基材4，以使得在第1磁性体5的从第1方向D1(例如，与第1磁性体5的第1主面51或者第2主面52正交的方向)的俯视下，第2线圈天线7的第2开口71与第1磁性体5重叠。换句话说，第2线圈天线7的第2开口71被第1磁性体5覆盖。

此外，第2线圈天线7被配置为在从第1方向D1的俯视下，第2线圈天线7的第2开口71与第1线圈天线6的第1开口61不重叠。

(2.2.5)第2磁性体

第2磁性体8在第1方向D1上，被配置于第2线圈天线7之中与第 1磁性体5所接近的面相反的一侧。第2磁性体8通过铁氧体等强磁性材料而形成为长方形的板状或者长方形的片状。第2磁性体8例如是烧结体铁氧体或者磁性片。作为用于第2磁性体8的强磁性材料，例如存在 Ni-Zn-Fe系铁氧体。第2磁性体8具有第1主面81和第2主面82。第2 磁性体8具有比平面导体3、基材4、保护层(未图示)高的磁导率。第2 磁性体8的第1主面81以及第2磁性体8的第2主面82在第1方向D1 上相互面对。

第2线圈天线7位于第1方向D1上的第1主面81侧。第2磁性体8 的第1主面81在第1方向D1上与第2线圈天线7面对。

(2.2.6)第1磁性体以及第2磁性体的磁导率

第1频带中的第1磁性体5的磁导率比第2频带中的第1磁性体5的磁导率高。第1磁性体5的材料，如上所述，是Mn-Zn-Fe系铁氧体。

这里，对第1磁性体5的磁导率的频率特性进行说明。第1磁性体5 在第1频带以及比第1频带的下限频率低的频带中具有较高的磁导率。并且，在超过第1频带的上限频率与第2频带的下限频率之间的某个频率的频率范围，随着频率变高，磁导率变低。由此，第1磁性体5对第1频带的磁通的影响较大，但第1磁性体5对第2频带的磁通的影响比对第1频带的磁通的影响小。

接下来，对第2磁性体8的磁导率的频率特性进行说明。第2磁性体 8的材料如上所述，是Ni-Zn-Fe系铁氧体。

第2磁性体8在第1频带以及第2频带的任意频带中都具有较高的磁导率。并且，在超过高于第2频带的上限频率的某个频率的频率范围，随着频率变高，磁导率变低。由此，第2磁性体8对第1频带的磁通的影响和第2磁性体8对第2频带的磁通的影响都较大。

根据上述的第1磁性体5的磁导率的频率特性以及第2磁性体8的磁导率的频率特性，在第2频带中，第2磁性体8的磁导率比第1磁性体5 的磁导率高。优选第2频带中的第2磁性体8的磁导率相对于第1磁性体 5的磁导率的比大。更优选地，第2频带中的第2磁性体8的磁导率相对于第1磁性体5的磁导率之比为10以上。进一步优选地，第2频带中的第2磁性体8的磁导率相对于第1磁性体5的磁导率之比为20以上且100 以下。

无线充电中的频带例如为100kHz频带或者6.78MHz频带。非接触无线通信中的频带例如为300kHz频带或者13.56MHz频带。

因此，作为第1频带与第2频带的组合，例如存在第1频带为100kHz 频带、第2频带为13.56MHz频带的情况。此外，作为第1频带与第2频带的组合的另一例子，存在第1频带为100kHz频带、第2频带为6.78MHz 频带的情况。作为上述组合的又一例子，存在第1频带为300kHz频带且第2频带为6.78MHz频带的情况、第1频带为300kHz频带且第2频带为13.56MHz频带的情况。

在上述的任意组合中，都能够通过使用具有在第1频带较高且在第2 频带较低的磁导率的第1磁性体5、和具有在第1频带以及第2频带的任意频带中都较高的磁导率的第2磁性体8，来调整第1频带的磁通的方向。

(3)天线装置中的磁通

接下来，参照图1C来对实施方式1所涉及的天线装置1中的磁通进行说明。如上所述，第1磁性体5的磁导率在第1频带较高，在第2频带较低。第2磁性体8的磁导率在第1频带以及第2频带的任意频带中都较高。换句话说，第1频带中的第1磁性体5的磁导率比第2频带中的第1 磁性体5的磁导率低。在第2频带中，第2磁性体8的磁导率比第1磁性体5的磁导率高。

首先，从与天线装置1进行通信的对象侧天线装置(未图示)产生第 1频带的磁通

磁通与第1线圈天线6的第1开口61交链，达到第1磁性体5。如上所述，由于第1频带中的第1磁性体5的磁导率较高，因此第1频带的磁通穿过第1磁性体5的内部。磁通穿过第1磁性体5之中的与第1线圈天线6对置的部分，进一步地，穿过第1磁性体5之中的与第2线圈天线7对置的部分。

磁通从第1线圈天线6的上方朝向第1磁性体5。并且，由于第 1频带中的第1磁性体5的磁导率较高，因此磁通穿过第1磁性体5 之中在第1方向D1与第2线圈天线7对置的部分。

另一方面，在从对象侧天线装置(未图示)产生第2频带的磁通的情况下，由于第2频带中的第1磁性体5的磁导率较低，因此即使第1 磁性体5覆盖第2线圈天线7的全部，磁通也几乎不受到第1磁性体 5的影响，交链第1磁性体5，穿过第2线圈天线7的第2开口71。由于第2频带中的第2磁性体8的磁导率较高，因此磁通穿过第2磁性体 8。

由上所述，能够减少第1频带的磁通与第2线圈天线7 交链的情况，并且第2频带的磁通能够与第2线圈天线7交链。

(4)效果

如以上说明那样，在实施方式1所涉及的天线装置1中，在第1磁性体5的第1主面51侧配置有第1线圈天线6，在第1磁性体5的第2主面 52侧配置有第2线圈天线7。进一步地，第1频带中的第1磁性体5的磁导率比第2频带中的第1磁性体5的磁导率高。由此，由于第1频带的磁通穿过第1磁性体5，因此能够减少第1频带的磁通 与第2线圈天线7交链的情况。

此外，在实施方式1所涉及的天线装置1中，在第1线圈天线6的第 1开口61与第2线圈天线7的第2开口71不重叠的状态下，在第1磁性体5的第2主面52侧配置有第2线圈天线7。由此，能够抑制穿过第1 线圈天线6的第1开口61的第1频带的磁通不能通过第1磁性体5来改变方向并穿过第2线圈天线7的第2开口71的情况。

另一方面，即使第2线圈天线7的第2开口71与第1磁性体5重叠，第2频带的磁通也与第2线圈天线7交链。由此，即使存在第1磁性体5，也能够维持第2频带中的通信。

如上所述，通过实施方式1所涉及的天线装置1，能够抑制第1频带中的通信用的磁通对第2频带中的通信有影响。

在实施方式1所涉及的天线装置1中，夹着第2线圈天线7而配置有第1磁性体5和第2磁性体8。由此，容易确保第2线圈天线7的期望电感。其结果，能够提高第2线圈天线7的特性。

在实施方式1的实用新型所涉及的天线装置1中，在第2频带中，第 2磁性体8的磁导率比第1磁性体5的磁导率高。由此，能够进一步提高第2线圈天线7的特性。

在实施方式1所涉及的天线装置1中，在第1磁性体5的第2主面52 侧配置有平面导体3。由此，能够容易将穿过第1线圈天线6的第1开口 61的第1频带的磁通变更为与第1主面51和第2主面52相对置的第1方向D1交叉的第2方向D2。其结果，能够提高集磁性。

(5)变形例

以下，对实施方式1的变形例进行说明。

作为实施方式1的变形例所涉及的天线装置1a，如图4A以及图4B 所示，天线部2a也可以取代第1磁性体5而具备第1磁性体5a。

第1磁性体5a在从第1方向D1的俯视下，不与第2线圈天线7的全部重叠而仅与一部分重叠。换言之，第1磁性体5a仅覆盖第2线圈天线7 的一部分。总之，第1磁性体5a与第2线圈天线7的至少第2开口71重叠即可。

第1磁性体5a与实施方式1的第1磁性体5同样地，例如是Mn-Zn-Fe 系铁氧体等。此外，第1磁性体5a的磁导率也与第1磁性体5的磁导率同样地，在第1频带较高，在第2频带较低。另一方面，第2磁性体8的磁导率具有与实施方式1的第2磁性体8的磁导率相同的特性。

接下来，参照图4C来对本变形例所涉及的天线装置1a的磁通进行说明。如上所述，第1频带中的第1磁性体5a的磁导率比第2频带中的第1 磁性体5a的磁导率低。在第2频带中，第2磁性体8的磁导率比第1磁性体5a的磁导率高。

首先，从与天线装置1a进行通信的对象侧天线装置(未图示)产生第1频率带的磁通

磁通与第1线圈天线6的第1开口61交链，到达第1磁性体5a。如上所述，由于第1频带中的第1磁性体5a的磁导率较高，因此第1频带的磁通穿过第1磁性体5a的内部。磁通穿过第1磁性体5a之中的与第1线圈天线6对置的部分，进而穿过第1 磁性体5a之中的与第2线圈天线7对置的部分。在本变形例的情况下，第1磁性体5a仅覆盖第2线圈天线7的一部分，但至少覆盖第2开口71。因此，在本变形例中，也与实施方式1同样地，磁通直接穿过第1磁性体5a，未交链第2线圈大线7的第2升口71。

此外，磁通从第1线圈天线6的上方朝向第1磁性体5a。并且，由于第1频带中的第1磁性体5a的磁导率较高，因此磁通穿过第1 磁性体5a之中的与第2线圈天线7对置的部分。在磁通中，也与磁通同样地，穿过第1磁性体5a，不交链第2线圈天线7的第 2开口71。

另一方面，从对象侧天线装置(未图示)产生第2频带的磁通的情况与实施方式1的情况相同，磁通几乎不受到第1磁性体5a的影响，交链第1磁性体5a，穿过第2线圈天线7的第2开口71。并且，磁通穿过第2磁性体8。

由上所述，在本变形例中，也能够减少第1频带的磁通与第2线圈天线7交链的情况，第2频带的磁通能够与第2线圈天线 7交链。

作为实施方式1的另一变形例，天线部2也可以不具备第2磁性体8。换句话说，第2磁性体8不是必须的结构。

另外，在天线装置1中，也可以第1线圈天线6是非接触无线通信用的线圈天线，第2线圈天线7是无线充电用的线圈天线。

此外，天线装置1的用途并不限定于无线充电与非接触无线通信的组合。天线装置1也可以用于相互不同的多个标准的无线充电。在该情况下，第1线圈天线6以及第2线圈天线7是相互不同的多个标准的无线充电用的线圈天线。例如，第1线圈天线6是Qi用的线圈天线，第2线圈天线7 是A4WP用的线圈天线。

或者，天线装置1也可以用于相互不同的多个标准的非接触无线通信的组合。在该情况下，第1线圈天线6以及第2线圈天线7是相互不同的多个标准的非接触无线通信用的线圈天线。

作为实施方式1的变形例，第1线圈天线6以及第2线圈天线7也可以设置于第1磁性体5。或者，第1线圈天线6以及第2线圈天线7也可以设置于与第1磁性体5以及第2磁性体8不同的磁性体。

进一步地，设置有第1线圈天线6的基材和设置有第2线圈天线7的基材也可以相互独立。

平面导体3并不限定于二次电池的金属壳体，可以是电子设备9(参照图3)的壳体的金属部分，也可以是搭载于电子设备9内的接地基板、屏蔽箱或者显示器的金属背板等的各种金属部件。

此外，并不限定于平面导体3被配置为在第1方向D1上与天线部2 的全部对置。例如，平面导体3也可以被配置为在第1方向D1上仅与第 1线圈天线6对置。总之，平面导体3在第1方向D1上与第1线圈天线6 的至少第1开口61接近配置即可。

此外，作为实施方式1的变形例，天线部2也可以不具备平面导体3。换句话说，平面导体3不是必须的结构。

天线部2的形状并不限定于四边形状。天线部2也可以在从第1方向 D1的俯视下，形成为圆状。或者，天线部2也可以形成为四边形状以外的多边形状。

第1线圈天线6并不限定于图1B所示的1层构造，也可以是2层以上的构造。同样地，第2线圈天线7也并不限定于1层构造，也可以是2 层以上的构造。

进一步地，第1线圈天线6的匝数(卷绕数)并不限定于4匝。第1 线圈天线6也可以被设为卷绕了3匝以下的状态，还可以被设为卷绕了5 匝以上的状态。

同样地，第2线圈天线7的匝数(卷绕数)并不限定于4匝。第2线圈天线7也可以被设为卷绕了3匝以下的状态，还可以被设为卷绕了5匝以上的状态。

作为实施方式1的变形例，天线部2也可以取代由树脂等电绝缘材料形成的基材4，而具备例如由磁性材料形成的基材。即使在基材由磁性材料形成的情况下，第1线圈天线6以及第2线圈天线7也直接形成于磁性材料的基材。此外，在基材由磁性材料形成的情况下，能够兼做基材和第 1磁性体5。由此，能够减少天线部2的第1方向D1的厚度。

此外，也可以第1线圈天线6被设于第1磁性体5，第2线圈天线7 被设于第2磁性体8。

在上述的各变形例所涉及的天线装置1中，也起到与实施方式1所涉及的天线装置1相同的效果。

(实施方式2)

如图6A、图6B以及图7所示，实施方式2所涉及的天线装置1b在第1线圈天线6b的一部分与第2线圈天线7b的一部分重叠这方面，与实施方式1所涉及的天线装置1(参照图1A以及图1B)不同。另外，关于与实施方式1所涉及的天线装置1相同的结构要素，赋予同一符号并省略说明。

实施方式2所涉及的天线装置1b具备天线部2b和平面导体3b。另外，平面导体3b的第2方向D2的尺寸不同，但具有与实施方式1的平面导体 3相同的结构以及功能。

实施方式2的天线部2b具备：第1基材43、第2基材44、第1磁性体5b、第1线圈天线6b、第2线圈天线7b和第2磁性体8b。在实施方式 2中，与实施方式1的基材4不同地，第1基材43与第2基材44相互独立。

第1基材43与实施方式1的基材4同样地，由树脂等电绝缘材料形成为板状或者片状，具有第1主面431以及第2主面432。作为用于第1 基材43的电绝缘材料，例如存在聚酰亚胺、PET或者液晶聚合物。第1 基材43在从第1方向D1的俯视下为四边形状。第1基材43的大小是足够设置第1线圈天线6b的大小。

第2基材44与第1基材43同样地，由树脂等电绝缘材料形成为板状或者片状，具有第1主面441以及第2主面442。作为用于第2基材44 的电绝缘材料，例如存在聚酰亚胺、PET或者液晶聚合物。第2基材44 在从第1方向D1的俯视下为四边形状。第2基材44的大小是足够设置第 2线圈天线7b的大小。

第1磁性体5b与实施方式1的第1磁性体5(参照图1A以及图1B) 同样地，由铁氧体等强磁性材料形成为长方形的板状或者长方形的片状。第1磁性体5b在从第1方向D1的俯视下为四边形的环状，具有第1开口 61b。第1线圈天线6b与实施方式1的第1线圈天线6(参照图1A以及图1B)同样地，被配置于第1磁性体5b的第1主面51b侧。第1线圈天线6b通过铜或者铝等，被设置于第1基材43的第1主面431。另外，针对与实施方式1的第1线圈天线6相同的结构以及功能，省略说明。

如图6B以及图6C所示，第1磁性体5b位于第2线圈天线7的第2 开口71的上方。即，第1磁性体5b位于比第2线圈天线7更靠近通信对象的一侧。第1磁性体5b不覆盖第2线圈天线7b的全部而覆盖一部分。

第2线圈天线7b在从第1方向D1的俯视下为四边形的环状，具有第 2开口71b。第2线圈天线7b被配置于第1磁性体5b的第2主面52b侧。更详细地，第2线圈天线7b位于平面导体3b与第1磁性体5b之间。第2 线圈天线7b通过铜或者铝等，被设置于第2基材44的第1主面441。另外，针对与实施方式1的第2线圈天线7相同的结构以及功能，省略说明。

在实施方式2中，也与实施方式1同样地，第2线圈天线7b被设置于第2基材44，以使得在从第1方向D1的俯视下，第2线圈天线7b的第2开口71b与第1磁性体5b重叠。换句话说，第2线圈天线7b的第2 开口71b被第1磁性体5b覆盖。此外，第2线圈天线7b被配置为在从第1方向D1的俯视下，第2线圈天线7b的第2开口71b与第1线圈天线6b 的第1开口61b不重叠。

第2磁性体8b在第1方向D1上，被配置于第2线圈天线7b之中与第1磁性体5b所接近的面相反的一侧。第2磁性体8b与实施方式1的第 2磁性体8(参照图1A以及图1B)同样地，由铁氧体等强磁性材料形成为长方形的板状或者长方形的片状。作为用于第2磁性体8b的强磁性材料，例如存在Ni-Zn-Fe系铁氧体。另外，针对与实施方式1的第2磁性体 8相同的结构以及功能，省略说明。

接下来，参照图6C来对实施方式2所涉及的天线装置1b的磁通进行说明。如上所述，第1频带中的第1磁性体5b的磁导率比第2频带中的第1磁性体5b的磁导率低。在第2频带中，第2磁性体8b的磁导率比第 1磁性体5b的磁导率高。

首先，从与天线装置1b进行通信的对象侧天线装置(未图示)产生第1频带的磁通

磁通与第1线圈天线6b的第1开口61b交链，达到第1 磁性体5b。如上所述，由于第1频带中的第1磁性体5b的磁导率较高，因此第1频带的磁通穿过第1磁性体5b的内部。磁通 穿过第1磁性体5b之中的与第1线圈天线6b对置的部分，并且穿过第1磁性体5b之中的与第2线圈天线7b对置的部分。在实施方式2中，与实施方式1同样地，由于第1磁性体5b覆盖第2线圈天线7b的全部，因此磁通直接穿过第1磁性体5b，不交链第2线圈天线7b 的第2开口71b。

另一方面，从对象侧天线装置(未图示)产生第2频带的磁通的情况与实施方式1的情况同样地，磁通几乎不受到第1磁性体5b的影响，交链第1磁性体5b，穿过第2线圈天线7b的第2开口71b。并且，磁通穿过第2磁性体8b。

由上所述，在实施方式2中，也能够减少第1频带的磁通与第2线圈天线7b交链的情况，第2频带的磁通能够与第2线圈天线7b交链。

如以上说明那样，在实施方式2所涉及的天线装置1b中，与实施方式1所涉及的天线装置1同样地，能够减少第1频带的磁通穿过第1磁性体5b并与第2线圈天线7b交链的情况。另一方面，即使存在第1磁性体5b，也能够维持第2频带的通信。其结果，通过实施方式2 所涉及的天线装置1b，能够抑制第1频带中的通信用的磁通对第2频带中的通信有影响。

另外，作为实施方式2的变形例所涉及的天线装置1c，如图8A、图 8B以及图9所示，天线部2c也可以取代第1磁性体5b，具备第1磁性体 5c。

第1磁性体5c在从第1方向D1的俯视下，不与第2线圈天线7b的一部分重叠而与全部重叠。换言之，第1磁性体5c覆盖第2线圈天线7b 的全部。总之，第1磁性体5c与第2线圈天线7b的至少第2开口71b重叠即可。另外，第2线圈天线7b与实施方式2同样地，位于平面导体3b 与第1磁性体5c之间。

第1磁性体5c与实施方式2的第1磁性体5b同样地，例如是Mn-Zn-Fe 系铁氧体等。此外，第1磁性体5c的磁导率也与第1磁性体5b的磁导率同样地，在第1频带较高，在第2频带较低。另一方面，第2磁性体8b 的磁导率具有与实施方式2的第2磁性体8b的磁导率相同的特性。

接下来，参照图8C对本变形例所涉及的天线装置1c的磁通进行说明。如上所述，第1频带中的第1磁性体5c的磁导率比第2频带中的第1磁性体5c的磁导率低。在第2频带中，第2磁性体8b的磁导率比第1磁性体5c的磁导率高。

首先，从与天线装置1c进行通信的对象侧天线装置(未图示)产生第1频带的磁通

磁通与第1线圈天线6b的第1开口61b交链，到达第1 磁性体5c。如上所述，由于第1频带中的第1磁性体5c的磁导率较高，因此第1频带的磁通穿过第1磁性体5c的内部。磁通 穿过第1磁性体5c之中的与第1线圈天线6b对置的部分，进而穿过第1磁性体5c之中的与第2线圈天线7b对置的部分。在本变形例的情况下，第1磁性体5c覆盖第2线圈天线7b的全部，但与实施方式2同样地，磁通直接穿过第1磁性体5c，不交链第2线圈天线7b的第2 开口71b。

另一方面，从对象侧天线装置(未图示)产生第2频带的磁通的情况与实施方式2的情况相同，磁通几乎不受到第1磁性体5c的影响，交链第1磁性体5c，穿过第2线圈天线7b的第2开口71b。并且，磁通穿过第2磁性体8b。

由上所述，在本变形例中，也能够减少第1频带的磁通与第2线圈天线7b交链的情况，并且第2频带的磁通能够与第2线圈天线7b交链。

(实施方式3)

如图10A、图10B以及图11所示，实施方式3所涉及的天线装置1d 在第1线圈天线的两侧设置2个第2线圈天线7d这方面，与实施方式1 所涉及的天线装置1(参照图1A以及图1B)不同。另外，针对与实施方式1所涉及的天线装置1相同的结构要素，赋予同一符号并省略说明。

实施方式3所涉及的天线装置1d具备天线部2d和平面导体3d。另外，平面导体3d的第2方向D2的尺寸不同，但具有与实施方式1的平面导体 3相同的结构以及功能。在图10B中，将平面导体3d的图示省略一部分来表示。

实施方式3的天线部2d具备：基材4d、第1磁性体5d、第1线圈天线6d、2个第2线圈天线7d和2个第2磁性体8d。

基材4d与实施方式1的基材4同样地，由树脂等电绝缘材料形成为板状或者片状，具有第1主面41d以及第2主面42d。作为用于基材4d 的电绝缘材料，例如存在聚酰亚胺、PET或者液晶聚合物。基材4d在从第1方向D1的俯视下为四边形状。基材4d的大小比实施方式1的基材4 大，是足够设置第1线圈天线6d以及2个第2线圈天线7d的大小。另外，针对与实施方式1的基材4相同的结构以及功能，省略说明。

第1磁性体5d与实施方式1的第1磁性体5(参照图1A以及图1B) 同样地，由铁氧体等强磁性材料形成为长方形的板状或者长方形的片状。作为用于第1磁性体5d的强磁性材料，例如存在Mn-Zn-Fe系铁氧体。第 1磁性体5d具有第1主面51d和第2主面52d。第1磁性体5d具有大于实施方式1的第1磁性体5且能够覆盖2个第2线圈天线7d的大小。另外，针对与实施方式1的第1磁性体5相同的结构以及功能，省略说明。

第1磁性体5d通过形成于基材4d并***到切口40d，从而在配置有第1线圈天线6d的区域位于基材4d的第2主面42d侧，在配置有第2线圈天线7d的区域位于基材4d的第1主面41d侧。

第1线圈天线6d与实施方式1的第1线圈天线6(参照图1A以及图 1B)同样地，在从第1方向D1的俯视下为四边形的环状，具有第1开口 61d。第1线圈天线6d被配置于第1磁性体5d的第1主面51d侧。第1 线圈天线6d通过铜或者铝等，被设置于基材4d的第1主面41d。另外，针对与实施方式1的第1线圈天线6相同的结构以及功能，省略说明。

2个第2线圈天线7d在第2方向D2上，被设置于第1线圈天线6d 的两侧。各第2线圈天线7d在从第1方向D1的俯视下为四边形的环状，具有第2开口71d。各第2线圈天线7d被配置于第1磁性体5d的第2主面52d侧。第2线圈天线7d通过铜或者铝等，被设置于基材4d的第2主面42d。另外，针对与实施方式1的第2线圈天线7相同的结构以及功能，省略说明。

在实施方式3中，也与实施方式1同样地，各第2线圈天线7d被设置于基材4d，以使得在从第1方向D1的俯视下，各第2线圈天线7d的第2开口71d与第1磁性体5d重叠。换句话说，各第2线圈天线7d的第 2开口71d被第1磁性体5d重叠。此外，各第2线圈天线7d被配置为在从第1方向D1的俯视下，各第2线圈天线7d的第2开口71d不与第1线圈天线6d的第1开口61d重叠。

2个第2磁性体8d在第2方向D2上，被配置于第1磁性体5d之中的与第1线圈天线6d对置的部分的两侧。并且，2个第2磁性体8d与2 个第2线圈天线7d一一对应。各第2磁性体8d在第1方向D1上，被配置于对应的第2线圈天线7d之中与第1磁性体5d所接近的面相反的一侧。各第2磁性体8d与实施方式1的第2磁性体8(参照图1A以及图1B) 同样地，由铁氧体等强磁性材料形成为长方形的板状或者长方形的片状。作为被用于各第2磁性体8d的强磁性材料，例如存在Ni-Zn-Fe系铁氧体。各第2磁性体8d具有第1主面81d和第2主面82d。另外，针对与实施方式1的第2磁性体8相同的结构以及功能，省略说明。

接下来，参照图10C对实施方式3所涉及的天线装置1d的磁通进行说明。如上所述，第1频带中的第1磁性体5d的磁导率比第2频带中的第1磁性体5d的磁导率低。在第2频带中，2个第2磁性体8d各自的磁导率比第1磁性体5d的磁导率高。另外，在图10C中，将平面导体3d的图示省略一部分。

首先，从与天线装置1d进行通信的对象侧天线装置(未图示)产生第1频带的磁通

磁通与第1线圈天线6d的第1开口61d交链，到达第1 磁性体5d。如上所述，由于第1频带中的第1磁性体5d的磁导率较高，因此第1频带的磁通穿过第1磁性体5d的内部。磁通 穿过第1磁性体5d之中的与第1线圈天线6d对置的部分，进而穿过第1磁性体5d之中的与第2线圈天线7d对置的部分。在实施方式3的情况下，与实施方式1同样地，第1磁性体5d覆盖各第2线圈天线7d的全部，因此在实施方式3中，也与实施方式1同样地，磁通直接穿过第1磁性体5d，不交链第2线圈天线7d的第2开口71d。

此外，磁通从第1线圈天线6d的上方朝向第1磁性体5d。并且，由于第1频带中的第1磁性体5d的磁导率较高，因此磁通穿过第1磁性体5d之中的与第2线圈天线7d对置的部分。在磁通 中，也与磁通同样地，穿过第1磁性体5d，不交链第2 线圈天线7d的第2开口71d。

另一方面，从对象侧天线装置(未图示)产生第2频带的磁通 的情况与实施方式1的情况相同，磁通几乎不受到第1 磁性体5d的影响，交链第1磁性体5d，穿过第2线圈天线7d的第2开口 71d。由于第2频带中的第2磁性体8b的磁导率较高，因此磁通穿过第2磁性体8d。

由上所述，在实施方式3中，也能够减少第1频带的磁通与第2线圈天线7d交链的情况，并且第2频带的磁通能够与第2线圈天线7d交链。

如以上说明那样，在实施方式3所涉及的天线装置1d中，与实施方式1所涉及的天线装置1同样地，能够减少第1频带的磁通穿过第1磁性体5d并与第2线圈天线7d交链的情况。另一方面，即使存在第1磁性体5d，也能够维持第2频带的通信。其结果，通过实施方式3 所涉及的天线装置1d，能够抑制第1频带中的通信用的磁通对第2频带中的通信有影响。

此外，在第2方向D2上，2个第2线圈天线7被设置于第1线圈天线6的两侧。由此，在第2方向D2上，能够使第2频带中的通信的接收灵敏度较高的部分位于天线装置1d的中央。

另外，2个第2线圈天线7可以是同一形状，也可以是不同形状。但是，2个第2线圈天线7的形状相似的情况下，在第2方向D2上，第2 频带中的通信的接收灵敏度的对称性更好。

以上说明的实施方式以及变形例仅仅是本实用新型的各种实施方式以及变形例的一部分。此外，若实施方式以及变形例能够实现本实用新型的目的，则能够根据设计等来进行各种变更。

(总结)

根据以上说明的实施方式以及变形例，以下的方式所公开的情况变得明确。

第1方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)具备：(第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)、第1线圈天线(6；6b；6d)和第2线圈天线(7；7b；7d)。(第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)具有第1主面 (51；51a；51b；51c；51d)以及第2主面(52；52a；52b；52c；52d)。第1线圈天线(6；6b；6d)具有第1开口(61；61b；61d)，被配置于 (第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第1主面(51；51a；51b；51c； 51d)侧，以第1频带进行通信。第2线圈天线(7；7b；7d)具有第2开口(71；71b；71d)，被配置于(第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第2主面(52；52a；52b；52c；52d)侧，以与第1频带不同的第2频带进行通信。第2线圈天线(7；7b；7d)的第2开口(71；71b；71d)在 (第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第1主面(51；51a；51b；51c； 51d)或者第2主面(52；52a；52b；52c；52d)的俯视下，与(第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)重叠，并且不与第1线圈天线(6；6b；6d) 的第1开口(61；61b；61d)重叠。第1频带中的(第1)磁性体(5；5a； 5b；5c；5d)的磁导率比第2频带中的(第1)磁性体(5；5a；5b；5c； 5d)的磁导率高。

在第1方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)中，在(第1) 磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第1主面(51；51a；51b；51c；51d)侧配置第1线圈天线(6；6b；6d)，在(第1)磁性体(5；5b；5d)的第 2主面(52；52a；52b；52c；52d)侧配置第2线圈天线(7；7b；7d)。进一步地，第1频带中的第1磁性体(5；5b；5d)的磁导率比第2频带中的(第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的磁导率高。由此，第1频带的磁通穿过(第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)，因此能够减少第1频带的磁通与第2线圈天线(7；7b；7d)交链的情况。

此外，在第1方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)中，在第1线圈天线(6；6b；6d)的第1开口(61；61b；61d)与第2线圈天线(7；7b；7d)的第2开口(71；71b；71d)不重叠的状态下，在第1 磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第2主面(52；52a；52b；52c；52d)侧配置第2线圈天线(7；7b；7d)。由此，能够抑制穿过第1线圈天线(6； 6b；6d)的第1开口(61；61b；61d)的第1频带的磁通 不能通过第1磁性体(5；5a；5b；5c；5d)来改变方向而穿过第2线圈天线(7；7b；7d) 的第2开口(71；71b；71d)的情况。

另一方面，即使第2线圈天线(7；7b；7d)的第2开口(71；71b； 71d)与第1磁性体(5；5a；5b；5c；5d)重叠，第2频带的磁通 也与第2线圈天线(7；7b；7d)交链。由此，即使存在第1磁性体(5；5a；5b；5c；5d)，也能够维持第2频带中的通信。

由上所述，通过第1方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)，能够抑制第1频带中的通信用的磁通 对第2频带中的通信有影响。

第2方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)在第1方式中，还具备第2磁性体(8；8b；8d)。第2磁性体(8；8b；8d)在与作为磁性体的第1磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第1主面(51；51a；51b；51c； 51d)或者第2主面(52；52a；52b；52c；52d)正交的(第1)方向(D1) 上，被配置于第2线圈天线(7；7b；7d)的与配置有第1磁性体(5；5a； 5b；5c；5d)的一侧相反的一侧。

在第2方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)中，夹着第2 线圈天线(7；7b；7d)而配置有第1磁性体(5；5a；5b；5c；5d)和第 2磁性体(8；8b；8d)。由此，容易确保第2线圈天线(7；7b；7d)的期望电感。其结果，能够提高第2线圈天线(7；7b；7d)的特性。

在第3方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)中，在第2方式中，在第2频带中，第2磁性体(8；8b；8d)的磁导率比第1磁性体 (5；5a；5b；5c；5d)的磁导率高。

在第3方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)中，在第2频带中，第2磁性体(8；8b；8d)的磁导率比第1磁性体(5；5a；5b；5c； 5d)的磁导率高。由此，能够进一步提高第2线圈天线(7；7b；7d)的特性。

第4方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)在第1～3方式的任意一个中，还具备平面导体(3；3b；3d)。平面导体(3；3b；3d)被配置于(第1)磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第2主面(52；52a；52b； 52c；52d)侧。

在第4方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)中，在(第1) 磁性体(5；5a；5b；5c；5d)的第2主面(52；52a；52b；52c；52d)侧配置平面导体(3；3b；3d)。由此，能够容易地将从第1主面(51；51a；51b；51c；51d)侧向第2主面(52；52a；52b；52c；52d)侧穿过的第1 频带的磁通变更为交叉于与第1主面(51；51a；51b；51c；51d)或者第 2主面(52；52a；52b；52c；52d)正交的(第1)方向(D1)的(第2) 方向(D2)。其结果，能够提高集磁性。

在第5方式所涉及的天线装置(1；1a；1b；1c；1d)中，在第1～4 方式的任意一个中，第1线圈天线(6；6b；6d)是无线充电用的线圈天线，第2线圈天线(7；7b；7d)是非接触无线通信用的线圈天线。

第6的方式所涉及的电子设备(9)具备：第1～5方式的任意一个天线装置(1；1a；1b；1c；1d)、和控制部(91)。控制部(91)对天线装置(1；1a；1b；1c；1d)进行控制。

Claims (7)

1.一种天线装置，其特征在于，具备：

磁性体，具有第1主面以及第2主面；

第1线圈天线，具有第1开口，且被配置于所述磁性体的所述第1主面侧，以第1频带进行通信；和

第2线圈天线，具有第2开口，且被配置于所述磁性体的所述第2主面侧，以与所述第1频带不同的第2频带进行通信，

在所述磁性体的所述第1主面或者所述第2主面的俯视下，所述第2线圈天线的所述第2开口与所述磁性体重叠，并且不与所述第1线圈天线的所述第1开口重叠，

所述第1频带中的所述磁性体的磁导率比所述第2频带中的所述磁性体的磁导率高。

2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

所述天线装置还具备第2磁性体，所述第2磁性体在与作为所述磁性体的第1磁性体的所述第1主面或者所述第2主面正交的方向上，被配置于所述第2线圈天线的与配置有所述第1磁性体的一侧相反的一侧。

3.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于，

在所述第2频带中，所述第2磁性体的磁导率比所述第1磁性体的磁导率高。

4.根据权利要求1～3的任意一项所述的天线装置，其特征在于，

还具备被配置于所述磁性体的所述第2主面侧的平面导体。

5.根据权利要求1～3的任意一项所述的天线装置，其特征在于，

所述第1线圈天线是无线充电用的线圈天线，

所述第2线圈天线是非接触无线通信用的线圈天线。

6.根据权利要求4所述的天线装置，其特征在于，

所述第1线圈天线是无线充电用的线圈天线，

所述第2线圈天线是非接触无线通信用的线圈天线。

7.一种电子设备，其特征在于，具备：

权利要求1～6的任意一项所述的天线装置；和

控制部，对所述天线装置进行控制。