CN208561706U - 一种多晶硅还原炉电极绝缘结构 - Google Patents
一种多晶硅还原炉电极绝缘结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，包括底盘、四氟套、第一绝缘磁环、第二绝缘磁环、第三绝缘磁环和铜电极，所述铜电极的外圆与四氟套套装，并通过四氟套与底盘紧密配合，所述第一绝缘磁环设置在底盘的上表面，所述第三绝缘磁环套装在铜电极的头部，所述第三绝缘磁环设有台阶，所述台阶压在第一绝缘磁环的上表面，所述第二绝缘磁环位于第三绝缘磁环的外侧。本实用新型有效避免硅粉对绝缘效果的影响，避免掉相，保证还原产能，同时避免四氟套内部间隙积累硅粉，引发二次污染。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅制备技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉电极绝缘结构。
背景技术
目前，国内外大多都是采用改良西门子法生产多晶硅。该方法中的还原工序主要流程为：采用8000～10000伏的高电压将硅芯击穿启动，然后将一定配比的三氯氢硅和氢气的混合气体通入还原炉，混合气在通电硅芯表面发生气相沉积反应，形成多晶硅。为保证安全、稳定生产，必须对其导电元器件——电极做好相应的绝缘措施。现有的电极结构一般都是采用氧化铝/氮化硅绝缘瓷环7，以及四氟套2组合绝缘，该种结构在生产中，硅粉比较容易进入四氟套2内部，覆盖绝缘瓷环7表面，由于硅粉在高温下是导体，所以一旦其在四氟套内部空隙，或在绝缘瓷环外表形成“通路”，就会引发接地电流超载而调停，对还原生产影响非常大，且四氟套内部的硅粉难以清理，对下炉次的多晶硅造成二次污染。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述不足，提供了一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，在不改变现有电极、底盘结构的前提下，有效避免硅粉对绝缘效果的影响，避免掉相，保证还原产能，同时避免四氟套内部间隙积累硅粉，引发二次污染。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，包括底盘、四氟套、第一绝缘磁环、第二绝缘磁环、第三绝缘磁环和铜电极，所述铜电极的外圆与四氟套套装，并通过四氟套与底盘紧密配合，所述第一绝缘磁环设置在底盘的上表面，所述第三绝缘磁环套装在铜电极的头部，所述第三绝缘磁环设有台阶，所述台阶压在第一绝缘磁环的上表面，所述第二绝缘磁环位于第三绝缘磁环的外侧。
优选的，所述第三绝缘磁环采用氮化硅材质。
优选的，所述第二绝缘磁环材质为不透明石英或氧化铝,外侧设置圆弧形波节。
优选的，所述第三绝缘磁环与铜电极的头部间隙配合，单侧间隙为0.1-0.2mm。
优选的，所述四氟套低于底盘的上表面4-5mm。
本实用新型的有益效果是：
1、第一绝缘磁环与第三绝缘瓷环避免了绝大部分的硅粉进入四氟套内部空隙，避免了硅粉清理不干净对下炉次多晶硅的二次污染；
2、第一绝缘磁环与第三绝缘瓷环隔绝了对四氟套的直接热辐射，避免了四氟套的炭化，且由于温度较低，即使有少量硅粉进入，硅粉在该温度下的电阻仍然较高，从而避免了四氟套内部空隙内的拉弧跳停，保障还原炉稳定运行；
3、第二绝缘瓷环的下端与第一绝缘磁环相连接，避免了第二绝缘瓷环直接与能导电底盘金属相接触，而绝缘瓷环因不直接受到热辐射，且有底盘的冷却，其表面温度较低，绝缘性能不受硅粉影响，从而避免了第二绝缘瓷环的外部硅粉引发的拉弧跳停，保障还原炉稳定运行。
附图说明
图1为现有技术中的多晶硅还原炉电极结构示意图。
图2为本实用新型的结构示意图。
其中：底盘1；四氟套2；第一绝缘磁环3；第二绝缘磁环4；第三绝缘磁环5；铜电极6；绝缘瓷环7。
具体实施方式
参见图1和图2，本实用新型涉及一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，包括底盘1、四氟套2、第一绝缘磁环3、第二绝缘磁环4、第三绝缘磁环5和铜电极6，所述铜电极6的外圆与四氟套2套装，并通过四氟套2与底盘1紧密配合，所述第一绝缘磁环3设置在底盘1的上表面，所述第三绝缘磁环5套装在铜电极6的头部，所述第三绝缘磁环5设有台阶，所述台阶压在第一绝缘磁环3的上表面，所述第二绝缘磁环4位于第三绝缘磁环5的外侧。
所述第三绝缘磁环5采用氮化硅材质。氮化硅可加工性强，第三绝缘磁环5的内孔与铜电极6间隙配合，单侧间隙控制在0.1-0.2mm以内，避免过多硅粉侵入。
所述第二绝缘磁环4采用价格较低的不透明石英或氧化铝,外侧设置圆弧形波节，该件起隔热作用，外侧的圆弧形波节可避免硅粉覆盖后形成导电通路。
所述四氟套2低于底盘1的上表面4-5mm，避免被碳化。
所述第一绝缘磁环3与第三绝缘磁环5组合，避免大量硅粉进入四氟套2内部空隙，并且隔绝了对四氟套2的直接热辐射，降低了四氟套2内部空隙处的温度，避免了四氟套炭化、硅粉等引发的拉弧跳停。
所述第二绝缘磁环4平铺于第一绝缘磁环3上表面，避免第二绝缘磁环4与底盘金属直接接触，从而避免第二绝缘磁环4与底盘间导电。
除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，其特征在于：包括底盘（1）、四氟套（2）、第一绝缘磁环（3）、第二绝缘磁环（4）、第三绝缘磁环（5）和铜电极（6），所述铜电极（6）的外圆与四氟套（2）套装，并通过四氟套（2）与底盘（1）紧密配合，所述第一绝缘磁环（3）设置在底盘（1）的上表面，所述第三绝缘磁环（5）套装在铜电极（6）的头部，所述第三绝缘磁环（5）设有台阶，所述台阶压在第一绝缘磁环（3）的上表面，所述第二绝缘磁环（4）位于第三绝缘磁环（5）的外侧。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，其特征在于：所述第三绝缘磁环（5）采用氮化硅材质。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，其特征在于：所述第二绝缘磁环（4）材质为不透明石英或氧化铝,外侧设置圆弧形波节。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，其特征在于：所述第三绝缘磁环（5）与铜电极（6）的头部间隙配合，单侧间隙为0.1-0.2mm。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极绝缘结构，其特征在于：所述四氟套（2）低于底盘（1）的上表面4-5mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821203559.4U CN208561706U (zh) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | 一种多晶硅还原炉电极绝缘结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201821203559.4U CN208561706U (zh) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | 一种多晶硅还原炉电极绝缘结构 |
Publications (1)
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| CN208561706U true CN208561706U (zh) | 2019-03-01 |
Family
ID=65448498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201821203559.4U Active CN208561706U (zh) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | 一种多晶硅还原炉电极绝缘结构 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN208561706U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112290243A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种高压绝缘电流引线结构 |
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2018
- 2018-07-27 CN CN201821203559.4U patent/CN208561706U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN112290243A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种高压绝缘电流引线结构 |
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