CN207818556U - 一种散热元件和igbt模组 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种散热元件，该散热元件包括散热本体和散热柱，所述散热本体为铝硅碳散热本体；所述散热柱的一端通过焊层固定在所述铝硅碳散热本体的下侧表面上，所述散热柱的另一端为自由端。本公开还提供了一种IGBT模组，该IGBT模组包括IGBT电路板和如上所述的散热元件。通过上述技术方案，本公开将散热柱通过焊层焊接在铝硅碳散热本体上，在保证散热效果的同时，不需要进行一体成型来形成散热柱，由此大大降低了一体成型模具的脱模损耗，延长了一体成型模具的寿命。

Description

一种散热元件和IGBT模组

技术领域

本公开涉及散热器技术领域，具体地，涉及一种散热元件和IGBT模组。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备上。随着变频器等高电流电子设备的发展，对于IGBT芯片的性能提出了更高的要求，IGBT芯片承受更高的电流，其工作时产生的热量不断增加，因此需要散热元件来加速散热。

现有IGBT散热元件中往往通过一体成型来设置散热柱来增大散热面积和增强散热能力。但是，一体成型散热柱的制备对一体成型的模具的损耗较高，模具使用寿命非常短。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种散热元件，该散热元件具有良好的散热效果且不需要通过一体成型来形成散热柱。

为了实现上述目的，本公开提供了一种散热元件，该散热元件包括散热本体和散热柱，所述散热本体为铝硅碳散热本体；所述散热柱的一端通过焊层固定在所述铝硅碳散热本体的下侧表面上，所述散热柱的另一端为自由端。

可选地，所述散热柱为多个；所述散热柱为铜柱、铝柱、铝合金柱和铝覆铜柱中的至少一种。

可选地，所述散热柱的拔模角β为0度～4度，所述散热柱的高度为5～10毫米，所述散热柱的横截面为圆形且所述散热柱的横截面的直径为2～6毫米。

可选地，所述散热柱为多个，相邻两个所述散热柱的距离为0.4毫米～1.1毫米，所述散热柱的拔模角β为0度～2度。

可选地，所述散热柱为多组散热柱，所述多组散热柱沿所述铝硅碳散热本体的长度方向间隔设置，所述多组散热柱包括沿所述铝硅碳散热本体的长度方向交替设置的第一子组的散热柱和第二子组的散热柱(5)所述第一子组的散热柱和所述第二子组的散热柱中均包括沿所述铝硅碳散热本体的宽度方向间隔设置的多个散热柱。

可选地，所述焊层为Pb基焊层或Sn基焊层；所述焊层的厚度为0.01mm～0.5mm；所述焊层分布于所述散热柱与所述铝硅碳散热本体结合的区域且为连续的焊层。

可选地，所述焊层为PbSn焊层、PbSnAg焊层、SnAg焊层或SnSb焊层。

可选地，所述铝硅碳散热本体包括碳化硅多孔骨架和通过渗铝一体成型的结合在所述碳化硅多孔骨架内部的铝。

可选地，所述铝硅碳散热本体和所述焊层之间还具有镀层，所述镀层为镀镍层、镀镍金层和镀铜层中的至少一种。

可选地，所述镀层的厚度为3～30微米。

可选地，该散热元件还包括陶瓷覆铝导热体，所述铝硅碳散热本体上一体成型地结合有一个或多个所述陶瓷覆铝导热体，所述散热柱与所述陶瓷覆铝导热体分别设置在所述铝硅碳散热本体的相对的两个表面上。

可选地，所述陶瓷覆铝导热体包括陶瓷绝缘板和设置于所述陶瓷绝缘板的相对的两个表面上的第一铝层和第二铝层，并且所述陶瓷绝缘板通过所述第一铝层一体成型地连接在所述铝硅碳散热本体上；所述陶瓷绝缘板将所述第二铝层与所述第一铝层隔离，且所述第二铝层和所述铝硅碳散热本体隔离。

可选地，所述铝硅碳散热本体与所述第一铝层相连接的表面为平整表面。

可选地，所述铝硅碳散热本体上开设有一个或多个槽，所述陶瓷覆铝导热体嵌入所述槽内。

可选地，所述第二铝层的上表面与所述铝硅碳散热本体的所述槽以外的上表面形成平整表面。

可选地，所述第二铝层与陶瓷绝缘板连接表面的相对表面还一体成型地连接有铜层，所述铜层的厚度为0.2～0.6mm。

可选地，所述铝硅碳散热本体上开设有一个或多个槽，所述陶瓷覆铝导热体嵌入所述槽内。

可选地，所述铜层的上表面与所述铝硅碳散热本体的所述槽以外的上表面形成平整表面。

可选地，所述陶瓷绝缘板为氧化铝陶瓷板、增韧氧化铝陶瓷板、氮化铝陶瓷板或氮化硅陶瓷板；所述第一铝层和所述第二铝层为纯铝层和/或铝合金层。

可选地，所述第一铝层的厚度为0.02～0.15mm，所述陶瓷绝缘板的厚度为0.25～1mm，所述第二铝层的厚度为0.02～1.0mm。

另一方面，本公开还提供了一种IGBT模组，该IGBT模组包括IGBT电路板和如上所述的散热元件。

通过上述技术方案，本公开将散热柱通过焊层焊接在铝硅碳散热本体上，在保证散热效果的同时，不需要进行一体成型来形成散热柱，由此大大降低了一体成型模具的脱模损耗，延长了一体成型模具的寿命。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是不具有陶瓷覆铝导热体的散热元件剖视图。

图2是具有凸起式结合的陶瓷覆铝导热体的散热元件剖视图。

图3是具有嵌入式结合陶瓷覆铝导热体的散热元件剖视图。

图4是散热元件的底视图。

图5是具有凸起式结合的陶瓷覆铝导热体的散热元件的剖视图。

附图标记说明

1 铝硅碳散热本体 2 陶瓷绝缘板

3 第一铝层 4 第二铝层

5 散热柱 6 焊层

7 槽 8 第一子组

9 第二子组

具体实施方式

以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

在本公开中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、左、右”通常是指图1图面所示的方向。

一方面，本公开提供了一种散热元件，该散热元件包括散热本体和散热柱5，所述散热本体为铝硅碳散热本体1；所述散热柱5的一端通过焊层6固定在所述铝硅碳散热本体1的下侧表面上，所述散热柱5的另一端为自由端。

其中，可以在所述铝硅碳散热本体1和所述散热柱5之间通过添加焊料并进行焊接处理的方式来形成所述焊层6。所述焊接处理不需要模具，可以将所述散热柱5和所述铝硅碳散热本体1通过导向板进行组装，并用石墨压板压住导向板以使得所述散热柱5靠近所述铝硅碳散热本体1，然后进行焊接。所述焊接处理可以在还原或惰性气氛下的焊接炉中进行，焊接温度可以为270～395℃。

可选地，所述散热柱5为多个；所述散热柱5为铜柱、铝柱、铝合金柱和铝覆铜柱中的至少一种。为了增强散热导热的效果，优选所述散热柱5为铜柱。

可选地，所述散热柱5的拔模角β为0度～4度。这样的设置有助于焊接完成后所述散热柱与导向板的分离。为了进一步增强散热效果，优选所述散热柱5的拔模角β为0度～2度。

可选地，所述散热柱5的高度为5～10毫米。通过合理设置散热柱5的高度，可以便于保证散热柱5的散热效果。

可选地，所述散热柱5的横截面为圆形且所述散热柱5的横截面的平均直径为2～6毫米。通过合理设置散热柱5的横截面的平均直径，可以便于保证散热柱5的散热效果。其中，在拔模角β不为0的情况下，所述平均直径为散热柱5的自由端的直径与散热柱5与焊层6连接的焊接段的直径的平均值。

可选地，所述散热柱5为多个，相邻两个所述散热柱5的距离为0.4毫米～1.1毫米。这样的设置至少一定程度上可以降低相邻两个散热柱5之间的互相干涉，从而可以保证每个散热柱5的正常热交换。

可选地，如图4所示，所述散热柱5为多组散热柱5，所述多组散热柱5沿所述铝硅碳散热本体1的长度方向间隔设置，所述多组散热柱5包括沿所述铝硅碳散热本体1的长度方向交替设置的第一子组8的散热柱5和第二子组9的散热柱5，所述第一子组8的散热柱5和所述第二子组9的散热柱5中均包括沿所述铝硅碳散热本体1的宽度方向间隔设置的多个散热柱5。其中，相邻所述第一子组8的散热柱5和所述第二子组9的散热柱5可以交错排布。可以理解的是，交替设置的第一子组8的散热柱5和所述第二子组9的散热柱5可以使得多个散热柱5在所述铝硅碳散热本体1上分布合理，可以保证散热柱5的热交换能力。

可选地，所述焊层6为Pb基焊层或Sn基焊层。选择Pb基焊层和Sn基焊层具有易于焊接加工的优势。

可选地，所述焊层6为PbSn焊层、PbSnAg焊层、SnAg焊层或SnSb焊层。

可选地，所述焊层6的厚度为0.01mm～0.5mm。设置这样的厚度有利于节省物料、提高焊接强度和导热效果。

可选地，所述焊层分布于所述散热柱(5)与所述铝硅碳散热本体(1)结合的区域且为连续的焊层。

可选地，所述铝硅碳散热本体1包括碳化硅多孔骨架和通过渗铝一体成型的结合在所述碳化硅多孔骨架内部的铝。所述填充在碳化硅多孔骨架内的铝可以通过一体成型的方式填充在碳化硅多孔骨架内；还可以使用粉末冶金法制备铝硅碳散热本体：先制备得到碳化硅颗粒，将所述碳化硅颗粒按照一定的比例与铝粉混合后经过冷压成型、热压、退火和保温制备得到铝硅碳散热本体；所述填充在碳化硅多孔骨架内的铝可以增强散热本体的结构强度以及连接强度。

可选地，所述铝硅碳散热本体1和所述焊层6之间还具有镀层。所述镀层有利于增加焊层的强度。

可选地，所述镀层为镀镍层、镀镍金层和镀铜层中的至少一种。选择镀层为镀镍层、镀镍金层和镀铜层中的至少一种有助于镀层的形成并且有助于增加焊层的强度。

可选地，所述镀层的厚度为3～30微米。

可选地，该散热元件还包括陶瓷覆铝导热体，所述铝硅碳散热本体1上一体成型地结合有一个或多个所述陶瓷覆铝导热体，所述散热柱5与所述陶瓷覆铝导热体分别设置在所述铝硅碳散热本体1的相对的两个表面上。

可选地，所述陶瓷覆铝导热体包括陶瓷绝缘板2和设置于所述陶瓷绝缘板2的相对的两个表面上的第一铝层3和第二铝层4，并且所述陶瓷绝缘板2通过所述第一铝层3一体成型地连接在所述铝硅碳散热本体1上；所述陶瓷绝缘板2将所述第二铝层4与所述第一铝层3隔离，且所述第二铝层4和所述铝硅碳散热本体1隔离。所述第一铝层3一体成型的连接散热本体1和陶瓷绝缘板2，各层级结构之间无空洞与裂隙，可以提高散热元件的强度、耐压性与散热效率，延长使用寿命。

可选地，所述铝硅碳散热本体1与所述第一铝层3相连接的表面为平整表面。也就是所述铝硅碳散热本体1与所述陶瓷覆铝导热体形成凸起式结合。形成的平整表面有利用后续蚀刻时贴膜，使贴膜不发生破裂，按照预设进行蚀刻提高蚀刻的精准性。

可选地，所述铝硅碳散热本体1上开设有一个或多个槽7，所述陶瓷覆铝导热体嵌入所述槽7内。其中，在所述散热本体1上开设一个或多个槽7的操作可通过数控机床CNC实现。将所述陶瓷覆铝导热体置入所述铝硅碳散热本体1的槽7内可以使一体成型时陶瓷覆铝导热体的铝层厚度易于控制，一体成型的散热元件表面平整；并且在所述散热元件表面进行蚀刻时，贴膜边缘不易破裂，便于按照预期设计进行电路蚀刻。

可选地，所述第二铝层4的上表面与所述铝硅碳散热本体1的所述槽7以外的上表面形成平整表面。也就是所述铝硅碳散热本体1与所述陶瓷覆铝导热体形成嵌入式结合。形成的平整表面有利用后续蚀刻时贴膜，使贴膜不发生破裂，按照预设进行蚀刻提高蚀刻的精准性。

可选地，所述第二铝层4与陶瓷绝缘板2连接表面的相对表面还一体成型地连接有铜层，所述铜层的厚度为0.2～0.6mm。添加铜层8形成陶瓷覆铜铝导热体，有利于热量的传导并提高了陶瓷覆铝铜导热体对于电器元件的支撑，提高陶瓷覆铝铜导热体的结构强度，延长使用寿命。

可选地，所述铝硅碳散热本体1上开设有一个或多个槽7，连接有铜层8的所述陶瓷覆铝导热体嵌入所述槽7内。

可选地，所述铜层的上表面与所述铝硅碳散热本体1的所述槽7以外的上表面形成平整表面。形成的平整表面有利用后续蚀刻时贴膜，使贴膜不发生破裂，按照预设进行蚀刻提高蚀刻的精准性。

可选地，所述陶瓷绝缘板2为氧化铝陶瓷板、增韧氧化铝陶瓷板、氮化铝陶瓷板或氮化硅陶瓷板；所述第一铝层3和所述第二铝层4为纯铝层和/或铝合金层。所述铝层和铝合金层均可以满足散热元件的导热设计，并且铝层和铝合金层硬度较低，耐冷热冲击性能更优越，上述材质的陶瓷绝缘板2具有较低的密度和较高的硬度，有利于延长使用寿命。

可选地，所述第一铝层3的厚度为0.02～0.15mm，所述陶瓷绝缘板2的厚度为0.25～1mm，所述第二铝层4的厚度为0.02～1.0mm。采用所述厚度的铝层与陶瓷绝缘板2可能提高陶瓷覆铝导热体的效率与结构强度，延长使用寿命。

另一方面，本公开还提供了一种IGBT模组，该IGBT模组包括IGBT电路板和如上所述的散热元件。

下面结合附图进一步详细说明本公开的散热元件。

如图1所示，所述散热元件包括铝硅碳散热本体1和散热柱5；所述铝硅碳散热本体1的厚度为4.5mm、长为215mm、宽为110mm，且所述铝硅碳散热本体1的表面镀有镀镍层；368个所述散热柱5通过焊层6焊接在所述铝硅碳散热本体1一侧表面的表面上，焊层6为PbSn焊层。

所述散热柱5的长度为8mm，所述焊层6的厚度为0.2mm；所述散热柱5直径为4mm的一端与铝硅碳散热本体通过焊层6焊接，直径为3mm的另一端为自由端；所述散热柱5的外表面与冷却液接触，将IGBT运行的热量传递给冷却液。

如图2所示，所述散热元件包括陶瓷覆铝导热体、铝硅碳散热本体1和散热柱5；所述铝硅碳散热本体的厚度为4.5mm、长为215mm、宽为110mm，且所述铝硅碳散热本体1的表面镀有镀铜层；所述散热柱5与所述陶瓷覆铝导热体分别设置在所述铝硅碳散热本体相对的两个表面上；所述铝硅碳散热本体与陶瓷覆铝导热体、铝硅碳散热本体与散热柱5相连接的表面均为平整表面；所述陶瓷覆铝导热体或陶瓷覆铜铝导热体为2个，2个导热体之间间隔6.9mm；所述散热柱5为368个以满足散热需求，所述散热柱5通过焊层6焊接在所述铝硅碳散热本体1上，焊层6为PbSnAg焊层。

所述陶瓷覆铝导热体包括厚度为0.32mm的陶瓷绝缘板2和设置于所述陶瓷绝缘板2的相对的两个表面上的厚度为0.1mm的第一铝层3和厚度为0.5mm的第二铝层4，所述陶瓷绝缘板2将所述第二铝层4与所述第一铝层3隔离；第一铝层3一体成型的连接在铝硅碳散热本体上以提高陶瓷覆铝导热体与铝硅碳散热本体的连接强度；所述第一铝层3、第二铝层4和绝缘陶瓷板2之间也是一体成型的。陶瓷覆铝导热体的第二铝层4上可以蚀刻形成IGBT电路板，陶瓷覆铝导热体支撑IGBT芯片并且产生导热和绝缘的效果，保证IGBT模组工作的安全性。

所述散热柱5的长度为8mm，所述焊层6的厚度为0.2mm；所述散热柱5直径为4mm的一端与铝硅碳散热本体固定连接，直径为3mm的另一端为自由端；所述散热柱5的外表面与冷却液接触，将IGBT运行的热量传递给冷却液。

如图3所示，所述散热元件包括陶瓷覆铝导热体、铝硅碳散热本体1和散热柱5，且所述铝硅碳散热本体1的表面镀有镀镍层；所述铝硅碳散热本体1的厚度为4.5mm、长为215mm、宽为110mm；所述铝硅碳散热本体上通过数控机床开设有3个深度为0.92mm、长为67mm、宽为61mm槽7，槽7彼此之间间隔6.9mm，所述陶瓷覆铝导热体嵌入所述槽7内；所述368个散热柱5通过焊层6焊接在所述铝硅碳散热本体1嵌入所述陶瓷覆铝导热体一侧表面的相对表面上，焊层6为SnAg焊层；所述铝硅碳散热本体1与散热柱5相连接的表面为平整表面。

所述陶瓷覆铝导热体包括厚度为0.32mm、长为67mm、宽为61mm的陶瓷绝缘板2和设置于所述陶瓷绝缘板2的相对的两个表面上的厚度为0.1mm的第一铝层3和厚度为0.5mm的第二铝层4，所述陶瓷绝缘板2将所述第二铝层4与所述第一铝层3隔离，所述第二铝层4与槽之间具有1mm的间隔；第一铝层3一体成型的连接在铝硅碳散热本体1上，使铝硅碳散热本体1与第一铝层3的结合面形成铝浸渗层提高陶瓷覆铝导热体与铝硅碳散热本体1的连接强度；所述第一铝层3、第二铝层4和绝缘陶瓷板2之间也是一体成型的。陶瓷覆铝导热体的第二铝层4上可以蚀刻形成IGBT电路板，陶瓷覆铝导热体支撑IGBT芯片并且产生导热和绝缘的效果，保证IGBT模组工作的安全性。

所述散热柱5的长度为8mm，所述焊层6的厚度为0.2mm；所述散热柱5直径为4mm的一端与铝硅碳散热本体1通过焊层6焊接，直径为3mm的另一端为自由端；所述散热柱5的外表面与冷却液接触，将IGBT运行的热量传递给冷却液。

以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。

Claims (21)

1.一种散热元件，其特征在于，该散热元件包括散热本体和散热柱(5)，所述散热本体为铝硅碳散热本体(1)；所述散热柱(5)的一端通过焊层(6)固定在所述铝硅碳散热本体(1)的下侧表面上，所述散热柱(5)的另一端为自由端。

2.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述散热柱(5)为多个；所述散热柱(5)为铜柱、铝柱、铝合金柱和铝覆铜柱中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述散热柱(5)的拔模角β为0度～4度，所述散热柱(5)的高度为5～10毫米，所述散热柱(5)的横截面为圆形且所述散热柱(5)的横截面的平均直径为2～6毫米。

4.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述散热柱(5)为多个，相邻两个所述散热柱(5)的距离为0.4毫米～1.1毫米，所述散热柱(5)的拔模角β为0度～2度。

5.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述散热柱(5)为多组散热柱(5)，所述多组散热柱(5)沿所述铝硅碳散热本体(1)的长度方向间隔设置，所述多组散热柱(5)包括沿所述铝硅碳散热本体(1)的长度方向交替设置的第一子组的散热柱(5)和第二子组的散热柱(5)，所述第一子组的散热柱(5)和所述第二子组的散热柱(5)中均包括沿所述铝硅碳散热本体(1)的宽度方向间隔设置的多个散热柱(5)。

6.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述焊层(6)为Pb基焊层或Sn基焊层；所述焊层(6)的厚度为0.01mm～0.5mm；所述焊层分布于所述散热柱(5)与所述铝硅碳散热本体(1)结合的区域且为连续的焊层。

7.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述焊层(6)为PbSn焊层、PbSnAg焊层、SnAg焊层或SnSb焊层。

8.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述铝硅碳散热本体(1)包括碳化硅多孔骨架和通过渗铝一体成型的结合在所述碳化硅多孔骨架内部的铝。

9.根据权利要求1所述的散热元件，其特征在于，所述铝硅碳散热本体(1)和所述焊层(6)之间还具有镀层，所述镀层为镀镍层、镀镍金层和镀铜层中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的散热元件，其特征在于，所述镀层的厚度为3～30微米。

11.根据权利要求1～10中任意一项所述的散热元件，其特征在于，该散热元件还包括陶瓷覆铝导热体，所述铝硅碳散热本体(1)上一体成型地结合有一个或多个所述陶瓷覆铝导热体，所述散热柱(5)与所述陶瓷覆铝导热体分别设置在所述铝硅碳散热本体(1)的相对的两个表面上。

12.根据权利要求11所述的散热元件，其特征在于，所述陶瓷覆铝导热体包括陶瓷绝缘板(2)和设置于所述陶瓷绝缘板(2)的相对的两个表面上的第一铝层(3)和第二铝层(4)，并且所述陶瓷绝缘板(2)通过所述第一铝层(3)一体成型地连接在所述铝硅碳散热本体(1)上；所述陶瓷绝缘板(2)将所述第二铝层(4)与所述第一铝层(3)隔离，且所述第二铝层(4)和所述铝硅碳散热本体(1)隔离。

13.根据权利要求12所述的散热元件，其特征在于，所述铝硅碳散热本体(1)与所述第一铝层(3)相连接的表面为平整表面。

14.根据权利要求12所述的散热元件，其特征在于，所述铝硅碳散热本体(1)上开设有一个或多个槽(7)，所述陶瓷覆铝导热体嵌入所述槽(7)内。

15.根据权利要求14所述的散热元件，其特征在于，所述第二铝层(4)的上表面与所述铝硅碳散热本体(1)的所述槽(7)以外的上表面形成平整表面。

16.根据权利要求12所述的散热元件，其特征在于，所述第二铝层(4)与陶瓷绝缘板(2)连接表面的相对表面还一体成型地连接有铜层(8)，所述铜层(8)的厚度为0.2～0.6mm。

17.根据权利要求16所述的散热元件，其特征在于，所述铝硅碳散热本体(1)上开设有一个或多个槽(7)，所述陶瓷覆铝导热体嵌入所述槽(7)内。

18.根据权利要求17所述的散热元件，其特征在于，所述铜层的上表面与所述铝硅碳散热本体(1)的所述槽(7)以外的上表面形成平整表面。

19.根据权利要求12所述的散热元件，其特征在于，所述陶瓷绝缘板(2)为氧化铝陶瓷板、增韧氧化铝陶瓷板、氮化铝陶瓷板或氮化硅陶瓷板；所述第一铝层(3)和所述第二铝层(4)为纯铝层和/或铝合金层。

20.根据权利要求12所述的散热元件，其特征在于，所述第一铝层(3)的厚度为0.02～0.15mm，所述陶瓷绝缘板(2)的厚度为0.25～1mm，所述第二铝层(4)的厚度为0.02～1.0mm。

21.一种IGBT模组，其特征在于，该IGBT模组包括IGBT电路板和权利要求1～20中任意一项所述的散热元件。