CN207765451U - 一种光刻工艺中的晶圆结构 - Google Patents
一种光刻工艺中的晶圆结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207765451U CN207765451U CN201721304296.1U CN201721304296U CN207765451U CN 207765451 U CN207765451 U CN 207765451U CN 201721304296 U CN201721304296 U CN 201721304296U CN 207765451 U CN207765451 U CN 207765451U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- alignment mark
- dielectric film
- crystal circle
- circle structure
- transparent dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
一种光刻工艺中的晶圆结构，涉及半导体集成电路制造技术领域，包括一硅晶圆，所述硅晶圆上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜，本申请提供一种晶圆结构，使对准标记可以在外延过程得到保护，在外延工艺后，通过刻蚀工艺可以使对准标记恢复，结构简单，制造方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻工艺中的晶圆结构。
背景技术
如图1所示，其中1ˊ为硅晶圆，2ˊ为对准标记，光刻是将掩膜版(mask)上图形形式的电路结构通过对准、曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶的硅片表面的工艺过程。光刻工艺会在硅片表面形成一层光刻胶掩蔽图形，其后续工艺是刻蚀或离子注入。半导体集成电路制造中，通常需要经过多次光刻工序。其中形成硅片第一层(最下层)图形的光刻称为零层光刻。零层光刻与刻蚀所形成的硅片第一层图形称为对准标记，对准标记是供后续光刻时对准之用的。
套刻精度是光刻工艺的重要表征参数，实现从设计回路图形通过光刻胶转移到硅基板，光刻图形的转移过程要遵循精确和无偏差两大原则，而要实现无偏差就要保证光刻的对准可以进行并且有保证。
参见图2所示，其中3ˊ为不透明外延层，在形成对准标记之后，往往跟随有外延工艺，即在硅片表面生长从几微米到十几微米甚至更厚的不透明外延层，对准标记直接刻蚀硅形成，不透明外延层覆盖在同质的对准标记上，常常产生薄雾、滑移线、层错、穿刺等缺陷。这些缺陷对光刻对准有很大的影响，尤其是新世代SJ MOSFET中20～40μm的外延层会使得光刻对准标记产生非常严重地畸变甚至消失而完全无法对准。
发明内容
为了解决上述提到的问题，本申请提供一种晶圆结构，使对准标记可以在外延过程得到保护，在外延工艺后，通过刻蚀工艺可以使对准标记恢复，结构简单，制造方便，其技术方案如下：
一种光刻工艺中的晶圆结构，包括一硅晶圆，所述硅晶圆上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜。
进一步地，所述透明介质膜厚度为500埃到1微米。将透明介质膜厚度限制为500埃到 1微米之间，厚度适中，其仅需一层透明介质膜，便可为后续对准标记上方的不透明外延层刻蚀提供足够的阻挡层，同时由于其仅为简单的一层透明介质膜，相比于其他工艺形成的多层膜结构，该透明介质膜制造工艺简单、快速，大大提高了生产效率。
进一步地，所述透明介质膜覆盖范围大于对准标记至少200微米。
进一步地，所述透明介质膜为二氧化硅或硼磷硅玻璃。
依据上述技术方案，本实用新型利用透明介质膜覆盖对准标记后，再做外延工艺时，不透明外延层在对准标记区域生长在不同质的透明介质膜上；不透明外延完成后，可以做刻蚀工艺，将对准标记上方的不透明外延层刻蚀掉；刻蚀过程中对准标记因为有透明介质膜保护，不会被破坏；透明介质膜采用二氧化硅，或硼磷硅玻璃材质，透明可视，不会影响后续的对准标记的可见性。
附图说明
图1为现有技术的常规晶圆结构；
图2为图1经外沿后的结构图；
图3为本实用新型的结构示意图；
图4为图3经生长完外延层并去除对准标记上部外延层后的晶圆结构示意图。
其中，1ˊ、硅晶圆；2ˊ、对准标记；3ˊ、不透明外延层；1、硅晶圆；2、透明介质膜；3、不透明外延层。
具体实施方式
下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
一种光刻工艺中的晶圆结构，包括一硅晶圆1，所述硅晶圆1上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜2；
进一步地，所述透明介质膜2厚度为500埃到1微米；将透明介质膜2厚度限制为500埃到1微米之间，厚度适中，其仅需一层透明介质膜，便可为后续对准标记上方的不透明外延层3刻蚀提供足够的阻挡层，同时由于其仅为简单的一层透明介质膜，相比于其他工艺形成的多层膜结构，该透明介质膜制造工艺简单、快速，大大提高了生产效率；
进一步地，所述透明介质膜2覆盖范围大于对准标记至少200微米；
进一步地，所述透明介质膜2为二氧化硅或硼磷硅玻璃。
具体实施时，如图3所示，晶圆采用8英寸，左右对称分布两个对准标记，对准标记图形为边长88微米大小；利用标准的光刻和等离子刻蚀形成，沉积2000埃厚度二氧化硅，做光刻，用光刻胶保护对准标记上方200微米范围，其它区光刻胶曝光显影去除；用BOE溶液去除暴露二氧化硅，再去除光刻胶，即形成本实用新型的结构。
如图4所示，利用本实用新型结构的晶圆，完成外延工艺后，晶圆涂布光刻胶，可以用曝光机采用无需对准方式曝光，曝开光刻标记200微米区域；因为光刻机在不做标记对准的情况下对准能力也可以达到200μm范围；刻蚀去除200μm范围内外延层，即露出对准标记。
以上应用了具体个例对本实用新型进行阐述，只是用于帮助理解本实用新型，并不用以限制本实用新型。对于本实用新型所属技术领域的技术人员，依据本实用新型的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。
Claims (4)
1.一种光刻工艺中的晶圆结构，其特征在于，包括一硅晶圆(1)，所述硅晶圆(1)上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜(2)。
2.如权利要求1所述的一种光刻工艺中的晶圆结构，其特征在于，所述透明介质膜(2)厚度为500埃到1微米。
3.如权利要求2所述的一种光刻工艺中的晶圆结构，其特征在于，所述透明介质膜(2)覆盖范围大于对准标记至少200微米。
4.如权利要求3所述的一种光刻工艺中的晶圆结构，其特征在于，所述透明介质膜(2)为二氧化硅或硼磷硅玻璃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721304296.1U CN207765451U (zh) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 一种光刻工艺中的晶圆结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721304296.1U CN207765451U (zh) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 一种光刻工艺中的晶圆结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207765451U true CN207765451U (zh) | 2018-08-24 |
Family
ID=63177967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721304296.1U Active CN207765451U (zh) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 一种光刻工艺中的晶圆结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207765451U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111916360A (zh) * | 2019-05-10 | 2020-11-10 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 一种扇出型封装方法 |
| CN114397801A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-04-26 | 长春理工大学 | 一种电子束光刻套刻标记的保护方法 |
-
2017
- 2017-10-11 CN CN201721304296.1U patent/CN207765451U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111916360A (zh) * | 2019-05-10 | 2020-11-10 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 一种扇出型封装方法 |
| CN114397801A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-04-26 | 长春理工大学 | 一种电子束光刻套刻标记的保护方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103199084B (zh) | 基板对位标记、基板及基板对位标记的制作方法 | |
| CN100562803C (zh) | 灰色调掩模和灰色调掩模的制造方法 | |
| US7494830B2 (en) | Method and device for wafer backside alignment overlay accuracy | |
| CN102856164B (zh) | 一种提高对位标记清晰度的方法 | |
| CN101847609B (zh) | 制造显示器的方法 | |
| US20080241708A1 (en) | Sub-resolution assist feature of a photomask | |
| CN207765451U (zh) | 一种光刻工艺中的晶圆结构 | |
| US10274822B2 (en) | Template and method of manufacturing semiconductor device | |
| US20110315077A1 (en) | Template, manufacturing method, and processing method | |
| CN209044299U (zh) | 掩膜板 | |
| CN104677509B (zh) | 利用微纳掩模板加工纳米线单光子探测器的工艺 | |
| CN103065929A (zh) | 对准标记保护层的制作方法 | |
| CN102608860B (zh) | 光刻蚀方法、光罩组合及曝光*** | |
| JP2014216594A (ja) | レプリカテンプレートの製造方法、レプリカテンプレート、レプリカテンプレートを用いたウエハの製造方法、およびマスターテンプレートの製造方法 | |
| CN104040428B (zh) | 相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法 | |
| CN107844027A (zh) | 一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法 | |
| CN111624851A (zh) | 压印模板及其制备方法 | |
| CN105182681B (zh) | 一种掩模板及在同一硅片上加工多种深度结构的方法 | |
| CN105047536A (zh) | 用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法 | |
| CN105206557A (zh) | 一种光刻对准标记的制备方法 | |
| JP2009231324A (ja) | ステンシルマスクおよびその製造方法 | |
| US11450616B2 (en) | Using a backside mask layer for forming a unique die mark identifier pattern | |
| CN103107178B (zh) | 一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法 | |
| JP2007258650A (ja) | 転写マスクブランク及び転写マスク並びにパターン露光方法 | |
| CN103556150A (zh) | 一种高精度掩模板的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |