CN207736888U - 无硅离型膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种无硅离型膜，包括依次叠设的防静电涂层、基材层、离型层和无硅涂布层，所述离型层的上部边缘开设有长方形凹槽，所述离型层的下部边缘开设有半圆形凹槽，所述长方形凹槽与半圆形凹槽错开排列。结构简单，易于实现，在基材层底部涂了防静电层，可以很好的防静电；基材层采用PET光学级聚酯薄膜使离型膜具有低雾度和高透光率等性能；无硅涂布的设置，解决了对硅敏感的电子材料加工需要使用离型膜的需求，同时也杜绝了硅油残留污染环境的问题；最后，离型层的凹槽设置可以减轻重量并且起到很好的抗压效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及离型膜，尤其涉及一种无硅离型膜。
背景技术
离型膜是指表面具有分离性的薄膜，离型膜与特定的材料在有限的条件下接触后不具有粘性，或轻微的粘性。
目前离型膜广泛应用于电子胶粘剂、印刷线路板、手机等领域，但是部分对硅敏感的电子材料加工过程中如果使用了含硅离型膜，那将影响该电子产品的性能，甚至会影响该产品的使用寿命，另外含硅材料的使用也将对我们赖以生存的环境产生污染。另外现有的离型膜再大量运输过程时还存在较重，运输不方便，抗压性不好等缺点。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供了一种不含硅、质量轻、抗压性能好的无硅离型膜。
为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：
一种无硅离型膜，包括依次叠设的防静电涂层、基材层、离型层和无硅涂布层，所述离型层的上部边缘开设有长方形凹槽，所述离型层的下部边缘开设有半圆形凹槽，所述长方形凹槽与半圆形凹槽错开排列。
作为优选，所述基材层为PET光学级聚酯薄膜。
作为优选，所述半圆形凹槽的直径与长方形凹槽的长度相等。
作为优选，所述防静电涂层的厚度为2-4um
作为优选，所述基材层的厚度为8-12um。
作为优选，所述离型层的厚度为15-22um。
本实用新型具有以下的特点和有益效果：结构简单，易于实现，在基材层底部涂了防静电层，可以很好的防静电；基材层采用PET光学级聚酯薄膜使离型膜具有低雾度和高透光率等性能；无硅涂布的设置，解决了对硅敏感的电子材料加工需要使用离型膜的需求，同时也杜绝了硅油残留污染环境的问题；最后，离型层的凹槽设置可以减轻重量并且起到很好的抗压效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图。
图中，1-防静电涂层；2-基材层；3-离型层；31-长方形凹槽；32-半圆形凹槽；4-无硅涂布层。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
如图所示，一种无硅离型膜，包括依次叠设的防静电涂层1、基材层2、离型层3和无硅涂布层4，离型层3的上部边缘开设有长方形凹槽31，离型层的下部边缘开设有半圆形凹槽32，长方形凹槽31与半圆形凹槽32错开排列，长方形凹槽31与半圆形凹槽32可以承受不同方向的力，增强了抗压性。
于本实用新型的进一步改进，基材层为PET光学级聚酯薄膜。
于本实用新型的更进一步改进，半圆形凹槽的直径与长方形凹槽的长度相等。
于本实用新型的更进一步改进，防静电涂层的厚度为2-4um
于本实用新型的更进一步改进，基材层的厚度为8-12um。
于本实用新型的更进一步改进，离型层的厚度为15-22um。
工作原理：在基材层底部涂了防静电层，可以很好的防静电；基材层采用PET光学级聚酯薄膜使离型膜具有低雾度和高透光率；无硅涂布的设置，解决了对硅敏感的电子材料加工需要使用离型膜的需求，同时也杜绝了硅油残留污染环境的问题；最后，离型层的长方形凹槽与半圆形凹槽设置可以减轻重量，方便运输并且起到很好的抗压效果，使用寿命更长久，使用效果更好。
以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本实用新型的保护范围内。
Claims (6)
1.一种无硅离型膜，其特征在于：包括依次叠设的防静电涂层、基材层、离型层和无硅涂布层，所述离型层的上部边缘开设有长方形凹槽，所述离型层的下部边缘开设有半圆形凹槽，所述长方形凹槽与半圆形凹槽错开排列。
2.根据权利要求1所述的无硅离型膜，其特征在于：所述基材层为PET光学级聚酯薄膜。
3.根据权利要求1所述的无硅离型膜，其特征在于：所述半圆形凹槽的直径与长方形凹槽的长度相等。
4.根据权利要求1所述的无硅离型膜，其特征在于：所述防静电涂层的厚度为2-4um。
5.根据权利要求1所述的无硅离型膜，其特征在于：所述基材层的厚度为8-12um。
6.根据权利要求1所述的无硅离型膜，其特征在于：所述离型层的厚度为15-22um。
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- 2017-12-21 CN CN201721813880.XU patent/CN207736888U/zh active Active
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