CN207517684U - 阵列基板及显示屏 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种阵列基板，其包括：复合衬底，包括底衬底层、以及形成在底衬底层上的顶衬底层；第一走线层，设置于底衬底层与顶衬底层之间；第一走线层包括若干第一走线；以及驱动结构层，形成于复合衬底上；驱动结构层包括形成于复合衬底上的主体层、以及形成于主体层上的数据线层；数据线层包括若干数据线；阵列基板还开设有若干贯穿主体层以及顶衬底层的过孔；数据线通过过孔与相对应的第一走线电连接。上述阵列基板，将第一走线设置在复合衬底中，直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。本实用新型还公开了一种显示屏。

Description

阵列基板及显示屏

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示屏。

背景技术

目前，全面屏大多依靠将非AA区弯折到屏体的背面来实现。但是，弯折区存在应力集中的问题；并且由于膜层堆叠，***膜层的伸缩量大于内层，容易导致膜层与膜层的分离问题(即Peeling)，屏体的弯折可靠性低。

因此，亟需一种新的全面屏设计。

实用新型内容

基于此，提供一种新的能够实现全面屏的阵列基板。

一种阵列基板，包括：

复合衬底，包括底衬底层、以及形成在所述底衬底层上的顶衬底层；

第一走线层，设置于所述底衬底层与所述顶衬底层之间；所述第一走线层包括若干第一走线；

以及驱动结构层，形成于所述复合衬底上；

所述驱动结构层中的引线通过过孔与相对应的所述第一走线电连接。

上述阵列基板，将第一走线设置在复合衬底中，直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。

在其中一个实施例中，所述第一走线层与所述底衬底层之间还设有用于保护所述底衬底层的保护层。

在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为20nm～40nm。

在其中一个实施例中，所述保护层为硅的氧化物层、或硅的氮化物层。

在其中一个实施例中，所述第一走线层的厚度为200nm～700nm。

在其中一个实施例中，所述底衬底层的厚度为2μm～3μm。

在其中一个实施例中，所述顶衬底层的厚度为1μm～3μm。

在其中一个实施例中，所述第一走线位于所述阵列基板的邦定区。

在其中一个实施例中，所述底衬底层在邦定区上开设有漏出所述第一走线的邦定孔。

本实用新型还提供了一种显示屏。

一种显示屏，所述显示屏包括本实用新型所提供的阵列基板。

上述显示屏，由于采用本实用新型所提供的阵列基板，故而直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。

附图说明

图1为本实用新型一实施方式的阵列基板的过孔处的剖面结构示意图。

图2为图1中的阵列基板的复合衬底另一角度的剖面结构示意图。

图3为图1中的第一走线在保护层上的分布示意图。

图4为本实用新型另一实施方式的第一走线在保护层上的分布示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

参见图1，本实用新型一实施方式的阵列基板100，包括复合衬底110、嵌入在复合衬底110中的第一走线层120、形成在复合衬底110上的主体层130、以及形成在主体层130上的数据线层140。主体层130、以及数据线层140构成驱动结构层。

其中，复合衬底110的主要作用是，为其上的各层提供支撑。由于需要为后续的膜层提供良好的支撑，复合衬底110的表面一般为平整的平面。

结合图1参见图2，复合衬底110为复合层结构。具体地，复合衬底110包括底衬底层111、以及形成在底衬底层111上的顶衬底层112。第一走线层120设置于底衬底层111与顶衬底层112之间，从而实现将第一走线层120嵌入在复合衬底110中。在制备时，可以优选采用下面方式形成:先形成底衬底层111，然后形成第一走线层120，最后形成顶衬底层112，这样就可以将第一走线层120嵌入到复合衬底110中。

在复合衬底110中，底衬底层111为第一走线层120提供支撑，顶衬底层112为第一走线层120提供保护，同时为整个复合衬底110提供平整的表面。

在本实施方式中，底衬底层111为聚酰亚胺(PI)层，这样可以采用激光剥离，实现柔性产品。当然，可以理解的是，底衬底层111还可以是其它塑料，例如耐高温塑料。

优选地，底衬底层111的厚度为2μm～3μm。

在本实施方式中，顶衬底层112为PI层，这样既与底衬底层111的材质相同，又可以方便为后续的器件制备提供平整的平面。当然，可以理解的是，顶衬底层112还可以是其它材质。当显示屏为柔性屏时，顶衬底层112优选为有机层。当显示屏为硬屏时，顶衬底层112还可以为无机层(例如氧化硅层)。

优选地，顶衬底层112的厚度为1μm～3μm，这样既有利于形成良好的平整的表面，亦可以节省材料。

当然，可以理解的是，底衬底层111与顶衬底层112的材质各自独立选择，可以相同(例如均采用PI层)，也可以不相同(例如底衬底层111为PI层，顶衬底层112为PR层或氧化硅层)。同样可以理解的是，底衬底层111与顶衬底层112的形成方法也各自独立选择，可以相同(例如都采用涂布方式形成)，也可以不相同(例如底衬底层111采用涂布方式形成，顶衬底层112采用沉积方式形成)。

其中，第一走线层120为图案层。第一走线层120包括若干第一走线121。第一走线121的主要作用是，与线路板(未示出)邦定，从而将数据线层140的信号与线路板的信号连通。

在本实施方式中，底衬底层111的靠近顶衬底层112的一侧表面为平面，第一走线121是嵌在顶衬底层112中，此时顶衬底层112还起到平坦化的作用。当然，可以理解的是，也可以是第一走线121是嵌在底衬底层112中，即在底衬底层111的靠近顶衬底层112的一侧表面开设开槽，第一走线121位于开槽内。

在本实施方式中，第一走线层120的形成过程优选为：先底衬底层111上在沉积整层金属，然后将整层金属蚀刻图案化，形成若干第一走线121。这样通过光刻完成，使第一走线的精度更高。当然，可以理解的是，第一走线层120的形成过程还可以是，通过掩膜版直接沉积图案化的金属，以形成若干第一走线121。

为了避免第一走线层120的形成对底衬底层111造成不良影响，在本实施方式中，在形成第一走线层120之前，先在底衬底层111上形成用于保护底衬底层111的保护层113；也就是说，保护层113设于第一走线层120与底衬底层111之间。一般情况下，第一走线通过PVD沉积，沉积过程中存在等离子体(Plasma)的轰击，若不存在保护层113，则等离子体轰击PI，PI可能被轰击变性，挥发出有机污染物，从而污染腔室。因此，保护层113可以避免第一走线层120形成时对底衬底层111的破坏，进一步避免污染腔室。另外，第一走线层120刻蚀时，保护层113也可以作为刻蚀阻挡层，避免干刻过程中的等离子体对PI的损伤，也可以避免干刻腔室被污染。

优选地，保护层113为硅的氧化物层、或硅的氮化物层。这样可以和目前的常规工艺兼容，有利于生产。当然，可以理解的是，保护层113还可以是碳化硅层、亦或氮氧化硅层。

优选地，保护层113的厚度为20nm～40nm。这样既可以有效起到保护作用，同时又可以节省时间和成本。

参见图3，第一走线121只位于阵列基板100的邦定区9。当显示屏只在一侧邦定时，也即显示屏只有一个邦定区9，第一走线121即位于该邦定区9。当显示屏在两侧邦定时，也即显示屏的两侧各有一个邦定区9，那么第一走线121在两侧都有。这样可以使终端产品设计更加多样化。

当然，可以理解的是，第一走线121并不局限于只位于邦定区9，第一走线121还可以延伸出邦定区9(如图4所示，第一走线121为整面的金属线)。这样当第一走线121通过刻蚀形成时，可以减小金属的刻蚀量。

优选地，底衬底层111在邦定区9上开设有漏出第一走线121的邦定孔(未示出)。这样可以通过邦定孔将第一走线121从屏体的背面直接引出，且结构简单、制作方便。

参见回图1，在本实施方式中，阵列基板100还包括形成于复合衬底110与主体层130之间的阻挡层150以及缓冲层160。也就是说，在形成复合衬底110后，在复合衬底110的表面形成阻挡层150，然后在阻挡层150上形成缓冲层160，再在缓冲层160上形成主体层130。

其中，阻挡层150和缓冲层160均可以采用本领域技术人员认为合适的各种材料及结构，在此不再赘述。当然，可以理解的是，本实用新型亦可以不设置阻挡层150，或不设置缓冲层160，亦或两者都不设置。

其中，驱动结构层是阵列基板100的核心结构。驱动结构层中形成有用于驱动子像素单元的电子器件，例如薄膜晶体管、电容器等。

在本实施方式中，主体层130包括非晶硅图案层、覆盖在非晶硅图案层的栅绝缘层(GI层)131、形成在栅绝缘层131上的第一金属图案层(M1层)、覆盖在第一金属图案层上的电介质层(CI层)132、形成在电介质层132上的第二金属图案层(M2层)、覆盖在第二金属图案层上的层间绝缘层(ILD层)133。第一金属图案层构成薄膜晶体管的栅极以及电容器的下电极，第二金属图案层构成电容器的上电极。

其中，数据线层140形成于主体层130上；数据线层140包括若干数据线；数据线通过过孔101与相对应的第一走线121电连接。也就是说，过孔101位于数据线层140与第一走线层120之间。

在本实施方式中，过孔101从上到下依次贯穿层间绝缘层(ILD层)133、电介质层(CI)132、栅绝缘层(GI层)131、缓冲层160、阻挡层150、以及顶衬底层112，从而将第一走线121漏出。

在本实施方式中，数据线层140为形成在层间绝缘层133上的第三金属图案层(M3层)，第三金属图案层构成薄膜晶体管的源极、漏极、以及数据线。这样在形成薄膜晶体管的源极以及漏极时的穿孔与连接第一走线121的过孔同时形成，这样可以减少工艺步骤，使阵列基板100的制备更加简单。

当然，可以理解的是，主体层130与数据线层140并不局限于上述结构，还可以是本领域技术人员认为合适的其它结构。例如，数据线层140除了数据线之外，还形成有薄膜晶体管的源极、漏极、以及电容器的上电极，电容器的下电极通过第二金属图案层(M2层)实现。

当然，可以理解的是，过孔101不能破坏主体层130的正常结构，因此过孔101需要避让非晶硅层、栅极、电容器等。在图1中的只示出了过孔101处的阵列基板100的剖面结构，其它位置的剖面结构并未示出。

在本实施方式中，阵列基板100只有AA区，不设置非AA区。上述阵列基板，将第一走线设置在复合衬底中，直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。

本实用新型还提供了一种显示屏。

一种显示屏，所述显示屏包括本实用新型所提供的阵列基板。

当然，可以理解的是，显示屏除了阵列基板，还包括其它器件，其它器件的具体结构以及器件之间的连接关系均可以采用本领域技术人员所公知的结构，在此不再赘述。

上述显示屏，由于采用本实用新型所提供的阵列基板，故而直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

复合衬底，包括底衬底层、以及形成在所述底衬底层上的顶衬底层；

第一走线层，设置于所述底衬底层与所述顶衬底层之间；所述第一走线层包括若干第一走线；

以及驱动结构层，形成于所述复合衬底上；

所述驱动结构层中的引线通过过孔与相对应的所述第一走线电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一走线层与所述底衬底层之间还设有用于保护所述底衬底层的保护层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层的厚度为20nm～40nm。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层为硅的氧化物层、或硅的氮化物层。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一走线层的厚度为200nm～700nm。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述底衬底层的厚度为2μm～3μm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述顶衬底层的厚度为1μm～3μm。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一走线位于所述阵列基板的邦定区。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述底衬底层在邦定区上开设有漏出所述第一走线的邦定孔。

10.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏包括权利要求1～9任一项所述的阵列基板。