CN207269268U - 一种高snr的硅麦克风 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高SNR的硅麦克风，包括：PCB，并列安装在所述PCB上的第一壳体和第二壳体，以及，贴装在所述PCB上且位于所述第一壳体内的MEMS芯片和IC芯片；所述第一壳体内形成有第一腔体，所述MEMS芯片和所述PCB之间形成有芯片腔体，所述第二壳体内形成有第二腔体，所述第二腔体和所述芯片腔体通过所述PCB内部开设的导声通道连通，所述第二壳体上开设有声学孔。本实用新型实施例具有以下优点：1、可以提高硅麦克风的灵敏度和SNR，还可以改善硅麦克风的高频频率响应；2、避免了光噪声对MEMS的不良影响；3、可以提高硅麦克风的环境适应性。

Description

一种高SNR的硅麦克风

技术领域

本实用新型涉及硅麦克风技术领域，具体涉及一种高SNR的硅麦克风。

背景技术

硅麦克风具有尺寸小巧，稳定性强和可回流焊接等特性，在手机、笔记本电脑等领域的应用越来越广泛。

常规的硅麦克风主要由PCB（Printed Circuit Board，印制电路板）、壳体、MEMS（Micro-Electro-Mechanical System，微机电***）芯片和IC（integrated circuit，集成电路）芯片组成。壳体内腔作为前腔，MEMS芯片的内腔作为后腔，前腔远大于后腔。因此，传统的硅麦克风难以实现可接受的较高的SNR（SIGNAL-NOISE RATIO，信噪比）以及灵敏度。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种高SNR的硅麦克风，用于通过改进结构提供高SNR、高灵敏度的硅麦克风。

所采用的技术方案为：

一种高SNR的硅麦克风，包括：PCB，并列安装在所述PCB上的第一壳体和第二壳体，以及，贴装在所述PCB上且位于所述第一壳体内的MEMS芯片和IC芯片；所述第一壳体内形成有第一腔体，所述MEMS芯片和所述PCB之间形成有芯片腔体，所述第二壳体内形成有第二腔体，所述第二腔体和所述芯片腔体通过所述PCB内部开设的导声通道连通，所述第二壳体上开设有声学孔。

其中，所述第二腔体（22）和所述导声通道（24）以及所述芯片腔体（23）构成前腔，所述第一腔体（21）构成后腔。

其中，所述MEMS芯片为高SNR的MEMS芯片。

从以上技术方案可以看出，本实用新型实施例具有以下优点：

1、增加了开设有声学孔的第二壳体，其内部的第二腔体与MEMS芯片的芯片腔体连通，共同作为前腔，而第一壳体内部的第一腔体作为后腔，这样，前腔和后腔具有较为接近的体积，从而，可以提高硅麦克风的灵敏度和SNR，还可以改善硅麦克风的高频频率响应；

2、声学孔开设在第二壳体上，外界的光线不能直接照射到MEMS芯片上，这样避免了光噪声对MEMS的不良影响；

3、水汽等环境因素受到第二壳体的阻挡，难以直接影响MEMS芯片，可以提高硅麦克风的环境适应性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种高SNR的硅麦克风的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

下面通过具体实施例，分别进行详细的说明。

请参考图1，本实用新型提供一种高SNR的硅麦克风。

硅麦克风主要由PCB、壳体、MEMS芯片和IC芯片组成。MEMS芯片（DIE），是硅基芯片，用于实现声电转换；IC芯片具体为ASIC（Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路），与MEMS DIE连接，用于对转换的电信号做放大等处理，然后输出至PCB。PCB上设有焊盘或其它输入输出结构。

如图1所示，本实用新型的高SNR的硅麦克风可以包括：

PCB10，并列安装在所述PCB上的第一壳体11和第二壳体12，以及，贴装在所述PCB10上且位于所述第一壳体11内的MEMS芯片13和IC芯片14。

所述第一壳体11内形成有第一腔体21，所述MEMS芯片13和所述PCB10之间形成有芯片腔体23，所述第二壳体12内形成有第二腔体22，所述第二腔体22和所述芯片腔体23通过所述PCB10内部开设的导声通道24连通，所述第二壳体12上开设有声学孔15。

这样，所述第二腔体22和所述导声通道24以及所述芯片腔体23构成前腔，所述第一腔体21构成后腔。外界声音信号可从声学孔15进入前腔，振动MEMS芯片中的硅薄膜。本实施例中，后腔由第一腔体构成，体积较大，与前腔相当甚至更大，因此，硅薄膜更容易振动，硅麦克风的灵敏度更高，而且，前腔后腔体积相当的设计，使得硅麦克风的SNR更高，还可以改善硅麦克风的高频频率响应。

本实施例中，所述声学孔15可以开设在所述第二壳体12的侧壁上，声学孔15可以有一个或多个。

可选的，所述第二壳体12的侧壁上粘贴有覆盖所述声学孔的防水透声膜16，以提高防水性能，改善硅麦克风的环境适应性。

可选的，为了便于生产组装，所述第一壳体11和所述第二壳体12可以为一体结构，此时，两个壳体共用一个侧壁。可选的，为了提高安全性，第一壳体11和第二壳体12的高度可相同。

可选的，所述MEMS芯片可选用高SNR的MEMS芯片。本实施例的硅麦风产品为底部进声的产品，行业里有高SNR的MEMS die与之搭配。例如ADI公司生产的高SNR的MEMS DIE。

综上所述，本实用新型提供了一种高SNR的硅麦克风，通过采用上述技术方案，本实用新型实施例取得了以下技术效果：

1、增加了开设有声学孔的第二壳体，其内部的第二腔体与MEMS芯片的芯片腔体连通，共同作为前腔，而第一壳体内部的第一腔体作为后腔，这样，前腔和后腔具有较为接近的体积，从而，可以提高硅麦克风的灵敏度和SNR，还可以改善硅麦克风的高频频率响应；

2、声学孔开设在第二壳体上，外界的光线不能直接照射到MEMS芯片上，这样避免了光噪声对MEMS的不良影响；

3、水汽等环境因素受到第二壳体的阻挡，难以直接影响MEMS芯片，可以提高硅麦克风的环境适应性。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

上述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对上述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种高SNR的硅麦克风，其特征在于，包括：

PCB（10），并列安装在所述PCB上的第一壳体（11）和第二壳体（12），以及，贴装在所述PCB（10）上且位于所述第一壳体（11）内的MEMS芯片（13）和IC芯片（14）；

所述第一壳体（11）内形成有第一腔体（21），所述MEMS芯片（13）和所述PCB（10）之间形成有芯片腔体（23），所述第二壳体（12）内形成有第二腔体（22），所述第二腔体（22）和所述芯片腔体（23）通过所述PCB（10）内部开设的导声通道（24）连通，所述第二壳体（12）上开设有声学孔（15）。

2.根据权利要求1所述的高SNR的硅麦克风，其特征在于，

所述第二腔体（22）和所述导声通道（24）以及所述芯片腔体（23）构成前腔，所述第一腔体（21）构成后腔。

3.根据权利要求1所述的高SNR的硅麦克风，其特征在于，

所述声学孔（15）开设在所述第二壳体（12）的侧壁上。

4.根据权利要求1所述的高SNR的硅麦克风，其特征在于，

所述第二壳体（12）的侧壁上粘贴有覆盖所述声学孔（15）的防水透声膜（16）。

5.根据权利要求1所述的高SNR的硅麦克风，其特征在于，

所述第一壳体（11）和所述第二壳体（12）为一体结构。

6.根据权利要求1所述的高SNR的硅麦克风，其特征在于，

所述MEMS芯片为高SNR的MEMS芯片。