CN207057843U - 一种半导体激光焊接装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种半导体激光焊接装置，包括用于放置加工件的焊接台、焊接头和激光发生组件，所述激光发生组件包括主控板、半导体激光发生器，所述主控板与半导体激光发生器电连接，所述半导体激光焊接装置还包括检测装置，所述检测装置检测加工件的焊缝并反馈至主控板，主控板控制激光的发射。由于本实用新型采用半导体激光发生器，因此，从焊接头发出的光为平底光，因此激光的能量分布均匀，焊接的效果更好，特别在零件的边缘处，不会发生虚焊。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光焊接技术领域，尤其是一种半导体激光焊接装置。
背景技术
现有的激光焊接机，通常设有激光发生组件、焊接头组件、焊接台，将待焊接物放置在焊接台上，当进行焊接时，通过移动焊接台或者焊接头来使得激光对待焊接物进行全面的焊接，有的通过机械手的移动来实现焊接。
由于现有的焊接装置都采用光纤激光发生器，由于激光发生器发射的激光为高斯光，因此在焊接过程中，由于高斯光中间能量高边缘能量低，加上零件加工过程中可能由于工艺等原因，以及零件尺寸存在误差，从而导致零件的边缘发虚焊等情况。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体激光焊接装置。其可以将零件的边缘有效焊接，保障了焊接的稳定性。
一种半导体激光焊接装置，包括用于放置加工件的焊接台、焊接头和激光发生组件，所述激光发生组件包括主控板、半导体激光发生器，所述主控板与半导体激光发生器电连接，所述半导体激光焊接装置还包括检测装置，所述检测装置检测加工件的焊缝并反馈至主控板，主控板控制激光的发射。
进一步地，所述激光的波长为650-950um。
进一步地，所述检测装置设置在焊接头外侧且与激光同轴设置。
进一步地，所述激光焊接装置还包括水冷组件，所述水冷组件与所述激光发生组件进行热交换。
采用上述技术方案，具有以下技术效果：
1.由于本实用新型采用半导体激光发生器，因此，从焊接头发出的光为平底光，因此激光的能量分布均匀，焊接的效果更好，特别在零件的边缘处，不会发生虚焊。
2.激光的波长为650-950um，该波段的激光可以更好地被零件吸收，因此具有更好的焊接效果。
3.检测装置设置在焊接头外侧且与激光同轴设置，因此，当出现焊接的位置偏移时，检测装置可以第一时间将信息反馈至主控板，主控板根据情况调整焊接头的位置，因此可以有效防止个体误差引起的虚焊。
4.所述激光焊接装置还包括水冷组件，所述水冷组件与所述激光发生组件进行热交换。采用水冷的方式对激光发生组件进行散热，不但没有噪音，而且具有很好的散热效果。
附图说明
图1是激光焊接机的结构示意图。
激光发生组件1、半导体激光发生器11、主控板12、人机操作界面13、焊接头组件2、焊接台3、检测装置4。
具体实施方式
下面结合本实用新型实施例的附图对本实用新型实施例的技术方案进行解释和说明，但下述实施例仅为本实用新型的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。
如图1所示，一种半导体激光焊接装置，包括用于放置加工件的焊接台3、焊接头2和激光发生组件1，所述激光发生组件包括主控板12、半导体激光发生器11、人机操作界面13，所述主控板与半导体激光发生器电连接，所述半导体激光焊接装置还包括检测装置4，检测装置设置在焊接头外侧且与激光同轴设置，所述检测装置检测加工件的焊缝并反馈至主控板12，主控板控制半导体激光发生器11的激光发射，激光的波长为650-950um。
由于采用半导体激光发生器，因此，从焊接头发出的光为平底光，因此激光的能量分布均匀，焊接的效果更好，特别在零件的边缘处，不会发生虚焊。激光的波长为650-950um，该波段的激光可以更好地被零件吸收，因此具有更好的焊接效果。
由于检测装置设置在焊接头外侧且与激光同轴设置，因此，当出现焊接的位置偏移时，检测装置可以第一时间将信息反馈至主控板，主控板根据情况调整焊接头的位置，因此可以有效防止个体误差引起的虚焊。
所述激光焊接装置还包括水冷组件5，所述水冷组件与所述激光发生组件进行热交换。采用水冷的方式对激光发生组件进行散热，不但没有噪音，而且具有很好的散热效果。
以上所述者，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型的实施范围，即凡依本实用新型所作的均等变化与修饰，皆为本实用新型权利要求范围所涵盖，这里不再一一举例。
Claims (4)
1.一种半导体激光焊接装置，包括用于放置加工件的焊接台、焊接头和激光发生组件，其特征在于：所述激光发生组件包括主控板、半导体激光发生器，所述主控板与半导体激光发生器电连接，所述半导体激光焊接装置还包括检测装置，所述检测装置检测加工件的焊缝并反馈至主控板，主控板控制激光的发射。
2.根据权利要求1所述的半导体激光焊接装置，其特征在于：所述激光的波长为650-950um。
3.根据权利要求1所述的半导体激光焊接装置，其特征在于，所述检测装置设置在焊接头外侧且与激光同轴设置。
4.根据权利要求1所述的半导体激光焊接装置，其特征在于：所述半导体激光焊接装置还包括水冷组件，所述水冷组件与所述激光发生组件进行热交换。
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| CN201720313297.6U CN207057843U (zh) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 一种半导体激光焊接装置 |
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