CN206712764U - 一种低漏电流的多通道开关电路 - Google Patents

Abstract

一种低漏电流的多通道开关电路，其与上位机的信号输出端连接，多通道开关电路包括：第一译码单元、第二译码单元、通道驱动模块、通道隔离模块及公共端驱动隔离模块；公共端驱动隔离模块包括公共端驱动单元、第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元；本实用新型的目的在于提供一种低漏电流的多通道开关电路，能满足于对多通道电池电压、内阻、充放电测试进行切换。本实用新型的第一译码单元输出低电平信号给公共端驱动单元，进而控制第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元中的MOS管处于截止状态，没有电流流过MOS管，没有构成电流回路，所以使得产生的漏电流极低。

Description

一种低漏电流的多通道开关电路

技术领域

本实用新型涉及电池充放电测试领域，特别是涉及低漏电流的多通道开关电路。

背景技术

在电池的生产与检测过程中,往往需要对整批整批的电池进行电压、内阻及充放电进行测试，用以区分电池的品等级。一般情况下大都采用电磁继电器和干簧继电器作为通道切换驱动元件。

电磁继电器做为常用开关驱动元件，主要由线圈、衔芯、弹簧、支点、衔铁、触点等组成，其工作原为：当线圈两端加电压达到额定工作电压时，线圈中流过的电流就会使电磁铁产生足够大的电磁力，克服弹簧的拉力，将衔铁吸向铁芯，于是使动触点与常开触点闭合，接通输出电路。当减小输入电流时，线圈产生的电磁力减小，当降低到一定值时，线圈产生的电磁力不足以克服弹簧的拉力，这时衔铁在弹簧的拉力下返回到原点，与常开触点分离，切断输出电路。由以上可知其控制回路与工作回路完全隔离。电磁继电器虽然可以承受大电流，但其缺点是：1.因为触点的通断是通过电能转化的磁力及回拉弹簧去完成吸合或释放衔铁，所以其响应速度。2.因其控制回路是属于机械运动，主要由回拉弹簧和衔铁吸合触头完成，所以每次的通断都会造成弹簧或触头的物理性损耗，所以其使用寿命相对较短，而且在每次切换时都会造成不必要的燥声。 3.电磁继电器由于其内部构造的原因，导致其封装没有办法做的更小，在使用时，如果切换的通道很多(几十上百个通道)，那么会造成整台设备的体积增加，不管是电路成本还是结构成本，都会相应的增加。

干簧继电器主要由干式舌簧片与励磁线圈组成。当线圈通电后，管中两占簧片的自由端分别被磁化成N极和S极而相互吸引，因而接通被控电路。线圈断电后，干簧片在本身的弹力作用下分开，将线路切断。干式舌簧片(触点)是密封的，由铁镍合金做成，舌片的接触部分通常镀有贵重金属(如金、铑、钯等)，接触良好，具有优良的导电性。干簧继电器想比于电磁继电器：体积小，响应速度快，使用寿命长等。但因其接触阻抗大，可承受负载电流小，所以其并不是最好的选择。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种低漏电流的多通道开关电路。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种低漏电流的多通道开关电路，其与上位机的信号输出端连接，所述多通道开关电路包括：第一译码单元、第二译码单元、通道驱动模块、通道隔离模块及公共端驱动隔离模块；

所述上位机的信号输出端分别与所述第一译码单元、第二译码单元连接；所述第一译码单元的信号输出端与所述第二译码单元的信号输入端连接，所述第二译码单元的信号输出端与所述通道驱动模块的控制端连接，所述通道驱动模块与所述通道隔离模块连接，所述通道隔离模块与多个通道连接；

所述第一译码单元的信号输出端还与所述公共端驱动隔离模块的控制端连接，所述公共端驱动隔离模块的输出端与多个通道连接；

所述公共端驱动隔离模块包括公共端驱动单元、第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元；所述公共端驱动单元的输入端作为所述公共端驱动隔离模块的控制端，输出端分别与所述第一光耦隔离单元、所述第二光耦隔离单元、所述第三光耦隔离单元和所述第四光耦隔离单元连接，所述第一光耦隔离单元、所述第二光耦隔离单元、所述第三光耦隔离单元、所述第四光耦隔离单元的输出端作为所述公共端驱动隔离模块的输出端；所述第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元具有相同的电路连接结构；

所述公共端驱动单元包括第一三极管Q18，所述第一光耦隔离单元包括第一 MOS管Q13、第一电阻R58、第二电阻R55、第三电阻R60、第四电阻R20、第一光耦隔离器U9A及第二光耦隔离器U9B；

所述第一三极管Q18的基极与所述第一译码单元的信号输出端连接，集电极接地，发射极与所述第二光耦隔离器U9B的发光二极管的阴极连接；所述第二光耦隔离器U9B的发光二极管的阳极与所述第一光耦隔离器U9A的发光二极管的阴极连接，所述第一光耦隔离器U9A的发光二极管的阳极经所述第四电阻 R20与+5V的电源连接，所述第一光耦隔离器U9A的集电极与+12V的偏置电源连接，发射极与所述第二电阻R55的一端连接，所述第二电阻R55的另一端与所述第一MOS管Q13的G极连接，所述第一MOS管Q13的S极与所述第二光耦隔离器U9B的集电极连接，D极与通道的信号检测端连接，所述通道的信号检测端还与所述通道隔离模块的输出端连接；所述第二光耦隔离器U9B的发射极接地；

所述第三电阻R60跨接在所述第一光耦隔离器U9A的发射极和所述第二光耦隔离器U9B的集电极之间；所述第一电阻R58的两端分别与所述第一MOS 管Q13的S极和D极连接。

作为进一步优选的方案，所述第一译码单元为4-16的译码器。

作为进一步优选的方案，所述第二译码单元为4-16的译码器。

作为进一步优选的方案，所述通道驱动模块包括第一驱动单元、第二驱动单元、第一达林顿管、第二达林顿管和第三达林顿管；

所述第一驱动单元和所述第二驱动单元的信号输入端分别与所述第二译码单元的信号输出端连接，所述第一驱动单元的输出端分别与所述第一达林顿管和所述第二达林顿管的输入端连接，所述第二驱动单元的输出端分别与所述第二达林顿管和所述第三达林顿管的输入端连接。

作为进一步优选的方案，所述第一驱动单元为三态反相线性驱动器。

作为进一步优选的方案，所述第二驱动单元为三态反相线性驱动器。

作为进一步优选的方案，所述通道隔离模块包括第一通道隔离单元及与所述第一通道隔离单元并联连接的第三通道隔离单元。

作为进一步优选的方案，所述第一通道隔离单元包括四个并联连接的光耦隔离器。

作为进一步优选的方案，所述第三通道隔离单元包括四个并联连接的光耦隔离器。

本实用新型相比于现有技术的优点及有益效果如下：

本实用新型的目的在于提供一种低漏电流的多通道开关电路，能满足于对多通道电池电压、内阻、充放电测试进行切换。本实用新型的第一译码单元输出低电平信号给公共端驱动单元，进而控制第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元中的MOS管处于截止状态，没有电流流过MOS管，没有构成电流回路，所以使得产生的漏电流极低。该多通道开关电路通过设有第一译码单元、第二译码单元、通道驱动模块等可以使得通道切换速度更快、性能更稳定，并且通道之间相互干扰极低，相比于传统的通道切换驱动元件，该多通道开关电路体积大大减小，成本也更低，推广性好。

附图说明

图1为本实用新型的低漏电流的多通道开关电路的原理框图；

图2为本实用新型的第一译码单元的电路原理图；

图3为本实用新型的第二译码单元、通道驱动模块的电路原理图；

图4为本实用新型的第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元的电路原理图；

图5为本实用新型的通道隔离模块的电路原理图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

实施例

请参阅图1，本实用新型提供一种低漏电流的多通道开关电路10，其与上位机的信号输出端连接，所述多通道开关电路包括：第一译码单元100、第二译码单元200、通道驱动模块300、通道隔离模块400及公共端驱动隔离模块500。所述第一译码单元100的信号输出端与所述第二译码单元200的信号输入端连接，所述第二译码单元200的信号输出端与所述通道驱动模块300的控制端连接，所述通道驱动模块300与所述通道隔离模块400连接，所述通道隔离模块 400与多个通道连接。

所述第一译码单元100的信号输出端还与所述公共端驱动隔离模块500的控制端连接，所述公共端驱动隔离模块500的输出端与多个通道连接。所述第一译码单元100为4-16的译码器。所述第二译码单元200为4-16的译码器。所述第一译码单元100和所述第二译码单元200的译码器的型号为 CD74HC154M96。所述第一译码单元100用于层地址译码，所述第二译码单元 200用于通道编号译码。在图2中，所述第一译码单元100中的译码器为U1，在图3中，所述第二译码单元的译码器为200为U6。

所述通道驱动模块300包括第一驱动单元310、第二驱动单元320、第一达林顿管330、第二达林顿管340和第三达林顿管350。所述第一驱动单元310和所述第二驱动单元320的信号输入端分别与所述第二译码单元200的信号输出端连接，所述第一驱动单元310的输出端分别与所述第一达林顿管330和所述第二达林顿管340的输入端连接，所述第二驱动单元320的输出端分别与所述第二达林顿管340和所述第三达林顿管350的输入端连接。所述第一驱动单元310为三态反相线性驱动器。所述第二驱动单元320为三态反相线性驱动器。在图3中，第一驱动单元310中的驱动器为U4，第二驱动单元320中的驱动器为 U7，所述驱动器U4和驱动器U7的型号均为SN74LS240DW。第一达林顿管330 为U5，第二达林顿管340为U8和第三达林顿管350为U11，所述U5，U8， U11的型号均为ULQ2003A。

译码器U1其使能信号为低电平，只有使能脚为低电平时，才会有输出信号，使能脚为高电平时Y0-Y15输出信号全部为高电平。由图2和图3可知，译码器 U1的输出信号(Y0-Y15)控制译码器U6的使能信号(In_5，用于选择开启指定的层)，译码器U6的输出信号(Y0-Y15)控制驱动器U4、驱动器U7(三态反相线性驱动器)的输入信号，驱动器U4、驱动器U7的输出信号控制U5、U8、 U11(达林顿管)的输入信号,而U5、U8、U11的输出信号(ICH_1-ICH_16)用于驱动相应的光耦隔离器，光耦隔离器得电导通，就会驱动相应的通道。

请参阅图1，所述通道隔离模块400包括第一通道隔离单元410及与所述第一通道隔离单元410并联连接的第三通道隔离单元430。所述第一通道隔离单元 410包括四个并联连接的光耦隔离器。所述第三通道隔离单元430包括四个并联连接的光耦隔离器。

所述第一通道隔离单元410包括三极管Q1、电阻R73、电阻R3、光耦U1 (U1A、U1B、U1C、U1D)、电阻R6、电阻R9、电阻R10、MOS管Q4、MOS 管Q7、电阻R1、电阻R8、电阻R5、MOS管Q3、MOS管Q6。所述三极管 Q1的基极经电阻R3与M1_X1端连接，发射极与VCC端连接，集电极与所述光耦U1A的1脚连接，所述光耦U1A的2脚与所述光耦U1B的3脚连接，所述光耦U1B的4脚经所述电阻R10与ICH_端连接，所述光耦U1A的16脚与 OCV_+12V1电源连接，光耦U1A的15脚经电阻R6分别连接MOS管(Q4、 Q7)的G极，所述MOS管Q4的D极与V+端连接，S极与所述MOS管Q7的 S极连接，所述MOS管Q7的D极与TO2_V+端连接；所述电阻R9跨接在光耦U1A的15脚和光耦U1B的14脚之间，所述光耦U1B的13脚还与OCV_GND1 连接。所述电阻R73的两端分别与所述三极管Q1的发射极和集电极连接。

VCC还经电阻R1与光耦U1C的5脚连接，所述光耦U1C的6脚与所述光耦U1D的7脚连接，所述光耦U1D的8脚与所述ICH_端连接；所述光耦U1C 的12脚与所述OCV_+12V2电源连接，光耦U1C的11脚经所述电阻R5分别与所述MOS管(Q3、Q6)的G极连接，所述MOS管Q3的D极与V-端连接，S 极与所述MOS管Q6的S极连接，所述MOS管Q6的D极与TO2_V-端连接；所述电阻R8跨接在所述光耦U1C的11脚和光耦U1D的10脚之间，所述光耦 U1D的9脚与OCV_GND2连接。

所述公共端驱动隔离模块500包括公共端驱动单元550、第一光耦隔离单元 510、第二光耦隔离单元520、第三光耦隔离单元530和第四光耦隔离单元540；所述公共端驱动单元550的输入端作为所述公共端驱动隔离模块500的控制端，所述公共端驱动单元550的输出端分别与所述第一光耦隔离单元510、所述第二光耦隔离单元520、所述第三光耦隔离单元530和所述第四光耦隔离单元540连接，所述第一光耦隔离单元510、所述第二光耦隔离单元520、所述第三光耦隔离单元530和所述第四光耦隔离单元540的输出端作为所述公共端驱动隔离模块500的输出端；所述第一光耦隔离单元510、所述第二光耦隔离单元520、所述第三光耦隔离单元530和所述第四光耦隔离单元540具有相同的电路连接结构。

所述公共端驱动单元550包括第一三极管Q18，所述第一光耦隔离单元510 包括第一MOS管Q13、第一电阻R58、第二电阻R55、第三电阻R60、第四电阻R20、第一光耦隔离器U9A及第二光耦隔离器U9B；

所述第一三极管Q18的基极与所述第一译码单元的信号输出端连接，集电极接地，发射极与所述第二光耦隔离器U9B的发光二极管的阴极连接；所述第二光耦隔离器U9B的发光二极管的阳极与所述第一光耦隔离器U9A的发光二极管的阴极连接，所述第一光耦隔离器U9A的发光二极管的阳极经所述第四电阻 R20与+5V的电源连接，所述第一光耦隔离器U9A的集电极与+12V的偏置电源连接，发射极与所述第二电阻R55的一端连接，所述第二电阻R55的另一端与所述第一MOS管Q13的G极连接，所述第一MOS管Q13的S极与所述第二光耦隔离器U9B的集电极连接，D极与通道的信号检测端连接，所述通道的信号检测端还与所述通道隔离模块的输出端连接；所述第二光耦隔离器U9B的发射极接地；

所述第三电阻R60跨接在所述第一光耦隔离器U9A的发射极和所述第二光耦隔离器U9B的集电极之间；所述第一电阻R58的两端分别与所述第一MOS 管Q13的S极和D极连接。

请参阅图4。由以上分析可知，其整个电路的驱动源取决于译码器U6与译码器U1的输出信号个数，因此可知最大能实现的通道数为：16*16＝256。而图 4就是电路的公共端驱动光耦模块，四个信号检测端(TO2_V+_、TO2_V-_、 TO_I+_、TO_I-_)经过公共MOS管(Q13、14、Q15、Q16)连接到公共总线 I+、I-、V_IMP-、V_IMP+(用于连接测试仪器)，公共端MOS的偏置电源需要与通道信号的偏置电源一一对应(如I-通道它的偏置电源是OCV_+12V4与 OCV_GND4，相应通道里面的I-通道，它的偏置电源也要是OCV_+12V4与 OCV_GND4)，V+_[1..16]、V-_[1-16]、I+_[1-16]、I-_[1-16]用于连接到被测电池的正负极(每个通道四个信号V+、V-、I+、I-)，每个模块定义16个通道，这样就可实现16级的并联，基于同样的实现方式，采用多级译码器做为层信号的驱动源，这样就能实现任意想要的通道，通道总数＝16*总的层数，而控制信号并没有增加。因码译器在正常工作状态下，每次只会输出1个低电平，这样就能保证每一个时序都只会开启一个通道。而图4在整个电路中起到了不可取代的作用，其做为每层的公共端，保证板层在没有选通的情况下，只产生1uA的漏电流。

具体的工作过程：

假设选择第4层第1个通道：首先使能译码器U1(把译码器U1的18、19 引脚拉低)，通过(Signal_4-Signal_1)输入信号选择Y4端输出，Y4输出的低电平驱动第4层的译码器U6的使能端，同时驱动第4层的第一三极管Q18的B 极，而第一三极管Q18做为光耦隔离器U9、光耦隔离器U10的驱动源，当第一三极管Q18导通时5V电源经过电阻R20、电阻R21、光耦隔离器U9、光耦隔离器U10、第一三极管Q18返回到5V的地，当电流经过光耦隔离器U9、光耦隔离器U10时激发内部发光二极管点灯，其侧级感光元件感应到光时导通，当导通——12V的电源在光耦的侧级(15、11脚上)产生近似12V的电源电压，然后分别经过电阻R55、电阻R56、电阻R31、电阻R32连接到相应的MOS管 (Q13、Q14、Q15、Q16)的G极，由MOS管的特性决定G极与D、S极相当于开路，所以没有电流流过MOS管，另一条支路经过电阻R60连接到光耦的 14、10脚并且与MOS管(Q13、Q14、Q15、Q16)的S端相连，然后再经下级光耦返回到12V电源的地，此时MOS的G极、S极之间产生的电位差 Vgs＝12V-2*Vceo，其中，Vceo是光耦导通时产生的管压降，通常只有0.2V，由于G极与D极、S极相当于开路，12V电源在MOS管身上并没有构成电流回路，所以12V电源的电流并不会串到MO S管的S极和D极回路中去。

由图4可知，I+、I-、V_IMP-、V_IMP+做为整个装置的仪表公共输入端，其驱动方式一样，但偏置电源不同(OCV_+12V4、OCV_+12V3、OCV_+12V2、 OCV_+12V1)，这是因为每一条信号回路需要处在不同的驱动源中时，当测试信号通过信号回路时，由于驱动源相互之间不构成电流回路，所以没有驱动源电流流过信号回路，既保证了测试信号的完整性，又解决了MOS驱动所需的条件。又因MOS管的漏电流小，所以，没有选通的板层由于有公共端MOS的反向截止作用，其产生的漏电流为1uA。然后通过(In_1-In_4)输入信号选择译码器 U6的Y0输出低电平，译码器U6的Y0信号被驱动器U4反相并在1Y1端变成高电平(其余信号Y1-Y15被反相后都为低电平)，其1Y1引脚上的高电平被加载到U5(达林顿管)的IN1，当U5的IN1为高电平时，其OUT1(ICH_1)输出为低电平(GND)，由图5可知，当ICH_1为低电平时，5V电源经过电阻R73、光耦U1(U1A、U1B、U1C、U1D)、光耦U3、R10、R1、R12、R17、U5的 OUT1返回到5V的地，当电流经过光耦U1、光耦U3时激发内部发光二极管点灯,其侧级感光元件感应到光时导通，当导通时，12V的电源在光耦的侧级(15、 11脚上)产生近似12V的电源电压，然后经过电阻R6、电阻R5、电阻R13、电阻R14连接到MOS管(Q4、Q7、Q3、Q6、Q9、Q11、Q10、Q12)的G极，另一条支路经过电阻R9、电阻R8、电阻R15、电阻R16连接到光耦的14、10 脚并且与MOS管(Q4、Q7、Q3、Q6、Q9、Q11、Q10、Q12)的S端相连，然后再经下级光耦返回到12V电源的(接地端)，其工作原理及状态与公共端一样，不同之处在于每条支路上增加一个反向MOS管，其作用是在没有开通的状态下，保证其信号回路都处于截止状态，并且每个通道回路只产生1uA的漏电流。

板层在没有选中的状态下，其板上的16个通道，每个通道产生1uA的漏电流，然后全部经过板上的公共端MOS，这样16uA的漏电流被削减到1uA进入到公共端。当板层被开启一个通道时，其板上的另外15个没有开启的通道所产生的漏电流(1*15uA)，因公共端被打开，所以漏电流会全部进入到公共端。由以上分析可知产生的漏电流最大为：(板层通道数-1+板层总数-1)*1uA。以 16*16＝256通道为例(16层每层16个通道)：当没有选中通道时：每层板只漏 1uA的电流，这时对整个公共端产生的漏电流为16uA。当开启一个通道时，其它没有开启的层板所产生的漏电流为:(16-1)*1uA＝15uA(开启了1层其余15 层没有打开)，

而开启的板层上由通道所产生的漏电流为：(16-1)*1uA＝15uA(因公共端被打开，没开启的15个通道所生的漏电流直接进入到公共端)，所以256通道的装置，在每开启一个通道时，其它通道对它产生的漏电流影响为 15uA+15uA＝30uA。

当没有通道被选中时，译码器U1输出全部为高电平，那么所有板层的译码器U6使能端全部禁能，译码器U6此时输出全部为高电平，经过驱动器U4、驱动器U7的反向驱动，U5、U8、U11的输入端全部为低电平，此时ICH_1-16回路没有被打开保持原来的高电平，这样驱动光耦上没有电流流过，内部发光二极管熄灭状态，其侧级感光元件截止，12V电源不导通，此时MOS的VGS＝0V，所有MOS处于截止状态，测试回路被切断，此时产生的漏电流：16*1uA＝16uA。

请再次参阅图1，所述通道隔离模块400还包括第二通道隔离单元420，所述第二通道隔离单元420与所述第一通道隔离单元410并联连接，所述第二通道隔离单元420包括两个并联连接的光耦隔离器。

请参阅图5。所述第二通道隔离单元420包括电阻R2、光耦U2(U2A、U2B)，电阻R4、电阻R7、MOS管Q2和MOS管Q5、三极管Q8、电阻R11、电阻R68。所述光耦U2A的1脚经所述电阻R2与VCC端连接，所述光耦U2A的2脚与所述光耦U2B的3脚连接，光耦U2B的4脚与所述三极管Q8的集电极连接，所述三极管Q8的基极经所述电阻R11与M1_X1端连接，所述R68跨接在三极管Q8的基极和发射极之间。所述光耦U2A的16脚连接OCV_12V1电源，所述光耦U2A的15脚经所述电阻R4分别连接MOS管(Q2、Q5)的G极，所述MOS管Q2的D极与Shell端连接，S极与所述MOS管Q5的S极连接，所述MOS管Q5的D极连接TO2_V+端。所述电阻R7跨接在所述光耦U2A的15 脚和光耦U2B的14脚之间，所述光耦U2B的13脚连接OCV_GND1。

扩展功能：由图5可知，增加一组驱动回路Shell+(光耦U2、MOS管Q2、 MOS管Q5)在其控制回路上增加一个三极管Q8，三极管Q8的E极连接到控制信号ICH_，B极通过一个电阻R11连接到驱动信号M1_X1上，并在V+驱动回路上增加一个三极管Q1，三极管Q1的E极连接到5V，C极连接到光耦U1 的1脚，B极通过一个电阻R3并连到M1_X1上，因Q8为NPN三极管，Q1 为PNP三极管，两个管子的驱动信号刚好相反，这样就能通过一个信号端，在电池电压信号回路与电池壳压信号回路之间切换，在不需要时，可以选择不安装器件，用以节约成本。

以上所述实施方式仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种低漏电流的多通道开关电路，其与上位机的信号输出端连接，其特征在于，所述多通道开关电路包括：第一译码单元、第二译码单元、通道驱动模块、通道隔离模块及公共端驱动隔离模块；

所述上位机的信号输出端分别与所述第一译码单元、第二译码单元连接；所述第一译码单元的信号输出端与所述第二译码单元的信号输入端连接，所述第二译码单元的信号输出端与所述通道驱动模块的控制端连接，所述通道驱动模块与所述通道隔离模块连接，所述通道隔离模块与多个通道连接；

所述第一译码单元的信号输出端还与所述公共端驱动隔离模块的控制端连接，所述公共端驱动隔离模块的输出端与多个通道连接；

所述公共端驱动隔离模块包括公共端驱动单元、第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元；所述公共端驱动单元的输入端作为所述公共端驱动隔离模块的控制端，输出端分别与所述第一光耦隔离单元、所述第二光耦隔离单元、所述第三光耦隔离单元和所述第四光耦隔离单元连接，所述第一光耦隔离单元、所述第二光耦隔离单元、所述第三光耦隔离单元、所述第四光耦隔离单元的输出端作为所述公共端驱动隔离模块的输出端；所述第一光耦隔离单元、第二光耦隔离单元、第三光耦隔离单元和第四光耦隔离单元具有相同的电路连接结构；

所述公共端驱动单元包括第一三极管(Q18)，所述第一光耦隔离单元包括第一MOS管(Q13)、第一电阻(R58)、第二电阻(R55)、第三电阻(R60)、第四电阻(R20)、第一光耦隔离器(U9A)及第二光耦隔离器(U9B)；

所述第一三极管(Q18)的基极与所述第一译码单元的信号输出端连接，集电极接地，发射极与所述第二光耦隔离器(U9B)的发光二极管的阴极连接；所述第二光耦隔离器(U9B)的发光二极管的阳极与所述第一光耦隔离器(U9A)的发光二极管的阴极连接，所述第一光耦隔离器(U9A)的发光二极管的阳极经所述第四电阻(R20)与+5V的电源连接，所述第一光耦隔离器(U9A)的集电极与+12V的偏置电源连接，发射极与所述第二电阻(R55)的一端连接，所述第二电阻(R55)的另一端与所述第一MOS管(Q13)的G极连接，所述第一MOS管(Q13)的S极与所述第二光耦隔离器(U9B)的集电极连接，D极与通道的信号检测端连接，所述通道的信号检测端还与所述通道隔离模块的输出端连接；所述第二光耦隔离器(U9B)的发射极接地；

所述第三电阻(R60)跨接在所述第一光耦隔离器(U9A)的发射极和所述第二光耦隔离器(U9B)的集电极之间；所述第一电阻(R58)的两端分别与所述第一MOS管(Q13)的S极和D极连接。

2.根据权利要求1所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述第一译码单元为4-16的译码器。

3.根据权利要求1所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述第二译码单元为4-16的译码器。

4.根据权利要求1所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述通道驱动模块包括第一驱动单元、第二驱动单元、第一达林顿管、第二达林顿管和第三达林顿管；

所述第一驱动单元和所述第二驱动单元的信号输入端分别与所述第二译码单元的信号输出端连接，所述第一驱动单元的输出端分别与所述第一达林顿管和所述第二达林顿管的输入端连接，所述第二驱动单元的输出端分别与所述第二达林顿管和所述第三达林顿管的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述第一驱动单元为三态反相线性驱动器。

6.根据权利要求4所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述第二驱动单元为三态反相线性驱动器。

7.根据权利要求1所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述通道隔离模块包括第一通道隔离单元及与所述第一通道隔离单元并联连接的第三通道隔离单元。

8.根据权利要求7所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述第一通道隔离单元包括四个并联连接的光耦隔离器。

9.根据权利要求7所述的低漏电流的多通道开关电路，其特征在于，所述第三通道隔离单元包括四个并联连接的光耦隔离器。