CN106019040A - 一种光耦电气性能检测装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 86
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 20
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 11
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 206010034133 Pathogen resistance Diseases 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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Abstract
本发明实施例提供了一种光耦电气性能检测装置,属于自动化检测技术领域。该光耦电气性能检测装置包括主控模块、触发模块、显示模块和光耦测试模块,所述触发模块、显示模块和光耦测试模块连接于所述主控模块。其中,所述触发模块用于在外部操作的作用下产生触发信号并发送给所述主控模块;所述主控模块用于根据接收到的所述触发信号控制所述光耦测试模块进行测试;所述光耦测试模块用于检测被测光耦的电气性能参数,并将检测到的电气性能参数发送给所述显示模块进行显示。本发明能够实现对光耦的自动化测试,以及有效提高测试的准确性和效率。
Description
技术领域
本发明涉及自动化检测技术领域,具体而言,涉及一种光耦电气性能检测装置。
背景技术
光耦是以光为媒介来传输电信号的器件,广泛应用于数字电路中,光耦主要分为发光器和受光器。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接收光线之后则产生光电流,并从接收端流出,从而实现“电-光-电”的转换。目前对于光耦电气性能的检测至关重要。
在现有技术的实施过程中,至少面临以下问题:光耦的电气性能指标只能逐个手动检测,不能一次性将所有电气性能指标检测完成;在逐个检测时,需要人为手动去调节输入电压以达到检测条件,存在着人为误差;一个光耦在完成一套电气性能指标的检测需要耗费的时长在五分钟以上,效率低。
发明内容
本发明提供了一种光耦电气性能检测装置,旨在实现对光耦的自动化测试,以及有效提高测试的准确性和效率。
本发明实施例提供的一种光耦电气性能检测装置,包括主控模块、触发模块、显示模块和光耦测试模块,所述触发模块、显示模块和光耦测试模块连接于所述主控模块;
其中,所述触发模块用于在外部操作的作用下产生触发信号并发送给所述主控模块;
所述主控模块用于根据接收到的所述触发信号控制所述光耦测试模块进行测试;
所述光耦测试模块用于检测被测光耦的电气性能参数,并将检测到的电气性能参数发送给所述显示模块进行显示;其中,所述光耦测试模块包括电压正向输出电路、反向漏电流输出电路、接收电流采样电路和恒流源电路,所述电压正向输出电路、反向漏电流输出电路、接收电流采样电路和恒流源电路分别连接于所述主控模块和被测光耦;所述电气性能参数包括所述被测光耦的正向压降、饱和压降、反向电流、接收电流和反向击穿电压。
优选地,所述电压正向输出电路包括场效应管(Q1)和场效应管(Q22),所述场效应管(Q1)通过三极管(T1)与所述主控模块连接,使得所述主控模块通过控制该三极管(T1)的导通或截止来驱动场效应管(Q1)导通或截止;所述三极管(T1)的集电极通过电阻(R11)与电压源(VCC)连接、基极通过电阻(R12)连接于所述主控模块、发射极接地;所述场效应管(Q1)的栅极连接于所述三极管(T1)的集电极、源极连接于所述电压源(VCC)、漏极连接于所述被测光耦的第一发送端(OP1);所述场效应管(Q22)通过三极管(T21)与所述主控模块连接,使得所述主控模块通过控制该三极管(T21)的导通或截止来驱动场效应管(Q22)导通或截止;所述场效应管(Q22)的栅极连接于所述三极管(T21)的集电极、源极连接于所述被测光耦的第二发送端(OP2)、漏极通过串联连接的电阻(R25)和电阻(R26)接地;所述三极管(T21)的集电极通过电阻(R23)连接于所述电压源(VCC)、基极通过电阻(R24)连接于所述主控模块、发射极接地。
优选地,所述反向漏电流输出电路包括场效应管(Q2)和场效应管(Q11);所述场效应管(Q2)通过三极管(T2)与所述主控模块连接,使得所述主控模块通过控制该三极管(T2)的导通或截止来驱动场效应管(Q2)导通或截止;所述三极管(T2)的基极通过电阻(R21)连接于所述主控模块、集电极通过电阻(R22)连接于所述电压源(VCC)、发射极接地;所述场效应管(Q2)的栅极连接于所述三极管(T2)的集电极、源极连接于所述电压源(VCC)、漏极连接于所述被测光耦的第二发送端(OP2);所述场效应管(Q11)的栅极连接于所述主控模块、漏极连接于所述被测光耦的第一发送端(OP1)、源极通过串联连接的电阻(R13)和电阻(R14)接地。
优选地,所述接收电流采样电路包括电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34),所述电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34)依次并联,所述电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34)的一端分别连接于所述被测光耦的第一接收端(OP3)、另一端接地;所述主控模块通过所述并联连接的电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34)与所述被测光耦的第一接收端(OP3)连接,以对所述被测光耦的接收端电流进行采样。
优选地,所述恒流源电路包括三极管(T0)、稳压二极管(CT0)、场效应管(Q01)和场效应管(Q02);所述三极管(T0)的基极通过电阻(R01)连接于所述电压源(VCC)、集电极连接于所述被测光耦的第二发送端(OP2)、发射极连接于所述稳压二极管(CT0);所述场效应管(Q01)的栅极连接于所述主控模块、源极接地、漏极通过串联的电阻(R02)和电阻(R03)连接于所述三极管(T0)的发射极;所述场效应管(Q02)的栅极连接于所述主控模块、源极接地、漏极通过电阻(R04)连接于所述三极管(T0)的发射极;所述主控模块通过该恒流源电路输出一电流至所述被测光耦的第二发送端(OP2)作为发送端电流,并根据所述接收端电流和发送端电流的比值得到所述电流传输比。
优选地,所述电压源(VCC)为锂电池、开关电源或线性电源。
优选地,所述主控模块还连接有电流切换模块,所述电流切换模块用于根据所述主控模块发送的指令调整所述恒流源电路输出的电流大小。
优选地,所述电流切换模块包括数字电位器和切换控制器,所述主控模块连接于所述数字电位器,所述数字电位器连接于所述切换控制器,所述切换控制器用于调节所述数字电位器的电阻值,从而调节所述恒流源电路输出的电流大小。
优选地,所述切换控制器包括继电器隔离切换器、光耦隔离切换器和三极管隔离切换器,所述继电器隔离切换器、光耦隔离切换器和三极管隔离切换器连接于所述数字电位器。
本发明实施例提供的一种光耦电气性能检测装置,将触发模块、显示模块和光耦测试模块连接于主控模块,使得主控模块根据触发模块产生的触发信号控制光耦测试模块进行自动化测试,光耦测试模块将检测到的电气性能参数发送给显示模块进行显示,如此能够实现对光耦的自动化测试,以及有效提高测试的准确性和效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应该看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本发明实施方式提供的一种光耦电气性能检测装置的结构框图。
图2是本发明实施方式提供的一种光耦电气性能检测装置的电路示意图。
图中标记分别为:
光耦电气性能检测装置100,被测光耦200;
主控模块101,光耦测试模块102,触发模块103,显示模块104,电流切换模块105;
电压正向输出电路201,反向漏电流输出电路202,接收电流采样电路203,恒流源电路204。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本发明实施例提供了一种光耦电气性能检测装置100。如图1所示,所述光耦电气性能检测装置100可以包括主控模块101、光耦测试模块102、触发模块103和显示模块104。所述光耦测试模块102、触发模块103和显示模块104连接于所述主控模块101。
其中,所述触发模块103用于在外部操作的作用下产生触发信号,并发送给所述主控模块101。所述主控模块101用于接收所述触发信号,并根据所述触发信号控制所述光耦测试模块102进行测试。可选地,所述触发模块103包括机械按键,当所述机械按键被按下时向所述主控模块101发送触发信号,触发所述主控模块101启动所述光耦测试模块102对被测光耦200进行自动化测试。
所述光耦测试模块102用于在所述触发信号的作用下检测所述被测光耦200的电气性能参数,并将检测到的电气性能参数发送给所述主控模块101,所述主控模块101控制所述显示模块104显示所述电气性能参数。
本实施例中,所述光耦测试模块102包括电压正向输出电路201、反向漏电流输出电路202、接收电流采样电路203和恒流源电路204。所述电压正向输出电路201、反向漏电流输出电路202、接收电流采样电路203和恒流源电路204分别连接于所述主控模块101和被测光耦200。所述电压正向输出电路201、反向漏电流输出电路202、接收电流采样电路203和恒流源电路204能够检测到所述被测光耦200的各种不同电气性能参数。所述电气性能参数主要包括所述被测光耦200的正向压降、饱和压降、反向电流、电流传输比和反向击穿电压。
如图2所示,所述电压正向输出电路201用于检测所述被测光耦200的正向压降,其可以包括场效应管Q1和场效应管Q22。所述场效应管Q1通过三极管T1与所述主控模块101连接,使得所述主控模块101可通过控制该三极管T1的导通或截止来驱动场效应管Q1导通或截止。具体地,所述场效应管Q1的栅极与三极管T1的集电极连接、源极连接电压源VCC、漏极连接于所述被测光耦200的第一发送端OP1。本实施例中,所述三极管T1可以是NPN型三极管,所述电压源VCC为锂电池或开关电源。所述三极管T1的集电极通过电阻R11连接电压源VCC、基极通过电阻R12连接于所述主控模块101、发射极接地。所述主控模块101通过电阻R12向所述三极管T1发送控制信号,所述三极管T1在所述控制信号的作用下导通或截止,然后通过该三极管T1发送相应的控制信号给所述场效应管Q1,以驱动该场效应管Q1导通或截止。其它实施例中,所述三极管T1也可以省略,使用所述主控模块101直接驱动该场效应管Q1。本实施例中,在主控模块101和场效应管Q1之间使用三极管T1,通过三极管T1和场效应管Q1的组合,可避免该场效应管Q1在主控模块101的直接驱动下出现主控模块101的输出电压在3V左右时该场效应管Q1状态不稳定的情况。电压源VCC为电池、开关电源或线性电源。
所述场效应管Q22通过三极管T21与所述主控模块101连接,使得所述主控模块101可通过控制该三极管T21的导通或截止来驱动场效应管Q22导通或截止。具体地,所述场效应管Q22的栅极连接于所述三极管T21的集电极、源极连接于所述被测光耦200的第二发送端OP2、漏极通过串联连接的电阻R25和电阻R26接地。所述三极管T21的集电极通过电阻R23连接于所述电压源VCC、基极通过电阻R24连接于所述主控模块101、发射极接地。所述主控模块101通过电阻R24向所述三极管T21发送控制信号,以控制所述三极管T21导通或截止,然后通过三极管T21发送控制信号给所述场效应管Q22,以控制该场效应管Q22导通或截止。其它实施例中,所述三极管T21也可以省略,使用所述主控模块101直接驱动该场效应管Q22。本实施例中,在主控模块101和场效应管Q22之间使用三极管T21,通过三极管T21和场效应管Q22的组合,可避免该场效应管Q22在主控模块101的直接驱动下出现主控模块101的输出电压在3V左右时场效应管Q22状态不稳定的情况。所述主控模块101能够获取所述电阻R25和电阻R26之间的电压信号。下面详细阐述通过所述正向电压输出电路201测试所述被测光耦200的正向压降的测试原理。
首先,所述正向压降为所述被测光耦200的第一发送端OP1和第二发送端OP2之间的压降。测试该正向压降时,所述主控模块101分别发送控制信号给所述三极管T1和三极管T21分别驱动所述场效应管Q1和场效应管Q22导通,使得所述电压源VCC的电压信号通过所述场效应管Q1传送至所述被测光耦200的第一发送端OP1,并通过所述被测光耦200的第二发送端OP2输出,然后通过场效应管Q22传输至电阻R25和R26进行分压,最后由所述主控模块101测得分压信号的方式来测量所述正向压降。其中,所述电阻R25和R26为采样电阻。本实施例中,在测试所述正向压降时,所述主控模块101发送给三极管T1和三极管T21的控制信号可以是高电平也可以是低电平,具体根据三极管T1以及三极管T21的类型决定。本实施例中,所述第一发送端OP1是指被测光耦200的发光二极管的阳极接线端口,所述第二发送端OP2是指该发光二极管的阴极接线端口。
进一步参阅图2,所述反向漏电流输出电路202包括场效应管Q2和场效应管Q11。其中,所述场效应管Q2通过三极管T2与所述主控模块101连接,使得所述主控模块101可通过控制该三极管T2的导通或截止来驱动场效应管Q2导通或截止。所述场效应管Q2的栅极连接于所述三极管T2的集电极、源极连接于所述电压源VCC、漏极连接于所述被测光耦200的第二发送端OP2。所述三极管T2的基极通过电阻R21连接于所述主控模块101、集电极通过电阻R22连接于所述电压源VCC、发射极接地。所述主控模块101通过电阻R21向所述三极管T2发送控制信号,以控制三极管T2导通或截止,然后通过该三极管T2发送控制信号,以控制所述场效应管Q2导通或截止。其它实施例中,所述三极管T2也可以省略,使用所述主控模块101直接驱动该场效应管Q2。本实施例中,在主控模块101和场效应管Q2之间使用三极管T2,通过三极管T2和场效应管Q2的组合,可避免该场效应管Q2在主控模块101的直接驱动下出现主控模块101的输出电压在3V左右时场效应管Q2状态不稳定的情况。所述场效应管Q11的栅极连接于所述主控模块101、漏极连接于所述被测光耦200的第一发送端OP1、源极通过串联的电阻R13和电阻R14接地。所述主控模块101可以向所述场效应管Q11发送控制信号,以控制所述场效应管Q11导通或截止。所述主控模块101还连接于所述电阻R13和电阻R14之间,使得所述主控模块101能够获取所述电阻R13和电阻R14之间的分压信号。下面详细阐述所述被测光耦200的反向电流的测试原理。
所述反向电流为所述被测光耦200的第二发送端OP2流向第一发送端OP1的电流。测试该反向电流时,所述主控模块101发送控制信号给所述三极管T2,通过该三极管T2驱动所述场效应管Q2导通并同时驱动场效应管Q11导通,使得所述电压源VCC的电压信号通过所述场效应管Q2传送至所述被测光耦200的第二发送端OP2。同时,主控模块101控制所述恒流源电路204也供给相应的电流到该第二发送端OP2,并通过所述第一发送端OP1后依次通过所述场效应管Q11、电阻R13和电阻R14。最后,由连接在所述电阻R13和电阻R14之间的所述主控模块101测得所述反向电流。其中,所述电阻R13和R14为采样电阻。本实施例中,在测试所述反向电流时,所述主控模块101发送给三极管T2的控制信号可以是高电平也可以是低电平,具体根据三极管T2的类型决定。
本实施例中,在测试所述正向压降时,除所述场效应管Q1和场效应管Q22导通之外,其它场效应管均处于截止状态。在测试所述反向电流时,除所述场效应管Q2和场效应管Q11导通之外,其它场效应管均处于截止状态。
所述电流传输比,是指所述被测光耦200的接收端电流与发送端电流之比。测试该电流传输比时,首先,所述主控模块101控制所述恒流源电路204输出一电流(发送端电流),所述电流从所述被测光耦200的第一发送端OP1流向第二发送端OP2。然后,所述主控模块101发送控制信号给所述三极管T2,并通过该三极管T2驱动所述场效应管Q2导通,并同时驱动场效应管Q11导通。所述被测光耦200的第二接收端OP4连接于电压源VCC,所述被测光耦200的接收端光敏半导体管将电压源VCC输出的电信号通过所述第一接收端OP3后经由所述接收电流采样电路203传输给主控模块101,得到接收端电流。根据接收端电流与发送端电流的比值即可得到所述电流传输比。
进一步地,所述接收电流采样电路203可以包括电阻R31、电阻R32、电阻R33和电阻R34。所述电阻R31、电阻R32、电阻R33和电阻R34依次并联连接。所述电阻R31、电阻R32、电阻R33和电阻R34并联后的一端分别连接于所述被测光耦200的第一接收端OP1和所述主控模块101、另一端接地。其中,所述电阻R31、电阻R32、电阻R33和电阻R34也可以用单个大功率的电阻替代。所述被测光耦200的第一接收端OP3连接于所述并联连接的电阻R31、电阻R32、电阻R33和电阻R34,第二接收端OP4连接于所述电压源VCC。本实施例中,所述第一接收端OP3是指所述被测光耦200的接收端光敏半导体管的发射极接线端口,所述第二接收端OP4是指所述被测光耦200的接收端光敏半导体管的集电极接线端口。
请再参阅图2,所述恒流源电路204包括三极管T0、稳压二极管CT0、场效应管Q01和场效应管Q02。其中,所述三极管T0的基极通过电阻R01连接于所述电压源VCC、集电极连接于所述被测光耦200的第二发送端OP2、发射极连接于所述稳压二极管CT0。所述三极管T0在所述第二发送端OP2输出电压的作用下导通或截止。所述场效应管Q01的栅极连接于所述主控模块101、源极接地、漏极通过串联连接的电阻R02和电阻R03连接于所述三极管T0的发射极。所述场效应管Q02的栅极连接于所述主控模块101、源极接地、漏极通过电阻R04连接于所述三极管T0的发射极。本实施例中,所述电阻R02、电阻R03和电阻R04的电阻值根据所述恒流源输出的电流大小来确定。可选地,所述电阻R02、电阻R03和电阻R04可用数字电位器来替换。所述主控模块101分别向所述场效应管Q01和所述场效应管Q02发送控制信号,选择性导通所述场效应管Q01、Q02的其中之一,进而控制所述恒流源电路204可输出两种不同的输出电流。例如,所述不同的输出电流可以是10mA或5mA或其他。
本实施例中,所述主控模块101可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力,例如微型控制单元(Micro Control Unit,MCU)、单片机等。所述电压正向输出电路201、反向漏电流输出电路202、接收电流采样电路203、恒流源电路204与该主控模块101相连接的各个元件分别连接到该主控模块101的不同控制端口(port)上。
进一步参阅图1,所述主控模块101还可以连接电流切换模块105。所述电流切换模块105用于根据所述主控模块101发送的指令调整所述恒流源电路204的输出电流,例如在所述10mA和5mA之间切换。
可选地,所述电流切换模块105包括数字电位器和切换控制器。所述切换控制器通过数控方式调节所述数字电位器的电阻值。所述数字电位器具有使用灵活、调节精度高、无触点、低噪声、不易污损、抗振动、抗干扰、体积小和寿命长等特点。其中,所述切换控制器可以包括继电器隔离切换器、光耦隔离切换器和三极管隔离切换器。所述继电器隔离切换器、光耦隔离切换器和三极管隔离切换器连接于所述数字电位器。所述切换控制器通过所述继电器隔离切换器、光耦隔离切换器和三极管隔离切换器与所述数字电位器实现切换隔离。
进一步地,所述显示模块104可以是液晶显示器、触控显示器、数码管或其它任意可以用于显示所述被测光耦200的电气性能参数的显示设备。
本发明实施例提供的一种光耦电气性能检测装置100,将触发模103块、显示模块104和光耦测试模块102连接于主控模块101,使得主控模块101根据触发模块103产生的触发信号控制光耦测试模块102进行自动化测试,光耦测试模块102将检测到的电气性能参数发送给显示模块104进行显示,如此能够实现对光耦的自动化测试,以及有效提高测试的准确性和效率。
在上述电路的基础上,本实施例中还连接有部分辅助元器件和连线,用于保证电路的正常运行,这些辅助元器件和连线的使用属于行业通用的电路应用习惯,在此不再赘述。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述光耦电气性能检测装置包括主控模块、触发模块、显示模块和光耦测试模块,所述触发模块、显示模块和光耦测试模块连接于所述主控模块;
其中,所述触发模块用于在外部操作的作用下产生触发信号并发送给所述主控模块;
所述主控模块用于根据接收到的所述触发信号控制所述光耦测试模块进行测试;
所述光耦测试模块用于检测被测光耦的电气性能参数,并将检测到的电气性能参数发送给所述显示模块进行显示;其中,所述光耦测试模块包括电压正向输出电路、反向漏电流输出电路、接收电流采样电路和恒流源电路,所述电压正向输出电路、反向漏电流输出电路、接收电流采样电路和恒流源电路分别连接于所述主控模块和被测光耦;所述电气性能参数包括所述被测光耦的正向压降、饱和压降、反向电流、电流传输比和反向击穿电压。
2.根据权利要求1所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述电压正向输出电路包括场效应管(Q1)和场效应管(Q22),所述场效应管(Q1)通过三极管(T1)与所述主控模块连接,使得所述主控模块通过控制该三极管(T1)的导通或截止来驱动场效应管(Q1)导通或截止;所述三极管(T1)的集电极通过电阻(R11)与电压源(VCC)连接、基极通过电阻(R12)连接于所述主控模块、发射极接地;所述场效应管(Q1)的栅极连接于所述三极管(T1)的集电极、源极连接于所述电压源(VCC)、漏极连接于所述被测光耦的第一发送端(OP1);所述场效应管(Q22)通过三极管(T21)与所述主控模块连接,使得所述主控模块通过控制该三极管(T21)的导通或截止来驱动场效应管(Q22)导通或截止;所述场效应管(Q22)的栅极连接于所述三极管(T21)的集电极、源极连接于所述被测光耦的第二发送端(OP2)、漏极通过串联连接的电阻(R25)和电阻(R26)接地;所述三极管(T21)的集电极通过电阻(R23)连接于所述电压源(VCC)、基极通过电阻(R24)连接于所述主控模块、发射极接地。
3.根据权利要求2所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述反向漏电流输出电路包括场效应管(Q2)和场效应管(Q11);所述场效应管(Q2)通过三极管(T2)与所述主控模块连接,使得所述主控模块通过控制该三极管(T2)的导通或截止来驱动场效应管(Q2)导通或截止;所述三极管(T2)的基极通过电阻(R21)连接于所述主控模块、集电极通过电阻(R22)连接于所述电压源(VCC)、发射极接地;所述场效应管(Q2)的栅极连接于所述三极管(T2)的集电极、源极连接于所述电压源(VCC)、漏极连接于所述被测光耦的第二发送端(OP2);所述场效应管(Q11)的栅极连接于所述主控模块、漏极连接于所述被测光耦的第一发送端(OP1)、源极通过串联连接的电阻(R13)和电阻(R14)接地。
4.根据权利要求3所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述接收电流采样电路包括电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34),所述电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34)依次并联,所述电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34)的一端分别连接于所述被测光耦的第一接收端(OP3)、另一端接地;所述主控模块通过所述并联连接的电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R33)和电阻(R34)与所述被测光耦的第一接收端(OP3)连接,以对所述被测光耦的接收端电流进行采样。
5.根据权利要求4所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述恒流源电路包括三极管(T0)、稳压二极管(CT0)、场效应管(Q01)和场效应管(Q02);所述三极管(T0)的基极通过电阻(R01)连接于所述电压源(VCC)、集电极连接于所述被测光耦的第二发送端(OP2)、发射极连接于所述稳压二极管(CT0);所述场效应管(Q01)的栅极连接于所述主控模块、源极接地、漏极通过串联连接的电阻(R02)和电阻(R03)连接于所述三极管(T0)的发射极;所述场效应管(Q02)的栅极连接于所述主控模块、源极接地、漏极通过电阻(R04)连接于所述三极管(T0)的发射极;所述主控模块通过该恒流源电路输出一电流至所述被测光耦的第二发送端(OP2)作为发送端电流,并根据所述接收端电流和发送端电流的比值得到所述电流传输比。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述电压源(VCC)为锂电池、开关电源或线性电源。
7.根据权利要求5所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述主控模块还连接有电流切换模块,所述电流切换模块用于根据所述主控模块发送的指令调整所述恒流源电路输出的电流大小。
8.根据权利要求7所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述电流切换模块包括数字电位器和切换控制器,所述主控模块连接于所述数字电位器,所述数字电位器连接于所述切换控制器,所述切换控制器用于调节所述数字电位器的电阻值,从而调节所述恒流源电路输出的电流大小。
9.根据权利要求8所述的光耦电气性能检测装置,其特征在于,所述切换控制器包括继电器隔离切换器、光耦隔离切换器和三极管隔离切换器,所述继电器隔离切换器、光耦隔离切换器和三极管隔离切换器连接于所述数字电位器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610658781.2A CN106019040B (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种光耦电气性能检测装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
CN201610658781.2A CN106019040B (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种光耦电气性能检测装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106019040A true CN106019040A (zh) | 2016-10-12 |
CN106019040B CN106019040B (zh) | 2019-05-07 |
Family
ID=57134791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610658781.2A Active CN106019040B (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种光耦电气性能检测装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106019040B (zh) |
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