CN206486584U - 一种线状蒸发源及真空蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种线状蒸发源及真空蒸镀装置，线状蒸发源包括：坩埚，包括坩埚容体和坩埚盖；坩埚容体包括第一容体和第二容体，第二容***于第一容体内部；第二容体的厚度大于或等于1mm，小于或等于3mm；坩埚盖和坩埚容体之间设置有垫片，坩埚盖压合垫片于坩埚容体上。通过本实用新型的技术方案，提高了线状蒸发源密封性的同时，提高了线状蒸发源的耐腐蚀性，进而提高了线状蒸发源进行真空蒸镀时蒸镀速率的稳定性。

Description

一种线状蒸发源及真空蒸镀装置

技术领域

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种线状蒸发源及真空蒸镀装置。

背景技术

构成有机电致发光器件的各膜层一般通过蒸镀形成，而线状蒸发源由于其成膜均匀的特性被广泛应用于有机电致发光器件的制作。一般的线状蒸发源由坩埚容体和带有喷嘴的坩埚盖构成，在坩埚容体内放置待蒸镀的材料，蒸镀材料经由加热装置加热，通过坩埚盖上的喷嘴喷射至基板上成形膜层。

目前，在对蒸镀温度较高的蒸镀材料进行蒸镀时，蒸镀材料容易对线状蒸发源的坩埚容体造成腐蚀，使得坩埚容体变形，严重影响线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。此外，线状蒸发源的坩埚盖与坩埚容体之间存在一定的缝隙，且喷射的蒸镀材料是各向性的，即蒸镀材料经由喷嘴向各个方向喷射，因此，经由加热装置喷射的蒸镀材料很容易通过线状蒸发源坩埚盖与坩埚容体之间的缝隙漏出，导致线状蒸发源的密封性差，进而影响线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。

实用新型内容

本实用新型提供一种线状蒸发源及真空蒸镀装置，以实现提高线状蒸发源的密封性及耐腐蚀性，进而提高线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种线状蒸发源，包括：

坩埚，包括坩埚容体和坩埚盖；

所述坩埚容体包括第一容体和第二容体，所述第二容***于第一容体内部；

所述第二容体的厚度大于或等于1mm，小于或等于3mm；

所述坩埚盖和所述坩埚容体之间设置有垫片，所述坩埚盖压合所述垫片于所述坩埚容体上。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种真空蒸镀装置，包括第一方面所述的线状蒸发源。

本实用新型实施例提供了一种线状蒸发源及真空蒸镀装置，通过在坩埚盖与坩容体之间设置垫片，坩埚盖压合垫片于坩埚容体上，增加了线状蒸发源的坩埚盖与坩埚容体之间的密封性，防止了坩埚容体的蒸镀材料通过坩埚盖与坩埚容体之间漏出，提高了线状蒸发源蒸镀速率的稳定性，并设定第二容***于第一容体内部，第二容体的厚度大于或等于1mm，小于或等于3mm，使得第二容体不会由于厚度过大而影响第二容体进行蒸镀时的热传导性，也不会由于厚度过小而导致蒸镀材料对第二容体外部的第一容体造成腐蚀而影响蒸镀速率，提高了线状蒸发源密封性以及耐腐蚀性，进而提高了线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种线状蒸发源的剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种真空蒸镀装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供了一种线状蒸发源，包括坩埚，包括坩埚容体和坩埚盖，坩埚容体包括第一容体和第二容体，第二容***于第一容体内部，第二容体的厚度大于或等于1mm，小于或等于3mm，坩埚盖和坩埚容体之间设置有垫片，坩埚盖压合垫片于坩埚容体上。

线状蒸发源将蒸镀材料置于坩埚容体内，在加热装置的作用下，坩埚容体内的蒸镀材料通过坩埚盖上设置的喷嘴喷射至基板上以形成需要的膜层。在对蒸镀温度较高的蒸镀材料进行蒸镀时，蒸镀材料容易对线状蒸发源的坩埚容体造成腐蚀，使得坩埚容体变形，严重影响线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。此外，线状蒸发源的坩埚盖与坩埚容体之间存在一定的缝隙，且喷射的蒸镀材料是各向性的，经由加热装置喷射的蒸镀材料很容易通过线状蒸发源坩埚盖与坩埚容体之间的缝隙漏出，导致线状蒸发源的密封性差，进而影响线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。

针对上述问题，本实用新型实施例提供了一种线状蒸发源及真空蒸镀装置，通过在坩埚盖与坩容体之间设置垫片，坩埚盖压合垫片于坩埚容体上，增加了线状蒸发源的坩埚盖与坩埚容体之间的密封性，防止了坩埚容体的蒸镀材料通过坩埚盖与坩埚容体之间漏出，提高了线状蒸发源蒸镀速率的稳定性，并设定第二容***于第一容体内部，第二容体的厚度大于或等于1mm，小于或等于 3mm，使得第二容体不会由于厚度过大，影响第二容体进行蒸镀时的热传导性，也不会由于厚度过小而导致蒸镀材料对第二容体外部的第一容体造成机械腐蚀而影响蒸镀速率，提高了线状蒸发源密封性的同时，提高了线状蒸发源的耐腐蚀性，进而提高了线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。

以上是本实用新型的核心思想，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1为本实用新型实施例提供的一种线状蒸发源的剖面结构示意图。如图 1所示，线状蒸发源包括坩埚，坩埚包括坩埚容体10和坩埚盖11，坩埚容体 10包括第一容体101和第二容体102，坩埚盖11与坩埚容体10之间设置有垫片12，坩埚盖11压合垫片12于坩埚容体10上，第二容体102的厚度大于或等于1mm，小于或等于3mm。可选的，第二容体102可以内嵌于第一容体101 的内部，示例性的，第二容体102可以通过一固定结构内嵌于第一容体101内，也可以直接内嵌于第一容体101内。

需要说明的是，本实用新型实施例对第二容体102以怎样的形式位于第一容体101内部不作限定，可以是的涂布方式，也可以是内嵌方式，第二容体102 也可以以本领域技术人员能够想到的方式位于第一容体101内部。可选的，第二容体102涂布于第一容体101内部。本实施例以第二容体102涂布于第一熔体101内部为例进行说明。

可选的，构成第一容体101的材料包括金属材料，例如可以是金属钛，构成第二容体102的材料包括非金属材料，例如可以是陶瓷，第二容体102采用的陶瓷材料例如可以是三氧化二铝或热解氮化硼。

线状蒸发源坩埚容体10位于外部的第一容体101的材料选用金属材料，金属材料相对于非金属材料具有较好的延展性，本实用新型提供的线状蒸发源的坩埚盖11压合垫片12于坩埚容体10上，第一容体101采用延展性好的金属材料能够提高坩埚盖11压合垫片12的强度，进而提高线状蒸发源的密封性，保证线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。同时，金属材料耐高温性能较好，采用耐高温的金属材料制成第一容体101能够实现对高温蒸镀材料的蒸镀。可选的，第一容体101采用的金属材料可以为钛，金属钛相对于一般金属具有硬度高以及易于加工成精密零件的特性，采用金属钛制成线状蒸发源的第一容体101，在提高线状蒸发源密封性与耐高温性的同时，能够提高线状蒸发源的硬度以及制作线状蒸发源的精密性。

可选的，线状蒸发源坩埚容体10位于内部的第二容体102的材料选用非金属材料，在对蒸镀温度较高的金属材料进行真空蒸镀时，高温熔体的金属材料极易对有由金属材料制成的第一容体101造成腐蚀，导致第一容体101变形，进而导致用于放置蒸镀材料的整个坩埚容体10变形，严重影响线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。本实用新型实施例中由非金属材料制成的第二容体102能够有效阻止高温熔体金属材料对由金属材料制成的第一容体101的腐蚀。第二容体 102采用的非金属材料例如可以是三氧化二铝或热解氮化硼等的陶瓷材料，陶瓷材料具有耐高温的特性，线状蒸发源中高温熔体的金属材料不会对由陶瓷等耐高温的非金属材料制成的第二容体102造成腐蚀，也就不会使线状蒸发源的坩埚容体10变形，导致线状蒸发源的蒸镀速率不稳定，进一步提高了线性蒸发源蒸镀速率的稳定性。

可选的，线状蒸发源的第二容体102内可以设置有金属蒸镀材料，示例性的，金属蒸镀材料可以包括镱。金属材料镱的蒸镀温度范围大约为400℃到 500℃，远远高于蒸镀温度约为200℃的有机材料，因此，使用线状蒸发源对金属材料镱进行真空蒸镀时，高温熔体的金属镱材料极易腐蚀线状蒸发源的坩埚容体10，本实用新型实施例采用的线状蒸发源在第一容体101内部设置第二容体102，且第二容体102可以采用三氧化二铝或热解氮化硼等陶瓷非金属材料，能够有效阻止蒸镀温度较高的金属镱材料对坩埚容体10的金属第一容体101的腐蚀，因此，本实用新型实施例提供的线状蒸发源在实现能够对诸如镱等蒸镀温度较高的金属材料进行真空蒸镀的同时，保证了蒸镀温度较高的金属镱材料不会造成线状蒸发源坩埚容体10的变形，提高了线状蒸发源在蒸镀金属材料时蒸镀速率的稳定性。此外，有机电致发光器件包括电子传输层、发光材料层、空穴传输层以及电子型辅助层等膜层，在制作电子传输层以及电子型辅助层时，为了增加电子传输层以及电子型辅助层的电子迁移率，增加两种载流子在发光材料层的复合率，进而提高有机电致发光器件的发光效率，往往需要在电子传输层以及电子型辅助层等膜层中掺杂N型杂质离子镱离子以增强其电子传输率。因此，本实用新型实施例提供的线状蒸发源还能实现对有机电致发光器件中电子传输层以及电子型辅助层等膜层的真空蒸镀。

可选的，线状蒸发源的坩埚盖11可以经由固定装置压合垫片12于第一容体101上，示例性的，坩埚盖11与坩埚容体10之间的垫片12可以是铝片或石墨片，铝片和石墨片具有良好的热膨胀性能，线状蒸发源在进行真空蒸镀时，需要对坩埚容体10加热以使坩埚容体10内的蒸镀材料通过坩埚盖11上的喷嘴进行蒸镀，而铝片与石墨片由于其良好的热膨胀性能，会在坩埚容体10受热时发生膨胀，与接触的坩埚盖11与坩埚容体10之间紧密贴合，达到增强线状蒸发源密封性的效果。示例性的，采用的固定装置可以是螺丝。

示例性的，第一容体101的材料包括金属钛材料，第二容体102的材料包括陶瓷等非金属材料，而陶瓷材料本身具有一定的脆性，如果将坩埚盖11经由垫片12直接压合在坩埚容体10即同时压合在第一容体101与第二容体102上，可能导致采用脆性陶瓷材料的第二容体102上出现裂纹，进而导致坩埚容体10 的密封性较差，影响线状蒸发源进行真空蒸镀时蒸镀速率的稳定性。因此，为了增加线状蒸发源坩埚盖11与坩埚容体10密封性而在坩埚盖11与坩埚容体 10之间设置的垫片12，可以经由固定装置仅压合垫片12于第一容体101上，这样既能够通过坩埚盖11与坩埚容体10之间的垫片12提高线状蒸发源的密封性，又能够保证脆性的第二容体102不会因为垫片12压合产生的机械作用导致坩埚出现裂纹，影响线状蒸发源的密封性，这样在坩埚盖11与坩容体之间设置垫片12，坩埚盖11压合垫片12于坩埚容体10上，增加了线状蒸发源的坩埚盖11与坩埚容体10之间的密封性，防止了坩埚容体10的蒸镀材料通过坩埚盖 11与坩埚容体10之间漏出，提高了线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。同时，设定第二容体102位于第一容体101内部，第二容体102的厚度大于或等于1mm，小于或等于3mm，使得第二容体102不会由于厚度过大，影响第二容体102进行蒸镀时的热传导性，也不会由于厚度过小而导致蒸镀材料对第二容体102外部的第一容体101造成腐蚀而影响蒸镀速率，提高了线状蒸发源密封性的同时，提高了线状蒸发源的耐腐蚀性，进而提高了线状蒸发源蒸镀速率的稳定性。

本实用新型实施例还提供了一种真空蒸镀装置，包括上述任意实施例中的线状蒸发源，还可以包括蒸镀腔室、蒸镀基板、围绕线状蒸发源设置的角度板以及位于角度板远离线状蒸发源一侧的挡板组件。同时，有机电致发光器件的膜层一般需要两种或两种以上材料混合掺杂形成，当需要真空蒸镀形成两种或两种以上材料的共混掺杂膜层时，真空蒸镀装置还可以包括多个线状蒸发源，且多个线状蒸发源可以被控制同时同方向进行共蒸镀，形成均匀的共混掺杂膜层。图2示例性的示出一种真空蒸镀装置的结构示意图。如图2所示，真空蒸镀装置包括蒸镀腔室13，蒸镀基板14以及线状蒸发源15，进行真空蒸镀时，线状蒸发源15沿AA’方向移动喷射蒸镀材料至蒸镀基板14上，可以通过掩膜版形成所需膜层。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (12)

1.一种线状蒸发源，其特征在于，包括：

坩埚，包括坩埚容体和坩埚盖；

所述坩埚容体包括第一容体和第二容体，所述第二容***于第一容体内部；

所述第二容体的厚度大于或等于1mm，小于或等于3mm；

所述坩埚盖和所述坩埚容体之间设置有垫片，所述坩埚盖压合所述垫片于所述坩埚容体上。

2.根据权利要求1所述的线状蒸发源，其特征在于，所述第二容体涂布于所述第一容体内部。

3.根据权利要求1所述的线状蒸发源，其特征在于，所述第二容体内嵌于所述第一容体内部。

4.根据权利要求1所述的线状蒸发源，其特征在于，构成所述第一容体的材料包括金属材料；构成所述第二容体的材料包括非金属材料。

5.根据权利要求4所述的线状蒸发源，其特征在于，所述金属材料包括钛。

6.根据权利要求4所述的线状蒸发源，其特征在于，所述非金属材料包括陶瓷。

7.根据权利要求6所述的线状蒸发源，其特征在于，所述陶瓷材料包括三氧化二铝或热解氮化硼。

8.根据权利要求1所述的线状蒸发源，其特征在于，所述线状蒸发源的第二容体内设置有金属蒸镀材料。

9.根据权利要求8所述的线状蒸发源，其特征在于，所述金属蒸镀材料包括镱。

10.根据权利要求1所述的线状蒸发源，其特征在于，所述坩埚盖经由固定装置压合所述垫片于所述第一容体上。

11.根据权利要求1所述的线状蒸发源，其特征在于，所述垫片为铝片或石墨片。

12.一种真空蒸镀装置，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的线状蒸发源。