CN206282853U - 一种阵列基板、显示面板与显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 118
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 89
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- -1 diol ester Chemical class 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,其中,所述阵列基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,还包括衬底;所述非显示区域设置有至少两个测试单元,所述测试单元包括设置在所述衬底上的第一金属层以及位于所述第一金属层上远离所述衬底一侧的钝化层,所述钝化层上形成有开口,所述第一金属层在所述开口内形成连接凸起,当对所述阵列基板进行测试时,测试电路板与所述第一金属层通过所述连接凸起电连接。采用上述技术方案,可以保证测试时测试单元与测试电路板形成良好接触,提高测试准确性。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板与显示装置。
背景技术
在有机发光二极管显示面板或液晶显示面板的制备工艺过程中,当显示面板制备完毕后需要对显示面板的性能进行测试。在现有显示面板设计中,为便于测试和良品筛选,一般会在显示面板的阵列基板上设置测试单元,通过对阵列基板上的测试单元输入测试信号来对显示面板进行性能测试。
上述测试过程中,由于需要将测试单元与测试电路板进行压合后再测试,在压合过程中可能存在压合不良的情况,导致测试单元和测试电路板接触不良,降低测试的准确性,影响生产效率。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供一种阵列基板、显示面板与显示装置,以解决现有技术中阵列基板测试时测试单元与测试电路板接触不良,测试不准确的技术问题。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,还包括:衬底;
所述非显示区域设置有至少两个测试单元,所述测试单元包括设置在所述衬底上的第一金属层以及位于所述第一金属层上远离所述衬底一侧的钝化层,所述钝化层上形成有开口,所述第一金属层在所述开口内形成连接凸起,当对所述阵列基板进行测试时,测试电路板与所述第一金属层通过所述连接凸起电连接。
第二方面,本实用新型实施例还提供了一种显示面板,包括本实用新型任意实施例提供的阵列基板,还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板。
第三方面,本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括本实用新型任意实施例提供的显示面板。
本实用新型实施例提供的阵列基板、显示面板和显示装置,阵列基板的非显示区域上设置有至少两个测试单元,测试单元自下而上依次包括衬底、第一金属层和钝化层,钝化层上形成有开口,第一金属层在开口内形成连接凸起,当对阵列基板进行测试时,测试电路板与第一金属层通过所述连接凸起电连接,采用上述技术方案可以提高连接良率,保证测试时测试单元与测试电路板形成良好接触,提高测试准确性。
附图说明
为了更加清楚地说明本实用新型示例性实施例的技术方案,下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然,所介绍的附图只是本实用新型所要描述的一部分实施例的附图,而不是全部的附图,对于本领域普通技术人员,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图得到其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图2是本实用新型实施例提供的一种阵列基板测试示意图;
图3是本实用新型实施例提供的一种阵列基板测试时的剖面结构示意图;
图4是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板测试时的剖面结构示意图;
图5是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板测试时的剖面结构示意图;
图6是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板测试时的剖面结构示意图;
图7是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板测试时的剖面结构示意图;
图8是本实用新型实施例提供的开口与第二金属层在衬底上的垂直投影示意图
图9是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图10是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将结合本实用新型实施例中的附图,通过具体实施方式,完整地描述本实用新型的技术方案。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例,均落入本实用新型的保护范围之内。
图1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图,如图1所示,该阵列基板包括显示区域10和围绕显示区域10的非显示区域20,非显示区域上设置有至少两个测试单元30,测试单元30的形成可以为矩形,多个测试单元30在非显示区域20沿第一方向排列,且每个测试单元30在非显示区域20沿第二方向延伸,且第二方向与第一方向垂直,可选的,所述第一方向可以为水平方向,所述第二方向可以为竖直方向。可选的,测试单元30还可以为其他形状,例如圆形、椭圆形或者三角形。现有显示面板设计中,为便于测试和良品筛选,一般会在显示面板的阵列基板上设置测试单元30,测试单元30可以为可视测试衬垫(Visual Test pad,VT pad),通过对阵列基板上的VT pad输入测试信号来对显示面板进行性能测试,这种测试方式为VT测试。VT pad一般由第一金属层制成,当进行VT测试时,将测试电路板40与面板上的VT pad进行压合,使测试信号经由测试电路板40和VT pad传导到显示面板上,对显示面板实现点亮测试,如图2所示。
现有技术中测试单元包括金属导电层和位于金属导电层上的钝化层,钝化层上形成有开口,通过开口露出导电金属层,测试电路板通过开口与导电金属层通过施加压力实现电连接。上述压合为“假压”方式,即导电金属层与测试电路板没有直接连接,而是在压力作用下进行压合连接。但是,由于导电金属层和测试电路板与导电金属层对应的部分均为平整光滑的平面,因此在压合时,由于导电金属层处于钝化层之下,在假压时容易造成导电金属层与测试电路板接触不良;或者由于在形成开口的过程中由于开口内壁不光滑或者内壁存在凸起的情况下,同样容易导致导电金属层与测试电路板接触不良,无法将测试信号通过测试电路板传导到测试单元上,影响测试的准确性,降低产品良率并影响生产效率。由于
针对上述问题,本实用新型实施例还提供了一种阵列基板,同样参考图1,所述阵列基板包括显示区域10和围绕显示区域10的非显示区域20,在非显示区域20上设置有至少两个测试单元30,图3是本实用新型实施例提供的一种阵列基板测试时的剖面结构示意图,阵列基板测试时阵列基板的非显示区域20上的测试单元30与测试电路板40连接。可选的,测试单元30可以包括:
衬底301;
位于衬底301上的第一金属层302;
位于第一金属层302上远离衬底301一侧的钝化层303以及形成在钝化层303上的开口304;
第一金属层302在开口内形成连接凸起3021。
测试电路板40可以为柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit,FPC),测试电路板40可以包括柔性衬底401和位于柔性衬底401上的金手指402。
示例性的,衬底301可以为柔性衬底,其材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜中的至少一种;衬底301还可以为刚衬底,具体可以为玻璃衬底或者其他刚性衬底。本实用新型实施例不对衬底的种类以及材料进行限定。
第一金属层302位于衬底301上,第一金属层302的材料可以包括钛、铝以及铜中的至少一种,这里不对第一金属层302的材料进行限定,只需可以正常传导测试信号即可。
钝化层303位于第一金属层302上,用于对第一金属层302进行保护,避免第一金属层302受到水汽或者氧气侵蚀,发生腐蚀或者氧化现象。可选的,钝化层303的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的至少一种。并且,钝化层303上形成有开口304,且开口304完全贯穿钝化层303,以便通过开口304可以露出第一金属层302,这样在进行测试时,可以保证第一金属层302与测试电路板40上的金手指402良好接触,保证测试信号良好传输至阵列基板的显示区域。可选的,钝化层303上形成有开口304,可以是通过刻蚀钝化层303的方式形成开口304,具体的刻蚀方式可以是干法刻蚀或者湿法刻蚀,还可以通过其他方法形成开口304,本实用新型实施例对如何形成开口304不进行限定。
柔性衬底401的材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜中的至少一种,金手指402的材料可以包括钛、铝以及铜中的至少一种,本实用新型实施例不对柔性衬底401和金手指402的材料进行限定,除了上述的材料之外,还可以是其他材料。
可选的,当对阵列基板进行测试时,测试电路板40上的金手指402与第一金属层302通过连接凸起3021电连接。通过连接凸起3021实现第一金属层302与金手指402之间的电连接,连接凸起3021相当于导电凸块的作用,作为第一金属层302与金手指402之间的连接桥梁,保证第一金属层302与金手指402之间连接的稳定性,减少“假压”方式造成的接触不良现象,保证测试的准确性。
可选的,连接凸起3021的高度可以小于钝化层303的厚度,继续参考图3,这样,第一金属层302与金手指402之间仍是通过“假压”的方式进行连接,但是连接凸起3021的存在减小了第一金属层302与金手指之间的间距,即使使用较小的压力,就可以保证第一金属层302与金手指402之间形成电连接,避免“假压”方式存在的接触不良的技术问题。
可选的,连接凸起3021的高度可以大于或者等于钝化层303的厚度,参考图4,图4是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板测试时的剖面结构示意图,图4以连接凸起3021的高度大于钝化层303的厚度为例进行说明,连接凸起3021的高度大于钝化层303的厚度,如此,不同于前面所述的“假压”方式,这里的第一金属层302与金手指402的连接方式可以形象地理解为“真压”,此时第一金属层302和金手指402实现了真正意义上的接触,不需要压力压合,即可实现第一金属层302与金手指402的电连接,避免“假压”时由于第一金属层302与金手指402之间存在间距造成第一金属层302与金手指402接触不良、影响测试准确性的技术问题。
可选的,第一金属层302与金手指402通过连接凸起3021实现电连接,还需保证开口304在衬底301上的垂直投影覆盖连接凸起3021在衬底301上的垂直投影,保证连接凸起3021能够位于开口304里面,实现第一金属层302与金手指402的电连接。
可选的,可以是第一金属层302的厚度不等,其对应开口304的部分厚度较大,其余部分厚度较小,其对应开口304直接向上突出以形成连接凸起3021,如图3以及图4所示。可选的,还可以是第一金属层302的厚度均匀相等,而是在第一金属层302与衬底301之间存在其他膜层,其他膜层垫高了第一金属层302,形成连接凸起3021;或者,还可以是第一金属层302的厚度不等,其对应开口304的部分厚度较大,同时在第一金属层302与衬底301之间存在其他膜层,在第一金属层302和其他膜层的共同作用下,形成连接凸起3021,具体的,下面将进行详细描述。
可选的,测试单元还可以包括位于衬底301和第一金属层302之间的至少一个膜层,所述至少一个膜层的厚度不等,其对应开口304形成垫高凸起,以垫高第一金属层302形成连接凸起3021。图5是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板测试时的剖面结构示意图,图5仅以衬底301和第一金属层302之间存在一个膜层进行说明,如图5所示,第一金属层302与衬底301之间存在缓冲层305,缓冲层305的厚度不等,对应开口304的位置处形成了垫高凸起3051,由于垫高凸起3051的存在,垫高了原本厚度均匀的第一金属层302,形成连接凸起3021。又或者如图6所示,第一金属层302与衬底301之间存在缓冲层305,缓冲层305的厚度不等,对应开口304的位置处形成了垫高凸起3051,同时,第一金属层302的厚度也不等,其对应开口304的位置处较厚,在垫高凸起3051和第一金属层302的共同作用下,形成了连接凸起3021。
可选的,缓冲层305的可以为有机层、无机层或者有机无机混合层,其材料可以为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜中的至少一种,也可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的至少一种,本实用新型实施例不对缓冲层305的种类以及材料进行限定。
需要说明的是,上述实施例仅以缓冲层为例进行了说明,在衬底和第一金属层之间还可以存在其他的膜层,在第一金属层、缓冲层以及其他膜层中至少一个膜层的作用下,形成了第一金属层的连接凸起,保证了第一金属层和金手指的良好接触,提升了测试的准确性。
可选的,测试单元30还可以包括对应开口304设置的垫高膜层,所述垫高膜层位于衬底301和第一金属层302之间,以垫高第一金属层302形成连接凸起3021,所述垫高膜层可以为单层结构或者多层结构。具体的,图7是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板测试时的剖面结构示意图,图7仅以垫高膜层为单层结构进行说明,如图7所示,第一金属层302与衬底301之间还存在第二金属层306,第二金属层306即为垫高膜层,第二金属层306对应于开口304,且开口304在衬底301上的垂直投影A覆盖第二金属层306在衬底301上的垂直投影B,如图8所示,这样,第二金属层306可以垫高第一金属层302与开口304对应的部分,形成连接凸起3021,保证第一金属层302与金手指402之间的良好接触。可选的,第二金属层306的厚度大于或者等于钝化层303的厚度,如图7所示,如此可以使第一金属层302的垫高部分的高度大于或者等于钝化层303的厚度,即保证连接凸起3021的高度大于或者等于钝化层303的厚度,使第一金属层302可以与金手指402之间直接电连接,连接效果好,测试效率高。可选的,第二金属层306的材料可以和第一金属层302的材料相同,例如可以包括钛、铝以及铜中的至少一种。
可选的,当所述垫高膜层为第二金属层306时,在第一金属层302与第二金属层306之间还形成有绝缘层(图中未示出),用于对第一金属层302和第二金属层306进行绝缘设置。
综上,本实用新型实施例提供的阵列基板,无论是第一金属层直接向上突出形成连接凸起;或者在衬底与第一金属层之间设置至少一个膜层,膜层厚度不同,通过膜层在开口位置处形成垫高凸起,进而形成连接凸起;又或者直接对应设置垫高膜层,通过垫高膜层形成连接凸起,无论采用哪种形式形成连接凸起,并且无论连接凸起的高度是否大于或者等于钝化层的厚度,连接凸起的设置都减小了第一金属层与金手指之间的间距,保证了第一金属层与金手指之间更好的电连接,保证测试信号可以稳定、良好地通过金手指传输到测试单元进而传输到显示面板,提高了测试效率和显示面板的生产效率。
可选的,继续参考图1,显示区10也包括衬底301(图中未示出),还可以还包括设置在衬底301上的数据线和扫描线(图中未示出),第一金属层302与所述扫描线同层设置,第二金属层306与所述数据线同层设置;或者,第一金属层302与所述数据线同层设置,第二金属层306与所述扫描线同层设置。可选的,显示区域10的数据线或者扫描线延伸至非显示区域20形成第一金属层302或者第二金属层306,因此,数据线或者扫描线与第一金属层302以及第二金属层306的材料可以相同,例如可以包括钛、铝以及铜中的至少一种。
可选的,显示区域还可以包括薄膜晶体管(Thin-film Transistor,TFT)驱动电路,TFT驱动电路可以是顶栅结构,从下到上依次包括有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极;TFT驱动电路还可以为底栅结构,从下到上依次包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,本实用新型实施例不对TFT驱动电路的具体类型进行限定,且TFT驱动电路属于阵列基板的常规设置,这里不再具体介绍。
可选的,显示区域还可以包括薄膜晶体管(Thin-film Transistor,TFT)驱动电路,TFT驱动电路可以是顶栅结构,从下到上依次包括有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极;TFT驱动电路还可以为底栅结构,从下到上依次包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,本实用新型实施例不对TFT驱动电路的具体类型进行限定,且TFT驱动电路属于阵列基板的常规设置,这里不再具体介绍。
图9是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图,参考图9,本实用新型实施例提供的显示面板包括上述实施例所述的阵列基板1以及所述阵列基板1相对设置的对向基板2,对向基板2可以为彩膜基板,还可以为盖板或者其他封装层。可选的,所述显示面板为有机发光显示面板或者液晶显示面板。
图10是本实用新型实施例提供的一种显示装置的示意图,参考图10,显示装置100可以包括本实用新型任意实施例所述的显示面板101。显示装置100可以为图10所示的手机,也可以为电脑、电视机、智能穿戴显示装置等,本实用新型实施例对此不作特殊限定。
注意,上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本实用新型不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明,但是本实用新型不仅仅限于以上实施例,在不脱离本实用新型构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (14)
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,其特征在于,包括衬底;
所述非显示区域设置有至少两个测试单元,所述测试单元包括设置在所述衬底上的第一金属层以及位于所述第一金属层上远离所述衬底一侧的钝化层,所述钝化层上形成有开口,所述第一金属层在所述开口内形成连接凸起,当对所述阵列基板进行测试时,测试电路板与所述第一金属层通过所述连接凸起电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层的连接凸起的高度大于或者等于所述钝化层的厚度。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层的厚度不等,其对应所述开口直接向上突出以形成所述连接凸起。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述测试单元还包括位于所述衬底与所述第一金属层之间的至少一个膜层,所述至少一个膜层的厚度不等,其对应所述开口形成垫高凸起,以垫高所述第一金属层形成所述连接凸起;
或者,
所述测试单元还包括对应开口设置的垫高膜层,以垫高所述第一金属层形成所述连接凸起。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述垫高膜层为第二金属层,所述开口在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第二金属层在所述衬底上的垂直投影。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层的厚度大于或者等于所述钝化层的厚度。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区域还包括设置在所述衬底上的数据线和扫描线,所述第一金属层与所述扫描线同层设置,所述第二金属层与所述数据线同层设置;或者,所述第一金属层与所述数据线同层设置,所述第二金属层与所述扫描线同层设置。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述测试单元还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间,用于对所述第一金属层和所述第二金属层进行绝缘设置。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述测试电路板为柔性印刷电路板,所述柔性印刷电路板包括柔性衬底以及位于所述柔性衬底上方的金手指,当对所述阵列基板进行测试时,所述金手指与所述第一金属层通过所述连接凸起电连接。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述测试单元的形状为矩形。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,至少两个所述测试单元在所述非显示区域沿第一方向排列,且每个所述测试单元在所述非显示区域沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向垂直。
12.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-11任一项所述的阵列基板,还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为有机发光显示面板或液晶显示面板。
14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求12或13所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621444425.2U CN206282853U (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种阵列基板、显示面板与显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621444425.2U CN206282853U (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种阵列基板、显示面板与显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206282853U true CN206282853U (zh) | 2017-06-27 |
Family
ID=59072076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201621444425.2U Active CN206282853U (zh) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 一种阵列基板、显示面板与显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206282853U (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111341789A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111596476A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-08-28 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板以及显示装置 |
CN112289777A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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- 2016-12-27 CN CN201621444425.2U patent/CN206282853U/zh active Active
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