CN206248978U - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线，以及设置在衬底基板上的多条公共电极线；还包括：设置在数据线靠近衬底基板的一侧且与公共电极线电性连接的补偿电极；在垂直于数据线延伸方向的方向上，补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖位于相邻两个像素区域之间的数据线在衬底基板上的正投影。本实用新型实施例提供的上述阵列基板在不过分依赖于工艺制程精度的前提下，通过静电屏蔽效应，可以有效屏蔽耦合电容，降低串扰不良风险。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

在显示技术领域，平板显示装置，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)因其具有轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示技术领域占据重要的地位。

显示装置至少包括设置有像素阵列的阵列基板，一般地，阵列基板设置有栅线、数据线、公共电极线，以及位于像素区域的像素电极、公共电极等。

以传统超高级超维场开关(High Advanced Super Dimension Switch，HADS)模式的液晶显示器为例，如图1a和图1b所示，在阵列基板的制作工艺中，阵列基板的所有区域(包括显示区域和包围该显示区域的周边区域)会覆盖一层透明电极，为了产生稳定的水平电场，一般设计情况下，仅对在显示区域内位于像素电极02上方的透明电极进行slit处理，作为公共电极01(虚线标注处)；对保留在数据线03(data line)上方区域的透明电极不进行slit处理，作为无slit设计的屏蔽电极04(虚线标注处)，该屏蔽电极04因具有稳定的公共电压(Vcom)而对耦合电容(Cpd)起到一定的屏蔽作用，但此区域无稳定水平电场来控制液晶旋转，不能正常显示，需以彩膜基板侧的遮光层(Black matrix，BM)遮挡，换言之，为了保证像素的开口率，屏蔽电极04的宽度不会太宽。但实际上，屏蔽电极04越宽，有稳定的公共电压供给的屏蔽电极04与其下方的像素电极02和data line 03均有较大的交叠面积，产生的屏蔽电容越强，可以有效屏蔽像素电极02和data line 03之间因相互耦合产生的耦合电容，从而改善因耦合电容过大导致的串扰(crosstalk)不良。反之，屏蔽电极04越窄，屏蔽电极04对像素电极02和data line 03之间的耦合作用屏蔽效果越差，加上工艺方面对位误差的影响，极易发生严重的crosstalk不良。随着显示技术的发展，显示产品的分辨率(PPI)越来越高，屏蔽电极04的宽度也越来越窄，仅靠控制制程精度已经难以有效改善因像素电极02和data line 03耦合产生的crosstalk不良。图1b中的05为衬底基板，06为绝缘层，07为钝化层。

因此，如何改善因像素电极和data line耦合产生的crosstalk不良，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，可以有效屏蔽耦合电容，降低串扰不良风险。

因此，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线，以及设置在所述衬底基板上的多条公共电极线；还包括：

设置在所述数据线靠近所述衬底基板的一侧且与所述公共电极线电性连接的补偿电极；

在垂直于所述数据线延伸方向的方向上，所述补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖位于相邻两个所述像素区域之间的所述数据线在衬底基板上的正投影。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括：设置在所述数据线远离所述衬底基板的一侧且与所述公共电极线电性连接的屏蔽电极；

在垂直于所述数据线延伸方向的方向上，所述补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖所述屏蔽电极在衬底基板上的正投影。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括：设置在各所述像素区域内且位于所述补偿电极和屏蔽电极之间的第一透明电极；

所述补偿电极在衬底基板上的正投影与所述第一透明电极在衬底基板上的正投影具有交叠区域。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极在衬底基板上的正投影与相邻两个所述第一透明电极在衬底基板上的正投影均具有交叠区域。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极的宽度为12μm至16μm。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极位于所述公共电极线靠近所述衬底基板的一侧；或，

所述补偿电极位于所述公共电极线远离所述衬底基板的一侧。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括：与所述屏蔽电极同层设置且与所述第一透明电极相互绝缘的第二透明电极。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极；或，

所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极。

本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述显示面板。

本实用新型实施例的有益效果包括：

本实用新型实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线，以及设置在衬底基板上的多条公共电极线；还包括：设置在数据线靠近衬底基板的一侧且与公共电极线电性连接的补偿电极；在垂直于数据线延伸方向的方向上，补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖位于相邻两个像素区域之间的数据线在衬底基板上的正投影。本实用新型实施例提供的上述阵列基板在不过分依赖于工艺制程精度的前提下，通过静电屏蔽效应，可以有效屏蔽耦合电容，降低串扰不良风险。

附图说明

图1a为现有技术中阵列基板的俯视图；

图1b为图1a沿A-A’方向的剖面结构示意图；

图2a为本实用新型实施例提供的阵列基板的俯视图；

图2b为图2a沿B-B’方向的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的阵列基板的等效电容示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本实用新型内容。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，如图2a和图2b所示，包括：衬底基板1，设置在衬底基板1上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线2和数据线3，以及设置在衬底基板1上的多条公共电极线4；还包括：

设置在数据线3靠近衬底基板1一侧且与公共电极线4电性连接的补偿电极5(即补偿电极的输入信号为稳定的公共电极信号Vcom)；

在垂直于数据线3延伸方向的方向上，补偿电极5在衬底基板1上的正投影至少覆盖位于相邻两个像素区域之间的数据线3在衬底基板1上的正投影。

需要说明的是，图2a中示出了补偿电极5与公共电极线4直接电性连接，当然，补偿电极和公共电极线之间的连接方式也可以是其它方式，如可以通过过孔电性连接，或可以通过信号走线电性连接。对于补偿电极和公共电极线之间的连接方式可以根据情况而定，在此不做限定。另外，需要说明的是，“在垂直于数据线3延伸方向的方向上，补偿电极5在衬底基板1上的正投影至少覆盖位于相邻两个像素区域之间的数据线3在衬底基板1上的正投影”，可以理解为补偿电极5在衬底基板1上的正投影仅需满足在其宽度方向上覆盖数据线3在衬底基板1上的正投影即可，在其余方向上(如数据线延伸方向)无需满足，在此不做限定。

在本实用新型实施例提供的上述阵列基板，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线，以及设置在衬底基板上的多条公共电极线；还包括：设置在数据线靠近衬底基板的一侧且与公共电极线电性连接的补偿电极；在垂直于数据线延伸方向的方向上，补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖位于相邻两个像素区域之间的数据线在衬底基板上的正投影。本实用新型实施例提供的上述阵列基板在不过分依赖于工艺制程精度的前提下，由于在垂直于数据线延伸方向的方向上，补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖位于相邻两个像素区域之间的数据线在衬底基板上的正投影，又由于补偿电极的输入信号为稳定的公共电极信号Vcom，即补偿电极的电荷分布稳定，而数据线的电压会发生变化，这使得补偿电极与数据线之间产生了屏蔽电容，通过静电屏蔽效应，可以拉动数据线的电荷分布，促使数据线的电荷重新分布，趋于稳定，进而可以有效屏蔽耦合电容，降低串扰不良风险。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，为了能够进一步有效屏蔽耦合电容，如图2a和图2b所示，该阵列基板还可以包括：设置在数据线3远离衬底基板1一侧且与公共电极线4电性连接的屏蔽电极6(即屏蔽电极的输入信号为稳定的公共电极信号Vcom)；在垂直于数据线3延伸方向的方向上，补偿电极5在衬底基板1上的正投影至少覆盖屏蔽电极6在衬底基板1上的正投影，即如图2b所示，补偿电极5的宽度可以大于或等于屏蔽电极6的宽度。由于屏蔽电极和补偿电极的输入信号均为稳定的公共电极信号Vcom，电荷分布均为稳定的状态，通过屏蔽电极和补偿电极的共同作用，使得屏蔽电极和补偿电极分别与数据线之间产生了屏蔽电容，通过静电屏蔽效应，可以拉动数据线的电荷分布，促使数据线的电荷重新分布，趋于稳定，进而可以进一步有效屏蔽耦合电容，降低串扰不良风险。需要说明的是，图2a中虽未示出屏蔽电极6与公共电极线4之间的连接方式，但可以是多种方式，如可以通过过孔电性连接，或可以通过信号走线电性连接，对于屏蔽电极和公共电极线之间的连接方式可以根据情况而定，在此不做限定。另外，需要说明的是，“在垂直于数据线3延伸方向的方向上，补偿电极5在衬底基板1上的正投影至少覆盖屏蔽电极6在衬底基板1上的正投影”，可以理解为补偿电极5在衬底基板1上的正投影仅需满足在其宽度方向上覆盖屏蔽电极6在衬底基板1上的正投影即可，在其余方向上(如数据线延伸方向)无需满足，在此不做限定。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图2a和图2b所示，该阵列基板还可以包括：设置在各像素区域内且位于补偿电极5和屏蔽电极6之间的第一透明电极7；补偿电极5在衬底基板1上的正投影与第一透明电极7在衬底基板1上的正投影具有交叠区域。由于补偿电极在衬底基板上的正投影与第一透明电极在衬底基板上的正投影具有交叠区域，又由于补偿电极的输入信号为稳定的公共电极信号Vcom，即补偿电极的电荷分布稳定，而在数据线的电压发生变化的同时，会带动第一透明电极的电荷分布发生变化，这使得补偿电极与第一透明电极之间产生了屏蔽电容，该屏蔽电容较强时，通过静电屏蔽效应，可以拉动第一透明电极的电荷分布，保持第一透明电极的电荷分布的稳定性，进而可以有效屏蔽第一透明电极与数据线之间的耦合电容，改善因第一透明电极与数据线相互耦合产生的串扰不良。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图2a和图2b所示，补偿电极5在衬底基板1上的正投影与相邻两个第一透明电极7在衬底基板1上的正投影均具有交叠区域，即补偿电极5的两端分别延伸至像素区域，这样可以使补偿电极与相邻两个第一透明电极之间均产生屏蔽电容，通过静电屏蔽效应，可以拉动相邻两个第一透明电极的电荷分布，保持相邻两个第一透明电极的电荷分布的稳定性，进而可以进一步有效屏蔽相邻两个第一透明电极分别与数据线之间的耦合电容，进而改善因相邻两个第一透明电极与数据线相互耦合产生的串扰不良。

具体地，以图2b中的阵列基板为例，如图3所示，相邻两个第一透明电极7分别与数据线3之间具有耦合电容C1和C2，此时若工艺制程发生对位偏差导致第一透明电极7和数据线3之间的距离缩短，耦合电容C1或耦合电容C2的耦合效应将大大增强，极易发生串扰不良；而屏蔽电极6与相邻两个第一透明电极7之间具有屏蔽电容C3和C4，屏蔽电极6与数据线3之间具有屏蔽电容C5，由于为了保证像素的开口率，屏蔽电极6的宽度不会太宽(一般约为8μm至12μm)，屏蔽电极6与第一透明电极7的交叠面积过小，屏蔽电容C3和C4的屏蔽效应较弱，对第一透明电极7的电荷分布的影响不大，因此无法有效屏蔽耦合电容C1或耦合电容C2；而添加了补偿电极5相当于增加了补偿电极5与相邻两个第一透明电极7之间的屏蔽电容C6和C7，以及补偿电极5与数据线3之间的屏蔽电容C8，由于与补偿电极5与第一透明电极7的交叠面积较大，屏蔽电容C6和C7的屏蔽能力强于屏蔽电容C3和C4，可以保持相邻两个第一透明电极7的电荷分布的稳定性，有效屏蔽耦合电容C1或耦合电容C2，并且对位精度对其影响很小。因此，本实用新型实施例提供的上述阵列基板，在不过分依赖于工艺制程精度的前提下，可以有效改善串扰不良，高PPI产品尤为适用。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，当补偿电极选择为透明电极材料时，由于无需考虑像素开口率这一因素，补偿电极的宽度可以设置为12μm至16μm。一般地，屏蔽电极的宽度会设置在8μm至12μm，这样可以确保补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖屏蔽电极在衬底基板上的正投影。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，补偿电极可以位于公共电极线靠近衬底基板的一侧；或，补偿电极可以位于公共电极线远离衬底基板的一侧。具体地，在阵列基板的制作工艺中，具体步骤可以包括以下两种方式：

第一种实施方式：首先在衬底基板上，通过构图工艺(即曝光显影刻蚀等)形成栅线和公共电极线，然后在待形成的数据线靠近衬底基板的一侧通过构图工艺形成补偿电极的图形，并且该补偿电极与公共电极线直接搭接在一起；

第二种实施方式：首先在衬底基板上，通过构图工艺(即曝光显影刻蚀等)在待形成的数据线靠近衬底基板的一侧通过构图工艺形成补偿电极的图形，然后通过构图工艺在形成有补偿电极图形的衬底基板上形成栅线和公共电极线，并确保补偿电极与公共电极线直接搭接在一起。

第二种实施方式与第一种实施方式相比，第二种实施方式较佳，补偿电极的平坦性较好，当补偿电极的膜层较薄时，与公共电极线的搭接处不易产生裂缝(crack)。需要说明的是，上述制作方式的步骤仅为举例，还可以是其它步骤或包含其他步骤，在此不做限定。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图2a和图2b所示，该阵列基板还可以还包括：与屏蔽电极6同层设置且与第一透明电极7相互绝缘的第二透明电极8(虚线标注处)，这样，在制备阵列基板时不需要增加额外的制备工序，只需要通过一次构图工艺即可形成屏蔽电极6和第二透明电极8的图形，能够节省制备成本，提升产品附加值；优选地，可以在阵列基板上覆盖一层透明电极层薄膜，对位于像素区域内的透明电极层薄膜进行slit处理，作为第二透明电极8，对保留在数据线3上方区域的透明电极层薄膜不进行slit处理，作为无slit设计的屏蔽电极6。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，当第一透明电极为公共电极时，则第二透明电极可以为像素电极，此时公共电极为板状电极，像素电极可以为狭缝电极；或，当第一透明电极为像素电极时，则第二透明电极可以为公共电极，此时像素电极为板状电极，公共电极可以为狭缝电极。

在具体实施时，如图2b所示，本实用新型实施例提供的阵列基板中一般还会具有诸如绝缘层9、钝化层10等其他膜层结构，以及在衬底基板上还一般形成如薄膜晶体管的结构，这些具体结构可以有多种实现方式，在此不做限定。

基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板。

基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述显示面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本实用新型的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示面板或阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线，以及设置在衬底基板上的多条公共电极线；还包括：设置在数据线靠近衬底基板的一侧且与公共电极线电性连接的补偿电极；在垂直于数据线延伸方向的方向上，补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖位于相邻两个像素区域之间的数据线在衬底基板上的正投影。本实用新型实施例提供的上述阵列基板在不过分依赖于工艺制程精度的前提下，通过静电屏蔽效应，可以有效屏蔽耦合电容，降低串扰不良风险。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线，以及设置在所述衬底基板上的多条公共电极线；其特征在于，还包括：

设置在所述数据线靠近所述衬底基板的一侧且与所述公共电极线电性连接的补偿电极；

在垂直于所述数据线延伸方向的方向上，所述补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖位于相邻两个所述像素区域之间的所述数据线在衬底基板上的正投影。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述数据线远离所述衬底基板的一侧且与所述公共电极线电性连接的屏蔽电极；

在垂直于所述数据线延伸方向的方向上，所述补偿电极在衬底基板上的正投影至少覆盖所述屏蔽电极在衬底基板上的正投影。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置在各所述像素区域内且位于所述补偿电极和屏蔽电极之间的第一透明电极；

所述补偿电极在衬底基板上的正投影与所述第一透明电极在衬底基板上的正投影具有交叠区域。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极在衬底基板上的正投影与相邻两个所述第一透明电极在衬底基板上的正投影均具有交叠区域。

5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极的宽度为12μm至16μm。

6.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极位于所述公共电极线靠近所述衬底基板的一侧；或，

所述补偿电极位于所述公共电极线远离所述衬底基板的一侧。

7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：与所述屏蔽电极同层设置且与所述第一透明电极相互绝缘的第二透明电极。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极；或，

所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。